TW201734608A - 液晶顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包含第一基底基板、設置於第一基底基板上且在第一方向延伸的第一訊號線、設置於第一基底基板上且在與第一方向相交的第二方向延伸並與第一訊號線絕緣的第二訊號線、設置於第一基底基板上且電性連接至第一訊號線及第二訊號線的薄膜電晶體、電性連接至薄膜電晶體的像素電極、以及與像素電極設置於相同層但與其分離、與薄膜電晶體重疊、且包含與像素電極相同的材料的屏蔽圖樣。

Description

液晶顯示裝置

相關申請案的交互參照

本申請案主張2015年12月28日於韓國智慧財產局所提出的韓國專利申請案第10-2015-0187544號之優先權，其全部內容於此併入本文中做為參考。

本發明概念係關於一種液晶顯示裝置。

液晶顯示裝置(LCD)係現今最廣泛使用的平面顯示裝置之一，且通常包含具有電場生成電極(electric field generating electrodes)的兩個基板，如像素電極及形成於其上的共用電極、以及插入基板之間的液晶層。當施加電壓至電場生成電極時，電場於液晶層中生成，其定義液晶層的液晶分子的方向，並控制入射光的偏振，進而顯示所需的影像。

像素電極係電性連接至薄膜電晶體，該薄膜電晶體係為開關元件且接收用於生成電場的電壓。

如上所述，LCD可包含像素電極、共用電極、薄膜電晶體及其他電子元件。此可因電子元件間的寄生電容(parasitic capacitance)造成其電子元件間的交擾(crosstalk)，使顯示品質劣化。

本發明概念的一實施例提供一種提升顯示品質的液晶顯示裝置。

然而，本發明概念的實施例不限於本文所述。對於所屬領域具有通常知識者而言，本文未描述之本發明概念的其他實施例將藉由參考以下本發明概念的實施方式變得更顯而易見。

根據本發明概念的一態樣，提供一種液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包含第一基底基板、設置於第一基底基板上且延伸於第一方向的第一訊號線、設置於第一基底基板上且延伸於與第一方向相交之第二方向並與第一訊號線絕緣的第二訊號線、設置於第一基底基板上且電性連接至第一訊號線及第二訊號線的薄膜電晶體、電性連接至薄膜電晶體的像素電極、以及設置於與像素電極相同的層，但與像素電極隔離並與薄膜電晶體重疊，且包含與像素電極相同的材料的屏蔽圖樣。

根據本發明概念的另一態樣，提供一種液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包含第一基底基板、設置於第一基底基板上且在第一方向延伸的第一訊號線、設置於第一基底基板上並與第一訊號線絕緣且在與第一方向相交的第二方向延伸的第二訊號線、設置於第一基底基板上且電性連接至第一訊號線及第二訊號線的薄膜電晶體、設置於薄膜電晶體與第二訊號線上的絕緣層、沿第二方向設置於第二訊號線上且與第二訊號線重疊的屏蔽電極、以及設置於薄膜電晶體上且與薄膜電晶體重疊並包含與屏蔽電極相同材料的屏蔽圖樣。

實施例的其他具體特徵係包含於實施方式及圖式中。

本發明概念的實施例可至少提供以下所述的功效。

亦即，可提供提升顯示品質的顯示裝置。

然而，本發明概念的功效並不限於本文所述之例示性實施例，且在本說明書中包含更多樣化的功效。

本發明概念之特徵及其完成之方法將可藉由參考以下實施例之詳細說明及附圖而更易於理解。然而，本發明概念可以不同形式實施，且不應解釋成受本文所述之實施例所限制。相對地，這些實施例係提供以幫助所屬技術領域之具通常知識者理解本發明概念。在整個說明書中，相同的元件符號係代表相同的元件。

本文中所使用之術語的目的僅用於描述具體實施例而非意圖限制本發明概念。除非文中另有明確說明，則本文中所使用的單數態「一 (a)」、「一 (an)」及「該 (the)」係同時包含複數態。將進一步理解的是，說明書中使用「包含 (comprises)」及/或「包含 (comprising)」的用語係指存在所載之特徵、整體、步驟、操作、元件及/或構件的存在，但不排除一或多種其他特徵、整體、步驟、操作、元件、構件及/或其群組之存在及添加。

將理解的是，當元件或層被表示為「連接至(connected to)」、「耦接至(coupled to)」另一元件或另一層或「在其之上(on)」，該元件或層可直接連接至或耦接至另一元件或層或在其之上，或可存在中間元件或中間層。相對地，當元件被表示為「直接連接至(directly connected to)」、「直接耦接至(directly coupled to)」另一元件或另一層或「直接在其之上 (directly on)」時，則不存在中間元件或中間層。如本文中使用之「及/或(and/or)」用語係包括一或多種的相關連所列舉項目之任何及所有組合。

將理解的是，雖「第一(first)」、「第二 (second)」等用語可於本文中用於描述各種元件、構件、區域、層及/或區段，該些元件、構件、區域、層及/或區段係不限於該些用語。該些用語係僅用於區別一元件、構件、區域、層或區段與另一區域、層或區段。因此，在不悖離本發明概念之教示的情形，以下所探討之第一元件、構件、區域、層或區段可稱為第二元件、構件、區域、層或區段。

本文中可使用例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「之上(above)」、「上部(upper)」等空間相關用語以易於描述如圖式所示之一元件或特徵與另一元件或特徵之關係。將理解的是，空間相關用語除了圖式所示之方位外，其旨在包含所使用或所操作的裝置的不同方位。例如，若圖式中的裝置被翻轉，描述於其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件可被轉向為其他元件或特徵「之上(above)」。因此，例示性用語「下方(below)」可涵蓋「之上(above)」及「下方(below)」兩者之方位。裝置可轉向其他方位(旋轉90度或在其他方位)，而本文中用於描述之空間相關用語係根據其此做對應的解釋。

除非另有定義，本文中的所有用語(包括技術性及科學性用語)係具有本申請案所屬領域具通常知識者所通常理解的意義相同之含義。將更理解的是，例如在常用辭典中定義的用語，具有與其在相關技術及說明書的上下文中意義一致之意義，且除非本文中有明確定義，否則不應以理想化或過度正規的意義解釋。

在圖式中，相同或相似的部分或元件係以相同元件符號表示。

根據本發明概念的液晶顯示裝置可包含在第一方向延伸的第一訊號線、在與第一方向相交的第二方向延伸且與第一訊號線絕緣的第二訊號線、以及電性連接至第一訊號線及第二訊號線的薄膜電晶體。

在下文中，為便於解釋，一例示性實施例中描述第一訊號線係為閘極線且第二訊號線係為數據線，但本揭露並不受其限制，且第一訊號線可為數據線而第二訊號線可為閘極線。

本發明概念的實施例係參照附圖於下文中描述。

第1圖係繪示根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板之平面示意圖，更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖。第2圖係沿第1圖中線A-A'截取的截面示意圖，且繪示包含第1圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第3圖係沿第1圖中線B-B'截取的截面示意圖，且繪示包含第1圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第4圖係沿第1圖中線C-C'截取的截面示意圖，且繪示包含第1圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第5圖係繪示根據本發明概念之例示性實施例之液晶顯示裝置之屏蔽圖樣的功能。

參照第1圖至第5圖，根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置1可包含陣列基板100、面對陣列基板100的對向基板200、以及插入在陣列基板100與對向基板200之間的液晶層300，且更可包含附接於陣列基板100及對向基板200之外表面的一對偏振器(未圖示)。

陣列基板100可為其上形成有薄膜電晶體Tr以驅動液晶層300之液晶分子的薄膜電晶體陣列基板，且對向基板200可面對陣列基板100。

液晶層300可包括具有介電異向性(dielectric anisotropy)的複數個液晶分子。液晶分子可垂直地對準於插入在陣列基板100與對向基板200之間的液晶分子。當沒有施加外部電場時，垂直對準的液晶分子可在與兩個基板100及200的平面表面垂直的方向上對齊。當電場施加於陣列基板100與對向基板200之間時，液晶分子可在陣列基板100與對向基板200之間的一定方向上旋轉，進而穿透或阻擋光。本文中使用的「旋轉(rotate)」用語不僅代表液晶分子實際上的旋轉，亦代表液晶分子的方位隨電場改變。

現將描述陣列基板100。

第一基底基板SUB1可為透明絕緣基板。例如，第一基底基板SUB1可由玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等所製成。再者，第一基底基板SUB1可包含具有良好抗熱性質的聚合物或塑膠。在部分實施例中，第一基底基板SUB1可具有可撓性(flexibility)。亦即，第一基板100可為可被捲起、摺疊或彎曲的可變形基板。閘極線GLn及閘極電極GE可設置於第一基底基板SUB1上。閘極線GLn可傳輸閘極訊號並主要在第一方向(例如第1圖所示之水平方向)延伸。閘極電極GE可自閘極線GLn突出。閘極線GLn及閘極電極GE可包括鋁系金屬，如鋁(Al)或鋁合金、銀系金屬，如銀(Ag)或銀合金、銅系金屬，如銅(Cu)或銅合金、鉬系金屬，如鉬金屬(Mo)或鉬合金、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等。閘極線GLn及閘極電極GE可具單層結構或包含具不同物理性質之至少兩個導電層的多層結構。至少兩個導電層的其中之一可由低電阻金屬所製，例如鋁系金屬、銀系金屬、銅系金屬等，藉以減少訊號延遲或壓降(voltage drop)。其他導電層可由其他材料，具體而言，係以銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)及銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)之具有良好接觸性質的材料，例如鉬系金屬、鉻、鈦、鉭等所製成。層組合的例子可包括下部鉻層及上部鋁層，且另一例子可包括下部鋁層及上部鉬層。然而，本揭露不受其限制，且閘極線GLn及閘極電極GE可由各種金屬及導體所製成。

閘極絕緣層GI可設置於閘極線GLn及閘極電極GE上。閘極絕緣層GI可由絕緣材料所製，如有機絕緣材料，例如矽氮化物(silicon nitride)、矽氧化物(silicon oxide)、氮矽氧化(silicon oxynitride)等。閘極絕緣層GI可具有單一層結構或包含具不同物理性質之至少兩個絕緣層的多層結構。

