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TW201622039A - 基板處理裝置及基板載置單元之製造方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板載置單元之製造方法 Download PDF

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TW201622039A
TW201622039A TW104131220A TW104131220A TW201622039A TW 201622039 A TW201622039 A TW 201622039A TW 104131220 A TW104131220 A TW 104131220A TW 104131220 A TW104131220 A TW 104131220A TW 201622039 A TW201622039 A TW 201622039A
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Abstract

一種基板處理裝置，係具有：處理室，係在成膜程序後，會供給腐蝕性氣體而可蝕刻處理內部所存在的膜；晶座，係設於該處理室內，於上面具有可載置基板之基板載置部，並從較該上面更上方來供給該腐蝕性氣體；固定軸，係貫通該晶座；第1固定構件，係插嵌該固定軸，而從該上面側來固定該晶座；第2固定構件，係插嵌該固定軸，而從下面側來固定該晶座；蓄勢彈力機構，係設於較該晶座要下方，將該固定軸朝下方蓄勢彈力，並將該第2固定構件朝上方蓄勢彈力，透過該第2固定構件從該下面側來固定該晶座；以及，卡固構件，係設於較該晶座要上方，與該固定軸卡合，並與該蓄勢彈力機構協同來按壓該第1固定構件，透過該第1固定構件從該上面側來固定該晶座；該晶座、該第1固定構件以及該卡固構件係由相對於該腐蝕性氣體的耐腐蝕性會較該蓄勢彈力機構要高的材料所構成。

Description

基板處理裝置及基板載置單元之製造方法
本發明係關於一種基板處理裝置及基板載置單元之製造方法。
自以往，已知有一種成膜裝置，係在處理室內對基板進形成膜處理之成膜裝置，係將載置基板用之旋轉台以在中心區域夾置於上下之上轂及下轂間的方式來加以保持(例如，參照專利文獻1)。此成膜裝置係將透過彈片而通過上轂所設置之孔的6根螺栓各自螺入下轂所設置之螺孔，以固定旋轉台。
然而，上述成膜裝置中，旋轉台會以240rpm左右或其上之高速來旋轉，再者，在基板溫度為600~700℃或其上來進行清潔等的蝕刻處理的情況，便會產生從彈片發生金屬污染之虞的問題。
亦即，近年來，已導入了上述600~700℃或其上之溫度的高溫成膜程序。此般成膜程序在進行固定期間或固定次數後，雖會定期性地進行處理室內之清潔，但此時溫度只是降到比成膜溫度稍低程度，而不改變轉速來進行清潔。清潔時會使用蝕刻所使用之腐蝕性氣體，但在相關之高溫蝕刻程序中，雖然由石英等非腐蝕性材料所構成之旋轉台並不太會產生污染，但由金屬所構成之螺栓、彈片等卻會產生金屬污染。
於是，本發明便提供一種即使在高溫程序中，也不會產生金屬污染等之基板處理裝置及基板載置單元之製造方法。
本發明一樣態相關之基板處理裝置係具有：處理室，係在成膜程序後，會供給腐蝕性氣體而可蝕刻處理內部所存在的膜；晶座，係設於該處理室內，於上面具有可載置基板之基板載置部，並從較該上面更上方來供給該腐蝕性氣體；固定軸，係貫通該晶座；第1固定構件，係插嵌該固定軸，而從該上面側來固定該晶座；第2固定構件，係插嵌該固定軸，而從下面側來固定該晶座；蓄勢彈力機構，係設於較該晶座要下方，將該固定軸朝下方蓄勢彈力，並將該第2固定構件朝上方蓄勢彈力，透過該第2固定構件從該下面側來固定該晶座；以及，卡固構件，係設於較該晶座要上方，與該固定軸卡合，並與該蓄勢彈力機構協同來按壓該第1固定構件，透過該第1固定構件從該上面側來固定該晶座；該晶座、該第1固定構件以及該卡固構件係由相對於該腐蝕性氣體的耐腐蝕性會較該蓄勢彈力機構要高的材料所構成。
本發明其他樣態相關之基板載置單元之製造方法係具有：將彈簧插嵌於在下端部具有朝徑向突出之彈簧支撐部，並在上端部具有外周較前端要小的頸縮部之固定軸，以將該彈簧載置於該彈簧支撐部上之工序；準備在上端面具有可容納已裝設該彈簧之該固定軸的下部區域之固定軸收納空間，並在該固定軸收納空間周圍形成有螺孔之支撐軸，將已裝設該彈簧之該固定軸的該下部區域插入至該支撐軸的該固定軸收納空間之工序；使用與該螺孔螺合之螺絲，將具有較該螺絲之頭部要小徑的貫通孔，並具有可插嵌該固定軸之第1中心貫通孔的第1固定構件插嵌於該固定軸，以固定在該支撐軸的上端面上之工序；將具有可插嵌該固定軸之第2中心貫通孔的晶座插嵌於該固定軸，以載置於該第1固定構件上之工序； 將具有可插嵌該固定軸之第3中心貫通孔的第2固定構件插嵌於該固定軸，以載置於該晶座上之工序；以及，將該固定軸對抗該彈簧之蓄勢彈力而上提，將該頸縮部露出於較該第2固定構件要上方，而卡合與該頸縮部卡合之卡固構件，讓該卡固構件與該彈簧之該蓄勢彈力協同而從上下產生夾置該晶座之力量，以透過該第1固定構件及該第2固定構件來將該晶座夾置其間而固定該晶座之工序。
2‧‧‧晶座
21‧‧‧核心部
211‧‧‧固定軸
211a‧‧‧卡固部
211b‧‧‧頸縮部
211c‧‧‧彈簧支撐部
211d‧‧‧螺孔
212‧‧‧上轂
212a‧‧‧接觸部
212b‧‧‧非接觸部
212c‧‧‧中心軸孔
212d‧‧‧座孔
212s‧‧‧空間
213‧‧‧下轂
213a‧‧‧接觸部
213b‧‧‧非接觸部
213c‧‧‧中心軸孔
213d‧‧‧卡合部
213e‧‧‧螺孔
213s‧‧‧空間
