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TW201731827A - 化合物、組成物及硬化物 - Google Patents

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TW201731827A
TW201731827A TW105136423A TW105136423A TW201731827A TW 201731827 A TW201731827 A TW 201731827A TW 105136423 A TW105136423 A TW 105136423A TW 105136423 A TW105136423 A TW 105136423A TW 201731827 A TW201731827 A TW 201731827A
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Tomohiro Shimono
Kazuo Arita
Junji Yamaguchi
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Dainippon Ink & Chemicals
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Abstract

本發明藉由提供一種□化合物而解決課題，該□化合物之特徵在於具有芳香環結構、及多個具有特定之碳-碳間雙鍵結構之基。又，本發明提供一種含有本發明之□化合物之組成物、含有該組成物之硬化物、及具有該硬化物層之積層體。又，本發明藉由提供一種耐熱材料用組成物及電子材料用組成物而解決課題，該耐熱材料用組成物及電子材料用組成物之特徵在於含有包含本發明之□化合物之組成物。

Description

化合物、組成物及硬化物
本發明係關於一種耐熱性、介電特性、低吸濕性優異之化合物、及含有該化合物之組成物、硬化物、積層體。又，本發明係關於一種含有該化合物之耐熱材料及耐熱構件、電子材料及電子構件。
半導體密封材料或多層印刷基板用絕緣層等所使用之電子零件用樹脂材料使用有環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂、苯并樹脂等各種樹脂，近年來於各種用途、尤其是最尖端之電子材料用途中，要求耐熱性、介電特性等性能之進一步提昇、及兼備該等並且亦表現出低吸濕性之材料、組成物。
其中，可藉由將酚化合物與胺化合物、甲醛組合而簡便地製備之苯并由於藉由加熱即便單獨亦可進行開環聚合，且藉由其交聯結構中所形成之牢固之氫鍵結構而表現出高耐熱性、低線膨脹性，故而近年來除研究用於上述電子材料用途以外，亦作為用於以SiC功率半導體為代表之下一代裝置之樹脂材料而受到關注。
作為習知之苯并，於專利文獻1、專利文獻2中揭示有由雙酚F 或雙酚A等二官能酚類及苯胺所構成之苯并。然而，由於該等之使用時，於之開環時會以分解氣體之形式產生源自苯胺之成分，故而於成為長期熱耐久性之指標之耐熱分解性中，未達到近年來所要求之等級，因而強烈期望更進一步之改良、性能之提昇。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平11-12258號公報
[專利文獻2]日本特開2000-169456號公報
本發明之課題在於提供一種耐熱分解性優異而且介電特性及低吸濕性優異之新穎化合物。又，本發明之課題在於提供一種含有該新穎化合物之組成物、硬化物、及含有該硬化物之積層體。又，本發明之課題在於提供一種含有該新穎化合物之耐熱材料及電子材料。
本發明者等人進行了努力研究，結果發現如下化合物可解決上述問題，該化合物之特徵在於具有芳香環結構、及多個具有特定之碳-碳間雙鍵結構之基。
即，本發明係藉由提供一種化合物而解決上述問題，該化合物係具有通式(1)之結構者，其特徵在於：上述通式(1)具有至少2個以上通式(4)或(5)所表示之官能基R1。
(式(1)中，n表示2~4之整數，Y分別獨立為通式(2)所表示之結構，X以通式(3)之中之任一者表示。
(式(2)中，環A表示經取代或未經取代之芳香環，a1表示與通式(1)中之X之鍵結位置)
(式(3)中，Ar1~Ar6分別獨立表示經取代或未經取代之芳基，Ar7表示經取代或未經取代之伸芳基，n2表示2至4之整數，n3表示1或2，Z1、Z2及Z3分別獨立表示單鍵、氮原子、氧原子、伸烷基、伸芳基、羰基、酯基、醯胺基、亞胺基、偶氮基、硫醚基、碸基及使該等基組合而成之基之任一者))
(式(4)中，V1、V2、Q1分別獨立表示單鍵或2價之連結基，R2、R3及R4表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a2表示與上述通式(1)之鍵結點)
(式(5)中，n4表示2~6之整數，V3及V4分別獨立表示單鍵或2價之連結基，Q2表示n4+1價之連結基，R5、R6及R7表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a3表示與上述通式(1)之鍵結點)
又，本發明提供一種含有本發明之化合物之組成物、含有該組成物之硬化物、及具有該硬化物層之積層體。又，本發明提供一種耐熱材料用組成物及電子材料用組成物，該耐熱材料用組成物及電子材料用組成物之特徵在於含有包含本發明之化合物之組成物。
本發明之化合物由於其硬化物之耐熱分解性、介電特性及低吸濕性優異，故而可較佳地使用於耐熱構件或電子構件。尤其是可較佳地使用於半導體密封材、電路基板、增層膜、增層基板等、或接著劑或者抗蝕劑材料。又，亦可較佳地使用於纖維強化樹脂之基質樹脂，以高耐熱性之預浸體之形式尤佳。
<化合物>
本發明之化合物係具有通式(1)之結構者，其特徵在於：上述通式(1)具有至少2個以上通式(4)或(5)所表示之官能基R1。
(式(1)中，n表示2~4之整數，Y分別獨立為通式(2)所表示之結構，X以通式(3)之中之任一者表示。
(式(2)中，環A表示經取代或未經取代之芳香環，a1表示與通式(1)中之X之鍵結位置)
(式(3)中，Ar1~Ar6分別獨立表示經取代或未經取代之芳基，Ar7表示經取代或未經取代之伸芳基，n2表示2至4之整數，n3表示1或2，Z1、Z2及Z3分別獨立表示單鍵、氮原子、氧原子、伸烷基、伸芳基、 羰基、酯基、醯胺基、亞胺基、偶氮基、硫醚基、碸基及使該等基組合而成之基之任一者))
(式(4)中，V1、V2、Q1分別獨立表示單鍵或2價之連結基，R2、R3及R4表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a2表示與上述通式(1)之鍵結點)
(式(5)中，n4表示2~6之整數，V3及V4分別獨立表示單鍵或2價之連結基， Q2表示n4+1價之連結基，R5、R6及R7表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a3表示與上述通式(1)之鍵結點)
於上述通式(1)中，官能基R1之鍵結部位並無特別限定，可2個以上鍵結於式中之X，亦可2個以上鍵結於Y，還可分別鍵結於X及Y。
作為較佳之結構，較佳為官能基R1鍵結於式(1)中之Y之結構，其原因在於會使耐熱性提昇。具體而言，為下述式(1-1)所表示之結構。
(式(1-1)中，n表示2~4，R1分別獨立表示上述式(4)或(5)之基)
又，除式(1)中之Y以外，官能基R1鍵結於X之結構亦由於會使耐熱性提昇而較佳。具體而言，為下述式(1-2)所表示之結構。