半導體層SM可設置於閘極絕緣層GI上且與閘極電極GE至少部分重疊。半導體層SM可包含非晶矽(amorphous silicon)、多晶矽(polycrystalline silicon)或氧化半導體(oxide semiconductor)。

複數個歐姆接觸構件OHa、OHb以及Ohc可設置於半導體層SM上。複數個歐姆接觸構件OHa、OHb以及Ohc可包括設置於下文說明的源極電極SE上方的源極歐姆接觸構件OHa、設置於汲極電極DE上方的汲極歐姆接觸構件OHb以及設置於數據線DLm及DLm+1上方的數據歐姆接觸構件Ohc。複數個歐姆接觸構件OHa、OHb以及Ohc可由n+水合非晶矽(n+ hydrated amorphous silicon)所製，其高度摻雜有n-型雜質或矽化物。

在部分實施例中，當半導體層SM係為氧化半導體時，可省略歐姆接觸構件OHa、OHb及Ohc。

源極電極SE、汲極電極DE以及數據線DLm與DLm+1可設置於歐姆接觸構件OHa、OHb及Ohc以及閘極絕緣層GI上。數據線DLm及DLm+1可傳輸數據電壓且在與第一方向相交的第二方向(例如，如第1圖所示之垂直方向)延伸以與數據線GLn相交。在下文中，為便於解釋，將於下文描述之提供於像素電極PE左側的數據線係以第一數據線DLm表示，而提供於像素電極PE右側的數據線係以第二數據線DLm+1表示。

源極電極SE可連接至第一數據線DLm且自第一數據線DLm突出以與閘極電極GE重疊。在部分實施例中，設置於閘極電極GE上方的源極電極SE的部分的形狀可為C形(C-shape)。

汲極電極DE可與於閘極電極GE上方的源極電極SE分開。源極電極DE可包含與源極電極SE大略平行延伸的桿部以及與桿部相對的延伸部。

數據線DLm及DLm+1、源極電極SE以及汲極電極DE可由鋁、銅、銀、鉬、鉻、鈦、鉭或其合金所製，且具有包含由耐火金屬(refractory metal)等所製之下部層(未圖示)及形成於下部層上方的低電阻上部層(未圖示)的多層結構，但本揭露並不受其限制。

閘極電極GE、源極電極SE以及汲極電極DE可與半導體層SM搭配以形成薄膜電晶體Tr，且可於源極電極SE及汲極電極DE之間的半導體層SM中形成薄膜電晶體的通道。

第一保護層PA1可設置於閘極絕緣層GI、半導體層SM、源極電極SE以及汲極電極DE上。第一保護層PA1可由有機絕緣材料、無機絕緣材料等所製。第一保護層PA1保護薄膜電晶體Tr，且避免使包含於下文所述之絕緣層ILA之材料被導入半導體層SM。

絕緣層ILA可設置於第一保護層PA1上。在部分實施例中，絕緣層ILA可使第一保護層PA1的上部平坦化。絕緣層ILA可包含感光材料。感光材料可為有機感光材料，例如光阻劑(photoresist)。在部分實施例中，絕緣層ILA可包含暴露於光照下的部分被硬化的負性光阻劑(negative photoresist)或沒有暴露於光照下的部分被硬化的正性光阻劑(positive photoresist)。

絕緣層ILA可進一步包含色料(color pigment)。例如，絕緣層ILA可包含可使對應特定色彩之波長範圍之光線通過的色料。亦即，絕緣層ILA可為濾色器。在一例示性實施例中，濾色器可使包含紅色、綠色及藍色的原色(primary colors)的其中之一顯示。然而，色彩並不限為紅色、綠色及藍色的原色。在部分實施例中，色彩可為青色(cyan)、洋紅色(magenta)、黃色及白色的任意其一。當絕緣層ILA包含色料，絕緣層ILA可與在數據線DLm及DLm+1上方之相鄰像素的絕緣層ILA'至少部分重疊。

第二保護層PA2可設置於絕緣層ILA上。第二保護層PA2可包含有機絕緣材料，如矽氧化物(silicon oxide)、矽氮化物(silicon nitride)、氮氧化矽(silicon oxynitride)等。第二保護層PA2防止絕緣層ILA脫落且避免液晶層300受到有機材料汙染，如從絕緣層ILA導入的溶劑。因此，避免在操作液晶顯示裝置1時可能發生如後像(afterimage)等的缺陷。

像素電極PE可設置於絕緣層ILA及第二保護層PA2上。此情形下，暴露部分汲極電極DE的接觸孔CT可形成於絕緣層ILA及第二保護層PA2中。再者，像素電極PE可透過接觸孔CT接觸汲極電極DE，以電性連接至薄膜電晶體Tr。像素電極PE可由透明導電材料所製，如ITO、IZO、ITZO(氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide)以及AZO(摻雜鋁的氧化鋅)。

像素電極PE可包括主幹PEa及連接至主幹PEa且彼此分離的複數個分支PEb。在一例示性實施例中，主幹PEa可具有如第1圖所示的交叉形狀，且在此情形下，一個像素可藉由主幹Pea劃分成複數個區域(regions)，亦即複數個領域(domain)。分支PEb可在各領域以不同方向排列。在例示性實施例中，一個像素係如第1圖所示由四個領域形成，但本揭露並不受其限制。複數個分支PEb可彼此分離且在由主幹PEa劃分的區域中以實質上彼此平行的方向延伸。彼此相鄰的分支PEb可以至少一微米彼此間隔。分支PEb可使液晶層300的液晶分子於與第一基底基板SUB1平行的平面上以特定方位角(azimuth angle)對齊。

第1圖繪示像素電極PE的水平寬度，亦即沿閘極線GLn延伸之方向的寬度，係小於像素電極PE的垂直寬度，亦即沿數據線DLm及DLm+1延伸之方向的寬度，但此僅為例示性實施例。在與圖式不同之部分實施例中，像素電極PE的水平寬度，亦即沿閘極線GLn延伸之方向的寬度，係大於像素電極PE的垂直寬度，亦即沿數據線DLm及DLm+1延伸之方向的寬度。

維持電極線(sustain electrode line)SLn可進一步被提供於第一基底基板SUB1上。維持電極線SLn可在與數據線GLn實質相同的方向(例如：水平方向)延伸。維持電極線SLn可進一步包含環繞在像素電極PE的至少一部份的第一維持電極SLna及第二維持電極SLnb，其將敘述於後文。第一維持電極SLna及第二維持電極SLnb阻隔或降低在第一數據線DLm及第二數據線DLm+1與像素電極PE之間的耦合電場(coupling electric field)，其將敘述於後文。再者，維持電極線SLn可進一步包含自第一維持電極SLna或第二維持電極SLnb延伸的維持電極延伸部(sustain electrode extension)SLnp。在部分實施例中，如平面圖所示，維持電極延伸部SLnp可延伸至像素電極PE與閘極線GLn之間的空間。雖維持電極延伸部SLnp係於第1圖中繪示連接至第一維持電極SLna，然而本揭露不受其限制，且維持電極延伸部SLnp可連接至第二維持電極SLnb。

在一例示性實施例中，維持電極線SLn可設置於與閘極線GLn及閘極電極GE相同的層上且可由與閘極線GLn及閘極電極GE相同的材料所製。亦即，在例示性的實施例中，維持電極線SLn可插入在第一基底基板SUB1與閘極絕緣層GI之間且可由與閘極線GLn相同材料所製。雖未示於圖式中，在另一例示性實施例中，維持電極線SLn可設置於與數據線DLm及DLm+1相同的層上，且係由與數據線DLm及DLm+1相同材料所製，其亦表示與數據線DLm及DLm+1相似的維持電極線SLn可插入在閘極絕緣層GI與第一保護層PA1之間。於下文中，為便於解釋，例示性實施例中係描述維持電極線SLn設置於與閘極線GLn相同層上。

屏蔽圖樣SHP可設置於第二保護層PA2上。屏蔽圖樣SHP可物理性地與像素電極PE分離且設置於與像素電極PE同一層上。亦即，如同像素電極PE，屏蔽圖樣SHP可直接設置於第二保護層PA2上且直接接觸第二保護層PA2。屏蔽圖樣SHP可由透明導電材料所製且係由與像素電極PE相同材料所製。在部分實施例中，屏蔽圖樣SHP及像素電極PE可藉由單一遮罩在相同製程同時形成。

在平面圖中，屏蔽圖樣SHP可與薄膜電晶體Tr重疊，且在一例示性實施例中，屏蔽圖樣SHP可與薄膜電晶體Tr的源極電極SE及汲極電極DE重疊。

在部分實施例中，共用電壓Vcom或維持電壓Vc可施加至屏蔽圖樣SHP。

屏蔽圖樣SHP可進一步包含第一屏蔽圖樣延伸部SHPa。第一屏蔽圖樣延伸部SHPa可往維持電極延伸部SLnp延伸並透過形成於閘極絕緣層GI中、第一保護層PA1中、絕緣層ILA中以及第二保護層PA2中的維持電極接觸孔CTs接觸維持電極延伸部SLnp。因此，當維持電壓Vc施加至維持電極線SLn時，屏蔽圖樣SHP可電性連接至維持電極線SLn並接收施加至維持電極線SLn之維持電壓Vc。維持電壓Vc可與共用電壓Vcom實質相等，或可與共用電壓Vcom有微小的電壓位準差。

然而，本揭露並不受限於此，屏蔽圖樣SHP可透過分離終端接收共用電壓Vcom。在另一例示性實施例中，屏蔽圖樣SHP可為浮動狀態(floated state)。

分隔體CS可設置於屏蔽圖樣SHP上。分隔體CS可用於保持陣列基板100與對向基板200之間的距離。在部分實施例中，分隔體CS可包含透明有機絕緣材料，如丙烯酸酯(acrylate)、或透明無機絕緣材料。當分隔體CS由有機絕緣材料所製，分隔體CS可包含有機感光絕緣材料。

