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TW201543461A - 主動型矩陣基板、及包含其之顯示裝置 - Google Patents

主動型矩陣基板、及包含其之顯示裝置 Download PDF

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TW201543461A
TW201543461A TW104113421A TW104113421A TW201543461A TW 201543461 A TW201543461 A TW 201543461A TW 104113421 A TW104113421 A TW 104113421A TW 104113421 A TW104113421 A TW 104113421A TW 201543461 A TW201543461 A TW 201543461A
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TW
Taiwan
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tft
gate
terminal
driving circuit
gate line
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Application number
TW104113421A
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English (en)
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TWI659406B (zh
Inventor
Takeshi Noma
Kohhei Tanaka
Takayuki Nishiyama
Ryo YONEBAYASHI
Original Assignee
Sharp Kk
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Publication date
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Publication of TW201543461A publication Critical patent/TW201543461A/zh
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Abstract

本發明提供一種抑制驅動電路之寄生電容而將閘極線更確實地切換為選擇狀態之技術。主動型矩陣基板於由源極線(15S)與閘極線(13G)所規定之像素區域中，包含將閘極線(13G)切換為選擇狀態之驅動電路。驅動電路包含：複數個開關元件，其等包含將選擇電壓輸出至閘極線之輸出用開關元件(TFT-F)；及內部配線(netA)，其連接有輸出用開關元件(TFT-F)之閘極端子與至少1個其他開關元件。主動型矩陣基板於配置內部配線及其他開關元件之至少一者之像素區域中，包含抑制驅動電路之寄生電容之抑制部(C1、C2)。

Description

主動型矩陣基板、及包含其之顯示裝置
本發明係關於一種主動型矩陣基板、及包含其之顯示裝置。
於日本專利特表2004-538511號公報中，揭示有一種主動型矩陣顯示裝置，其設置有自行位址導體之一端側延伸且於各列位址導體終止之導線、及自終止位置通過像素元素且延伸至行位址導體之延伸方向之另一端側之互補性之導線。互補性之導線經由共用之導線而連接於參照信號源，自導線之一端側對列位址導體供給選擇信號。
日本專利特表2004-538511號公報中，將互補性之導線自列位址導體通過像素元素而引繞至行位址導體之另一端側，故與自列位址導體之延伸方向之一端側對列位址導體供給選擇信號之情形相比可謀求窄邊框化。然而，藉由引繞列位址導體而導致列位址導體之寄生電容變大。
又，於主動型矩陣基板，針對每一閘極線設置有包含複數個開關元件之驅動電路。於驅動電路中，對閘極線輸出選擇電壓之輸出用開關元件之閘極端子係連接於驅動電路之內部配線。藉由將閘極線切換為選擇狀態時之內部配線之電位之上升，而經由輸出用開關元件對閘極線輸出選擇電壓，從而閘極線被充電。因此，若驅動電路之內部 配線或開關元件具有寄生電容，則內部配線之電位不會上升，從而無法將閘極線切換為選擇狀態。
本發明之目的在於提供一種抑制驅動電路之寄生電容而將閘極線更確實地切換為選擇狀態之技術。
本發明之主動型矩陣基板包含複數條源極線、及與上述複數條源極線交叉之複數條閘極線，且於由上述複數條源極線與上述複數條閘極線所規定之複數個像素區域之各者包含像素電極，且包含：驅動部，其設置於上述複數個像素區域中之一部分像素區域，且於每一閘極線包含驅動電路，該驅動電路根據被供給之控制信號而將閘極線切換為選擇狀態；及抑制部，其於上述一部分像素區域中，抑制上述驅動電路之寄生電容；且上述驅動電路包含：複數個開關元件；及內部配線，其連接於上述複數個開關元件中、輸出將一閘極線切換為選擇狀態之選擇電壓的輸出用開關元件之閘極端子、至少1個其他開關元件、及上述一閘極線；上述抑制部設置於配置上述驅動電路之上述內部配線、及上述其他開關元件之至少一者之像素區域。
根據本發明之構成，可抑制驅動電路之寄生電容而將閘極線更確實地切換為選擇狀態。
1‧‧‧液晶顯示裝置