(式(1-2)中，n表示2~4之整數，Y分別獨立為通式(2)所表示之結構，X為通式(3)之中之任一者，R1分別獨立表示上述式(4)或(5)之基)
於本發明之化合物中，碳原子具有之氫原子可被取代。於被取代之情形時，較佳為碳數1~3之烷基、經取代或未經取代之芳香族基。氫原子被取代之部位並無特別限定。
<官能基R1>
於本發明中，官能基R1為具有碳-碳間雙鍵結構之基，具體而言，為上述式(4)或(5)所表示之基。本發明之化合物由於要進行由環之開環聚合所產生之硬化反應、及由碳-碳間雙鍵之聚合反應所產生之硬化反應2種硬化，故而硬化時會形成較密之交聯結構，因此耐熱性大幅提昇。尤其是本發明之化合物之特徵在於具有2個以上之官能基R1，其原因在於藉由多官能化會使硬化物形成更密之三維交聯，進一步使耐熱性提昇。
官能基R1為上述式(4)或(5)所表示之基，於通式(1)中存在2個以上，官能基R1之結構可分別不同，亦可相同。
(式(4)中，V1、V2、Q1分別獨立表示單鍵或2價之連結基，R2、R3及R4表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a2表示與上述通式(1)之鍵結點)
(式(5)中，n4表示2~6之整數，V3及V4分別獨立表示單鍵或2價之連結基，Q2表示n4+1價之連結基，R5、R6及R7表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a3表示與上述通式(1) 之鍵結點)
作為上述式(4)及式(5)中之V1、V2、V3、V4、Q1各者中之2價之連結基，可列舉：氧原子、2價之烴基、或2價之烴基中包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、或鹵素原子取代之2價之基、羰基(-CO-基)、酯基(-COO-基)、醯胺基(-CONH-基)、亞胺基(-C=N-基)、偶氮基(-N=N-基)、硫醚基(-S-基)、碸基(-SO3-基)、及將該等組合而成之2價之連結基等。
作為2價之烴基，可列舉：伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸環烷基、伸芳基、伸芳烷基(具有伸烷基及伸芳基之2價之基)等。
作為伸烷基，可列舉：亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基等。
作為伸烯基，可列舉：伸乙烯基、1-甲基伸乙烯基、伸丙烯基、伸丁烯基、伸戊烯基等。
作為伸炔基，可列舉：伸乙炔基、伸丙炔基、伸丁炔基、伸戊炔基、伸己炔基等。
作為伸環烷基，可列舉：伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基等。
作為伸芳基，可列舉：伸苯基、甲伸苯基、苯二甲基、伸萘基等。
作為伸芳烷基，可列舉：具有伸烷基及伸芳基之碳數7~20之伸芳烷基等。
於表示烴基中包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、或鹵素原子取代之2價之基之情形時，可列舉：含有羥基之伸烷基、含有烷 氧基之伸烷基、鹵化伸烷基、含有羥基之伸烯基、含有烷氧基之伸烯基、鹵化伸烯基、含有羥基之伸炔基、含有烷氧基之伸炔基、鹵化伸炔基、含有羥基之伸環烷基、含有烷氧基之伸環烷基、鹵化伸環烷基、含有羥基之伸芳基、含有烷氧基之伸芳基、鹵化伸芳基、含有羥基之伸芳烷基、含有烷氧基之伸芳烷基、鹵化伸芳烷基。
作為含有羥基之伸烷基，可列舉：羥基伸乙基、羥基伸丙基等。作為含有烷氧基之伸烷基，可列舉：甲氧基伸乙基、甲氧基伸丙基、烯丙氧基亞甲基、烯丙氧基伸丙基、炔丙氧基亞甲基、炔丙氧基伸丙基等。作為鹵化伸烷基，可列舉：氯亞甲基、氯伸乙基、氯伸丙基、溴亞甲基、溴伸乙基、溴伸丙基、氟亞甲基、氟伸乙基、氟伸丙基等。
作為含有羥基之伸烯基，可列舉：羥基伸丁烯基、羥基伸戊烯基等。作為含有烷氧基之伸烯基，可列舉：甲氧基伸丁烯基、乙氧基伸己烯基等。作為鹵化伸烯基，可列舉：氯伸丙烯基、溴伸戊烯基等。
作為含有羥基之伸炔基，可列舉：羥基伸戊炔基、羥基伸己炔基等。作為含有烷氧基之伸炔基，可列舉：乙氧基伸己炔基、甲氧基伸庚炔基等。作為鹵化伸炔基，可列舉：氯伸己炔基、氟伸辛炔基等。
作為含有羥基之伸環烷基，可列舉羥基伸環己烯基等。作為含有烷氧基之伸環烷基，可列舉：甲氧基伸環戊基等。作為鹵化伸環烷基，可列舉二氯伸環戊基等。
作為含有羥基之伸芳基，可列舉羥基伸苯基等。作為含有烷氧基之伸芳基，可列舉：甲氧基伸苯基、乙氧基伸苯基、烯丙氧基伸苯基、炔丙氧基伸苯基等。作為鹵化伸芳基，可列舉：氯苯基、溴苯基、氟苯基、 氯萘基、溴萘基、氟萘基等。
除上述以外，V1、V2、V3、V4、Q1各者中之2價之連結基亦可為含有不飽和烴基之伸芳基。作為含有不飽和烴基之伸芳基，可列舉：乙烯基伸苯基、烯丙基伸苯基、乙炔基伸苯基、炔丙基伸苯基等。
於上述式(4)中，關於Q1，較佳為選自單鍵、氧原子、伸烷基、伸芳烷基之群中之任一連結基。
作為V1、V2、V3、V4、Q1各者中之2價之連結基，較佳為單鍵或2價之烴基或氧原子，作為2價之烴基，較佳為伸烷基、伸芳基。作為尤佳之組合，為V1為單鍵或伸苯基、V2為亞甲基(-CH2-)、V3為單鍵、V4為亞甲基(-CH2-)、Q1為氧原子之情形。
於上述式(5)中，Q2表示n4+1價之連結基。較佳為可列舉氮原子、碳數1~20之烴基。尤佳為氮原子。
該等連結基可具有除連結於V4之具有碳-碳三鍵之基以外之取代基(其中，與V3之鍵及與連結於V4之具有碳-碳三鍵之基以外之取代基之鍵不算作價數)。
作為Q2中之碳數1~20之烴基，具體而言，可列舉：伸烷基、伸烯基、伸環烷基、伸芳基、伸芳烷基。
作為伸烷基，可列舉：亞甲基、次甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基等。
作為伸烯基，可列舉：伸乙烯基、1-甲基伸乙烯基、伸丙烯基、伸丁烯基、伸戊烯基等。
作為伸炔基，可列舉：伸乙炔基、伸丙炔基、伸丁炔基、伸戊炔基、 伸己炔基等。
作為伸環烷基，可列舉：伸環丙基、伸環丁基、伸環戊基、伸環己基等。
作為伸芳基，可列舉：伸苯基、甲伸苯基、苯二甲基、伸萘基等。
作為伸芳烷基，可列舉具有伸烷基及伸芳基之碳數7~20之伸芳烷基等。
作為上述式(4)，較佳為可列舉以下結構。
(式(4-3)中，R10表示氫原子、烴基、或烴基中包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基。)
尤佳為式(4)為具有烯丙醚基之(4-2)、(4-3)之情形、R10為氫原子之情形。
作為上述式(5)，較佳為可列舉以下結構。
(式(5-2)中，R11表示氫原子、烴基、或烴基中包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基)
尤佳為式(5)為二烯丙基胺基之情形。
<Ar1、環A>
於上述通式(1)中，Y分別獨立為下述通式(2)所表示之結構。
(式(2)中，環A表示經取代或未經取代之芳香環，a1表示與通式(1)中之X之鍵結位置)
於上述通式(2)中，環A表示經取代或未經取代之芳香環，作為芳香環，具體而言，可列舉：苯環、萘環、蒽環、菲環等。
又，於上述通式(1)中，X表示下述通式(3-1)~(3-4)所表示之結構之任一者。
Ar 1 (3-1)
Ar 2 -Ar 3 (3-2)
(式(3-1)~(3-4)中，Ar1~Ar6分別獨立表示經取代或未經取代之芳基，Ar7表示經取代或未經取代之伸芳基，n2表示2至4之整數，n3表示1或2，Z1、Z2及Z3分別獨立表示單鍵、氮原子、氧原子、伸烷基、伸芳基、羰基、酯基、醯胺基、亞胺基、偶氮基、硫醚基、碸基及使該等基組合而成之基之任一者)