在部分實施例中，分隔體CS可設置於與薄膜電晶體Tr重疊之屏蔽圖樣SHP的一部分上。藉由使分隔體CS與薄膜電晶體Tr重疊，可相對地降低於下文所述的光阻隔構件BM的大小，因此提供提升液晶顯示裝置1的孔徑比(aperture ratio)的優點。

分隔體CS可直接接觸屏蔽圖樣SHP且可直接設置於屏蔽圖樣SHP上。屏蔽圖樣SHP可包含透明導電材料等。第二保護層PA2可包含無機絕緣材料等。因此，分隔體CS與屏蔽圖樣SHP之間的接著力(adhesion force)可相對地大於分隔體CS與第二保護層PA2之間的接著力。在本發明概念中，分隔體CS可設置於屏蔽圖樣SHP上，進而降低分隔體CS與陣列基板100分離或移動至非期望區域的機率，因而提供提升液晶顯示裝置1的可靠性的優點。

現將描述對向基板200。

對向基板200可包含第二基底基板SUB2、光阻隔構件BM、外套層(overcoat layer)OC以及共用電極CE。

如同第一基底基板SUB1，第二基底基板SUB2可為透明絕緣基板。再者，第二基底基板SUB2可包含具有良好耐熱性質的聚合物或塑膠。在部分實施例中，第二基底基板SUB2可具有可撓性。

光阻隔構件BM可設置於第二基底基板SUB2與液晶層300之間，更具體而言，係設置於面對第一基底基板SUB1之第二基底基板SUB2的一表面上。在部分實施例中，光阻隔構件BM可包含與閘極線GLn及薄膜電晶體Tr重疊的部分，以及與數據線DLm及DLm+1重疊的部分。光阻隔構件BM可包含光阻隔色料(light blocking pigment)，如碳黑(black carbon)，或不透明材料，如鉻(Cr)，且包含有機感光材料。

外套層OC可形成於第二基底基板SUB2及光阻隔構件BM上，且覆蓋光阻隔構件BM。外套層OC可將光阻隔構件BM所形成的台階部平面化。在部分實施例中，可省略外套層OC。

共用電極CE可設置於外套層OC上。在部分實施例中，當省略外套層OC，共用電極CE可設置於第二基底基板SUB2及光阻隔構件BM上。共用電極CE可由透明導電材料所製，例如ITO及IZO。在部分實施例中，共用電極CE可形成於整個第二基底基板SUB2的表面上。共用電壓Vcom可施加至共用電極CE以產生在共用電極CE及像素電極PE之間的電場。像素電極PE可透過薄膜電晶體Tr接收數據電壓，且共用電極CE可接收具有與數據電壓不同位準的共用電壓Vcom。因此，可在像素電極PE與共用電極CE之間產生具有對應共用電壓Vcom與數據電壓之間電位差之強度的電場，且在液晶層300中的液晶分子之對準可根據電場的強度而變，進而控制光的穿透。

參照第5圖，在操作上述的薄膜電晶體Tr時，因薄膜電晶體Tr的寄生電容可能導致交擾缺陷。例如，耦合電場可產生於源極電極SE與汲極電極DE之間，且進而可能產生寄生電容Cg。再者，寄生電容可能產生於除源極電極SE及汲極電極DE之外的構件之間。例如，寄生電容亦可能產生於汲極電極DE與其他構件之間，進而導致不期望的交擾缺陷。

在根據本發明概念的例示性實施例之液晶顯示裝置1中，屏蔽圖樣SHP可設置於薄膜電晶體Tr上，進而抑制薄膜電晶體Tr本身的寄生電容。在例示性實施例中，屏蔽圖樣SHP可設置於薄膜電晶體Tr上，進而產生介於源極電極SE與屏蔽圖樣SHP之間的第一電容Css以及汲極電極DE與屏蔽圖樣SHP之間的第二電容Cds。因此，在上述情形，產生於源極電極SE及汲極電極DE之間的寄生電容Cg係被抑制或減弱。因此，抑制交擾缺陷的發生，且提升液晶顯示裝置1的顯示品質。

另外，由於屏蔽圖樣SHP係設置於薄膜電晶體Tr上，於薄膜電晶體Tr與其他構件，如數據線DLm及DLm+1之間的耦合電場係被阻隔，進而抑制交擾缺陷的發生。

維持電壓Vc或具有與施加至共用電極CE的電壓相等位準的電壓，例如共用電壓Vcom可施加至屏蔽圖樣SHP。在上述情形，共用電極CE與屏蔽圖樣SHP之間不會產生電場，或即便其之間產生電場，該電場的強度將較低。因此，可降低設置於相鄰於薄膜電晶體Tr之區域的液晶分子的失準機率。進而，可降低因鄰近薄膜電晶體Tr的液晶分子失準所導致的漏光現象(light leakage)，且可減少設置以防止漏光現象之光阻隔構件BM的面積。因此，可增加液晶顯示裝置1的孔徑比。

在本文中，相同元件符號用於表示與前述實施例的相同構件。此外，將省略重複描述，且以下實施例主要描述與前述實施例的差異。

第6圖至第8圖係繪示第1圖至第4圖所示之液晶顯示裝置的修改實施例的截面圖。

參照第6圖至第8圖，根據本發明概念的例示性實施例之液晶顯示裝置2可包括陣列基板100a、對向基板200a以及液晶層300。液晶顯示裝置2可進一步包含附接於陣列基板100a及對向基板200a外表面的一對偏振器(未圖示)。

與參照第1圖至第5圖所描述的陣列基板100(如第1圖至第4圖所示)不同，陣列基板100a可包含光阻隔構件BMa。

光阻隔構件BMa可設置於像素電極PE的部分、第二保護層PA2及屏蔽圖樣SHP上且可直接接觸像素電極PE的部分、第二保護層PA2及屏蔽圖樣SHP。光阻隔構件BMa可包含與閘極線GLn及薄膜電晶體Tr重疊的一部分、以及與數據線DLm及DLm+1重疊的部分。光阻隔構件BMa的至少一部分可填入接觸孔CT以及維持電極接觸孔CTs。光阻隔構件BMa可包含光阻隔色料，例如碳黑等，且包含有機感光材料。

分隔體CSa可設置於光阻隔構件BMa上，且可直接接觸光阻隔構件BMa。在部分實施例中，分隔體CSa可包含光阻隔色料，且可由與光阻隔構件BMa相同材料所製。

在部分實施例中，分隔體CSa可與光阻隔構件BMa一體成形，且藉由單一光罩而與光阻隔構件BMa同時形成。

陣列基板100a的其餘特徵係與前述參照第1圖至第5圖所述的特徵實質相同，因此省略其描述。

對向基板200a可包含第二基底基板SUB2、外套層OC及共用電極CE，但可不包含光阻隔構件。亦即，對向基板200a與參照第1圖至第5圖所述的對向基板200(如第2圖至第4圖所示)的不同點在於前者不包含光阻隔構件，但對向基板200a的其餘特徵可與對向基板200所述的特徵實質相同。因此省略其詳細描述。

在本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置2中，光阻隔構件BMa可與薄膜電晶體Tr被共同設置於陣列基板100a上，因而提供易於對準及減少在光阻隔構件BMa、像素電極PE以及薄膜電晶體Tr之中的對準誤差的優點。因此，可防止因在這些構件中的失準而導致的漏光現象或孔徑比降低，且可提升透射率。

第9圖係繪示根據本發明概念之另一例示性實施例的液晶顯示裝置之陣列基板的平面示意圖，且更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖。第10圖係沿第9圖中線D-D'截取之截面示意圖，且繪示包含第9圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第11圖係沿第9圖中線E-E'截取之截面示意圖，且繪示包含第9圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第12圖係沿第9圖中線F-F'截取之截面示意圖，且繪示包含第9圖之陣列基板的液晶顯示裝置。

參照第9圖至第12圖，根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置3可包含陣列基板100b、面對陣列基板100b的對向基板200b、以及插入在陣列基板100b與對向基板200b之間的液晶層300。液晶顯示裝置3可進一步包含附接於陣列基板100b及對向基板200b之外表面的一對偏振器(未圖示)。

與前述參照第1圖至第5圖所述的陣列基板100(如第1圖至第4圖所示)不同，陣列基板100b可包含屏蔽電極SHE1及SHE2。

屏蔽電極SHE1及SHE2可設置於第二保護層PA2上。如同屏蔽圖樣SHP，屏蔽電極SHE1及SHE2可物理性地與像素電極PE分開，且設置於與像素電極PE相同層上。亦即，如同像素電極PE，屏蔽電極SHE1及SHE2可直接設置於第二保護層PA2上，且直接地接觸第二保護層PA2。屏蔽電極SHE1及SHE2可由透明導電材料所製，且由與屏蔽圖樣SHP及像素電極PE相同材料所製。在部分實施例中，屏蔽電極SHE1及SHE2、屏蔽圖樣SHP及像素電極PE可藉單一遮罩在相同製程中同時形成。

屏蔽電極SHE1及SHE2可對應於數據線DLm及DLm+1被設置於第二保護層PA2的一部分上，且可與數據線DLm及DLm+1重疊。亦即，屏蔽電極SHE1及SHE2可設置於數據線DLm及DLm+1上且與數據線DLm及DLm+1重疊，並可沿其中數據線DLm及DLm+1所延伸的第二方向(例如：第9圖所示之垂直方向)延伸。在下文中，為便於解釋，屏蔽電極SHE1及SHE2中與第一數據線DLm重疊的電極係以第一屏蔽電極SHE1表示，且屏蔽電極SHE1及SHE2中與第二數據線DLm+1重疊的電極係以第二屏蔽電極SHE2表示。