2‧‧‧顯示面板
3‧‧‧源極驅動器
4‧‧‧顯示控制電路
5‧‧‧電源
11‧‧‧閘極驅動器
11(n)‧‧‧閘極驅動器
12g‧‧‧端子部
12s‧‧‧端子部
13‧‧‧閘極層
13g‧‧‧閘極端子
13G‧‧‧閘極線
13G(1)‧‧‧閘極線
13G(2)‧‧‧閘極線
13G(3)‧‧‧閘極線
13G(4)‧‧‧閘極線
13G(n-2)‧‧‧閘極線
13G(n-1)‧‧‧閘極線
13G(n)‧‧‧閘極線
13G(n+1)‧‧‧閘極線
13G(n+2)‧‧‧閘極線
13G(n+3)‧‧‧閘極線
13G(M)‧‧‧閘極線
14‧‧‧半導體層
15‧‧‧源極層
15d‧‧‧汲極端子
15L‧‧‧配線
15s‧‧‧源極端子
15S‧‧‧源極線
16‧‧‧屏蔽層
17‧‧‧像素電極
20a‧‧‧主動型矩陣基板
20b‧‧‧對向基板
21‧‧‧閘極絕緣膜
22‧‧‧保護膜
23‧‧‧保護膜
24‧‧‧層間絕緣層
151‧‧‧連接部
160‧‧‧虛線框
160h‧‧‧開口部
161‧‧‧虛線框
161h‧‧‧開口部
200‧‧‧行
200x_b‧‧‧行
200x_g‧‧‧行
200x_r‧‧‧行
201‧‧‧顯示區域
201a‧‧‧區域
201b‧‧‧區域
201c‧‧‧區域
201d‧‧‧區域
202‧‧‧邊框區域
C1‧‧‧抑制部
C2‧‧‧抑制部
Cbst‧‧‧電容器
CH1‧‧‧接點
CH2‧‧‧接點
CKA‧‧‧時脈信號
CKB‧‧‧時脈信號
CLR‧‧‧重置信號
h1‧‧‧寬度
h2‧‧‧寬度
H1‧‧‧接觸孔
H2‧‧‧接觸孔
I‧‧‧薄膜電晶體
J‧‧‧薄膜電晶體
K‧‧‧薄膜電晶體
netA‧‧‧內部配線
netA(n)‧‧‧內部配線
netB(n)‧‧‧內部配線
P‧‧‧虛線框
Q‧‧‧虛線框
S‧‧‧設置信號
TFT-A‧‧‧薄膜電晶體
TFT-B‧‧‧薄膜電晶體
TFT-C‧‧‧薄膜電晶體
TFT-D‧‧‧薄膜電晶體
TFT-E‧‧‧薄膜電晶體
TFT-F‧‧‧輸出用開關元件
TFT-G‧‧‧薄膜電晶體
TFT-H‧‧‧薄膜電晶體
TFT-PIX‧‧‧圖像顯示用TFT
VSS‧‧‧電源電壓信號
W‧‧‧通道寬度
圖1係表示第1實施形態之液晶顯示裝置之概略構成之模式圖。
圖2係表示圖1所示之主動型矩陣基板之概略構成之模式圖。
圖3係表示圖1所示之主動型矩陣基板及與主動型矩陣基板連接之各部分之概略構成之模式圖。
圖4係例示第1實施形態之時脈信號之波形之圖。
圖5係表示圖3所示之閘極驅動器之等效電路之一例之圖。
圖6係藉由圖5所示之閘極驅動器而驅動閘極線之時序圖。
圖7A係表示圖5所示之閘極驅動器之顯示區域內之配置例之模式 圖。
圖7B係表示圖5所示之閘極驅動器之顯示區域內之配置例之模式圖。
圖8係表示配置有圖7B所示之TFT-F之像素之構成例之模式。
圖9A係將圖8所示之TFT-PIX之部分沿I-I線切斷之剖視圖。
圖9B係將圖8所示之接點CH1沿II-II線切斷之剖視圖。
圖9C係將圖8所示之TFT-F之部分沿III-III線切斷之剖視圖。
圖9D係將圖8所示之接點CH2沿IV-IV線切斷之剖視圖。
圖9E係將圖8之電極部C2之部分沿V-V線切斷之剖視圖。
圖10係表示配置有圖7B所示之TFT-F之第2實施形態之像素之構成例之模式圖。
圖11係將圖10所示之虛線框160之部分沿VI-VI線切斷之剖視圖。
圖12係於圖9E中與netA重疊之屏蔽層設置有開口部之剖視圖。
圖13係表示配置有圖7B所示之TFT-A之第3實施形態之像素之構成例之模式圖。
圖14係將圖13所示之TFT-A沿VII-VII線切斷之剖視圖。
圖15係表示配置有圖7B所示之TFT-A之第4實施形態之像素之構成例之模式圖。
圖16(a)、圖16(b)係對將源極端子與汲極端子平行地配置之TFT、及將源極端子與汲極端子配置成梳齒狀之TFT之寄生電容進行說明之圖。
圖17係說明第4實施形態之閘極線之構成例之圖。
本發明之一實施形態之主動型矩陣基板包含複數條源極線、及與上述複數個源極線交叉之複數條閘極線，且於由上述複數條源極線與上述複數條閘極線所規定之複數個像素區域之各者包含像素電極， 且包含：驅動部，其設置於上述複數個像素區域中之一部分像素區域，且於每一閘極線包含驅動電路，該驅動電路根據被供給之控制信號而將閘極線切換為選擇狀態；及抑制部，其於上述一部分像素區域中，抑制上述驅動電路之寄生電容；且上述驅動電路包含：複數個開關元件；及內部配線，其連接於上述複數個開關元件中、輸出將一閘極線切換為選擇狀態之選擇電壓的輸出用開關元件之閘極端子、至少1個其他開關元件、及上述一閘極線；上述抑制部設置於配置有上述驅動電路之上述內部配線、及上述其他開關元件之至少一者之像素區域(第1構成)。
根據第1構成，於主動型矩陣基板之一部分像素區域包含驅動部。驅動部針對每一閘極線包含根據被供給之控制信號而將閘極線切換為選擇狀態之驅動電路。驅動電路包含複數個開關元件與內部配線。內部配線連接於對閘極線輸出選擇電壓之輸出用開關元件之閘極端子、至少1個其他開關元件、及一閘極線。若內部配線之寄生電容變大，則將閘極線切換為選擇狀態時內部配線之電位並不上升，從而無法將選擇電壓經由輸出用開關元件輸出至閘極線。於上述第1構成中，於配置有內部配線、及其他開關元件之至少一者之像素區域設置有抑制部，故可抑制內部配線及其他開關元件之至少一者之寄生電容。因此，與未設置抑制部之情形相比，於將閘極線切換為選擇狀態時可使內部配線之電位上升，從而可將閘極線更確實地切換為選擇狀態。