214‧‧‧彈簧
215‧‧‧螺絲
216‧‧‧固定件
216s‧‧‧空間
22‧‧‧旋轉軸
221‧‧‧固定軸收納區域
222‧‧‧螺孔
添附圖式係作為本說明書一部分而被加入來表示本揭露之實施形態，故將上述一般性說明及後述實施形態之細節來一同說明本揭露之概念。
圖1係顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置整體構成之一範例的概略圖。
圖2係圖1之基板處理裝置的立體圖。
圖3係顯示圖1之基板處理裝置的處理室內構成的概略平面圖。
圖4係圖1之基板處理裝置的處理室內可旋轉地設置之旋轉台沿同心圓之概略剖視圖。
圖5係圖1之基板處理裝置的其他概略剖視圖。
圖6係顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置一範例的核心部構成之剖視圖。
圖7係本發明實施形態相關之基板處理裝置的晶座固定構造一範例之立體圖。
圖8顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置的晶座固定構造施加外力後之剖視圖。
圖9係用以說明本發明實施形態相關之基板處理裝置的基板載置單元之傳熱對策構造的剖視圖。
圖10係放大圖9中之區域A來顯示溫度分布一範例之圖式。
圖11(a)~圖11(c)係顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置的固定軸之溫度分布及應力分布的圖式。
圖12(a)及圖12(b)係顯示可使用於本發明實施形態相關之基板處理裝置的固定軸211之氮化矽的高溫強度及耐熱衝擊性而與其他材料比較之圖 式。
圖13(a)~圖13(c)係顯示本發明實施形態相關之基板載置單元之製造方法一範例的前半一連串工序的圖式。
圖14(a)~圖14(c)係顯示本發明實施形態相關之基板載置單元之製造方法一範例的後半一連串工序的圖式。
以下，便參照圖式來進行用以實施本發明之形態的說明。下述詳細說明中，係以可充分理解本揭露之方式來給予較多具體細節。但是，即便無此般詳細說明，本發明技術領域中具有通常知識者仍可完成本揭示乃屬自明事項。其他範例中，為了避免難以理解各種實施形態，關於習知方法、順序、系統或構成要素便不詳加表示。
[基板處理裝置]
首先，就本發明實施形態相關之基板處理裝置的整體構成來加以說明。參照圖1至圖3，本實施形態相關之基板處理裝置係具備有略圓形平面形狀之扁平處理室1以及設置於該處理室1內而於處理室1中心具有旋轉中心之晶座2。處理室1係具有有底圓筒形狀之容器本體12、相對於容器本體12上面而透過例如O型環等之密封構件13(圖1)來配置為可氣密地裝卸之頂板11。
晶座2係以中心部來固定於核心部。核心部21係固定於延伸在鉛直方向之旋轉軸22上端。
本發明相關之基板處理裝置不需一定要具備旋轉軸22，亦可為不旋轉而僅支撐核心部21之支柱，但本實施形態中，係就旋轉軸22支撐核心部21之範例來加以說明。另外，核心部21構成之細節則在後述。旋轉軸22會貫通處理室1的底部14，其下端係組裝在讓旋轉軸22(圖1)繞鉛直軸旋轉之驅動部23。旋轉軸22及驅動部23係收納在上面開口之筒狀殼體20內。此殼體20係以其上面所設置之凸緣部分來氣密地組裝在處理室1之底部14下面，以維持殼體20內部氛圍與外部氛圍之氣密狀態。
晶座2表面部係如圖2及圖3所示，設有用以沿旋轉方向(周圍方向)載置複數(圖是範例為5片)為基板的半導體晶圓(以下稱為「晶圓」)W之圓形 狀凹部24。另外，圖3中為了簡便，僅在1個凹部24顯示晶圓W。此凹部24係具有較晶圓W直徑稍大上例如4mm之內徑，以及略等同於晶圓W厚度之深度。從而，晶圓W在收納於凹部24時，晶圓W表面與晶座2表面(未載置晶圓的區域)會是相同高度。凹部24底面係形成有讓用以支撐晶圓W內面並升降晶圓W的例如3根升降銷貫通之貫通孔(均未圖示)。
晶座2可由各種材料構成，較佳地，係由相對於蝕刻或清潔等所使用之腐蝕性氣體而耐腐蝕性強，進一步地對高溫亦有高溫度耐性之材料所構成。由相關觀點，晶座2係由例如石英、碳、SiC等所構成。
圖2及圖3係說明處理室1內構造之圖式，在說明的簡便上，係省略了頂板11的圖示。如圖2及圖3所示，晶座2上方係相互隔有間隔地於處理室1之周圍方向(晶座2之旋轉方向(圖3之箭頭A))各配置有例如石英所構成之反應氣體噴嘴31、反應氣體噴嘴32、反應氣體噴嘴33及分離氣體噴嘴41,42。圖示範例中，係從後述搬送口15繞順時針(晶座2之旋轉方向)依序配列有反應氣體噴嘴33、分離氣體噴嘴41、反應氣體噴嘴31、分離氣體噴嘴42以及反應氣體噴嘴32。該等噴嘴31,32,33,41,42係藉由將各噴嘴31,32,33,41,42之基端部的氣體導入部31a,32a,33a,41a,42a(圖3)固定於容器本體12外周壁，而從處理室1之外周壁導入至處理室1內，並沿著容器本體12徑向而相對於晶座2水平延伸地加以組裝。
本實施形態中，反應氣體噴嘴31係透過未圖示之配管及流量控制器等而連接至第1反應氣體供給源(未圖示)。反應氣體噴嘴32係透過未圖示之配管及流量控制器等而連接至第2反應氣體供給源(未圖示)。再者，反應氣體噴嘴33係透過未圖示之配管及流量控制器等而連接至第3反應氣體供給源(未圖示)。分離氣體噴嘴41,42均係透過未圖示之配管及流量控制器等而連接至分離氣體供給源(未圖示)。分離氣體可使用氦(He)或氬(Ar)等之稀有氣體或氮(N2)氣等之非活性氣體。本實施形態中，係使用N2氣體。
另外，圖2及圖3雖例示了設置3根反應氣體噴嘴31~33之範例，但在所供給之反應氣體為兩種類的情況，反應氣體噴嘴亦可為2根。例如，可為僅具備反應氣體噴嘴31,32之構成。又，相反地，在所供給之反應氣體較3種類要多的情況，亦可設置4根以上的反應氣體噴嘴。反應氣體噴嘴31~33可對應於所實施之程序種類、用途來決定適當根數。