在平面視角下，在水平方向，亦即閘極線GLn延伸的方向之第一屏蔽電極SHE1的寬度Ws1可比第一數據線DLm的水平寬度Wd1寬。同樣地，在水平方向，亦即閘極線GLn延伸的方向之第二屏蔽電極SHE2的寬度Ws2可比第二數據線DLm+1的水平寬度Wd2寬。再者，在陣列基板的平面圖，如第9圖所示，第一屏蔽電極SHE1可覆蓋第一數據線DLm，而第二屏蔽電極SHE2可同樣地覆蓋第二數據線DLm+1。

在部分實施例中，共用電壓Vcom或維持電壓Vc可施加至屏蔽電極SHE1及SHE2。

在部分實施例中，第一屏蔽電極SHE1及第二屏蔽電極SHE2的至少其一可電性連接至屏蔽圖樣SHP。在一例示性實施例中，屏蔽圖樣SHP的第一屏蔽圖樣延伸部SHPa可透過維持電極接觸孔CTs接觸維持電極延伸部SLnp，且進一步往第二屏蔽電極SHE2延伸以連接至第二屏蔽電極SHE2。因此，當維持電壓Vc施加至維持電極線SLn時，屏蔽圖樣SHP可電性連接至維持電極線SLn並接收維持電壓Vc，且第二屏蔽電極SHE2可同樣地接收維持電壓Vc。

在部分實施例中，屏蔽圖樣SHP可進一步包含第9圖所示之第二屏蔽圖樣延伸部SHPb。第二屏蔽圖樣延伸部SHPb可往第一屏蔽電極SHE1延伸並電性連接至第一屏蔽電極SHE1。因此，第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP以及第二屏蔽電極SHE2可相互電性連接。承上述，當維持電壓Vc施加至屏蔽圖樣SHP，第一屏蔽電極SHE1及第二屏蔽電極SHE2亦被供應維持電壓Vc。

維持電壓Vc可實質相等於共用電壓Vcom，或者維持電壓Vc可與共用電壓Vcom有微小的電壓位準差。

然而，第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP以及第二屏蔽電極SHE2的連接方式並不限於上述。在其他例示性實施例中，第一屏蔽電極SHE1與第二屏蔽電極SHE2可電性連接，而屏蔽圖樣SHP可不與第一屏蔽電極SHE1及第二屏蔽電極SHE2電性連接。在一替代實施例，僅第一屏蔽電極SHE1或第二屏蔽電極SHE2之其一可電性連接至屏蔽圖樣SHP。在另一替代實施例中，第一屏蔽電極SHE1、第二屏蔽電極SHE2以及屏蔽圖樣SHP可皆不互相電性連接。

再者，提供電壓至第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP以及第二屏蔽電極SHE2的路徑不限於上述。例如，在其他例示性實施例，共用電壓Vcom可透過分離終端提供至第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP以及第二屏蔽電極SHE2中至少任一者。

在部分實施例中，第一屏蔽電極SHE1、第二屏蔽電極SHE2以及屏蔽圖樣SHP中至少任一者可為浮動狀態。

陣列基板100b的其他特徵與上述參照第1圖至第5圖所述的特徵實質相同，因此省略其描述。

對向基板200b可包含第二基底基板SUB2、光阻隔構件BM、外套層OC以及共用電極CE。

在部分實施例中，光阻隔構件BM可包含與閘極線GLn及薄膜電晶體Tr重疊的一部分。此外，可省略與數據線DLm及DLm+1重疊之光阻隔構件BM的部分BM1，或可減少部分BM1的面積。其他構件係與上述參照第1圖至第5圖所述者實質相同，因此省略其描述。

產生於像素電極PE與共用電極CE之間的電場在數據線DLm、DLm+1與像素電極PE之間的區域可能相對較弱，因此該區域的液晶分子失準的機率相對較高。

根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置3中，維持電壓Vc可施加至屏蔽電極SHE1及SHE2、以及屏蔽圖樣SHP，或者具有與施加至共用電極CE的電壓相同位準之電壓，例如共用電壓Vcom可施加至屏蔽電極SHE1及SHE2以及屏蔽圖樣SHP。在上述情形，共用電極CE與屏蔽電極SHE1及SHE2之間不會產生電場，或即使在其之間產生電場，該電場的強度將較低。因此，可降低設置於相鄰於數據線DLm及DLm+1的區域中的液晶分子失準的機率。進而，可降低因鄰近數據線DLm及DLm+1的液晶分子失準所導致的漏光現象，且可進一步減少設置以防止漏光現象的光阻隔構件BM的面積。因此，可進一步增加液晶顯示裝置3的孔徑比。

此外，產生於數據線DLm及DLm+1與像素電極PE之間的電場可因屏蔽電極SHE1及SHE2減弱，因而提供抑制交擾缺陷的優點。

第13圖至第15圖係繪示第9圖至第12圖所示之液晶顯示裝置的修改實施例之截面圖。

參照第13圖至第15圖，根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置4可包含陣列基板100c、對向基板200c以及液晶層300。液晶顯示裝置4可進一步包含附接陣列基板100c及對向基板200c外表面的一對偏振器(未圖示)。

與參照第9圖至第12圖所述的陣列基板100b(如第9圖至第12圖所示)不同，陣列基板100c可包含光阻隔構件BMa。

光阻隔構件BMa可設置於像素電極PE的部分、第二保護層PA2以及屏蔽圖樣SHP上且可直接接觸像素電極PE的部分、第二保護層PA2以及屏蔽圖樣SHP。光阻隔構件BMa可包含與閘極線GLn與薄膜電晶體Tr重疊的一部分。可省略與數據線DLm及DLm+1重疊的光阻隔構件BMa的部分BMa1，或者可減少部分BMa1的面積。光阻隔構件BMa的至少一部分可填入接觸孔CT及維持電極接觸孔CTs。光阻隔構件BMa可包含光阻隔色料，例如：碳黑等，且包含有機感光材料。

分隔體CSa可設置於光阻隔構件BMa上，且可直接接觸光阻隔構件BMa。在部分實施例中，分隔體CSa可包含光阻隔色料，且可由與光阻隔構件BMa相同材料所製。

在部分實施例中，分隔體CSa可與光阻隔構件BMa一體成形，且藉由單一光罩而與光阻隔構件BMa同時形成。

陣列基板100c的其他特徵與上述參照第9圖至第12圖的特徵實質相同，因此省略其描述。

對向基板200c可包含第二基底基板SUB2、外套層OC及共用電極CE，但可不包含光阻隔構件。亦即，對向基板200c與參照第9圖至第12圖所述之對向基板200b(如第9圖至第12圖所示)的不同點在於前者不包含光阻隔構件，但對向基板200c的其他特徵可與對向基板200b的特徵實質上相同。因此，省略其詳細描述。

在本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置4中，光阻隔構件BMa可與薄膜電晶體Tr被共同設置於陣列基板100c上，因而提供易於對準及降低光阻隔構件BMa、像素電極PE以及薄膜電晶體Tr中的對準誤差的優點。因此，可防止因這些構件中的失準而導致的漏光現象或孔徑比降低，且可提升透射率。

第16圖繪示根據本發明概念之又一例示性實施例的液晶顯示裝置之一個像素的等效電路圖。

參照第16圖，根據本發明概念之又一例示性實施例的液晶顯示裝置的一個像素可包含兩個子像素P1及P2。此外，根據本發明概念之又一實施例的液晶顯示裝置的一個像素可包含傳輸閘極訊號的閘極線GLn、傳輸數據電壓的數據線DLm、施加恆定維持電壓Vc至其中的維持電極線SLn、第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2以及第三薄膜電晶體Tr3。

第一薄膜電晶體Tr1及第二薄膜電晶體Tr2可連接至同一閘極線GLn及同一數據線DLm。此外，第三薄膜電晶體Tr3可連接至與第一薄膜電晶體Tr1及第二薄膜電晶體Tr2相同的閘極線GLn，且第三薄膜電晶體Tr3可連接至第二薄膜電晶體Tr2及維持電極線SLn。

一個像素可包含兩個子像素P1及P2。第一子像素P1可包含連接至第一薄膜電晶體Tr1之第一液晶電容器Clc1，且第二子像素P2可包含連接至薄膜電晶體Tr2的第二液晶電容器Clc2。

第一薄膜電晶體Tr1可被包含在第一子像素P1中，且第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3可被包含在第二子像素P2中。

第一薄膜電晶體Tr1可具有連接至閘極線GLn的第一終端、連接至數據線DLm的第二終端、以及連接至第一液晶電容器Clc1的第三終端。

具體而言，第一薄膜電晶體Tr1的第三終端可連接至第一液晶電容器Clc1的第一子像素電極(未示於圖式中)。

第二薄膜電晶體Tr2可具有連接至閘極線GLn的第一終端、連接至數據線DLm的第二終端、以及連接至第二液晶電容器Clc2的第三終端。

具體而言，第二薄膜電晶體Tr2的第三終端可連接至第二液晶電容器Clc2的第二子像素電極(未示於圖式中)。

第三薄膜電晶體Tr3可具有連接至閘極線GLn的第一終端、連接至維持電極線SLn的第二終端、以及連接至第二薄膜電晶體Tr2的第三終端的第三終端。

根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置可如以下方式操作。當閘極導通電壓施加至閘極線GLn，連接至閘極線GLn的第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3可全部被導通，且第一液晶電容器Clc1及第二液晶電容器Clc2可以經由數據線DLm傳輸的數據電壓充電。

雖相同的數據電壓施加至子像素P1及P2，但因第三薄膜電晶體Tr3處於導通狀態，透過數據線DLm傳輸至第二子像素P2的數據電壓可經由串聯連接於第二薄膜電晶體Tr2的第三薄膜電晶體Tr3而被分配。在此情形，電壓可依據第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3的通道大小而分布。因此，即便當透過數據線DLm傳輸相同的數據電壓至第一子像素P1及第二子像素P2，第一液晶電容器Clc1及第二液晶電容器Clc2充電的電壓可彼此不同。亦即，充電至第二液晶電容器Clc2之電壓可低於充電至第一液晶電容器Clc1之電壓，其係共用電壓Vcom與數據電壓之間的差。