作為本發明之化合物，較佳結構為以下之式(1-a)~(1-r)所表示之化合物。
(式(1-a)~(1-r)中，n5分別獨立表示1至4之整數，n6 分別獨立表示1至3之整數，n7分別獨立表示1或2，n8分別獨立表示1至4之整數，n9分別獨立表示1或2，V5分別獨立表示單鍵或2價之連結基，且分別獨立表示單鍵、氮原子、氧原子、伸烷基、伸芳基、羰基、酯基、醯胺基、亞胺基、偶氮基、硫醚基、碸基及使該等基組合而成之基之任一者；V6分別獨立表示n8+1價之連結基，除氮原子、伸烷基、伸芳烷基以外，還表示選自下述(6-1)~(6~7)中之任一連結基)
(式(6-1)~(6-7)中之a4表示與(1-l)、(1-o)中之芳香環之鍵結位置)
R6表示氫原子、烴基、或烴基中包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基。
進一步具體而言，為以下式(1-s)~(1-x)所表示之化合物。
n10及n11分別獨立表示0至2之整數。
其中，尤佳之結構為式(1-s)、(1-t)所表示之化合物。
<化合物之製造方法>
本發明之化合物可藉由使分子骨架中導入有反應性官能基之酚化合物與芳香族胺基化合物、甲醛進行反應而獲得。作為反應性官能基，可列舉：乙烯基、烯丙氧基、N,N-二烯丙基胺基等。作為導入有反應性官能基之酚化合物，可列舉：2-烯丙氧基苯酚、3-烯丙氧基苯酚、4-烯丙氧基苯酚、3-(N,N-二烯丙基)胺基苯酚、4-(N,N-二烯丙基)胺基苯酚、4'-烯丙氧基-4-聯苯酚、4'-烯丙氧基-3-聯苯酚、4'-烯丙氧基-2-聯苯酚、2-烯丙氧基-1-萘酚、3-烯丙氧基-1-萘酚、4-烯丙氧基-1-萘酚、5-烯丙氧基-1-萘酚、6-烯丙氧基-1-萘酚、7-烯丙氧基-1-萘酚、8-烯丙氧基-1-萘酚、1-烯丙氧基-2-萘酚、3-烯丙氧基-2-萘酚、6-烯丙氧基-2-萘酚、7-烯丙氧基-2-萘酚等。作為芳香族胺基化合物，可列舉：4,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基 二苯醚、4,4'-二胺基二苯基碸、鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、1,5-二胺基萘等。反應係例如使導入有反應性官能基之酚化合物、芳香族胺基化合物與甲醛於50~100℃之溫度條件下進行反應，於反應結束後將水層與有機層分離，其後，進行減壓乾燥等而自有機層去除有機溶劑，可獲得化合物。
又，甲醛以溶液狀態之福馬林、或固體狀態之多聚甲醛之任一形態使用均可。
<樹脂組成物>
本發明之樹脂組成物含有本發明之化合物。
使本發明之樹脂組成物硬化而獲得之硬化物由於耐熱分解性優異而且介電特性及低吸濕性優異，故而可較佳地使用於耐熱構件或電子構件。
<反應性化合物>
本發明之樹脂組成物亦可具有本發明之化合物以外之摻合物。
例如，亦可具有本發明之化合物以外之反應性化合物。此處所述之反應性化合物係具有反應性基之化合物，為單體或低聚物或聚合物均可。
作為反應性基，可為不與本發明之化合物反應之官能基，亦可為與本發明之化合物反應之官能基，為了使耐熱性進一步提昇，較佳為與本發明之化合物反應之官能基。
作為與本發明之化合物反應之官能基，例如可列舉：環氧基、氰酸酯基、酚性羥基、具有碳-碳間雙鍵之基。
作為具有環氧基之化合物，例如可列舉環氧樹脂、苯氧基樹脂。
作為具有氰酸酯基之化合物，可列舉氰酸酯樹脂。
作為具有包含碳-碳間雙鍵之基之化合物，可列舉順丁烯二醯亞胺化合物、乙烯系化合物。
上述反應性化合物可僅具有一種反應性基，亦可具有多種，官能基數可為1個亦可為多個。
作為較佳之反應性化合物，可列舉：環氧樹脂、苯氧基樹脂、氰酸酯樹脂、順丁烯二醯亞胺化合物、乙烯系化合物、除藉由本發明而獲得之化合物以外之化合物等。
其中，尤佳為具有順丁烯二醯亞胺基之化合物。藉由使本發明之化合物所具有之碳-碳間雙鍵與順丁烯二醯亞胺基進行反應，交聯密度進一步提昇，故而耐熱性、尤其是玻璃轉移溫度提昇。
又，由於為了使碳-碳間雙鍵與順丁烯二醯亞胺基反應而獲得均勻之硬化物，必需高溫且長時間之硬化條件，故而多數情況下為了促進反應而併用過氧化物系觸媒。然而，本發明之化合物即便於不使用觸媒之情形時亦可進行與順丁烯二醯亞胺基之反應而獲得均勻之硬化物。存在因使用過氧化物系觸媒而導致組成物黏度上升、適用期降低、以及由於硬化物中殘存微量之過氧化物而引起物性降低等問題，本發明之化合物由於可不使用過氧化物系硬化劑，故而可解決該等問題。
作為環氧樹脂，只要具有環氧基，則並無特別限定，例如可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚硫醚型環氧樹脂、苯醚型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、四甲基聯苯型環氧樹脂、多羥基萘型環氧樹脂、苯 酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、三苯甲烷型環氧樹脂、四苯乙烷型環氧樹脂、二環戊二烯-苯酚加成反應型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚-苯酚共縮酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚-甲酚共縮酚醛清漆型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂、芳香族烴甲醛樹脂改質酚樹脂型環氧樹脂、聯苯改質酚醛清漆型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂等。該等可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
苯氧基樹脂係指基於二苯酚、及表氯醇等表鹵醇之高分子量熱塑性聚醚樹脂，較佳為重量平均分子量為20,000~100,000。作為苯氧基樹脂之結構，例如可列舉具有選自雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛清漆骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜烯骨架、三甲基環己烷骨架中之1種以上之骨架者。
作為氰酸酯樹脂，例如可列舉：雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、雙酚S型氰酸酯樹脂、雙酚硫醚型氰酸酯樹脂、苯醚型氰酸酯樹脂、伸萘基醚型氰酸酯樹脂、聯苯型氰酸酯樹脂、四甲基聯苯型氰酸酯樹脂、多羥基萘型氰酸酯樹脂、苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、甲酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、三苯甲烷型氰酸酯樹脂、四苯乙烷型氰酸酯樹脂、二環戊二烯-苯酚加成反應型氰酸酯樹脂、苯酚芳烷基型氰酸酯樹脂、萘酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂、萘酚-苯酚共縮酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚-甲酚共縮酚醛清漆型氰酸酯樹脂、芳香族烴甲醛樹脂改質酚樹脂型氰酸酯樹脂、聯苯改質酚醛清漆 型氰酸酯樹脂、蒽型氰酸酯樹脂等。該等可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