反應氣體噴嘴31~33係沿著反應氣體噴嘴31~33之長度方向，以例如10mm之間隔配列有朝晶座2開口之複數氣體噴出孔35。反應氣體噴嘴31之下方區域係用以將第1反應氣體吸附於晶圓W之第1處理區域P1。反應氣體噴嘴32之下方區域係用以讓第2反應氣體與在第1處理區域P1中吸附於晶圓W之第1反應氣體反應之第2處理區域P2。另外，第2處理區域P2亦含有反應氣體噴嘴33，能進一步讓第3反應氣體與第1反應氣體及第2反應氣體之反應生成物反應，或者，停止第2反應氣體從反應氣體噴嘴32之供給，並從反應氣體噴嘴33供給第3反應氣體來進行與晶圓W上所吸附之第1反應氣體反應的處理。
第1反應氣體、第2反應氣體、第3反應氣體可依實施之程序來適當決定，例如一範例中，可以讓從反應氣體噴嘴31所供給之第1反應氣體為TiCl4、從反應氣體噴嘴32所供給之第2反應氣體為NH3等氮化氣體、從反應氣體噴嘴33所供給之第3反應氣體為O2氣體、O3氣體等氧化氣體。
另外，雖在晶圓W上形成薄膜的成膜時，係從反應氣體噴嘴31~33供給成膜用氣體，但在蝕刻晶圓W上所成膜之膜時，或蝕刻在處理室1內所成膜之不需要的膜而進行清潔時，則是提供蝕刻用之腐蝕性氣體。蝕刻用之反應氣體可使用ClF3、F2/HF等之氟系氣體。在蝕刻用氣體亦用在蝕刻加工晶圓W上所成膜之膜的情況，則可對應於去除因成膜處理而成膜在處理室1內之不需要的膜之情況等的用途，來選擇適當的氣體。
參照圖2及圖3，處理室1內係設有兩個凸狀部4。凸狀部4為了與分離氣體噴嘴41,42一同構成分離區域D，係如後述般以朝晶座2突出之方式來組裝於頂板11內面。又，凸出部4係具有頂部被裁切成圓弧狀之扇形平面形狀，本實施形態中，內圓弧係連結至突出部5(後述)，外圓弧係沿著處理室1之容器本體12內周面來加以配置。
圖4係從反應氣體噴嘴31至反應氣體噴嘴32沿著晶座2之同心圓來顯示處理室1之剖面。如圖所示，由於頂板11內面裝設有凸狀部4，故處理室1便具有為凸狀部4下面之平坦低頂面(第1頂面)，以及位在此頂面44之周圍方向兩側而較頂面44要高的頂面45(第2頂面)。頂面44係具有頂部被裁切成圓弧狀之扇形平面形狀。又，如圖所示，凸狀部4係形成有在周圍方向中央朝徑向延伸之溝部43，分離氣體噴嘴42則收納於溝部43 內。另一個凸狀部4亦同樣地形成有溝部43，並於此處收納有分離氣體噴嘴41。又，高頂面45下方空間則分別設有反應氣體噴嘴31,32。該等反應氣體噴嘴31,32係從頂面45遠離而設在晶圓W附近。另外，如圖4所示，高頂面45下方的右側空間481係設有反應氣體噴嘴31，高頂面45下方的左側空間482則設有反應氣體噴嘴32。
又，凸狀部4之溝部43所收納之分離氣體噴嘴41,42係沿著分離氣體噴嘴41,42長度方向而以例如10mm之間隔配列有朝晶座2開口之複數氣體噴出孔42h(參照圖4)。
頂面44係相對於晶座2而形成有為狹窄空間之分離空間H。從分離氣體噴嘴42之噴出孔42h供給N2氣體時，此N2氣體會通過分離空間H而朝空間481及空間482流動。此時，由於分離空間H之容積小於空間481及空間482，故可藉由N2氣體使得分離空間H之壓力比空481及空間482要高。亦即，空間481及空間482之間會形成有壓力較高的分離空間H。又，從分離空間H朝空間481及空間482所流出之N2氣體會相對於來自第1區域P1之第1反應氣體以及來自第2區域P2之第2反應氣體而發揮對向流作用。從而，來自第1區域P1之第1反應氣體以及來自第2區域P2之第2反應氣體便會因分離空間H而被加以分離。因此，便會抑制處理室1內之第1反應氣體與第2反應氣體的混合、反應。
另外，頂面44相對於晶座2上面之高度h較佳地係考量到成膜時之處理室1內壓力、晶座2之轉速、所供給之分離氣體(N2氣體)的供給量等，設定在適於讓分離空間H之壓力高於空間481,482之壓力的高度。
另一方面，頂板11下面係設有包圍固定晶座2之核心部21外周的突出部5(圖2及圖3)。此突出部5在本實施形態中，係與凸狀部4中之旋轉中心側部位連續，其下面則形成為與頂面44相同高度。
首先所參照的圖1為圖3之沿I-I’線的剖視圖，係顯示設有頂面45之區域。另一方面，圖5係顯示設有頂面44之區域的剖視圖。如圖5所示，扇形之凸狀部4的周緣部(處理室1之外緣側部位)係以對向於晶座2之外端面的方式形成有彎曲呈L字型之彎曲部46。此彎曲部46與凸狀部4同樣地，會抑制反應氣體從分離區域D兩側侵入，而抑制兩反應氣體之混合。扇形之凸狀部4係設於頂板11，由於頂板11可從容器本體12卸下，故彎曲部 46外周面與容器本體12之間稍具有間隙。彎曲部46內周面與晶座2外端面之間隙，及彎曲部46外周面與容器本體12之間隙隙設定為與例如頂面44相對於晶座2上面之高度同樣的尺寸。
容器本體12內周壁在分離區域D中雖係如圖5所示接近彎曲部46之外周面而形成為垂直面，但在分離區域D以外的部位中，則是如圖1所示係從例如與晶座2外端面對向之部位橫跨至底部14而朝外邊側凹陷。以下，為了說明之方便，便將具有略矩形之剖面形狀的凹陷部分記為排氣區域。具體而言，連通於第1處理區域P1之排氣區域記為第1排氣區域E1，連通於第2處理區域P2之排氣區域則記為第2排氣區域E2。該等第1排氣區域E1及第2排氣區域E2之底部如圖1至圖3所示，係分別形成有第1排氣口610及第2排氣口620。第1排氣口610及第2排氣口620如圖1所示，係各自透過排氣管630而連接至為真空排氣機構之例如真空泵640。又，真空泵640與排氣管630之間係設有壓力控制器650。