就結果而言，充電至一個像素中之第一子像素P1及第二子像素P2的電壓可彼此不同，其提升側視可見度(side visibility)。在此情形，維持電壓Vc可具有高於共用電壓Vcom的位準。例如，當共用電壓Vcom為約7V時，維持電壓Vc可為約8V，但本揭露係不被其限制。

第17圖係繪示根據本發明概念之更一例示性實施例的液晶顯示裝置之陣列基板的平面示意圖，更具體而言，其為第16圖所示之一個像素結構的平面示意圖。第18圖係沿第17圖之線G-G'截取之截面示意圖，且繪示包含第17圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第19圖係沿第17圖之線H-H'截取之截面示意圖，且繪示包含第17圖之陣列基板的液晶顯示裝置。

參照第17圖至第19圖，根據本發明概念之更一例示性實施例的液晶顯示裝置5可包含陣列基板100d、面對陣列基板100d的對向基板200d以及插入於陣列基板100d及對向基板200d之間的液晶層300，且可進一步包含附接陣列基板100d及對向基板200d外表面的一對偏振器(未圖示)。

現將描述陣列基板100d。

閘極線GLn可設置於由透明玻璃、塑膠等所製的第一基底基板SUB1上。閘極線GLn可主要在第一方向(例如：第17圖之水平方向)延伸，且傳輸閘極訊號。

從閘極線GLn突出且相互連接的第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2可設置於第一基底基板SUB1上。此外，從閘極線GLn突出且與第一閘極電極GE1及第二閘極電極GE2分離的第三閘極電極GE3亦可設置於第一基底基板SUB1上。第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3可連接至同一閘極線GLn，且同一閘極訊號可施加至第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3。

閘極絕緣層GI可設置於閘極線GLn及第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3上。閘極絕緣層GI可由無機絕緣材料，例如矽氧化物、矽氮化物、氮氧化矽等所製成。閘極絕緣層GI可形成為具有單層結構或多層結構。

第一半導體層SM1、第二半導體層SM2及第三半導體層SM3可形成於閘極絕緣層GI上。第一半導體層SM1可設置於第一閘極電極GE1上，第二半導體層SM2可設置於第二閘極電極GE2上，而第三半導體層SM3可設置於第三閘極電極GE3上。第一半導體層SM1、第二半導體層SM2以及第三半導體層SM3的每一個可包含非晶矽、多晶矽或氧化半導體。

複數個歐姆接觸構件Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3及Ohc可設置於第一半導體層SM1、第二半導體層SM2以及第三半導體層SM3上。複數個歐姆接觸構件Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3及Ohc可包含將提供在後文敘述之第一源極電極SE1、第二源極電極SE2及第三源極電極SE3下方的源極歐姆接觸構件Oha1、Oha2以及Oha3、提供在第一汲極電極DE1、第二汲極電極DE2及第三汲極電極DE3下方的汲極歐姆接觸構件Ohb1、Ohb2及Ohb3、以及提供在數據線DLm及DLm+1下方的數據歐姆接觸構件Ohc。在部分實施例中，當第一半導體層SM1、第二半導體層SM2及第三半導體層SM3為氧化半導體，則可省略歐姆接觸構件Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3及Ohc。

數據線DLm及DLm+1、第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2、第二汲極電極DE2、第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3可形成於歐姆接觸構件Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3及Ohc以及閘極絕緣層GI上。

數據線DLm及DLm+1可傳輸數據電壓且主要在第二方向(例如：如第17圖之垂直方向)延伸以與閘極線GLn相交。

第一源極電極SE1可從數據線DLm突出以與第一閘極電極GE1重疊。第一源極電極SE1可具有在第一閘極電極GE1上方的C形。

第一汲極電極DE1可與在第一閘極電極GE1上方的第一源極電極SE1分離。通道可形成在經由彼此分隔的第一源極電極SE1與第一汲極電極DE1之間的間隙暴露的第一半導體層SM1的部分中。

第二源極電極SE2可從數據線DLm突出以與第二閘極電極GE2重疊。第二源極電極SE2可具有在第二閘極電極GE2上方的C形。

第二汲極電極DE2可與在第二閘極電極GE2上方的第二源極電極SE2分離。通道可形成在經由彼此分隔的第二源極電極SE2與第二汲極電極DE2之間的間隙暴露的第二半導體層SM2的部分中。

第三源極電極SE3可連接至第二汲極電極DE2且與在第三閘極電極GE3上方的第三汲極電極DE3分離。通道可形成在經由彼此分隔的第三源極電極SE3與第三汲極電極DE3之間的間隙暴露的第三半導體層SM3的部分中。

第三汲極電極DE3可與第三閘極電極GE3重疊。第三汲極電極DE3可連接至後文敘述的維持電極線SLn，且接收恆定電壓，例如，施加至其中之維持電壓Vc。

上述之第一閘極電極GE1、第一半導體層SM1、第一源極電極SE1及第一汲極電極DE1可形成第一薄膜電晶體Tr1。再者，第二閘極電極GE2、第二半導體層SM2、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE2可形成第二薄膜電晶體Tr2，而第三閘極電極GE3、第三半導體層SM3、第三源極電極SE3以及第三汲極電極DE3可形成第三薄膜電晶體Tr3。

第一保護層PA1可設置於數據線DLm及DLm+1、第一源極電極SE1、第二源極電極SE2及第三源極電極SE3以及第一汲極電極DE1、第二汲極電極DE2及第三汲極電極DE3上。第一保護層PA1可由有機絕緣材料或無機絕緣材料所製。第一保護層PA1保護第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3且防止下文所述的絕緣層ILA所含之物質被導入第一半導體層SM1、第二半導體層SM2及第三半導體層SM3。

絕緣層ILA可設置於第一保護層PA1上。在部分實施例中，絕緣層ILA可將第一保護層PA1的上部平面化。絕緣層ILA可包含有機材料，且在部分實施例中可包含有機感光材料。絕緣層ILA可進一步包含色料。例如，絕緣層ILA可包含可使對應特定色彩之波長範圍之光線通過的色料。亦即，絕緣層ILA可為濾色器。當絕緣層ILA包含色料，絕緣層ILA可與在數據線DLm及DLm+1上方之相鄰像素的絕緣層ILA'至少部分重疊。

第二保護層PA2可被提供於絕緣層ILA上。第二保護層PA2可包含無機絕緣材料，如矽氧化物、矽氮化物、氮氧化矽等。第二保護層PA2防止絕緣層ILA脫落且防止絕緣層ILA所含的材料被導入液晶層300。

暴露部分第一汲極電極DE1的第一接觸孔CT1及暴露部分第二汲極電極DE2的第二接觸孔DT2可形成於第一保護層PA1、絕緣層ILA及第二保護層PA2中。

像素電極PE1及PE2可設置於絕緣層ILA及第二保護層PA2上。像素電極PE1及PE2可包含第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2。第一子像素電極PE1可透過第一接觸孔CT1連接至第一汲極電極DE1，而第二子像素電極PE2可透過第二接觸孔CT2連接至第二汲極電極DE2。

第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2可分別來自第一汲極電極DE1及第二汲極電極DE2接收數據電壓。在此情況，施加至第二汲極電極DE2的數據電壓的部分可通過第三源極電極SE3而被分配。因此，當施加至第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2的數據電壓為正(+)，施加至第二子像素電極PE2的第二子像素電壓值可小於施加至第一子像素電極PE1的第一子像素電壓值。相反地，當施加至第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2的數據電壓為負(-)，施加至第一子像素電極PE1的第一子像素電壓值可小於施加至第二子像素電極PE2的第二子像素電壓值。

第一子像素電極PE1可包括第一主幹PE1a及自第一主幹PE1a放射性地突出及延伸的複數個第一分支PE1b。第一主幹PE1a可以各種形狀形成。例如，如第17圖所示，第一主幹PE1a具有交叉形狀。在此情形，第一子像素可藉由第一主幹PE1a劃分為四個領域。

在各領域中，第一分支PE1b可延伸至不同方向。第一分支PE1b可在由第一主幹PE1a所定義的各領域中以彼此平行且彼此分離的方式延伸。相鄰於彼此的第一分支PE1b可以至少1微米間隔，以形成複數個狹縫。

第一子像素電極PE1可由透明導電材料所製，如ITO、IZO、ITZO、AZO。

第一子像素之液晶層300的液晶分子可在各領域中藉由複數個狹縫被預傾至不同方向。例如，液晶分子傾斜所沿著的方向可為朝向第一主幹PE1a的四個方向。因此，在液晶層300中可形成其中液晶分子在不同方向對齊的四個領域。如上述，改變液晶分子傾斜所沿著的方向可使包含液晶層300的液晶顯示裝置5具有廣視角。

第二子像素電極PE2可包含第二主幹PE2a及自第二主幹PE2a放射性地突出及延伸的複數個第二分支PE2b。亦即，第二子像素電極PE2可具有實質相同於第一子像素電極PE1的配置。因此，省略第二子像素電極PE2配置的詳細描述。

在部分實施例中，第二子像素電極PE2的面積可具有大於第一子像素電極PE1的面積。

維持電極線SLn可進一步設置於第一基底基板SUB1上。維持電極線SLn可在與閘極線GLn實質上相同的方向(例如：水平方向)延伸。維持電極線SLn可形成為封入下文所述的像素電極PE的至少一部份。舉例而言，維持電極線SLn可進一步包含封入第一子像素電極PE1之一部分的第一維持電極SLna、第二維持電極SLnb以及第三維持電極SLnc。此外，維持電極線SLn可進一步包含自第一維持電極SLna或第二維持電極SLnb延伸的維持電極延伸部SLnp。維持電極線SLn可進一步包含封入第二子像素電極PE2的一部分之第四維持電極SLnd、第五維持電極SLne及第六維持電極SLnf。在部分實施例中，當以平面觀看時，維持電極延伸部SLnp可延伸至像素電極PE與閘極線GLn之間的區域。此外，在部分實施例中，當以平面圖觀看時，第一維持電極SLna、第二維持電極SLnb、第四維持電極SLnd及第五維持電極SLne可插入像素電極PE與數據線DLm及DLm+1之間。