第2構成係如第1構成，其中上述驅動電路於上述主動型矩陣基板中，設置於上述像素電極與設置有上述閘極線之層之間，於上述一部分像素區域中之上述像素電極與上述驅動電路之間包含導電層，上述抑制部設置於上述驅動電路之上述內部配線、上述其他開關元件之至少一者、及上述導電層重疊之位置。
根據第2構成，於一部分像素區域，於像素電極與驅動電路之間設置有導電層，故可防止像素電極與驅動電路之間之干擾。又，根據該構成，於驅動電路之內部配線、其他開關元件之至少一者、及導電層重疊之位置設置有抑制部。因此，可抑制導電層與內部配線及其他開關元件之至少一者之間之寄生電容。
第3構成係如第2構成，其中上述內部配線形成於與上述一閘極線相同之層，上述抑制部於配置上述驅動電路之上述內部配線之像素區域，於上述導電層與上述內部配線之間包含電極部，該電極部經由接點而與上述一閘極線連接。
根據第3構成，於配置有內部配線之像素區域，於導電層與內部配線之間設置有電極部，電極部經由接點而連接於一閘極線。藉由電極部而抑制內部配線與導電層之間之寄生電容，故可使內部配線之電位上升。又，藉由電極部與內部配線而形成電容，故可使內部配線之電位放大。
第4構成係如第2或第3構成，其中上述抑制部於配置上述驅動電路之上述內部配線之像素區域之上述導電層中，於與上述內部配線重疊之位置具有開口部。
根據第4構成，於導電層中，與內部配線重疊之位置設置有開口部。因此，可抑制內部配線與導電層之間之寄生電容，從而可使內部配線之電位上升。
第5構成係如第2或第3構成，其中上述抑制部於配置上述驅動電路中之上述其他開關元件之像素區域之上述導電層，於與上述其他開關元件重疊之位置具有開口部。
根據第5構成，於導電層中，於與將汲極端子連接於內部配線之其他開關元件重疊之位置設置有開口部。因此，可抑制其他開關元件與導電層之間之寄生電容，從而可使內部配線之電位上升。
第6構成係如第1至5中之任一構成，其中於上述其他開關元件中，設置面積互不相同之汲極端子與源極端子，上述抑制部包含連接部，該連接部將上述汲極端子與上述源極端子中面積較小之端子與上述內部配線連接。
根據第6構成，其他開關元件之汲極端子與源極端子中之面積較小之端子藉由連接部而與內部配線連接。因此，與設置有具有同等面積之汲極端子與源極端子之開關元件相比，可降低與內部配線之間之寄生電容。
本發明之一實施形態之顯示裝置包含：如第1至6中之任一主動型矩陣基板；對向基板，其包含彩色濾光片；及液晶層，其被夾持於上述主動型矩陣基板與上述對向基板之間(第7構成)。
以下，參照圖式詳細地說明本發明之實施形態。圖中對相同或相當部分標註相同符號，不重複其說明。
<第1實施形態> (液晶顯示裝置之構成)
圖1係表示本實施形態之液晶顯示裝置之概略構成之模式圖。液晶顯示裝置1包含顯示面板2、源極驅動器3、顯示控制電路4、及電源5。顯示面板2包含主動型矩陣基板20a、對向基板20b、及由該等基板所夾持之液晶層(省略圖示)。圖1中省略圖示，以隔著主動型矩陣基板20a與對向基板20b之方式設置有一對偏光板。於對向基板20b形成有黑矩陣、紅(R)、綠(G)、藍(B)3色之彩色濾光片、及共用電極(均省略圖示)。
如圖1所示，主動型矩陣基板20a與形成於可撓性基板之源極驅動器3電性連接。顯示控制電路4與顯示面板2、源極驅動器3、及電源5電性連接。顯示控制電路4將控制信號輸出至源極驅動器3、及設置於主動型矩陣基板20a之下述之驅動電路(以下，稱為閘極驅動器)。電 源5與顯示面板2、源極驅動器3、及顯示控制電路4電性連接，且將電源電壓信號供給至各者。
(主動型矩陣基板之構成)
圖2係表示主動型矩陣基板20a之概略構成之模式圖。於主動型矩陣基板20a中，自X軸方向之一端至另一端以固定之間隔大致平行地形成有M(M：自然數)條閘極線13G(1)~13G(M)。以下，於不區分閘極線時稱為閘極線13G。於主動型矩陣基板20a上，以與各閘極線13G交叉之方式形成有複數條源極線15S。由閘極線13G與源極線15S包圍之區域形成1個像素，各像素對應於彩色濾光片之任一色。
圖3係表示主動型矩陣基板20a及與主動型矩陣基板20a連接之各部分之概略構成之模式圖。圖3中，為方便起見，省略源極線15S之圖示。如圖3之例所示，閘極驅動器11配置於顯示區域201之閘極線13G與閘極線13G之間。於該例中，針對每一閘極線13G設置有1個閘極驅動器11。各閘極驅動器11配置於顯示區域201之區域201a、區域201b、區域201c、及區域201d任一者。於區域201a、區域201b、區域201c、及區域201d中，以4條閘極線13G為單位配置有1個閘極驅動器11。配置於該區域之閘極驅動器11經由配線15L而相互連接。
於圖3所示之主動型矩陣基板20a中，於設置有源極驅動器3之邊之邊框區域202設置有端子部12g。端子部12g與顯示控制電路4及電源5連接。端子部12g接收自顯示控制電路4及電源5輸出之控制信號或電源電壓信號等信號。輸入至端子部12g之控制信號及電源電壓信號等信號經由配線15L而供給至各閘極驅動器11。閘極驅動器11根據所供給之信號，對連接之閘極線13G輸出表示選擇狀態與非選擇狀態之一者之電壓信號。於以下之說明中，將選擇閘極線13G之狀態稱為閘極線13G之驅動。
又，於主動型矩陣基板20a之邊框區域202設置有連接源極驅動器 3與源極線15S(參照圖2)之端子部12s。源極驅動器3根據自顯示控制電路4輸入之控制信號而將資料信號輸出至各源極線15S(參照圖2)。
顯示控制電路4將於每一水平期間重複H位準與L位準之信號(以下，稱為時脈信號)、及與時脈信號之H位準相同電位之信號(以下，稱為重置信號)作為控制信號而供給至端子部12g。