晶座2與處理室1的底部14之間的空間如圖1及圖5所示，係設有為加熱機構之加熱器單元7，並透過晶座2將晶座2上之晶圓W加熱至程序配方所決定之溫度(例如700℃)。晶座2周緣附近之下方側為了區劃出從晶座2上方空間至排氣區域E1,E2之氛圍與置有加熱器單元7之氛圍，以抑制氣體朝晶座2下方區域之侵入，係設有環狀之罩體構件71(圖5)。此罩體構件71係具備有以從下面側面向晶座2外緣部及較外緣部之外周側的方式所設置之內側構件71a，以及設在此內側構件71a及處理室1內壁面之間之外側構件71b。外側構件71b係在分離區域D中，於形成在凸狀部4外緣部之彎曲部46下方來接近彎曲部46而加以設置，內側構件71a則係在晶座2外緣部下方(及較外緣部稍靠外側部分的下方)中，橫跨整圈來包圍加熱器單元7。
較配置有加熱器單元7之空間要靠旋轉中心之部位的底部14會在晶座2下面之中心部附近以接近核心部21之方式朝上方側突出而成為突出部12a。此突出部12a與核心部21之間會成為狹窄空間，又，貫通底部14之旋轉軸22的貫通孔內周面與旋轉軸22之間隙會很狹窄，該等狹窄空間會連通於殼體20。然後，殼體20係設有用以將吹淨氣體之N2氣體供給至狹窄空間來作吹淨之吹淨氣體供給管72。又，處理室1之底部14係在加熱器 單元7下方於周圍方向以既定角度間隔設有用以吹淨加熱器單元7之配置空間的複數吹淨氣體供給管73(圖5係顯示一個吹淨氣體供給管73)。又，加熱器單元7與晶座2之間為了抑制氣體朝設有加熱器單元7之區域侵入，係設有由外側構件71b內周壁(內側構件71a上面)橫跨周圍方向覆蓋與突出部12a上端部之間的覆蓋構件7a。覆蓋構件7a可以例如石英來製作。
又，處理室1之頂板11中心部係連接有分離氣體供給管51，而構成為將分離氣體之N2氣體供給至頂板11與核心部21之間的空間52。供給至此空間52的分離氣體係透過突出部5與晶座2之狹窄間隙50而沿著晶座2之晶圓載置區域側的表面朝周緣噴出。空間50可藉由分離氣體維持在較空間481及空間482要高的壓力。從而，藉由空間50，能抑制供給至第1處理區域P1之TiCl4氣體與供給至第2處理區域P2之NH3氣體通過中心區域C而混合。亦即，空間50(或中心區域C)亦可有同樣於分離空間H(或分離區域D)的功能。
再者，處理室1側壁如圖2、圖3所示，係形成有用以在外部搬送臂10與晶座2之間收授基板之晶圓W的搬送口15。此搬送口15係藉由未圖示之閘閥所開閉。又，晶座2中為晶圓載置區域之凹部24由於會在面臨此搬送口15之位置而與搬送臂10之間進行晶圓W之收授，故晶座2下方側在對應收授位置之部位係設有用以貫通凹部24來將晶圓W從內面頂升之收授用升降銷及其升降機構(均未圖示)。
又，本實施形態之成膜裝置如圖1所示，係設有由用以進行裝置整體動作之控制的電腦所構成之控制部100，此控制部100之記憶體內係儲存有在控制部100的控制下於成膜裝置實施後述成膜方法之程式。此程式係由實施後述成膜方法之步驟群所組成，並記憶在硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡、軟碟等之媒體102，藉由既定的讀取裝置讀入記憶部101來安裝至控制部100內。
接著，使用圖6來詳細地說明核心部21之構造。圖6係顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置一範例的核心部21構成的剖視圖。
圖6中，本發明實施形態相關之基板處理裝置的核心部21係具備有固定軸211、上轂212、下轂213、彈簧214、螺絲215、固定件216。又，如在圖1及圖4所說明，核心部21係設在旋轉軸22上端，但旋轉軸22上端 部則形成有固定軸收納區域221及螺孔222。核心部21係具有固定晶座2用之構造，更具有組裝固定於旋轉軸22之構造。因此，旋轉軸22之旋轉係透過核心部21來傳遞之晶座2。
固定軸211係貫通固定件216、上轂212、晶座2、下轂213來進行水平方向之定位及固定。又，固定軸211之下部係藉由收納在旋轉軸22之固定軸收納區域221，來將晶座2固定於旋轉軸22之上端面上。固定軸211係具有卡固部211a、頸縮部211b、彈簧支撐部211c。卡固部211a及頸縮部211b係用以與固定件216卡合的卡合構造部，卡固部211a具有較大的直徑。頸縮部211b則具有較卡固部211a要小之外周。藉由以在水平方向夾置頸縮部211b之方式來使得固定件216卡合，來限制卡固部211a朝固定件216之上方移動，而固定固定件216。另外，卡固部211a係設於固定軸211上端，頸縮部211b則設於卡固部211a之正下方。
彈簧支撐部211c係用以支撐彈簧214之構造部，具有於固定軸211徑向外側帶狀地突出形成段差，而較固定軸211之其他區域要大的外徑。彈簧支撐部211c係設於固定軸211之下部，較佳地為下端，並形成具有可支撐彈簧214下端之寬度的段差。藉由將固定軸211插入至略圓筒狀之彈簧214，則彈簧214下端便會被載置支撐於彈簧支撐部211c上。
固定軸211上端面亦可依序要而設有螺孔211d。螺孔211d係在將晶座2固定於核心部21而製造基板載置單元時，用於固定軸211之提升。亦即，將螺絲螺合固定於螺孔211d，藉由使用固定軸提升用治具來使得固定軸容易提升，便可將固定件216卡合於頸縮部211b來固定晶座2。
固定軸211只要相對於清潔或蝕刻時所供給的腐蝕性氣體而具有耐腐蝕性，則可由各種材料所構成，例如可由SiN4來構成。另外，SiN4之其他材料的比較等則於後述。
另外，固定軸211係具有對應於插嵌了固定軸之上轂212、晶座2、下轂213及固定軸收納區域221之內徑的外徑，並在各插嵌處具有適合於各內徑之段差構造。
上轂212係用以從上方固定晶座2之上側固定構件。上轂212整體而言具有高度較低的圓筒形或較厚的厚圓盤形狀，中心則具有讓固定軸211插嵌之中心軸孔212c。又，上面則具有保持固定件216之座孔212d。座孔 212d係較固定件216稍大的凹陷，會卡固固定件216。