在一例示性實施例中，維持電極線SLn可設置於與閘極線GLn及第一閘極電極GE1、第二閘極電極GE2及第三閘極電極GE3相同層且由相同材料所製。亦即，在例示性實施例中，維持電極線SLn可被插入於第一基底基板SUB1與閘極絕緣層GI之間，且可由與閘極線GLn相同材料所製。

屏蔽圖樣SHP可設置於第二保護層PA2上。屏蔽圖樣SHP可與像素電極PE1及PE2物理性地分離，且設置於與像素電極PE1及PE2相同層。亦即，像素電極PE1及PE2、屏蔽圖樣SHP等可直接設置於第二保護層PA2上，且可直接接觸第二保護層PA2。屏蔽圖樣SHP可由透明導電材料所製，且可由與像素電極PE1及PE2相同材料所製。在部分實施例中，屏蔽圖樣SHP及像素電極PE1及PE2可藉相同製程以單一光罩同時形成。

當以平面圖觀看時，屏蔽圖樣SHP可與第一薄膜電晶體Tr1及第二薄膜電晶體Tr2中至少其一重疊。在一例示性實施例中，屏蔽圖樣SHP可與第一薄膜電晶體Tr1及第二薄膜電晶體Tr2兩者重疊。此外，屏蔽圖樣SHP可與第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2以及第二汲極電極DE2重疊。然而，本揭露並不受其限制，且在部分情況下，屏蔽圖樣SHP可僅與第一薄膜電晶體Tr1或第二薄膜電晶體Tr2中之其一重疊。

在部分實施例中，共用電壓Vcom或維持電壓Vc可被施加至屏蔽圖樣SHP。

屏蔽圖樣SHP可進一步包含第一屏蔽圖樣延伸部SHPa。第一屏蔽圖樣延伸部SHPa可朝向維持電極延伸部SLnp延伸且透過維持電極接觸孔CT3接觸維持電極延伸部SLnp，維持電極接觸孔CT3係為形成於閘極絕緣層GI、第一保護層PA1、絕緣層ILA及第二保護層PA2的第三接觸孔。因此，當維持電壓Vc被施加至維持電極線SLn，屏蔽圖樣SHP可電性連接至維持電極線SLn且接收施加至其之維持電壓Vc。維持電壓Vc可與共用電壓Vcom實質相同，或與共用電壓Vcom有微小的電壓差。

此外，第一屏蔽圖樣延伸部SHPa可透過維持電極接觸孔CT3接觸第三汲極電極DE3。亦即，第一屏蔽圖樣延伸部SHPa可作為用於與第三汲極電極DE3及維持電極線SLn電性交互連接的連接電極的功能。

然而，本揭露不受其限制，且屏蔽圖樣SHP可透過分離終端接收共用電壓Vcom。在另一例示性實施例，屏蔽圖樣SHP可為浮動狀態。

分隔體CS可設置於屏蔽圖樣SHP上。分隔體CS可用於維持陣列基板100d及對向基板200d之間的距離。在部分實施例中，分隔體CS可包含透明有機絕緣材料，如丙烯酸酯、或透明無機絕緣材料。當分隔體CS由有機絕緣材料所製，分隔體CS可包含有機感光絕緣材料。

在部分實施例中，分隔體CS可設置於與第一薄膜電晶體Tr1及第二薄膜電晶體Tr2的至少其一重疊之屏蔽圖樣SHP的一部分上。因此，可相對地減少於後文所述之光阻隔構件BM的尺寸，且可提升液晶顯示裝置5的孔徑比。

現將描述對向基板200d。

對向基板200d可包含第二基底基板SUB2、光阻隔構件BM、外套層OC以及共用電極CE。

如同第一基底基板SUB1，第二基底基板SUB2可為透明絕緣基板。此外，第二基底基板SUB2可包含具有良好耐熱性質的聚合物或塑膠。在部分實施例中，第二基底基板SUB2可具可撓性。

光阻隔構件BM可被設置於面對第一基底基板SUB1之第二基底基板SUB2的一表面上。在部分實施例中，光阻隔構件BM可包含與閘極線GLn及第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3重疊的部分、以及與數據線DLm及DLm+1重疊的部分。光阻隔構件BM可包含光阻隔色料，如碳黑或不透明材料如鉻(Cr)，且包含有機感光材料。

外套層OC可形成於第二基底基板SUB2及光阻隔構件BM上，且覆蓋光阻隔構件BM。外套層OC可將光阻隔構件BM所形成的台階部平坦化。在部分實施例中，可省略外套層OC。

共用電極CE可設置於外套層OC上。在部分實施例中，當省略外套層OC，共用電極CE可設置於第二基底基板SUB2及光阻隔構件BM上。共用電極CE可由透明導電材料所製，例如ITO及IZO。在部分實施例中，共用電極CE可形成於第二基底基板SUB2的整個表面上。共用電壓Vcom可施加至共用電極CE以產生在共用電極CE及像素電極PE之間的電場。

根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置5提供改善的側視可見度且抑制因第一薄膜電晶體Tr1及第二薄膜電晶體Tr2其本身的寄生電容所造成的交擾缺陷，例如，第一源極電極SE1、第一汲極電極DE1、第二源極電極SE2及第二汲極電極DE之中的寄生電容。

此外，耦合電場係被阻隔於第一薄膜電晶體Tr1及/或第二薄膜電晶體Tr2與其他構件之間，例如，在第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2的至少其一與數據線DLm及DLm+1之間，隨之進一步抑制交擾缺陷的發生。

維持電壓Vc或共用電壓Vcom可被施加至屏蔽圖樣SHP。在上述情形，沒有電場產生在共用電極CE與屏蔽圖樣SHP之間，或者即便有電場在其之間產生，該電場的強度將較低。因此，可降低設置於相鄰於第一薄膜電晶體Tr1及/或第二薄膜電晶體Tr2之區域的液晶分子失準的機率。進而，可降低因鄰近第一薄膜電晶體Tr1及/或第二薄膜電晶體Tr2的液晶分子失準所造成的漏光現象，且可減少光阻隔構件BM的面積。因此，可增加液晶顯示裝置5的孔徑比。

第20圖及第21圖係繪示如第17圖至第19圖所示之液晶顯示裝置之修改實施例的截面圖。

參照第20圖及第21圖，根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置6可包含陣列基板100e、對向基板200e以及液晶層300。液晶顯示裝置6可進一步包含附接陣列基板100e及對向基板200e之外表面的一對偏振器(未圖示)。

與參照第17圖至第19圖所述的陣列基板100d(如第17圖至第19圖所示)不同，陣列基板100e可包含光阻隔構件BMa。

光阻隔構件BMa可設置於第一子像素電極PE1的一部分及第二子像素電極PE2、第二保護層PA2及屏蔽圖樣SHP上，且可直接接觸第一子像素電極PE1的一部分及第二子像素電極PE2、第二保護層PA2及屏蔽圖樣SHP。光阻隔構件BMa可包含與閘極線GLn、及第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3重疊的一部份，以及與數據線DLm及DLm+1重疊的一部份。光阻隔構件BMa的至少一部份可填入第一接觸孔CT1、第二接觸孔CT2以及維持電極接觸孔CT3。光阻隔構件BMa可包含光阻隔色料，例如，碳黑等，且包括有機感光材料。

分隔體CSa可設置於光阻隔構件BMa上且可直接接觸光阻隔構件BMa。在部分實施例中，分隔體CSa可包含光阻隔色料且可由與光阻隔構件BMa相同材料所製。

在部分實施例中，分隔體CSa可與光阻隔構件BMa一體成形，且與光阻隔構件BMa藉由單一光罩(例如，半色調光罩(halftone mask))同時形成。

陣列基板100e的其餘特徵係與前述參照第17圖至第19圖所述實質相同，因此省略其描述。

對向基板200e可包含第二基底基板SUB2、外套層OC以及共用電極CE，但可不包含光阻隔構件。亦即，對向基板200e與參照第17圖至第19圖所述之對向基板200d(如第18圖及第19圖所示)之差異在於前者不包含光阻隔構件，但對向基板200e的其餘特徵可與對向基板200d實質相同。因此，省略其詳細描述。

在本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置6中，光阻隔構件BMa可與第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3被共同設置於陣列基板100e上，進而防止漏光現象或因光阻隔構件BMa、第一子像素電極PE1、第二子像素電極PE2以及第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3之中的失準所致的孔徑比降低，並提升穿透率。

第22圖係根據本發明概念之又一例示性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板之平面示意圖，更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖。第23圖係沿第22圖之線I-I'截取之截面示意圖，並繪示包含第22圖之陣列基板的液晶顯示裝置。第24圖係沿第22圖之線J-J'截取之截面示意圖，並繪示包含第22圖之陣列基板的液晶顯示裝置。

參照第22圖至第24圖，根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置7可包含陣列基板100f、面對陣列基板100f的對向基板200f、以及插入於陣列基板100f及對向基板200f之間的液晶層300。液晶顯示裝置7可進一步包含附接陣列基板100f及對向基板200f之外表面的一對偏振器(未圖示)。

與參照第17圖至第19圖所述之陣列基板100e(如第17圖至第19圖所示)不同，陣列基板100f可包含屏蔽電極SHE1及SHE2。

屏蔽電極SHE1及SHE2可設置於第二保護層PA2上。如同屏蔽圖樣SHP，屏蔽電極SHE1及SHE2可物理性地與第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2分離，且可設置於與第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2相同層上。亦即，如同第一子像素電極PE1及第二子像素電極PE2，屏蔽圖樣SHE1及SHE2可直接設置於第二保護層PA2上，且直接接觸第二保護層PA2。屏蔽電極SHE1及SHE2可由透明導電材料所製，且由與屏蔽圖樣SHP及像素電極PE1及PE2相同材料所製。在部分實施例中，屏蔽電極SHE1及SHE2、屏蔽圖樣SHP及像素電極PE1及PE2可藉由單一遮罩同時形成。