該等氰酸酯樹脂之中，尤其是就可獲得耐熱性優異之硬化物之方面而言，較佳為使用雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、多羥基萘型氰酸酯樹脂、伸萘基醚型氰酸酯樹脂、酚醛清漆型氰酸酯樹脂，就可獲得介電特性優異之硬化物之方面而言，較佳為二環戊二烯-苯酚加成反應型氰酸酯樹脂。
作為順丁烯二醯亞胺化合物，例如可列舉由下述結構式(i)~(iii)之任一者所表示之各種化合物等。
(式中，R為m價之有機基，α及β分別為氫原子、鹵素原子、烷基、芳基之任一者，s為1以上之整數)
(式中，R為氫原子、烷基、芳基、芳烷基、鹵素原子、羥基、烷氧基之任一者，s為1~3之整數，t為重複單位之平均值，為0~10)
(式中，R為氫原子、烷基、芳基、芳烷基、鹵素原子、羥基、烷氧基之任一者，s為1~3之整數，t為重複單位之平均值，為0~10)該等可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
該等順丁烯二醯亞胺化合物之摻合比率並無特別限制，為了獲得高耐熱性之樹脂硬化物，於本發明之樹脂組成物中，烯丙基之莫耳數與順丁烯二醯亞胺基之莫耳數較佳為順丁烯二醯亞胺基(mol)/烯丙基(mol)=1/2~3/2。若順丁烯二醯亞胺基(mol)/烯丙基(mol)為1/2以上，則耐熱性優異，若為3/2以下，則摻合物黏度較低，加工適性優異。尤佳為順丁烯二醯亞胺基(mol)/烯丙基(mol)=4/5~6/5之情形。
作為除藉由本發明而獲得之化合物以外之化合物，並無特別限制，例如可列舉：雙酚F與福馬林及苯胺之反應產物(F-a型苯并樹脂)或4,4'-二胺基二苯甲烷與福馬林及苯酚之反應產物(P-d型苯并樹脂)、雙酚A與福馬林及苯胺之反應產物、二羥基二苯醚與福馬林及苯胺之反應產物、二胺基二苯醚與福馬林及苯酚之反應產物、二 環戊二烯-苯酚加成型樹脂與福馬林及苯胺之反應產物、酚酞與福馬林及苯胺之反應產物、二羥基二苯硫醚與福馬林及苯胺之反應產物等。該等可分別單獨使用，亦可併用2種以上。
作為乙烯系化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯等具有碳原子數為1~22之烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯類；(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸2-苯基乙酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯類；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯類；(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸4-甲氧基丁酯等(甲基)丙烯酸ω-烷氧基烷基酯類；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、新戊酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯等羧酸乙烯酯類；丁烯酸甲酯、丁烯酸乙酯等丁烯酸之烷基酯類；順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二正丁酯、反丁烯二酸二甲酯、伊康酸二甲酯等不飽和二元酸之二烷基酯類；乙烯、丙烯等α-烯烴類；偏二氟乙烯、四氟乙烯、六氟丙烯、三氟氯乙烯等氟烯烴類；乙基乙烯醚、正丁基乙烯醚等烷基乙烯醚類；環戊基乙烯醚、環己基乙烯醚等環烷基乙烯醚類；N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-(甲基)丙烯醯基嗎福啉、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶、N-乙烯基吡咯啶酮等含有三級醯胺基之單體類等。
<填料>
本發明之組成物除化合物以外，亦可進而含有填料。作為填料，可列舉無機填料及有機填料。作為無機填料，例如可列舉無機微粒子。
作為無機微粒子，例如作為耐熱性優異者，為氧化鋁、氧化 鎂、二氧化鈦、氧化鋯、二氧化矽(石英、煙熏二氧化矽、沈澱性二氧化矽、矽酸酐、熔融二氧化矽、晶質二氧化矽、超微粉無定形二氧化矽等)等；作為熱傳導優異者，為氮化硼、氮化鋁、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋅、氧化矽等；作為導電性優異者，為使用有金屬單質或合金(例如，鐵、銅、鎂、鋁、金、銀、鉑、鋅、錳、不鏽鋼等)之金屬填料及/或金屬被覆填料；作為阻隔性優異者，為雲母、黏土、高嶺土、滑石、沸石、矽灰石、膨潤石等礦物等或鈦酸鉀、硫酸鎂、海泡石、硬矽鈣石、硼酸鋁、碳酸鈣、氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋅、氫氧化鎂；作為折射率較高者，為鈦酸鋇、氧化鋯、氧化鈦等；作為表現出光觸媒性者，為鈦、鈰、鋅、銅、鋁、錫、銦、磷、碳、硫、碲、鎳、鐵、鈷、銀、鉬、鍶、鉻、鋇、鉛等光觸媒金屬、上述金屬之複合物、該等之氧化物等；作為耐磨耗性優異者，為二氧化矽(silica)、氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂等金屬、及該等之複合物及氧化物等；作為導電性優異者，為銀、銅等金屬、氧化錫、氧化銦等；作為絕緣性優異者，為二氧化矽等；作為紫外線遮蔽優異者，為氧化鈦、氧化鋅等。
該等無機微粒子根據用途適時選擇即可，可單獨使用，亦可組合多種使用。又，上述無機微粒子由於除例中所列舉之特性以外還具有各種特性，故而根據用途適時選擇即可。
例如於使用二氧化矽作為無機微粒子之情形時，並無特別限定，可使用粉末狀之二氧化矽或膠體二氧化矽等公知之二氧化矽微粒子。作為市售之粉末狀之二氧化矽微粒子，例如可列舉日本Aerosil(股)製造之Aerosil 50、200、Asahi Glass(股)製造之SILDEX H31、H32、H51、H52、 H121、H122、Nippon Silica Industry(股)製造之E220A、E220、Fuji Silysia(股)製造之SYLYSIA470、Nippon Sheet Glass(股)製造之SG Flake等。
又，作為市售之膠體二氧化矽，例如可列舉日產化學工業(股)製造之甲醇二氧化矽溶膠、IPA-ST、MEK-ST、NBA-ST、XBA-ST、DMAC-ST、ST-UP、ST-OUP、ST-20、ST-40、ST-C、ST-N、ST-O、ST-50、ST-OL等。
亦可使用進行過表面修飾之二氧化矽微粒子，例如可列舉對上述二氧化矽微粒子利用具有疏水性基之反應性矽烷偶合劑進行表面處理而得者、或利用具有(甲基)丙烯醯基之化合物進行修飾而得者。作為利用具有(甲基)丙烯醯基之化合物修飾而得之市售之粉末狀之二氧化矽，可列舉日本Aerosil(股)製造之Aerosil RM50、R711等，作為利用具有(甲基)丙烯醯基之化合物修飾而得之市售之膠體二氧化矽，可列舉日產化學工業(股)製造之MIBK-SD等。
上述二氧化矽微粒子之形狀並無特別限定，可使用球狀、中空狀、多孔質狀、棒狀、板狀、纖維狀、或不定形狀者。又，一次粒徑較佳為5~200nm之範圍。若未達5nm，則分散體中之無機微粒子之分散變得不充分，若為超過200nm之直徑，則有無法保持硬化物之充分之強度之虞。