上轂212下面係具有接觸固定晶座2之接觸部212a，及不接觸晶座2而形成空間212s之非接觸部212b。接觸部212a係形成於外緣部，非接觸部212b係形成於中心部。非接觸部212b具有抑制來自於晶座2之熱傳遞的功能，能防止來自晶座2的熱整體直接傳遞至固定軸212a。亦即，藉由讓熱的傳遞路徑變窄，來抑制熱的傳遞。又，藉由將上轂之接觸部212a限制於外緣部，則固定件216之卡固所致之荷重便是在固定軸211周圍，能將荷重點距離變短來將晶座2難於水平調整之狀態，將荷重點移至更外側來達成容易進行晶座2水平調整(均勻荷重)之作用。另外，關於該等要點之細節則於後述。
下轂213係用以從下方固定晶座2之下側固定構件。下轂213亦與上轂212同樣地，整體而言具有高度較低的圓筒形或較厚的厚圓盤形狀，中心則具有讓固定軸211插嵌之中心軸孔213c。與上轂212同樣地，下轂213與晶座2接觸之上面的外緣部會形成有接觸部213a，較接觸部213a要靠中心側之區域則形成有不與晶座2接觸之非接觸部213b。非接觸部213b與晶座2下面之間係形成有空間213s。下轂213直徑係較上轂213要大，再者，由於接觸部213a之形成區域較窄，僅形成於外周附近，故接觸部213a係配置於較上轂212之接觸部212a要外側，能將荷重點更移動至外側，而成為能穩定而水平地固定晶座2之構成。又，接觸部213a之區域較窄，而非接觸部213b之區域較廣，故可更有效地抑制來自晶圓2的熱傳遞。
下轂213下面係形成有可與旋轉軸22上面卡合之卡合部213d。卡合部213d可形成為與旋轉軸22上面形狀卡合之圓形溝。
再者，下轂213係形成有用於螺固旋轉軸22上面與下轂213之螺孔213e。螺孔213e係形成為貫通下轂213之貫通孔，從下轂213上面插入螺絲215，藉由與旋轉軸22上面所形成之螺孔222螺合，便能將下轂213固定於旋轉軸22。螺孔213e,222係具有在螺絲215鎖固時，能完全收納螺絲215之尺寸，並構成為不妨礙下轂213對晶座之固定支撐。又，螺孔213e較佳地，係以可卡固螺絲215之頭部的方式，而構成為具有段差的形狀。另外，螺紋可形成於下轂之螺孔213e及旋轉軸22之螺孔222，亦可如圖6所示，僅形成於旋轉軸22之螺孔222。
彈簧214係會朝下方將固定軸211蓄勢彈力，並朝上方將下轂213蓄勢彈力之蓄勢彈力機構。彈簧214係被支撐於所插嵌之固定軸211下端部的彈簧支撐部211c上，並在裝設於固定軸211之狀態下被收納於旋轉軸211上面所形成之固定軸收納區域221內。此狀態下，當提升固定軸211時，彈簧214便會收縮，而產生朝伸長方向之蓄勢彈力。所產生之蓄勢彈力會對下轂213下面給予朝上之蓄勢彈力，並對固定軸211之支撐部211c給予朝下之蓄勢彈力。藉此，下轂213便會作用有將晶座2提升之力量，而固定軸211則作用有朝下按壓之力量。
固定件216係用以與固定軸211之頸縮部211b卡合，來將上轂212卡固之構件。如上述般，由於彈簧會將固定軸211朝下方蓄勢彈力，故與固定軸211之頸縮部211b卡合之固定件216便會作用有朝下之蓄勢彈力。因此，固定件216便會將上轂212朝下方按壓。如此般，固定件216便會與彈簧214協同來將上轂212按壓，並透過上轂212來將晶座2從上側固定。又，彈簧214會將下轂213朝上方蓄勢彈力，故便會產生將晶座2夾置於下上之上轂212與下轂213之間的力量，藉此，便可固定晶座2。另外，彈簧214強度只要是能穩定固定晶座2的充足強度，則可為各種設定。例如，為80~150N，較佳地為100~120N。
此處，如上述般，晶座2係由相對於腐蝕性氣體而有高耐受性，亦相對於高溫有高耐受性之材料所構成，例如由石英、碳、SiC等所構成。上轂212、固定件216亦是配置於較晶座要上方，而與載置基板之晶座2同樣地，會存在於在高溫環境下供給有腐蝕性氣體之區域。因此，上轂212及固定件216較佳地係由即使在高溫下供給腐蝕性氣體也不會產生污染等之耐腐蝕性材料所構成，較佳地係由石英、陶瓷、高鎳合金(註冊商標，以下省略)、不鏽鋼等所構成。例如，晶座2、上轂212及固定件216可全部以石英來構成。
另一方面，較晶座2要下方雖未直接供給有腐蝕性氣體，但由於存在有加熱器單元7，故有較晶座2上方的基板處理區域要高溫的情況。因此，較晶座2要下方之構件比起抑制污染產生，較佳地係由高溫強度較高的材料所構成。再者，較晶座2要下方的構件會因旋轉軸22而被旋轉驅動，又，會對抗重力而從下側支撐晶座2，故加工精度較高者為佳。
從相關觀點，則下轂213、彈簧214、螺絲215可由高鎳合金、不鏽鋼、鎳等金屬材料所構成。該等材料的高溫強度較高，加工精度亦較高。另一方面，由於為金屬材料，故有產生金屬污染之虞，但下轂213、彈簧214、螺絲215係配置在不進行基板處理之較晶座要下方的區域，故基板處理或處理室1壁面等會產生金屬污染之虞較少。如此般，像彈簧214、螺絲215以金屬來構成會較佳之構件，係藉由僅配置於較晶座2要下方，便可減低對基板處理之影響，並充分確保加工精度及高溫強度。
另外，將圖6所示部分，包含晶座固定構造、支撐旋轉軸22之驅動部23來稱為基板載置單元時，則本實施形態相關之基板處理裝置之晶座固定構造及基板載置單元便會排除會有在較晶座2上方產生金屬污染之虞的彈簧214、螺絲215，但一般而言，在固定構件時，要不含有螺絲215來實現固定構件之構成是非常困難的。本實施形態中，係透過晶座2下方所設置之彈簧214與上方所設置之固定件216協同於固定軸211之蓄勢彈力，以及較晶座2要下方之螺固來實現此般在機械常識上非常困難的構成。藉此，較晶座2上方之基板處理區域便能防止金屬污染，並可構成充分具備高溫強度及加工精度之基板處理裝置。