屏蔽電極SHE1及SHE2可設置於對應數據線DLm及DLm+1的第二保護層PA2的一部份上，且可與數據線DLm及DLm+1重疊。與第一數據線DLm重疊的第一屏蔽電極SHE1在水平方向，亦即，閘極線GLn延伸的方向具有寬度Ws1，其比第一數據線DLm的水平寬度Wd1寬。同樣地，與第二數據線DLm+1重疊的第二屏蔽電極SHE2在水平方向，亦即，閘極線GLn延伸的方向具有寬度Ws2，其較第二數據線DLm+1的水平寬度Wd2寬。此外，當以平面圖觀察時，第一屏蔽電極SHE1可覆蓋第一數據線DLm，而第二屏蔽電極SHE2可同樣地覆蓋第二數據線DLm+1。

在部分實施例中，共用電壓Vcom或維持電壓Vc可被施加至屏蔽電極SHE1及SHE2。

在部分實施例中，第一屏蔽電極SHE1及第二屏蔽電極SHE2 的至少其一可電性連接至屏蔽圖樣SHP。在一例示性實施例中，屏蔽圖樣SHP的第一屏蔽圖樣延伸部SHPa可透過維持電極接觸孔CT3接觸維持電極延伸部SLnp，且進一步向第二屏蔽電極SHE2延伸以連接至第二屏蔽電極SHE2。因此，屏蔽圖樣SHP及第二屏蔽電極SHE2可電性連接至維持電極線SLn，以接收維持電壓Vc。

在部分實施例中，屏蔽圖樣SHP可進一步包含如第22圖所示之第二屏蔽圖樣延伸部SHPb。第二屏蔽圖樣延伸部SHPb可向第一屏蔽電極SHE1延伸，並電性連接至第一屏蔽電極SHE1。因此，第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP以及第二屏蔽電極SHE2可相互電性連接。因而，當維持電壓Vc被施加至屏蔽圖樣SHP，第一屏蔽電極SHE及第二屏蔽電極SHE2皆被供應維持電壓Vc。

維持電壓Vc可與共用電壓Vcom實質相同，或者維持電壓Vc可與共用電壓Vcom有微小的電壓位準差。

然而，第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP及第二屏蔽電極SHE2的連接方式不限於上述者。在其他例示性實施例中，第一屏蔽電極SHE1及第二屏蔽電極SHE2可被電性連接，且屏蔽圖樣SHP可不與第一屏蔽電極SHE1及第二屏蔽電極SHE2電性連接。在一替代實施例中，僅第一屏蔽電極SHE1或第二屏蔽電極SHE2之其一可與屏蔽圖樣SHP電性連接。在另一替代實施例中，第一屏蔽電極SHE1、第二屏蔽電極SHE2及屏蔽圖樣SHP彼此皆不電性連接。

此外，提供電壓至第一屏蔽電極SHE、屏蔽圖樣SHP及第二屏蔽電極SHE2的路徑不限於上述者。例如，在其他例示性實施例中，共用電壓Vcom可透過分離終端提供至第一屏蔽電極SHE1、屏蔽圖樣SHP及第二屏蔽電極SHE2中之至少任一者。

在部分實施例中，第一屏蔽電極SHE1、第二屏蔽電極SHE2及屏蔽圖樣SHP中的至少任一者可為浮動狀態。

陣列基板100f的其餘特徵皆與參照第17圖至第19圖所述者實質相同，因此，省略其描述。

對向基板200f可包含第二基底基板SUB2、光阻隔構件BM、外套層OC以及共用電極CE。

在部分實施例中，光阻隔構件BM可包含與閘極線GLn及第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3重疊的一部份。此外，可省略與數據線DLm及DLm+1重疊的光阻隔構件BM之部分BM1，或減少部分BM1的面積。其餘構件係與參照第17圖至第19圖所述者實質相同，因此，省略其描述。

產生於第一子像素電極PE1與共用電極CE之間、以及第二子像素電極PE2與共用電極CE之間的電場，在數據線DLm及DLm+1與像素電極PE之間的區域可相對較弱，且因此在該區域中液晶分子失準的機率可能較高。

在根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置7中，維持電壓Vc可施加至屏蔽電極SHE1及SHE2以及屏蔽圖樣SHP，或者與施加至共用電極CE之電壓相同位準之電壓例如，共用電壓Vcom，可施加至屏蔽電極SHE1及SHE2以及屏蔽圖樣SHP。在此情況下，共用電極CE與屏蔽電極SHE1及SHE2之間沒有電場產生，或者即便其之間有電場產生，該電場的強度將較低。因此，可降低設置於相鄰於數據線DLm及DLm+1之區域的液晶分子之失準的機率。進而，可降低因鄰近數據線DLm及DLm+1的液晶分子失準所導致的漏光現象，且可進一步減少光阻隔構件BM的面積，以及可進一步增加液晶顯示裝置7的孔徑比。

此外，可藉由屏蔽電極SHE1及SHE2減弱產生於數據線DLm及DLm+1與像素電極PE之間的電場，因而提供抑制交擾缺陷的優點。

第25圖及第26圖繪示如第22圖至第24圖所示之液晶顯示裝置之修改實施例的截面圖。

參照第25圖及第26圖，根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置8可包含陣列基板100g、對向基板200g以及液晶層300。液晶顯示裝置8可進一步包含附接陣列基板100g及對向基板200g之外表面的一對偏振器(未圖示)。

與參照第23圖及第24圖所述之陣列基板100f(如第23圖及第24圖所示)不同，陣列基板100g可包含光阻隔構件BMa。

光阻隔構件BMa可設置於第一子像素電極PE1的一部份及第二子像素電極PE2、第二保護層PA2及屏蔽圖樣SHP上，且可直接接觸第一子像素電極PE1的一部分及第二子像素電極PE2、第二保護層PA2及屏蔽圖樣SHP。光阻隔構件BMa可包含與閘極線GLn及第一薄膜電晶體Tr1、第二薄膜電晶體Tr2及第三薄膜電晶體Tr3重疊的一部分。可省略與數據線DLm及DLm+1重疊的光阻隔構件BMa的部分BMa1，或者可減少部分BMa1的面積。

分隔體CSa可設置於光阻隔構件BMa上，且可直接接觸光阻隔構件BMa。在部分實施例中，分隔體CSa可包含光阻隔色料，且可由與光阻隔構件BMa相同材料所製。

在部分實施例中，分隔體CSa可與光阻隔構件BMa一體成形，且可與光阻隔構件BMa藉由單一光罩同時形成。

陣列基板100g的其他特徵與前文參照第23圖及第24圖所述者實質相同，因此省略其描述。

對向基板200g可包含第二基底基板SUB2、外套層OC以及共用電極CE，但可不包含光阻隔構件。亦即，對向基板200g與前文參照第23圖及第24圖所述之對向基板200f(如第23圖及第24圖所示)之差異在於前者不包含光阻隔構件，但對向基板200g的其他特徵係與對向基板200f的特徵實質相同，因此省略其詳細描述。

第27圖及第28圖係分別係分別繪示當屏蔽圖樣存在及不存在時，測量垂直交擾(V-CT)對液晶顯示裝置的亮度差異的影響之圖表。具體而言，第27圖係繪示當不存在屏蔽圖樣時，所量測的液晶顯示裝置的亮度差異之圖表，而第28圖係繪示當存在屏蔽圖樣時，所量測的液晶顯示裝置的亮度差異之圖表。除了屏蔽圖樣的存在與否，液晶顯示裝置之構件可與第22圖所示之液晶顯示裝置實質相同。

參照第27圖及第28圖，假設像素電極與左數據線之間的距離係與像素電極與右數據線之間的距離相同，且第一數據線係提供於像素電極的左側，而第二數據線係提供於像素電極的右側，X2代表像素電極與第一數據線之間的距離係與像素電極與第二數據線之間的距離相同(例如，標準對準態(regularly aligned state))。此外，X1代表像素電極自標準對準態向第一數據線移動3㎛，而X3代表像素電極具有自標準對準態向第二數據線移動3㎛。

參照第27圖及第28圖，當液晶顯示裝置具有根據本發明概念之例示性實施例之設置於薄膜電晶體上的屏蔽圖樣，與沒有屏蔽圖樣的液晶顯示裝置相比，確認亮度差減少，亦即，在薄膜電晶體上具有屏蔽圖樣的液晶顯示裝置確認亮度差最多減少40%。

儘管本發明概念係藉參照其例示性實施例具體地顯示及描述，然而其僅為示例且本揭露並不受其限制。所屬技術領域具通常知識者將理解的是，在不悖離本發明概念之範圍與精神下，可對進行形式及細節上的各種更改。例如，可修改本揭露之例示性實施例所述之各構件。此外，與修改及應用相關的差異係包含於後附的發明申請專利範圍中所定義的本發明概念的範圍中。