圖4係例示時脈信號之波形之圖。於本實施形態中，將相位相互反轉之2相之時脈信號CKA、及CKB作為時脈信號而供給至端子部12g。再者，於本例中，使用2相之時脈信號，但亦可使用例如於每2水平掃描期間重複H位準與L位準且相位逐個偏移1/4週期之4相之時脈信號、或於每4水平掃描期間重複H位準與L位準且相位逐個偏移1/8週期之8相之時脈信號等相位不同的複數個時脈信號。
其次，對本實施形態之閘極驅動器11之構成進行說明。圖5係表示驅動閘極線13G(n)之閘極驅動器11(以下，稱為閘極驅動器11(n))之等效電路之一例之圖。
如圖5所示，閘極驅動器11(n)包含作為開關元件之由字母A~K表示之薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)(以下，稱為TFT-A~TFT-K)、及電容器Cbst。
圖5中，將連接有TFT-B之源極端子、TFT-A、TFT-C、及TFT-D之汲極端子、TFT-F之閘極端子、及電容器Cbst之一電極之內部配線稱為netA。又，將連接有TFT-I之源極端子、TFT-H、TFT-J、及TFT-K之汲極端子、及TFT-D之閘極端子之內部配線稱為netB。
TFT-A之汲極端子與netA連接，將重置信號CLR供給至閘極端子，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
TFT-B之閘極端子與汲極端子連接，且閘極端子與汲極端子係與閘極線13G(n-1)連接。又，TFT-B之源極端子連接於netA。TFT-B接收閘極線13G(n-1)之電位作為設置信號S。再者，驅動閘極線13G(1) 之閘極驅動器11之TFT-B接收自顯示控制電路4輸出之閘極起始脈衝信號作為設置信號S。
電容器Cbst之一電極與netA(n)連接，且另一電極與閘極線13G(n)連接。
TFT-C之閘極端子與閘極線13G(n+1)連接，汲極端子與netA(n)連接，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
TFT-D之閘極端子與netB(n)連接，汲極端子與netA(n)連接，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
TFT-E之汲極端子與閘極線13G(n)連接，將重置信號CLR供給至閘極端子，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
TFT-F之閘極端子與netA(n)連接，源極端子連接於閘極線13G(n)，且將時脈信號CKA供給至汲極端子。TFT-F係作為將使閘極線13G(n)切換為選擇狀態之選擇電壓輸出至閘極線13G(n)之輸出緩衝器而發揮功能。輸出緩衝器與其他TFT相比負載較大，故必須加大通道寬度。於圖5所示之等效電路中，以1個TFT表示TFT-F，但本實施形態中，亦可連接複數個TFT而構成TFT-F。TFT-F之具體構成例將於下文敍述。
TFT-G之汲極端子與閘極線13G(n)連接，將時脈信號CKB供給至閘極端子，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
TFT-H之汲極端子連接於netB(n)，將時脈信號CKA供給至閘極端子，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
TFT-I之閘極端子與汲極端子連接，將時脈信號CKB供給至閘極端子與汲極端子。TFT-I之源極端子連接於netB(n)。
TFT-J之閘極端子與閘極線13G(n-1)連接，汲極端子與netB(n)連接，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。TFT-J接收閘極線13G(n-1)之電位作為設置信號S。再者，驅動閘極線13G(1)之閘極驅動器 11之TFT-J接收自顯示控制電路4輸出之閘極起始脈衝信號作為設置信號S。
TFT-K之汲極端子與netB(n)連接，將重置信號CLR供給至閘極端子，且將電源電壓信號VSS供給至源極端子。
其次，對閘極驅動器11之動作進行說明。圖6係閘極驅動器11(n)驅動閘極線13G(n)時之時序圖。
對閘極驅動器11(n)輸入自顯示控制電路4供給之時脈信號CKA、CKB。再者，圖6中省略圖示，於每一垂直掃描期間將固定期間成為H(High，高)位準之重置信號CLR自顯示控制電路4輸入至各閘極驅動器11。若輸入重置信號CLR，則閘極驅動器11(n)之netA(n)、netB(n)、及閘極線13G之電位轉換為L(Low，低)位準。
於自時刻t1至t2，將時脈信號CKA之L位準之電位、與時脈信號CKB之H位準之電位輸入至閘極驅動器11(n)。藉此，TFT-I成為導通狀態，TFT-H成為斷開狀態，故netB(n)被充電為H位準之電位。又，TFT-D成為導通狀態，netA(n)被充電為電源電壓VSS(L位準)。又，TFT-G成為導通狀態，且TFT-F成為斷開狀態，故閘極線13G(n)被充電為L位準之電位。
其次，於時刻t2，將時脈信號CKA之H位準之電位、與時脈信號CKB之L位準之電位輸入至閘極驅動器11(n)。藉此，TFT-I成為斷開狀態，TFT-H成為導通狀態，故netB(n)被充電為L位準之電位。又，TFT-D成為斷開狀態，netA(n)維持為電源電壓VSS(L位準)之電位。此時，TFT-G成為斷開狀態，TFT-F成為斷開狀態，故閘極線13G(n)維持為L位準之電位。