另外，雖亦考慮到使用由石英等耐腐蝕性材料所構成之螺絲而用於較晶座2要上方之基板處理區域的螺固構成，但石英等耐腐蝕性材料吸收熱的能力較低，且高溫時會破損，並無法達到螺絲的功能。因此，螺絲、彈簧的構件較佳係以吸熱能力較高的金屬材料來構成。本實施形態相關之基板處理裝置中，係採用此般金屬材料所構成之螺絲215、彈簧214來確保充分的熱吸收力，且將該等使用在基板處理區域外，能顯著減低金屬污染的影響，來滿足兩種不同的要求。
另外，關於彈簧214、螺絲215雖較佳係使用熱吸收力及高溫強度較高的金屬材料，但關於下轂213，除了上述高鎳合金、不鏽鋼、鎳之外，亦可使用陶瓷、石英等。下轂213不過是固定晶座2之媒體，並不具有螺固、蓄勢彈力產生之功能，故可使用各種材料。
圖7係本發明實施形態相關之基板處理裝置的晶座固定構造一範例之立體圖。如圖7所示，上轂212中心係突出有固定軸211，而卡固部211a下之頸縮部(圖7中未圖示，參照圖6)211b與固定件216會卡合，來從上側 按壓固定上轂212。於是，固定件216便會使用具有字母C形狀之C型環。如此般，亦可使用C型環來做為固定件216。在製造基板載置單元時，便可容易進行固定件216之組裝。
圖8係顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置的晶座固定構造外力施加後之剖視圖。如圖8所示，晶座2係被支撐於下轂213外緣部之接觸部213a，上轂212係在與固定軸211周邊所設置的固定件216接觸之位置來支撐固定件216。亦即，支撐點會從外緣部朝中心方向隨著朝上方行進而移動。
同樣地，考量到荷重點，首先係在固定軸211周圍從固定軸211之卡固部211a下面施加荷重於固定件216上面。從固定件216所傳遞之荷重會傳遞至上轂212外側區域之接觸部212a，並施加至晶座2。此情況中，荷重點便會隨著朝下方行進而從固定軸211周圍移動至外側方向。
再者，力量作用於下方之荷重點全部會對應於力量作用於上方之荷重點，隨著上至下的移動，力的作用點便會從中心移動至外側。藉此，力的作用點便會在下側最為遠離，而成為隨著逐漸朝上則間隔變窄的狀態，故可容易穩定進行晶座2之支撐，並將晶座2保持於水平。
如此般，本實施形態相關之基板處理裝置便具有可穩定晶座2之固定支撐構造。
圖9係用以說明本發明實施形態相關之基板處理裝置的基板載置單元之傳熱對策構造的剖視圖。另外，圖9中，與傳熱對策構造沒關係的構成要素便適當地省略。圖9中，晶圓W係載置於晶座2上，而晶座2下方則設有覆蓋蓋體7a後之加熱器單元7。如圖9所示，加熱器單元7係以覆蓋晶圓W徑向全區域之方式來加以設置。加熱器單元7係設置於較晶座2要下方，故晶座2固定構造部分在較晶座2要下方之下轂213、彈簧214及螺絲215的部分，加熱器單元7之熱便會比較晶座2要上方之上轂212、固定件216要更容易傳遞。如上述，下轂213係具有接觸部213a、非接觸部213b及空間213s，但非接觸部213b及空間213s係可抑制來自晶座2的熱朝下轂213傳遞。
圖10係放大圖9中之區域A來顯示溫度分布一範例之圖式。另外，溫度分布係顯示在晶圓溫度760℃、壓力6.7Torr、冷卻器85℃的條件下之溫 度分布結果。
圖10中，係顯示區域J為367.78℃以上，區域K為365.56~367.78℃，區域L為363.33~365.56℃，區域M為361.11~363.33℃範圍之區域，固定軸收納區域211內收納彈簧214之區域為區域K,L，係較380℃要低溫之溫度區域。此處，彈簧214的使用溫度範圍在450℃以下，而固定軸收納區域211內收納彈簧214之區域係較380℃要低，會滿足彈簧214之使用溫度範圍。因此，本實施形態相關之基板處理裝置會有效抑制晶座2下方之傳熱，而顯示可使用彈簧214。
圖11係顯示本發明實施形態相關之基板處理裝置的固定軸211之溫度分布及應力分布的圖式。圖11(a)係用以顯示基板處理裝置之固定軸211配置位置的晶座固定構造剖視圖，圖11(b)係顯示固定軸211溫度分布的圖式。
對比圖11(a)來觀看圖11(b)，較晶座2要稍下方之區域溫度會最高，隨著從溫度高的區域在上下來遠離，則顯示出溫度會降低。較晶座2要上方之固定軸211上端的溫度在352.22℃以下，會充分地變低(區域V)。較晶座2要下方之區域中，固定軸211下端的溫度為358.89~361.11℃的範圍，溫度會充分地降低。因此，得知來自晶座2的熱不會透過固定軸211而進一步地傳遞至旋轉軸22，而是在固定軸211便會讓溫度充分降低，是一種不會給予旋轉軸22及驅動部23熱影響之構成。如此般，本發明實施形態相關之基板處理裝置可有效地抑制傳熱。
圖11(c)係顯示固定軸211應力分布之圖式。施加至固定軸211之應力分布會在下端部最高，但即便如此也只為50MPa左右。因此，特別不會發生熱衝擊等。如此般，本實施形態相關之基板處理裝置顯示出可充分降低施加至固定軸211之應力。
圖12係顯示可使用於本發明實施形態相關之基板處理裝置的固定軸211之氮化矽的高溫強度及耐熱衝擊性而與其他材料比較之圖式。圖12(a)係顯示氮化矽之高溫強度與其他材料比較之圖式，顯示了在800℃以下之溫度區域下，具有70kg/mm2左右之充分穩定強度。雖然氧化鋯的彎曲強度最大值較高，但彎曲強度會對應於溫度變化，故氮化矽具有穩定溫度強度這點是較優異的。如此般，顯示了氮化矽作為固定軸211之材料，在高溫強 度上並無任何問題。