作為氧化鈦微粒子，不僅可使用體質顏料，而且可使用紫外線光響應型光觸媒，例如可使用銳鈦礦型氧化鈦、金紅石型氧化鈦、板鈦礦型氧化鈦等。進而，亦可使用使異種元素摻雜於氧化鈦之結晶結構中而以響應可見光之方式設計之粒子。作為摻雜於氧化鈦中之元素，可較佳地使用氮、硫、碳、氟、磷等陰離子元素、或鉻、鐵、鈷、錳等陽離子元素。 又，作為形態，可使用分散於粉末、有機溶劑中或者水中之溶膠或者漿料。作為市售之粉末狀之氧化鈦微粒子，例如可列舉日本Aerosil(股)製造之Aerosil P-25、Tayca(股)製造之ATM-100等。又，作為市售之漿料狀之氧化鈦微粒子，例如可列舉Tayca(股)TKD-701等。
<纖維質基質>
本發明之組成物除化合物以外亦可進而含有纖維質基質。本發明之纖維質基質並無特別限定，較佳為用於纖維強化樹脂者，可列舉無機纖維或有機纖維。
作為無機纖維，除碳纖維、玻璃纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、碳化矽纖維等無機纖維以外，還可列舉碳纖維、活性碳纖維、石墨纖維、玻璃纖維、碳化鎢纖維、碳化矽纖維(silicon carbide fiber)、陶瓷纖維、氧化鋁纖維、天然纖維、玄武岩等礦物纖維、硼纖維、氮化硼纖維、碳化硼纖維、及金屬纖維等。作為上述金屬纖維，例如可列舉鋁纖維、銅纖維、黃銅纖維、不鏽鋼纖維、鋼纖維。
作為有機纖維，可列舉由聚苯并唑(polybenzazole)、芳族聚醯胺、PBO(poly p-phenylenebenzoxazole，聚對伸苯基苯并唑)、聚苯硫醚、聚酯、丙烯酸、聚醯胺、聚烯烴、聚乙烯醇、聚芳酯等樹脂材料所構成之合成纖維，或纖維素、紙漿、棉、羊毛、絲等天然纖維，蛋白質、多肽、海藻酸等之再生纖維等。
其中，碳纖維及玻璃纖維由於產業上利用範圍較廣故而較佳。該等之中，可使用僅一種，亦可同時使用多種。
本發明之纖維質基質可為纖維之集合體，纖維連續或不連續 狀均可，為織布狀或不織布狀均可。又，可為將纖維向一個方向整齊排列而成之纖維束，亦可為將纖維束排列而成之片狀。又，亦可為使纖維之集合體具有厚度之立體形狀。
<分散介質>
本發明之組成物可為了對組成物之固形物成分量或黏度進行調整而使用分散介質。作為分散介質，只要為無損本發明之效果之液狀介質即可，可列舉各種有機溶劑、液狀有機聚合物等。
作為上述有機溶劑，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)等酮類；四氫呋喃(THF)、二氧戊環等環狀醚類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；甲苯、二甲苯等芳香族類；卡必醇、溶纖素、甲醇、異丙醇、丁醇、丙二醇單甲醚等醇類；可將該等單獨或併用而使用，其中，甲基乙基酮就塗佈時之揮發性或溶劑回收之方面而言較佳。
上述所謂液狀有機聚合物，係不直接有助於硬化反應之液狀有機聚合物，例如可列舉：含有羧基之聚合物改質物(Flowlen G-900、NC-500：共榮社)、丙烯酸聚合物(Flowlen WK-20：共榮社)、特殊改質磷酸酯之胺鹽(HIPLAAD ED-251：楠本化成)、改質丙烯酸系嵌段共聚物(DISPERBYK2000：BYK-Chemie)等。
<樹脂>
又，本發明之組成物亦可具有除本發明之化合物以外之樹脂。作為樹脂，只要為無損本發明之效果之範圍，則摻合公知慣用之樹脂即可，例如可使用熱硬化性樹脂或熱塑性樹脂。
所謂熱硬化性樹脂，係具有於藉由加熱或放射線或者觸媒等手段進行硬化時可變成實質上不溶且不融性之特性的樹脂。作為其具體例，可列舉：酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、苯胍胺樹脂、醇酸樹脂、不飽和聚酯樹脂、乙烯酯樹脂、對苯二甲酸二烯丙酯樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、呋喃樹脂、酮樹脂、二甲苯樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、除藉由本發明而獲得之化合物以外之苯并樹脂等。該等熱硬化性樹脂可使用1種或將2種以上併用而使用。
所謂熱塑性樹脂，係指可藉由加熱而熔融成形之樹脂。作為其具體例，可列舉：聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、橡膠改質聚苯乙烯樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)樹脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、乙烯-乙烯醇樹脂、乙酸纖維素樹脂、離子聚合物樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯胺樹脂、聚縮醛樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚乳酸樹脂、聚苯醚樹脂、改質聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚碸樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚芳酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酮樹脂、液晶聚酯樹脂、氟樹脂、對排聚苯乙烯樹脂、環狀聚烯烴樹脂等。該等熱塑性樹脂可使用1種或將2種以上併用而使用。
<硬化劑>
本發明之組成物亦可根據摻合物而使用硬化劑，例如於摻合具有環氧基之化合物之情形時，亦可併用胺系硬化劑、醯胺系硬化劑、酸酐系硬化劑、酚系硬化劑等各種硬化劑。
作為胺系硬化劑，可列舉：二胺基二苯甲烷、二胺基二苯乙烷、二胺基二苯醚、二胺基二苯基碸、鄰苯二胺、間苯二胺、對苯二胺、間苯二甲胺、對苯二甲胺、二乙基甲苯二胺、二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、異佛爾酮二胺、咪唑、BF3-胺錯合物、胍衍生物、三聚氰二胺衍生物等。
作為醯胺系硬化劑，可列舉雙氰胺、由次亞麻油酸之二聚物與乙二胺所合成之聚醯胺樹脂等。
作為酸酐系硬化劑，可列舉：鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐、順丁烯二酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐等。
作為酚系硬化劑，可列舉：雙酚A、雙酚F、雙酚S、間苯二酚、鄰苯二酚、對苯二酚、茀二苯酚、4,4'-聯苯酚、4,4',4"-三羥基三苯甲烷、萘二醇、1,1,2,2-四(4-羥基苯基)乙烷、杯芳烴、苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、芳香族烴甲醛樹脂改質酚樹脂、二環戊二烯苯酚加成型樹脂、苯酚芳烷基樹脂(ZYLOCK樹脂)、以間苯二酚酚醛清漆樹脂為代表之由多元羥基化合物與甲醛所合成之多酚酚醛清漆樹脂、萘酚芳烷基樹脂、三羥甲基甲烷樹脂、四酚基乙烷樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂、萘酚-苯酚共縮酚醛清漆樹脂、萘酚-甲酚共縮酚醛清漆樹脂、聯苯改質酚樹脂(藉由二亞甲基連結有酚核之多酚化合物)、聯苯改質萘酚樹脂(藉由二亞甲基連結有酚核之多元萘酚化合物)、胺基三改質酚樹脂(藉由三聚氰胺、苯胍胺等連結有酚核之多酚化合物)或含有烷氧基之芳香環改質酚醛清漆樹脂(藉由甲醛連結有酚核及含有烷氧基之芳香環之多酚化合物)等多酚化合 物。