於時刻t3，驅動閘極線13G(n-1)，將時脈信號CKA之L位準之電位、與時脈信號CKB之H位準之電位輸入至閘極驅動器11(n)。TFT-I成為導通狀態，TFT-H成為斷開狀態，但對TFT-J之閘極端子輸入閘 極線13G(n-1)之H位準之電位作為設置信號S，TFT-J成為導通狀態。 較之TFT-I，將TFT-J之TFT之充電能力設定得較高，藉此netB(n)維持為L位準之電位。
又，對TFT-B之閘極端子及汲極端子輸入閘極線13G(n-1)之H位準之電位作為設置信號S，TFT-B成為導通狀態。因TFT-D為斷開狀態，故netA(n)被預充電為(H位準之電位-TFT-B之閾值電壓)之電位，TFT-F成為導通狀態。此時，TFT-G成為導通狀態，故閘極線13G(n)維持為L位準之電位。
繼而，於時刻t4，閘極線13G(n-1)成為非選擇狀態，將時脈信號CKA之H位準之電位、與時脈信號CKB之L位準之電位輸入至閘極驅動器11(n)。
TFT-I成為斷開狀態，TFT-H成為導通狀態，對TFT-J之閘極端子輸入閘極線13G(n-1)之L位準之電位作為設置信號S，TFT-J成為斷開狀態。藉此，netB(n)維持為L位準之電位。
又，對TFT-B之閘極端子及汲極端子輸入閘極線13G(n-1)之L位準之電位作為設置信號S，TFT-B成為斷開狀態。又，TFT-A、TFT-C、TFT-D亦成為斷開狀態，netA(n)成為浮動狀態。此時，藉由對TFT-F之汲極端子輸入時脈信號CKA之H位準之電位而對閘極線13G(n)輸入H位準之電位，且藉由電容器Cbst而使netA(n)之電位突增，且上升至較H位準高之電位。TFT-G成為斷開狀態，故閘極線13G(n)切換為選擇狀態。
netA(n)之電位依賴於電容器Cbst之電容、netA(n)之寄生電容、及連接於netA(n)之TFT之電容。亦即，netA(n)之電位之上升效率T由以下式(1)表示。
T=(C+C1)/(C+C2+C3)......(1)
C：電容器Cbst之電容
C1：TFT-F之寄生電容
C2：netA之寄生電容
C3：連接於netA之TFT之寄生電容
如上述式(1)所示，netA之寄生電容或連接於netA之TFT之寄生電容越大，則netA之電位之上升效率越小，netA之電位越低。因此，於本實施形態中，於主動型矩陣基板20a中，設置有抑制netA之寄生電容及連接於netA之TFT之寄生電容之至少一者之抑制部。關於本實施形態之抑制部之具體構成將於下文敍述。
於時刻t5，驅動閘極線13G(n+1)，將時脈信號CKA之L位準之電位、與時脈信號CKB之H位準之電位輸入至閘極驅動器11(n)。TFT-I成為導通狀態，TFT-H與TFT-J成為斷開狀態，故netB(n)被充電為H位準之電位。
此時，將閘極線13G(n+1)之H位準之電位輸入至TFT-C之閘極端子，TFT-C成為導通狀態。又，TFT-D成為導通狀態，TFT-B成為斷開狀態，netA(n)被充電為L位準之電位。而且，TFT-F成為斷開狀態，TFT-G成為導通狀態，故閘極線13G(n)被充電為L位準之電位，切換為非選擇狀態。
於時刻t5以後，netB(n)之電位根據時脈信號CKA、CKB之電位而重複H位準與L位準。netA(n)於時刻t5以後維持為L位準之電位，閘極線13G(n)維持為L位準之電位。
如此般，液晶顯示裝置1藉由閘極驅動器群11A~11D而依序驅動閘極線13G(1)~13G(M)，且藉由源極驅動器3而將資料信號供給至各源極線15S，藉此將圖像顯示於顯示面板2。
其次，對本實施形態之閘極驅動器11之配置例進行說明。圖7A及圖7B係表示驅動閘極線13G(n)之閘極驅動器11(n)之配置例之模式圖。再者，圖7A及圖7B中，為方便起見，僅記載字母A~K，省略 “TFT-”之記載，A~K對應於圖5所示之TFT-A~TFT-K。又，圖7A與圖7B設為於圖7A及圖7B之行200處連續。
如圖7A及圖7B所示，構成閘極驅動器11(n)之各元件配置於閘極線13G(n-2)~13G(n+1)之各閘極線之間。閘極驅動器11(n)與閘極線13G(n-1)、13G(n)、及13G(n+1)連接。
閘極驅動器11(n)之TFT-A~TFT-K及電容器Cbst分散配置於閘極線13G(n)與閘極線13G(n-1)之間之像素PIX。於本例中，為方便起見，TFT-A~TFT-K及電容器Cbst以除一部分像素以外鄰接之方式配置，亦可分別配置於與對向基板20b之彩色濾光片之R、G、B色中之特定顏色對應之像素PIX。
又，於圖7B中，表示將3個TFT並聯連接而構成作為輸出緩衝器發揮功能之TFT-F之例，但連接之TFT之數目並不限於此，只要連接2個以上之TFT即可。又，關於除TFT-F以外之其他TFT及電容器Cbst，亦可視需要連接複數個TFT及電容器而構成。
又，於圖7A及圖7B中省略圖示，閘極驅動器11(n)經由配線15L而與驅動閘極線13G(n+4)之閘極驅動器11、及驅動閘極線13G(n-4)之閘極驅動器11連接。
於圖7A中，供給電源電壓信號VSS之配線15L於與配置有TFT-J、TFT-K、TFT-H之行不同之其他行，以自端子部12g(參照圖3)與源極線15S大致平行之方式配線，且引繞至配置有TFT-J、TFT-K、及TFT-H之像素。又，於圖7B中，供給電源電壓信號VSS之配線15L亦於與配置有TFT-E、TFT-G之行不同之其他行，以自端子部12g(參照圖3)與源極線15S大致平行之方式配線，且引繞至配置有TFT-E、及TFT-G之像素。