1、2、3、4、5、6、7、8‧‧‧液晶顯示裝置
100、100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g‧‧‧陣列基板
200、200a、200b、200c、200d、200e、200f、200g‧‧‧對向基板
300‧‧‧液晶層
BM、BMa‧‧‧光阻隔構件
BM1、BMa1‧‧‧部分
CE‧‧‧共用電極
CT‧‧‧接觸孔
CT1‧‧‧第一接觸孔
CT2‧‧‧第二接觸孔
CTs、CT3‧‧‧維持電極接觸孔
CS、CSa‧‧‧分隔體
Cg‧‧‧寄生電容
Css‧‧‧第一電容
Cds‧‧‧第二電容
Clc1‧‧‧第一液晶電容器
Clc2‧‧‧第二液晶電容器
DE‧‧‧汲極電極
DE1‧‧‧第一汲極電極
DE2‧‧‧第二汲極電極
DE3‧‧‧第三汲極電極
DLm‧‧‧第一數據線
DLm+1‧‧‧第二數據線
GLn‧‧‧閘極線
GE‧‧‧閘極電極
GE1‧‧‧第一閘極電極
GE2‧‧‧第二閘極電極
GE3‧‧‧第三閘極電極
GI‧‧‧閘極絕緣層
ILA、ILA’‧‧‧絕緣層
OHa、OHb、Ohc、Oha1、Oha2、Oha3、Ohb1、Ohb2、Ohb3‧‧‧歐姆接觸構件
OC‧‧‧外套層
PE‧‧‧像素電極
PE1‧‧‧第一子像素電極
PE2‧‧‧第二子像素電極
PEa‧‧‧主幹
PE1a‧‧‧第一主幹
PE2a‧‧‧第二主幹
PEb‧‧‧分支
PE1b‧‧‧第一分支
PE2b‧‧‧第二分支
PA1‧‧‧第一保護層
PA2‧‧‧第二保護層
P1‧‧‧第一子像素
P2‧‧‧第二子像素
SUB1‧‧‧第一基底基板
SUB2‧‧‧第二基底基板
SM‧‧‧半導體層
SM1‧‧‧第一半導體層
SM2‧‧‧第二半導體層
SM3‧‧‧第三半導體層
SE‧‧‧源極電極
SE1‧‧‧第一源極電極
SE2‧‧‧第二源極電極
SE3‧‧‧第三源極電極
SLn‧‧‧維持電極線
SLna‧‧‧第一維持電極
SLnb‧‧‧第二維持電極
SLnc‧‧‧第三維持電極
SLnd‧‧‧第四維持電極
SLne‧‧‧第五維持電極
SLnf‧‧‧第六維持電極
SLnp‧‧‧維持電極延伸部
SHE1‧‧‧第一屏蔽電極
SHE2‧‧‧第二屏蔽電極
SHP‧‧‧屏蔽圖樣
SHPa‧‧‧第一屏蔽圖樣延伸部
SHPb‧‧‧第二屏蔽圖樣延伸部
Tr‧‧‧薄膜電晶體
Tr1‧‧‧第一薄膜電晶體
Tr2‧‧‧第二薄膜電晶體
Tr3‧‧‧第三薄膜電晶體
Ws1、Ws2‧‧‧寬度
Wd1、Wd2‧‧‧水平寬度

第1圖係繪示根據本發明概念之例示性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板之平面示意圖，更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖；

第2圖係沿第1圖中線A-A'截取的截面示意圖，且繪示包含第1圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第3圖係沿第1圖中線B-B'截取的截面示意圖，且繪示包含第1圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第4圖係沿第1圖中線C-C'截取的截面示意圖，且繪示包含第1圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第5圖係繪示根據本發明概念之例示性實施例之液晶顯示裝置之屏蔽圖樣的功能；

第6圖、第7圖及第8圖係繪示第1圖至第4圖所示之液晶顯示裝置的修改實施例的截面圖；

第9圖係繪示根據本發明概念之另一例示性實施例之液晶顯示裝置之陣列基板的平面示意圖，更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖；

第10圖係沿第9圖中線D-D'截取的截面示意圖，且繪示包含第9圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第11圖係沿第9圖中線E-E'截取的截面示意圖，且繪示包含第9圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第12圖係沿第9圖中線F-F'截取的截面示意圖，且繪示包含第9圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第13圖、第14圖及第15圖係繪示第9圖至第12圖所示之液晶顯示裝置的修改實施例的截面圖；

第16圖係繪示根據本發明概念之又一例示性實施例之液晶顯示裝置之一個像素的等效電路圖；

第17圖係繪示根據本發明概念之再一例示性實施例之液晶顯示裝置之陣列基板的平面示意圖，更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖；

第18圖係沿第17圖中線G-G'截取的截面示意圖，且繪示包含第17圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第19圖係沿第17圖中線H-H'截取的截面示意圖，且繪示包含第17圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第20圖及第21圖係繪示第17圖至第19圖所示之液晶顯示裝置的修改實施例的截面圖；

第22圖係繪示根據本發明概念之再一例示性實施例之液晶顯示裝置之陣列基板的平面示意圖，更具體而言，係繪示一個像素結構的平面示意圖；

第23圖係沿第22圖中線I-I'截取的截面示意圖，且繪示包含第22圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第24圖係沿第22圖中線J-J'截取的截面示意圖，且繪示包含第22圖之陣列基板的液晶顯示裝置；

第25圖及第26圖係繪示第22圖至第24圖所示之液晶顯示裝置的修改實施例的截面圖；以及

第27圖及第28圖係分別繪示當屏蔽圖樣存在及不存在時，測量垂直交擾(V-CT)對液晶顯示裝置的亮度差異的影響之圖表。

100‧‧‧陣列基板

CT‧‧‧接觸孔

CTs‧‧‧維持電極接觸孔

CS‧‧‧分隔體

DE‧‧‧汲極電極

DLm‧‧‧第一數據線

DLm+1‧‧‧第二數據線

GE‧‧‧閘極電極

GLn‧‧‧閘極線

SE‧‧‧源極電極

SHP‧‧‧屏蔽圖樣

SHPa‧‧‧第一屏蔽圖樣延伸部

SLn‧‧‧維持電極線

SLna‧‧‧第一維持電極

SLnb‧‧‧第二維持電極

SLnp‧‧‧維持電極延伸部

SM‧‧‧半導體層

Tr‧‧‧薄膜電晶體

PE‧‧‧像素電極

PEa‧‧‧主幹

PEb‧‧‧分支

Claims (28)

1. 一種液晶顯示裝置，其包含： 一第一基底基板； 一第一訊號線，係設置於該第一基底基板上且在一第一方向延伸； 一第二訊號線，係設置於該第一基底基板上且在與該第一方向相交的一第二方向延伸，並與該第一訊號線絕緣； 一薄膜電晶體，係設置於該第一基底基板上且電性連接至該第一訊號線及該第二訊號線； 一像素電極，係電性連接至該薄膜電晶體；以及 一屏蔽圖樣，係設置於與該像素電極相同的層，但與該像素電極隔離並與該薄膜電晶體重疊，且包含與該像素電極相同的材料。
2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中一第一電壓施加至該像素電極，以及具有與該第一電壓的位準不同的一第二電壓施加至該屏蔽圖樣。
3. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該第一基底基板上且覆蓋該薄膜電晶體的一絕緣層， 其中該像素電極及該屏蔽圖樣係設置於該絕緣層上，且該像素電極係透過形成於該絕緣層中的一接觸孔電性連接至該薄膜電晶體。
4. 如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示裝置，其中該絕緣層包含一色料。
5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該屏蔽圖樣上的一分隔體。
6. 如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置，其中該分隔體係直接地接觸該屏蔽圖樣。
7. 如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該屏蔽圖樣上且與該薄膜電晶體重疊的一光阻隔構件， 其中該分隔體係設置於該光阻隔構件上且包含與該光阻隔構件相同的材料。
8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含提供在該第一基底基板上且沿該像素電極的邊緣設置之一維持電極線， 其中該屏蔽圖樣係電性連接至該維持電極線。
9. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該像素電極上之一液晶層；設置於該液晶層上的一第二基底基板；以及插入於該第二基底基板與該液晶層之間的一共用電極。
10. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，其中具有相同位準的電壓施加至該共用電極及該屏蔽圖樣。
11. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含插入於該第二基底基板與該共用電極之間，且與該薄膜電晶體及該屏蔽圖樣重疊的一光阻隔構件。
12. 一種液晶顯示裝置，其包含： 一第一基底基板； 一第一訊號線，係設置於該第一基底基板上且在一第一方向延伸； 一第二訊號線，係設置於該第一基底基板上且在與該第一方向相交的一第二方向延伸，並與該第一訊號線絕緣； 一薄膜電晶體，係設置於該第一基底基板上且電性連接至該第一訊號線及該第二訊號線； 一絕緣層，係設置於該薄膜電晶體及該第二訊號線上； 一屏蔽電極，係設置於沿著該第二方向的該第二訊號線上，且與該第二訊號線重疊；以及 一屏蔽圖樣，係設置於該薄膜電晶體上並與該薄膜電晶體重疊，且包含與該屏蔽電極相同的材料。
13. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中該屏蔽圖樣及該屏蔽電極係設置於相同層上且直接地接觸該相同層。
14. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中該屏蔽圖樣及該屏蔽電極係包含一透明導電材料。
15. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該絕緣層上、與該屏蔽圖樣及該屏蔽電極分離且透過形成於該絕緣層中的一接觸孔電性連接至該薄膜電晶體的一像素電極， 其中該屏蔽圖樣及該屏蔽電極係設置於該絕緣層上。
16. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置，其中該絕緣層包含一色料。
17. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置，其中該像素電極、該屏蔽電極及該屏蔽圖樣係包含相同的材料。
18. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置，其中一第一電壓施加至該像素電極，以及具有與該第一電壓不同位準的一第二電壓施加至該屏蔽圖樣及該屏蔽電極中的至少其一。
19. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中當俯視時，該屏蔽電極的寬度係較該第二訊號線的寬度寬。
20. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中當俯視時，該屏蔽電極係沿該第一方向覆蓋該第二訊號線。
21. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該屏蔽圖樣上的一分隔體。
22. 如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示裝置，其中該分隔體係直接地接觸該屏蔽圖樣。
23. 如申請專利範圍第21項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該屏蔽圖樣且與該薄膜電晶體重疊的一光阻隔構件， 其中該分隔體係設置於該光阻隔構件上，且包含與該光阻隔構件相同的材料。
24. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其中該屏蔽圖樣係電性連接至該屏蔽電極。
25. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含提供在該第一基底基板上且沿一像素電極的邊緣設置之之一維持電極線， 其中該屏蔽電極與該屏蔽圖樣中的至少其一係電性連接至該維持電極線。
26. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含設置於該屏蔽電極及該屏蔽圖樣上的一液晶層；設置於該液晶層上的一第二基底基板；以及插入於該液晶層與該第二基底基板之間的一共用電極。
27. 如申請專利範圍26項所述之液晶顯示裝置，其中具有相同位準的電壓施加至該共用電極、該屏蔽圖樣以及該屏蔽電極。
28. 如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示裝置，其進一步包含插入於該第二基底基板與該共用電極之間、且與該薄膜電晶體與該屏蔽圖樣重疊的一光阻隔構件。