該等硬化劑可單獨使用亦可併用2種以上。
又，於本發明之組成物中包含具有環氧基之化合物之情形時，亦可將硬化促進劑單獨使用或與上述硬化劑併用。作為硬化促進劑，可使用促進環氧樹脂之硬化反應之各種化合物，例如可列舉：磷系化合物、三級胺化合物、咪唑化合物、有機酸金屬鹽、路易斯酸、胺錯鹽等。其中，較佳為使用咪唑化合物、磷系化合物、三級胺化合物，尤其是於用作半導體密封材料用途之情形時，就硬化性、耐熱性、電特性、耐濕可靠性等優異之方面而言，磷系化合物中較佳為三苯基膦，三級胺中較佳為1,8-二氮雙環-[5.4.0]-十一烯(DBU)。
<其他摻合物>
本發明之組成物亦可具有其他摻合物。例如可列舉：觸媒、聚合起始劑、無機顏料、有機顏料、體質顏料、黏土礦物、蠟、界面活性劑、穩定劑、流動調節劑、偶合劑、染料、調平劑、流變控制劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、難燃劑、塑化劑等。
<硬化物>
使本發明之組成物硬化而獲得之硬化物由於耐熱分解性、介電特性及低吸濕性優異，故而可較佳地使用於耐熱構件或電子構件。硬化物之成形方法並無特別限定，可使組成物單獨成形，亦可藉由與基材積層而製成積層體。
於使本發明之組成物硬化之情形時，進行熱硬化即可。於進行熱硬化時，可使用公知慣用之硬化觸媒，本發明之組成物藉由骨架 與碳-碳間雙鍵之反應，即便不使用硬化劑亦可進行硬化。
於進行熱硬化之情形時，可藉由1次加熱而硬化，亦可歷經多階段之加熱步驟而硬化。
於使用硬化觸媒之情形時，例如為鹽酸、硫酸、磷酸等無機酸類；對甲苯磺酸、磷酸單異丙酯、乙酸等有機酸類；氫氧化鈉或氫氧化鉀等無機鹼類；鈦酸四異丙酯、鈦酸四丁酯等鈦酸酯類；1,8-二氮雙環[5.4.0]十一烯-7(DBU)、1,5-二氮雙環[4.3.0]壬烯-5(DBN)、1,4-二氮雙環[2.2.2]辛烷(DABCO)、三正丁胺、二甲基苄胺、單乙醇胺、咪唑、1-甲基咪唑等各種含有鹼性氮原子之化合物類；四甲基銨鹽、四丁基銨鹽、二月桂基二甲基銨鹽等各種四級銨鹽類；作為抗衡陰離子，可使用具有氯化物、溴化物、羧酸酯或者氫氧化物等之四級銨鹽類；二乙酸二丁基錫、二辛酸二丁基錫、二月桂酸二丁基錫、二乙醯丙酮酸二丁基錫、辛酸錫或硬脂酸錫等錫羧酸鹽；過氧化苯甲醯、氫過氧化異丙苯、過氧化二異丙苯、過氧化月桂醯、過氧化二第三丁基、氫過氧化第三丁基、甲基乙基酮過氧化物、過氧化苯甲酸第三丁酯等有機過氧化物等。觸媒可單獨使用，亦可併用2種以上。
又，本發明之化合物由於具有碳-碳間雙鍵，故而亦可併用活性能量線硬化。於進行活性能量線硬化之情形時，將光聚合起始劑摻合於組成物中即可。作為光聚合起始劑，使用公知者即可，例如可較佳地使用選自由苯乙酮類、苯偶醯縮酮類、二苯甲酮類所組成之群中之一種以上。作為上述苯乙酮類，可列舉：二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮等。作為上述苯偶醯縮酮類，例如可列舉：1-羥基環 己基-苯基酮、苯偶醯二甲基縮酮等。作為上述二苯甲酮類，例如可列舉：二苯甲酮、鄰苯甲醯苯甲酸甲酯等。作為上述安息香類等，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香異丙醚等。光聚合起始劑可單獨使用，亦可併用2種以上。
於併用熱硬化及活性能量線硬化而硬化之情形時，可同時進行加熱及活性能量線照射，亦可分別進行。例如，可於進行活性能量線照射之後進行熱硬化，亦可於熱硬化之後進行活性能量線硬化。又，亦可將各硬化方法組合進行2次以上，根據用途適當選擇硬化方法即可。
作為積層體之基材，根據用途適時使用金屬或玻璃等無機材料、或塑膠或木材等有機材料等即可，作為積層體之形狀，可為平板、片狀、或者具有三維結構或為立體狀。可為於整個面或一部分具有曲率者等符合目的之任意形狀。又，對基材之硬度、厚度等亦無限制。又，亦可以本發明之硬化物作為基材並進而積層本發明之硬化物。
於電路基板或半導體封裝基板等用途之情形時，較佳為積層金屬箔，作為金屬箔，可列舉銅箔、鋁箔、金箔、銀箔等，就加工性良好之方面而言，較佳為使用銅箔。
於本發明之積層體中，硬化物層可藉由於基材上直接塗佈或成形而形成，亦可積層已成形者。於直接塗佈之情形時，作為塗佈方法，並無特別限定，可列舉：噴霧法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥式塗佈法、刮刀塗佈法、刮刀輥法、刮刀法、淋幕式塗佈法、狹縫式塗佈法、網版印刷法、噴墨法等。於直接成形之情形時，可列舉：模內成形、嵌入成形、真空成形、擠出層壓成形、壓製成形等。
於將已成形之組成物積層之情形時，可積層未硬化或半硬化之組成物層後使其硬化，亦可於基材上積層使組成物完全硬化而得之硬化物層。
又，可藉由對本發明之硬化物塗佈可成為基材之前驅物並硬化而進行積層，亦可使可成為基材之前驅物或本發明之組成物於未硬化或半硬化之狀態下接著之後硬化。作為可成為基材之前驅物，並無特別限定，可列舉各種硬化性樹脂組成物等。
<纖維強化樹脂>
本發明之組成物具有纖維質基質，於該纖維質基質為強化纖維之情形時，含有纖維質基質之組成物可用作纖維強化樹脂。
關於使組成物含有纖維質基質之方法，只要為無損本發明之效果之範圍，則並無特別限定，可列舉將纖維質基質與組成物藉由混練、塗佈、含浸、注入、壓接等方法進行複合化之方法，可根據纖維之形態及纖維強化樹脂之用途適時選擇。
關於使本發明之纖維強化樹脂成形之方法，並無特別限定。若製造板狀之製品，則一般為擠出成形法，亦可藉由平面壓製。除此以外，可使用擠出成形法、吹塑成形法、壓縮成形法、真空成形法、射出成形法等。又，若製造膜狀之製品，則除熔融擠出法以外，可使用溶液澆鑄法，於使用熔融成形方法之情形時，可列舉：吹脹膜成形、澆鑄成形、擠出層壓成形、壓延成形、片材成形、纖維成形、吹塑成形、射出成形、旋轉成形、被覆成形等。又，於藉由活性能量線進行硬化之樹脂之情形時，可使用利用活性能量線之各種硬化方法製造硬化物。尤其是於以熱硬化性樹脂作為基質樹脂之主成分之情形時，可列舉將成形材料製成預浸體並藉由壓 機或高壓釜進行加壓加熱之成形法，除此以外亦可列舉RTM(Resin Transfer Molding，樹脂轉注成形)成形、VaRTM(Vaccum assist Resin Transfer Molding，真空輔助樹脂轉注成形)成形、積層成形、手積層成形等。
<預浸體>
本發明之纖維強化樹脂可形成未硬化或半硬化之稱為預浸體之狀態。可使製品以預浸體之狀態流通之後進行最終硬化而形成硬化物。於形成積層體之情形時，藉由形成預浸體之後積層其他層然後進行最終硬化由於可形成各層密接之積層體，故而較佳。
作為此時使用之組成物與纖維質基質之質量比例，並無特別限定，通常較佳為以預浸體中之樹脂成分成為20~60質量%之方式進行製備。
<耐熱材料及電子材料>
本發明之化合物由於其硬化物之耐熱分解性、介電特性及低吸濕性優異，故而可較佳地使用於耐熱構件或電子構件。尤其是可較佳地使用於半導體密封材、電路基板、增層膜、增層基板等、或接著劑或抗蝕劑材料。又，亦可較佳地使用於纖維強化樹脂之基質樹脂，以高耐熱性之預浸體之形式尤佳。以此方式獲得之耐熱構件或電子構件可較佳地使用於各種用途，例如可列舉產業用機械零件、普通機械零件、汽車/軌道/車輛等之零件、宇宙/航空相關零件、電子/電氣零件、建築材料、容器/包裝構件、生活用品、運動/娛樂用品、風力發電用殼體構件等，但並不限定於該等。
以下，針對代表性製品舉例進行說明。
1.半導體密封材料