於圖7B中，對3個TFT-F之各汲極端子供給時脈信號CKA。對各TFT-F供給時脈信號CKA之配線15L於與配置有TFT-F之行鄰接之行， 以自端子部12g(參照圖3)與源極線15S大致平行之方式配線，且引繞至配置有各TFT-F之像素。
如此，藉由對供給相同控制信號之複數個TFT設置共用之配線15L，而與針對每一TFT設置各控制信號之配線15L之情形相比，可減少配線數量。
此處，對配置有圖7B之3個TFT-F之像素之構成具體地進行說明。於以下之例中，將3個TFT-F之各者配置於與彩色濾光片(省略圖示)之B色對應之像素。
圖8係表示配置有圖7B之3個TFT-F中之1個TFT-F之像素之構成例之模式圖。於圖8中，行200x_r中排列有與彩色濾光片(省略圖示)之R色對應之像素，行200x_g中排列有與G色對應之像素，行200x_b中排列有與B色對應之像素。
於行200x_b之像素配置有TFT-F，於行200x_r與200x_g之各像素配線有與TFT-F連接之netA(n)。圖8中，為方便起見，表示1個TFT-F之配置例，但其他TFT-F亦同樣地配置於與B色對應之像素中，且經由netA(n)而相互連接。
於行200x_r、200x_g、及200x_b之各像素中，於閘極線13G與源極線15S交叉之附近，配置有圖像顯示用之TFT(以下，稱為TFT-PIX)。TFT-PIX與像素電極17經由接點CH1而連接。
TFT-F之源極端子15s經由接點CH2而與閘極線13G(n)連接。對TFT-F供給時脈信號CKA之配線15L之一部分係作為TFT-F之汲極端子15d而發揮功能。
此處，使用圖9A~9D對圖8所示之像素之剖面構造進行說明。圖9A係將圖8所示之TFT-PIX之部分沿I-I線切斷之剖視圖，圖9B係將圖8所示之接點CH1沿II-II線切斷之剖視圖。又，圖9C係將圖8所示之TFT-F之部分沿III-III線切斷之剖視圖，圖9D係將圖8所示之接點CH2 沿IV-IV線切斷之剖視圖。
如圖9A、9C、及9D所示，藉由於基板20上形成閘極層13而形成閘極線13G、TFT-F之閘極端子、及netA(n)。
如圖9A及圖9C所示，於閘極層13之上層，於形成有TFT-PIX之部分與形成有TFT-F之部分，隔著閘極絕緣膜21而形成包含氧化物半導體之半導體層14，且於半導體層14之上部以隔開之方式形成源極層15。藉此，如圖9A~圖9C所示，形成源極線15S、TFT-PIX與TFT-F各者之源極端子15s及汲極端子15d、以及配線15L。
如圖9D所示，於接點CH2處，於閘極絕緣膜21上形成有貫通至閘極層13之表面之接觸孔H2。源極層15以於接觸孔H2中與閘極層13接觸之方式形成於閘極絕緣膜21上。藉此，於接點CH2處，將TFT-F之源極端子15s與閘極線13G(n)加以連接。
又，如圖9A~圖9D所示，於源極層15之上層，以覆蓋源極層15之方式積層有保護膜22與保護膜23。保護膜22係由例如SiO2等無機絕緣膜構成。保護膜23係由例如正型之感光性樹脂膜等有機絕緣膜構成。進而，如圖9A~圖9D所示，於保護膜23之上層形成有屏蔽層16。屏蔽層16係由例如ITO等透明導電膜構成。而且，於屏蔽層16之上層，形成有例如以SiO2等無機絕緣膜所構成之層間絕緣層24。於層間絕緣層24之上層，如圖9C及圖9D所示形成有包含ITO等透明導電膜之像素電極17。
如圖9B所示，於接點CH1處，於TFT-PIX之汲極端子15之上部，形成有貫通層間絕緣層24、屏蔽層16、及保護膜22、23之接觸孔H1。像素電極17以於接觸孔H1中與汲極端子15d接觸之方式形成於層間絕緣層24之上層。
藉由形成屏蔽層16而於像素電極17與屏蔽層16之間形成電容，且藉由電容而使像素電極17之電位穩定化。又，於像素電極17與TFT- F及配線15L之間形成有屏蔽層16，故TFT-F及配線15L與像素電極17之間之干擾降低。再者，於本例中，像素電極17亦設置於與形成有閘極驅動器11之TFT、或netA及netB等內部配線之部分重疊之位置，但形成有該等之部分不會使光透過，故亦可不設置像素電極17。
然而，如圖8所示，連接於TFT-F之netA(n)配線係配置於未配置TFT-F之行200x_r及200x_g之像素中，且於netA(n)與屏蔽層16之間產生寄生電容。如上所述，若netA(n)之寄生電容變大，則netA(n)之電位之上升效率下降。其結果，無法於驅動閘極線13G(n)之時序使netA(n)上升至特定之電位，從而無法經由TFT-F將選擇電壓輸出至閘極線13G(n)。
因此，於本實施形態中，於配置有netA(n)之行200x_r及200x_g之像素中之屏蔽層16與netA(n)之間，形成有以與源極層15相同之材料所構成之電極部C1、C2(抑制部)。藉此，抑制netA(n)與屏蔽層16之間之寄生電容。
此處，圖9E中，表示將圖8之電極部C2之部分沿V-V線切斷之剖視圖。如圖9E所示，於形成有netA之閘極層13上，隔著閘極絕緣膜21而形成有源極層15。源極層15與閘極線13G經由接觸孔H2而連接。
再者，於上述之例中，對在設置於與配置有TFT-F之像素鄰接之像素之netA與屏蔽層16之間設置電極部之例進行了說明，但於配置有netA之其他像素中，於屏蔽層16與netA之間亦可設置電極部。