圖12(b)係顯示氮化矽之耐熱衝擊性與其他材料比較之圖式。另外，耐熱衝擊性係將測試片設定於橫軸溫度後，置入水中(20℃)給予熱衝擊率，而測定彎曲強度來顯示耐熱衝擊性之指標。圖12(b)中，在溫度未達600℃的溫度下，驟冷後的彎曲強度為60kg/mm2左右，顯示出穩定的耐熱衝擊性。氧化鋯在驟冷後之彎曲強度最大值雖較氮化矽要高，但在400℃以上的溫度下，激烈驟冷後的彎曲強度會下降，故考量到高溫程序的情況，氮化矽作為固定軸211的材料較為優異。如此般，氮化矽在耐熱衝擊性亦較為優異，顯示出適合作為固定軸211之材料。
[基板載置單元之製造方法]
接著，使用圖13及圖14，就本發明實施形態相關之基板載置單元之製造方法來加以說明。圖13係顯示本發明實施形態相關之基板載置單元製造方法一範例之前半一連串工序的圖式。另外，關於至此所說明之構成要素，便賦予相同參照符號，而省略其說明。
圖13(a)係顯示彈簧裝設工序一範例之圖式。彈簧裝設工序中，會將彈簧214裝設於固定軸211。亦即，將固定軸211插入至彈簧214。彈簧214係被支撐在固定軸211下端之彈簧支撐部211c。
圖13(b)係顯示固定軸插入工序一範例之圖式。固定軸插入工序中，裝設有彈簧214之固定軸211會從下端側插入至旋轉軸22上端面所形成之固定軸收納區域221內。
圖13(c)係顯示下轂組裝工序一範例之圖式。下轂組裝工序中，會使用螺絲215將下轂213組裝在旋轉軸22上端面。旋轉軸22上端面形成有螺孔222，下轂213亦形成有為貫通孔之螺孔213e，故在螺孔213e,222彼此對合的狀態下，插入螺絲215來螺固。藉此，成為將下轂213固定在旋轉軸22上端面，而固定軸211則透過下轂213被支撐在旋轉軸22的狀態。另外，下轂213下面係形成有與旋轉軸22上端面卡合之卡合部213d，在下轂213之固定組裝時，會與旋轉軸22上端面卡合。
圖14係顯示本發明實施形態相關之基板載置單元之製造方法一範例的後半一連串工序的圖式。圖14(a)係顯示晶座插嵌工序及上轂插嵌工序一範例之圖式。晶座插嵌工序中，係以插嵌固定軸211之方式讓晶座2載置於 下轂213上。同樣地，上轂插嵌工序中，係以插嵌固定軸211之方式讓上轂212配置於晶座2上。另外，如圖14(a)所示，晶座2與上轂212亦可在一起重疊的狀態下同時插嵌固定軸211，並配置在下轂213上。此情況，晶座插嵌工序及上轂插嵌工序會同時一次來加以進行。
圖14(b)_係顯示固定軸提升工序一範例之圖式。固定軸提升工序中，固定軸211會對抗彈簧214之蓄勢彈力而被提升，頸縮部211b會被提升來到較上轂212上面要高的位置。固定軸提升工序只要可將固定軸211提升至上述既定位置，則可以各種方法來進行，例如，亦可使用圖14(b)所示之提升治具80來提升固定軸211。在固定軸211上端面形成有螺孔211d的情況，提升治具80會讓下端的螺絲部81螺合於螺孔211d，將螺絲部81固定在固定軸211，可藉由提升螺絲部81來提升固定軸211。
圖14(c)係顯示固定件組裝工序一範例的圖式。固定件組裝工序中，係將固定件216卡合於固定軸211之頸縮部211b，在固定件216卡固固定軸211。此時，在以C型環構成固定件216的情況，係將C型環的開口部朝水平移動來與頸縮部211B卡合即可。在相關構成的情況，可容易地將固定件216組裝於固定軸211。固定件216之構造不限於C型環，可採用能與固定軸211之頸縮部211b卡合的各種構造。又，固定軸211與固定件216之卡合構造不限於在固定軸211形成頸縮部211b之構造，只要是可讓固定軸211前端與固定件216卡合，則可為各種構成。藉由將固定件216組裝於固定軸211前端，則彈簧214向下的蓄勢彈力便會施加在固定件216，而固定件216便會按壓上轂212。又，彈簧214的蓄勢彈力亦會朝上作用於下轂213，讓晶座2夾置於上轂212與下轂213之間，來固定支撐晶座2。藉此，來製造基板載置單元。
另外，本發明實施形態中，係舉出以ALD法來進行成膜之成膜裝置為例來說明基板處理裝置，但上述晶座的固定構造亦可適用於具有晶座，使用腐蝕性氣體來進行清潔或蝕刻等的各種基板處理裝置，故可適用於CVD(Chemical Vapor Deposit)裝置、蝕刻裝置等之各種基板處理裝置。
以上，已就本發明較佳實施形態來加以說明，但本發明不限於上述之實施形態，在不脫離本發明範圍下，上述實施形態可附加各種變形及置換。
依本發明，即便高溫程序中亦可防止污染發生。
本次揭示之實施形態中所有的要點應僅為例示而非為限制者。實際上，上述實施形態可以多種形態來加以具體實現。又，上述實施形態在不脫離所添附之申請專利範圍及其主旨下，可以各種形態來省略、置換、變更。本發明範圍意在包含與所添附之申請專利範圍均等含意及範圍內之所有變更。
本揭示係基於2014年9月24日所申請之日本特願2014-194180號之優先權的利益，並將該日本申請案之所有內容作為參照文獻而併入至此。
2‧‧‧晶座
21‧‧‧核心部
211‧‧‧固定軸
211a‧‧‧卡固部
211b‧‧‧頸縮部
211c‧‧‧彈簧支撐部
211d‧‧‧螺孔
212‧‧‧上轂
212a‧‧‧接觸部
212b‧‧‧非接觸部
212c‧‧‧中心軸孔
212d‧‧‧座孔
212s‧‧‧空間
213‧‧‧下轂
213a‧‧‧接觸部
213b‧‧‧非接觸部
213c‧‧‧中心軸孔
213d‧‧‧卡合部
213e‧‧‧螺孔
213s‧‧‧空間
214‧‧‧彈簧
215‧‧‧螺絲
216‧‧‧固定件
216s‧‧‧空間
22‧‧‧旋轉軸
221‧‧‧固定軸收納區域
222‧‧‧螺孔