作為由本發明之組成物獲得半導體密封材料之方法，可列舉將上述組 成物、及硬化促進劑、及無機填充劑等摻合劑視需要使用擠出機、捏合機、輥等充分地熔融混合直至變得均勻之方法。此時，作為無機填充劑，通常可使用熔融二氧化矽，於用作功率電晶體、功率IC用高導熱半導體密封材之情形時，可使導熱率高於熔融二氧化矽之晶質二氧化矽、氧化鋁、氮化矽等高度填充，或使用熔融二氧化矽、晶質二氧化矽、氧化鋁、氮化矽等。關於其填充率，較佳為以相對於硬化性樹脂組成物每100質量份為30~95質量%之範圍使用無機填充劑，其中，為了謀求難燃性或耐濕性或耐焊裂性之提昇、線膨脹係數之降低，更佳為70質量份以上，進而較佳為80質量份以上。
2.半導體裝置
作為由本發明之硬化性樹脂組成物獲得半導體裝置之半導體封裝成形，可列舉將上述半導體密封材料使用鑄模、或轉移成形機、射出成形機等進行成形並進而以50~250℃於2~10小時之間加熱之方法。
3.印刷電路基板
作為由本發明之組成物獲得印刷電路基板之方法，可列舉將上述預浸體藉由常規方法進行積層，並適當重疊銅箔，於1~10MPa之加壓下以170~300℃加熱壓接10分鐘~3小時之方法。
4.增層基板
由本發明之組成物獲得增層基板之方法例如可列舉以下步驟。首先，將適當摻合有橡膠、填料等之上述組成物使用噴霧塗佈法、淋幕式塗佈法等塗佈於形成有電路之電路基板之後使其硬化之步驟(步驟1)。其後，視需要進行特定之通孔部等之開孔之後，藉由粗化劑進行處理，並利用熱水 清洗其表面，藉此形成凹凸，並利用銅等金屬進行鍍覆處理之步驟(步驟2)。根據所需依序重複此種操作，交替地增層形成樹脂絕緣層及特定之電路圖案之導體層之步驟(步驟3)。再者，通孔部之開孔係於最外層之樹脂絕緣層之形成後進行。又，本發明之增層基板亦可藉由將使該樹脂組成物於銅箔上半硬化而得之附樹脂之銅箔以170~300℃加熱壓接於形成有電路之配線基板上而製作增層基板，省去形成粗化面、鍍覆處理之步驟。
5.增層膜
作為由本發明之組成物獲得增層膜之方法，可藉由如下方式而製造：於作為基材之支持膜(Y)之表面塗佈上述組成物，進而藉由加熱、或熱風吹送等進行乾燥而去除有機溶劑，形成組成物之層(X)。
作為此處使用之有機溶劑，例如較佳為使用丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮類，乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸溶纖劑、丙二醇單甲醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等乙酸酯類，溶纖素、丁基卡必醇等卡必醇類，甲苯、二甲苯等芳香族烴類，二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等，又，較佳為以不揮發成分成為30~60質量%之比例使用。
所形成之層(X)之厚度通常設為導體層之厚度以上。由於電路基板具有之導體層之厚度通常為5~70μm之範圍，故而樹脂組成物層之厚度較佳為具有10~100μm之厚度。再者，本發明之上述組成物之層(X)可利用後文所述之保護膜進行保護。藉由利用保護膜進行保護，可防止污物等向樹脂組成物層表面之附著或傷痕。
上述支持膜及保護膜可列舉：聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯等聚烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯(以下，有時簡稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙 二酯等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；進而可列舉脫模紙或銅箔、鋁箔等金屬箔等。再者，支持膜及保護膜除消光處理、電暈處理以外，亦可實施脫模處理。支持膜之厚度並無特別限定，通常為10~150μm，較佳為於25~50μm之範圍使用。又，保護膜之厚度較佳為設為1~40μm。
上述支持膜(Y)係於層壓於電路基板之後或藉由加熱硬化形成絕緣層之後剝離。若於構成增層膜之硬化性樹脂組成物層加熱硬化之後剝離支持膜(Y)，則可防止硬化步驟中之污物等之附著。於硬化後剝離之情形時，通常對支持膜預先實施脫模處理。
可使用如上述般所獲得之增層膜製造多層印刷電路基板。例如，於層(X)受保護膜保護之情形時，將該等剝離之後以層(X)直接相接於電路基板之方式例如藉由真空層壓法層壓於電路基板之單面或兩面。 層壓之方法可為批次式亦可為利用輥之連續式。又，可視需要於進行層壓之前視需要對增層膜及電路基板進行加熱(預熱)。關於層壓之條件，較佳為將壓接溫度(層壓溫度)設為70~140℃，較佳為將壓接壓力設為1~11kgf/cm2(9.8×104~107.9×104N/m2)，較佳為於使氣壓為20mmHg(26.7hPa)以下之減壓下進行層壓。
6.導電膏
作為由本發明之組成物獲得導電膏之方法，例如可列舉使導電性粒子分散於該組成物中之方法。上述導電膏根據使用之導電性粒子之種類，可製成電路連接用漿料樹脂組成物或各向異性導電接著劑。
[實施例]
繼而，對本發明藉由實施例、比較例進一步具體地進行說 明，於以下中，「份」及「%」只要無特別申明，則為質量基準。
再者，1H及13C-NMR、MS圖譜、IR係利用以下條件進行測定。
1H-NMR：藉由JEOL RESONANCE製造之「JNM-ECA600」進行測定。
磁場強度：600MHz
累計次數：16次
溶劑：DMSO-d6
試樣濃度：30質量%
13C-NMR：藉由JEOL RESONANCE製造之「JNM-ECA600」進行測定。
磁場強度：150MHz
累計次數：4000次
溶劑：DMSO-d6
試樣濃度：30質量%
FD-MS：使用日本電子股份有限公司製造之「JMS-T100GC AccuTOF」進行測定。
測定範圍：m/z=50.00~2000.00
變化率：25.6mA/min
最終電流值：40mA
陰極電壓：-10kV
[實施例1]苯并化合物(A-1)之合成
於安裝有滴液漏斗、溫度計、攪拌裝置、加熱裝置、冷卻回流管之四 口燒瓶中，一面通入氮氣，一面添加4,4'-二胺基二苯甲烷198.3g(1.0莫耳)、4-烯丙氧基苯酚300.4g(2.0莫耳)，溶解於甲苯1270g，其後，加入94%多聚甲醛127.8g(4.0莫耳)，一面攪拌一面升溫至80℃，並於80℃反應7小時。反應後，移至分液漏斗，將水層去除。其後，於加熱減壓下自有機層去除溶劑，而獲得苯并化合物(A-1)437g。
1H-NMR呈現出7.03ppm(4H)、6.99ppm(4H)、6.71ppm-6.66ppm(4H)、6.54ppm(2H)、6.01ppm(2H)、5.37ppm(2H)、5.26ppm-5.23ppm(6H)、4.53ppm(4H)、4.43ppm(4H)、4.53ppm(4H)、3.78ppm(2H)之峰值，13C-NMR呈現出152.3ppm、148.2ppm、146.4ppm、134.2ppm、133.3ppm、129.3ppm、121.1ppm、118.3ppm、118.3ppm、117.2ppm、114.5ppm、112.2ppm、79.5ppm、69.2ppm、50.4ppm、40.0ppm之峰值，質譜呈現出M+=546之峰值，由此確認可獲得下述式所表示之目標之苯并化合物(A-1)。
[實施例2]苯并化合物(A-2)之合成