如此，於配置有netA之像素中，於netA與屏蔽層16之間形成有源極層15，藉此抑制netA與屏蔽層16之間之寄生電容。又，於netA上隔著閘極絕緣膜21而形成有源極層15，且使源極層15連接於閘極層13，藉此可形成以netA為一電極、且以源極層15為另一電極之電容器。因此，可使由電極部C1及C2所形成之電容器作為圖5及圖7B所示之電容器Cbst之一部分而發揮功能。
<第2實施形態>
於上述第1實施形態中，對藉由在配置有netA之像素於netA與屏蔽層16之間形成電極部C1、C2而抑制於netA與屏蔽層16之間產生之寄生電容之例進行了說明。於本實施形態中，對藉由與第1實施形態不同之構成而抑制netA與屏蔽層16之間之寄生電容之例進行說明。
圖10係表示配置有圖7B所示之3個TFT-F中之1個之像素之構成例之模式圖。於圖10中，對於與第1實施形態相同之構成標註與第1實施形態相同之符號。
於本實施形態中，於配置有netA(n)配線之行200x_r及200x_g之像素中之屏蔽層16中，於由與netA(n)重疊之虛線框160表示之部分設置有開口部(抑制部)。
此處，圖11中表示將圖10所示之虛線框160之部分沿VI-VI線切斷之剖視圖。如圖11所示，於形成有netA(n)之像素之屏蔽層16中，於與netA(n)重疊之部分形成有開口部160h。因此，netA(n)與屏蔽層16不重疊，從而抑制netA(n)與屏蔽層16之間之寄生電容。
再者，於以上所述中，使用圖10對形成有netA(n)之像素中之一部分像素之屏蔽層16中形成有開口部160h之例進行了說明，但於形成有netA(n)之其他像素之屏蔽層16中亦可同樣地形成開口部160h。
又，於第2實施形態中，亦可進一步使用上述第1實施形態之構成。亦即，如圖12所示，亦可於netA(n)與屏蔽層16之間形成源極層15且形成電極部C1、C2，並且於屏蔽層16，於與netA(n)重疊之部分設置開口部160h。如第1實施形態般，於形成有netA(n)之位置，藉由在netA(n)與屏蔽層16之間形成源極層15而抑制netA(n)之寄生電容，但閘極線13G之寄生電容増加。因此，如圖12般，於屏蔽層16中，於與netA(n)重疊之部分設置開口部160h，藉此可抑制netA(n)之寄生電容，並且可抑制閘極線13G之寄生電容。
<第3實施形態>
於上述第1實施形態及第2實施形態中，對抑制netA之寄生電容之例進行了說明，但如上述式(1)所示，連接於netA之TFT之寄生電容越大，則netA之電位之上升效率越小。因此，於本實施形態中，對抑制除TFT-F以外之TFT中的連接於netA之TFT-A~TFT-D之至少1者之寄生電容之例進行說明。
圖13係表示配置有圖7B所示之TFT-A之像素之構成例之模式圖。於圖13中，對於與上述第1實施形態相同之構成標註與第1實施形態相同之符號。
如圖13所示，TFT-A之汲極端子15d經由接點CH2而與netA(n)連接。TFT-A之閘極端子13g經由接點CH2而與供給重置信號CLR之配線15L連接。又，供給電源電壓信號VSS之配線15L之一部分係作為TFT-A之源極端子15s而發揮功能。
本實施形態中，於配置有TFT-A之像素中之屏蔽層16中，於以與TFT-A重疊之虛線框161所示之部分設置有開口部(抑制部)。圖14表示將圖13所示之TFT-A沿VII-VII線切斷之剖視圖。如圖14所示，於形成有TFT-A之像素中之屏蔽層16中，於與TFT-A重疊之部分形成有開口部161h。藉由開口部161h而使TFT-A之源極端子15s及汲極端子15d與屏蔽層16不重疊，可抑制TFT-A與屏蔽層16之間之寄生電容。
於本實施形態中，對抑制與TFT-A之寄生電容之構成進行了說明，但亦可於配置有連接於netA(n)之TFT-B~TFT-D之像素之屏蔽層16中，於與該等TFT重疊之部分設置開口部。藉由如此構成，可抑制連接於netA(n)之各TFT之寄生電容，且可使netA(n)之電位之上升效率提高。
又，於配置有TFT-F之像素中之屏蔽層16中，亦可同樣地設置開口部。TFT-F之閘極端子形成於與netA(n)相同之閘極層13，於閘極層 13上，設置有形成TFT-F之源極端子及汲極端子之源極層15。因此，即便於與TFT-F重疊之屏蔽層16設置開口部，與TFT-B~TFT-D相比，抑制netA(n)之寄生電容之效果亦較小，但可降低將控制信號供給至TFT-F之配線15L之寄生電容。
<第4實施形態>
於上述第3實施形態中，對藉由於配置有連接於netA(n)之TFT之像素之屏蔽層16，於與TFT重疊之部分設置開口部161h而抑制連接於netA(n)之TFT之寄生電容之例進行了說明。於本實施形態中，於連接於netA(n)之TFT設置面積互不相同之汲極端子與源極端子，且將面積較小之端子與netA(n)加以連接，藉此抑制連接於netA(n)之TFT之寄生電容。
以下，以配置有TFT-A之像素為例對抑制連接於netA(n)之TFT之寄生電容之構成進行說明。圖15係表示配置有TFT-A之像素之構成例之模式圖。於圖15中，對於與第3實施形態相同之構成標註與第3實施形態相同之符號。
如圖15所示，於本實施形態中，TFT-A係將源極端子15s與汲極端子15d配置成梳齒狀而構成。於本例中，源極端子15s具有較汲極端子15d大之面積。
源極端子15s之一個端部於像素內與源極線15S大致平行地延伸。 源極端子15s之延伸部分係作為供給電源電壓信號VSS之配線15L而發揮功能。汲極端子15d之一個端部係朝上段之像素而與源極線15S大致平行地延伸。汲極端子之延伸部分係作為用以連接於netA(n)之連接部151而發揮功能。連接部151經由接點CH2而與netA(n)連接。