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，係具有：處理室，係在成膜程序後，會供給腐蝕性氣體而可蝕刻處理內部所存在的膜；晶座，係設於該處理室內，於上面具有可載置基板之基板載置部，並從較該上面更上方來供給該腐蝕性氣體；固定軸，係貫通該晶座；第1固定構件，係插嵌該固定軸，而從該上面側來固定該晶座；第2固定構件，係插嵌該固定軸，而從下面側來固定該晶座；蓄勢彈力機構，係設於較該晶座要下方，將該固定軸朝下方蓄勢彈力，並將該第2固定構件朝上方蓄勢彈力，透過該第2固定構件從該下面側來固定該晶座；以及，卡固構件，係設於較該晶座要上方，與該固定軸卡合，並與該蓄勢彈力機構協同來按壓該第1固定構件，透過該第1固定構件從該上面側來固定該晶座；該晶座、該第1固定構件以及該卡固構件係由相對於該腐蝕性氣體的耐腐蝕性會較該蓄勢彈力機構要高的材料所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該晶座、該第1固定構件以及該卡固構件係由相對於該腐蝕性氣體的耐腐蝕性會較該第2固定構件要高的材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第2固定構件及該蓄勢彈力機構係由耐熱性較該晶座、該第1固定構件及該卡固構件要高之材料所構成。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該固定軸係具有較該第2固定構件要下方來支撐該蓄勢彈力機構之下端的蓄勢彈力機構支撐部；該蓄勢彈力機構支撐部與該第2固定構件之間係設有該蓄勢彈力機構，而將該第2固定構件朝上方蓄勢彈力。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中該蓄勢彈力機構係以包圍該固定軸周圍之方式所設置之彈簧。
  6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該固定軸更具有透過該第2固定構件而從較該晶座要下方來支撐該晶座之支撐軸；該支撐軸與該第2固定構件係使用螺絲來加以螺固；該晶座、該第1固定構件以及該卡固構件係由相對於該腐蝕性氣體的耐腐蝕性會較該螺絲要高的材料所構成。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該螺絲係由耐熱性較該晶座、該第1固定構件及該卡固構件要高之材料所構成。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該支撐軸係具有將該蓄勢彈力機構與該固定軸之下端部一同收納之空間。
  9. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該支撐軸係旋轉軸。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第2固定構件係具有：接觸區域，係用以固定該晶座而與該晶座接觸；以及，非接觸區域，係不與該晶座接觸而與該晶座之間形成空間。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第1固定構件係具有：接觸區域，係用以固定該晶座而與該晶座接觸；以及，非接觸區域，係不與該晶座接觸而與該晶座之間形成空間。
  12. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該晶座係由石英、碳或SiC所構成。
  13. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第1固定構件及該卡固構件係由石英、高鎳合金(Inconel，註冊商標)、不鏽鋼或陶瓷所構成。
  14. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第2固定構件係由高鎳合金(Inconel，註冊商標)、不鏽鋼、陶瓷或石英所構成。
  15. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該固定軸之上端部係在較前端要下方處具有外周較該前端要小的頸縮部；該卡固構件係與該頸縮部卡合之C型環。
  16. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該第1固定構件及該第2固定構件係具有固定該晶座中心部之圓盤形狀。
  17. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該晶座下方更具有用以加熱該基板之加熱機構。
  18. 一種基板載置單元之製造方法，係具有：將彈簧插嵌於在下端部具有朝徑向突出之彈簧支撐部，並在上端部具有外周較前端要小的頸縮部之固定軸，以將該彈簧載置於該彈簧支撐部上之工序；準備在上端面具有可容納已裝設該彈簧之該固定軸的下部區域之固定軸收納空間，並在該固定軸收納空間周圍形成有螺孔之支撐軸，將已裝設該彈簧之該固定軸的該下部區域插入至該支撐軸的該固定軸收納空間之工序；使用與該螺孔螺合之螺絲，將具有較該螺絲之頭部要小徑的貫通孔，並具有可插嵌該固定軸之第1中心貫通孔的第1固定構件插嵌於該固定軸，以固定在該支撐軸的上端面上之工序；將具有可插嵌該固定軸之第2中心貫通孔的晶座插嵌於該固定軸，以載置於該第1固定構件上之工序；將具有可插嵌該固定軸之第3中心貫通孔的第2固定構件插嵌於該固定軸，以載置於該晶座上之工序；以及，將該固定軸對抗該彈簧之蓄勢彈力而上提，將該頸縮部露出於較該第2固定構件要上方，而卡合與該頸縮部卡合之卡固構件，讓該卡固構件與該彈簧之該蓄勢彈力協同而從上下產生夾置該晶座之力量，以透過該第1固定構件及該第2固定構件來將該晶座夾置其間而固定該晶座之工序。
  19. 如申請專利範圍第18項之基板載置單元之製造方法，其中該固定軸係使用既定治具來對抗該彈簧之蓄勢彈力而上提。
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