於安裝有滴液漏斗、溫度計、攪拌裝置、加熱裝置、冷卻回流管之四口燒瓶中，一面通入氮氣，一面添加4,4'-二胺基二苯甲烷198.3g(1.0莫耳)、4-(N,N-二烯丙基胺基)苯酚378.5g(2.0莫耳)，溶解於甲苯1460g，其後，加入94%多聚甲醛127.8g(4.0莫耳)，一面攪拌一面升溫至80℃，並於80℃反應7小時。反應後，移至分液漏斗，將水層去除。其後，於加熱減壓 下自有機層去除溶劑，而獲得苯并化合物(A-2)281g。
1H-NMR呈現出7.08ppm-6.98ppm(8H)、6.54ppm-6.40(6H)、5.84ppm-5.74ppm(4H)、5.24ppm(4H)、5.10ppm(8H)、4.48ppm(4H)、3.78ppm(8H)、3.69ppm(2H)之峰值，13C-NMR呈現出146.2ppm、145.2ppm、142.7ppm、134.8ppm、133.6ppm、129.1ppm、128.9ppm、121.3ppm、117.5ppm、116.4ppm、116.0ppm、112.8ppm、110.9ppm、78.5ppm、52.8ppm、49.5ppm之峰值，質譜呈現出M+=624之峰值，由此確認可獲得下述式所表示之目標之苯并化合物(A-2)。
[實施例3]苯并化合物(A-3)之合成
於安裝有滴液漏斗、溫度計、攪拌裝置、加熱裝置、冷卻回流管之四口燒瓶中，一面通入氮氣，一面添加1,5-二胺基萘158.2g(1.0莫耳)、4-烯丙氧基苯酚300.4g(2.0莫耳)，溶解於甲苯1008g，其後，加入94%多聚甲醛127.8g(4.0莫耳)，一面攪拌一面升溫至80℃，並於80℃反應7小時。反應後，移至分液漏斗，將水層去除。其後，於加熱減壓下自有機層去除溶劑，而獲得苯并化合物(A-3)329g。
1H-NMR呈現出7.93ppm(2H)、7.53ppm-7.25ppm(5H)、6.75ppm-6.67ppm(5H)、6.02ppm-5.95ppm(2H)、5.36ppm-5.19ppm(8H)、4.61ppm(4H)、4.43ppm(4H)之峰值，13C-NMR呈現出152.1ppm、147.4ppm、146.2ppm、 134.0ppm、129.3ppm、128.2ppm、125.6ppm、121.4ppm、119.5ppm、117.2ppm、116.9ppm、114.6ppm、112.3ppm、81.0ppm、68.5ppm、51.6ppm之峰值，質譜呈現出M+=506之峰值，由此確認可獲得下述式所表示之目標之苯并化合物(A-3)。
[實施例4~6、及比較例1~3]組成物及成形物之製作
將實施例1~3所獲得之苯并化合物(A-1、A-2、A-3)、比較用二氫化合物(四國化成製造之「P-d型苯并」(4,4'-二胺基二苯甲烷與福馬林及苯酚之反應產物))、比較用二烯丙基化合物(群榮化學工業製造之「雙酚A二烯丙醚」、雙順丁烯二醯亞胺化合物(大和化成工業股份有限公司製造之「BMI-1000」4,4'-二苯甲烷雙順丁烯二醯亞胺)、過氧化二異丙苯(Aldrich公司製造)以表1所示之比例進行摻合，而製備組成物。關於官能基具有烯丙基之化合物，以官能基之mol比成為「烯丙基/順丁烯二醯亞胺基=1/1」之方式進行製備。
藉由對該組成物附加以下條件而製作硬化物。
<樹脂硬化物>
硬化條件：於170℃加熱硬化2小時之後，於200℃加熱硬化2小時，進而於250℃加熱硬化2小時
成型後板厚：2.4mm
針對該硬化物，利用下述方法進行各種物性評價。將結果示於表1。
<玻璃轉移溫度>
將厚度2.4mm之硬化物切取成寬度5mm、長度54mm之大小，將其設為試片1。對該試片1使用黏彈性測定裝置(DMA：Hitachi High-Tech Science公司製造之固體黏彈性測定裝置「DMS7100」；變形模式：雙夾持彎曲；測定模式：正弦波振動；頻率1Hz；升溫速度3℃/min)，以彈性模數變化成為最大(tan δ變化率最大)之溫度作為玻璃轉移溫度進行評價。
比較例2之組成物於上述硬化條件下未硬化，無法獲得可進行物性評價之試片。
[產業上之可利用性]
本發明之化合物由於其硬化物之耐熱分解性、介電特性及低吸濕性優異，故而可較佳地使用於耐熱構件或電子構件。尤其是可較佳地使用於半導體密封材、電路基板、增層膜、增層基板等、或接著劑 或者抗蝕劑材料。又，亦可較佳地使用於纖維強化樹脂之基質樹脂，以高耐熱性之預浸體之形式尤佳。

Claims (19)

  1. 一種化合物，其係具有通式(1)之結構者，其特徵在於：上述通式(1)具有至少2個以上通式(4)或(5)所表示之官能基R1； (式(1)中，n表示2~4之整數，Y分別獨立為通式(2)所表示之結構，X以通式(3)之中之任一者表示； (式(2)中，環A表示經取代或未經取代之芳香環，a1表示與通式(1)中之X之鍵結位置) (式(3)中，Ar1~Ar6分別獨立表示經取代或未經取代之芳基，Ar7表示經取代或未經取代之伸芳基，n2表示2至4之整數，n3表示1或2，Z1、Z2及Z3分別獨立表示單鍵、氮原子、氧原子、伸烷基、伸芳基、羰基、酯基、醯胺基、亞胺基、偶氮基、硫醚基、碸基及使該等基組合而成之基之任一者)) (式(4)中，V1、V2、Q1分別獨立表示單鍵或2價之連結基，R2、R3及R4表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a2表示與上述通式(1)之鍵結點) (式(5)中，n4表示2~6之整數，V3及V4分別獨立表示單鍵或2價之連結基，Q2表示n4+1價之連結基，R5、R6及R7表示氫原子、烴基、或烴基中所包含之1個以上之氫原子被羥基、烷氧基、鹵素原子之任一者取代之烴基，a3表示與上述通式(1)之鍵結點)。
  2. 如申請專利範圍第1項之化合物，其以通式(1-1)、或(1-2)表示： (式(1-1)、(1-2)中，n分別獨立表示2~4之整數，Y分別獨立為通式(2)所表示之結構，X為通式(3)之中之任一者，R1分別獨立表示上述式(4)或(5)之基)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之化合物，其中，環A為經取代或未經取代之苯環、經取代或未經取代之萘環。
  4. 一種組成物，其含有申請專利範圍第1至3項中任一項之化合物。
  5. 如申請專利範圍第4項之組成物，其進而含有反應性化合物。
  6. 如申請專利範圍第5項之組成物，其中，上述反應性化合物為具有順丁烯二醯亞胺基之化合物。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之組成物，其進而含有填料。
  8. 如申請專利範圍第4至7項中任一項之組成物，其進而含有纖維質基質。
  9. 一種硬化物，其係將申請專利範圍第4至8項中任一項之組成物進行硬化而成。
  10. 一種積層體，其具有基材及申請專利範圍第9項之硬化物層。
  11. 一種耐熱材料用組成物，其含有申請專利範圍第4至8項中任一項之組成物。
  12. 一種耐熱構件，其含有申請專利範圍第9項之硬化物。
  13. 一種電子材料用組成物，其含有申請專利範圍第4至8項中任一項之組成物。
  14. 一種電子構件，其含有申請專利範圍第9項之硬化物。
  15. 一種半導體密封材，其含有申請專利範圍第4至8項中任一項之組成物。
  16. 一種預浸體，其含有申請專利範圍第8項之含有纖維質基質之組成物。
  17. 一種電路基板，其係於申請專利範圍第16項之預浸體進而具有銅箔層者。
  18. 如申請專利範圍第10項之積層體，其為增層膜。
  19. 一種增層基板，其具有申請專利範圍第18項之增層膜。
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