如圖16之(a)所示，於將具有同等面積之矩形狀之源極端子15s與汲極端子15d平行地配置之具有通道寬度W之TFT之情形時，若將汲極端子15d與netA(n)加以連接，則虛線框P所示之部分成為有助於TFT 之寄生電容之區域。再者，即便於將源極端子15s與netA(n)加以連接之情形時，有助於TFT之寄生電容之區域亦成為與虛線框P所示之區域大致相同之面積。
另一方面，如圖16之(b)所示，於以使通道寬度成為W之方式將源極端子15s與汲極端子15d配置成梳齒狀之TFT之情形時，若於汲極端子15d之一端設置連接部151，則虛線框Q所示之區域成為有助於TFT之寄生電容之區域。亦即，與圖16之(a)所示之TFT之情形相比，於圖16之(b)所示之TFT中，藉由將面積較小之汲極端子15d與netA(n)加以連接而使有助於TFT之寄生電容之區域變小。其結果，可抑制TFT之寄生電容，且可抑制netA(n)之寄生電容。
於以上所述中對以配置有TFT-A之像素為例而抑制netA(n)之寄生電容之例進行了說明，但對於連接於netA(n)之TFT-A~TFT-D、TFT-F之至少1者亦可如圖15般構成。
再者，如圖15及圖16之(b)所示，於將源極端子與汲極端子配置成梳齒狀之TFT之情形時，與將源極端子與汲極端子大致平行地配置之圖16之(a)所示之TFT相比，TFT之面積變大，像素之開口率降低。 因此，亦可使構成配置有TFT-A之像素之一閘極線13G之寬度小於鄰接之像素之閘極線13G之寬度。具體而言，例如圖17所示，亦可使閘極線13G(n)及閘極線13G(n-1)中之配置於TFT-A附近之閘極線13G(n)之寬度h2小於鄰接之像素之閘極線13G(n)之寬度h1。藉由如此構成，可減輕配置有TFT-A之像素之開口率之降低。
以上，對本發明之實施形態進行了說明，但上述實施形態僅為用以實施本發明之例示。由此，本發明並不限定於上述實施形態，可於不脫離其要旨之範圍內將上述實施形態適當變化或組合而實施。以下，對本發明之變化例進行說明。
<變化例>
(1)於上述第3實施形態中，亦可將第1實施形態及第2實施形態之至少一者之抑制部之構成加以組合。藉由如此構成，可抑制netA之寄生電容，並且可抑制連接於netA之TFT之寄生電容。其結果，可使netA之電位之上升效率進一步提高。
(2)於上述之第1實施形態至第3實施形態中，亦可以如下方式構成：將連接於netA之TFT之源極端子與汲極端子與第4實施形態同樣地配置成梳齒狀，且將面積較小之端子連接於netA。藉由如此構成，可抑制netA之寄生電容，並且可抑制連接於netA之TFT之寄生電容。其結果，可使netA之電位之上升效率進一步提高。
13G(n-1)‧‧‧閘極線
13G(n)‧‧‧閘極線
15d‧‧‧汲極端子
15L‧‧‧配線
15s‧‧‧源極端子
15S‧‧‧源極線
16‧‧‧屏蔽層
17‧‧‧像素電極
200x_b‧‧‧行
200x_g‧‧‧行
200x_r‧‧‧行
C1‧‧‧抑制部
C2‧‧‧抑制部
CH1‧‧‧接點
CH2‧‧‧接點
CKA‧‧‧時脈信號
netA(n)‧‧‧內部配線
TFT-F‧‧‧輸出用開關元件
TFT-PIX‧‧‧圖像顯示用TFT

Claims (7)

  1. 一種主動型矩陣基板，其包含複數條源極線、及與上述複數條源極線交叉之複數條閘極線，且於由上述複數條源極線與上述複數條閘極線所規定之複數個像素區域之各者包含像素電極，且包含：驅動部，其設置於上述複數個像素區域中之一部分像素區域，且於每一閘極線包含驅動電路，該驅動電路根據被供給之控制信號而將閘極線切換為選擇狀態；及抑制部，其於上述一部分像素區域中，抑制上述驅動電路之寄生電容；且上述驅動電路包含：複數個開關元件；及內部配線，其連接於上述複數個開關元件中、輸出將一閘極線切換為選擇狀態之選擇電壓的輸出用開關元件之閘極端子、至少1個其他開關元件、及上述一閘極線；且上述抑制部設置於配置上述驅動電路之上述內部配線、及上述其他開關元件之至少一者之像素區域。
  2. 如請求項1之主動型矩陣基板，其中上述驅動電路於上述主動型矩陣基板中，設置於上述像素電極與設置有上述閘極線之層之間，於上述一部分像素區域中之上述像素電極與上述驅動電路之間包含導電層，上述抑制部設置於上述驅動電路之上述內部配線、上述其他開關元件之至少一者、及上述導電層重疊之位置。
  3. 如請求項2之主動型矩陣基板，其中上述內部配線形成於與上述 一閘極線相同之層，且上述抑制部於配置上述驅動電路之上述內部配線之像素區域，於上述導電層與上述內部配線之間包含電極部，該電極部經由接點而與上述一閘極線連接。
  4. 如請求項2或3之主動型矩陣基板，其中上述抑制部於配置上述驅動電路之上述內部配線之像素區域之上述導電層中，於與上述內部配線重疊之位置具有開口部。
  5. 如請求項2或3之主動型矩陣基板，其中上述抑制部於配置上述驅動電路中之上述其他開關元件之像素區域之上述導電層，於與上述其他開關元件重疊之位置具有開口部。
  6. 如請求項1至5中任一項之主動型矩陣基板，其中於上述其他開關元件中，設置面積互不相同之汲極端子與源極端子，且上述抑制部包含連接部，該連接部將上述汲極端子與上述源極端子中面積較小之端子與上述內部配線連接。
  7. 一種顯示裝置，其包含：如請求項1至6中任一項之主動型矩陣基板；對向基板，其包含彩色濾光片；及液晶層，其被夾持於上述主動型矩陣基板與上述對向基板之間。
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