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TW201518083A - 電子裝置之製造方法 - Google Patents

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TW201518083A
TW201518083A TW103126291A TW103126291A TW201518083A TW 201518083 A TW201518083 A TW 201518083A TW 103126291 A TW103126291 A TW 103126291A TW 103126291 A TW103126291 A TW 103126291A TW 201518083 A TW201518083 A TW 201518083A
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TW
Taiwan
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glass substrate
electronic device
resin layer
substrate
glass
Prior art date
Application number
TW103126291A
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English (en)
Inventor
Junichi Kakuta
Kenichi Ebata
Yoshitaka Matsuyama
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

本發明係關於一種電子裝置之製造方法，其係具有如下步驟者：自依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層、玻璃基板、及電子裝置用構件之附電子裝置用構件之積層體，以上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之界面作為剝離面，將附聚矽氧樹脂層之支持基材與電子裝置分離，而獲得上述電子裝置；且對作為上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之剝離界面之交界線之剝離線供給溶解度參數超過10之有機溶劑、或上述有機溶劑與水之混合溶液，而進行上述附聚矽氧樹脂層之支持基材與上述電子裝置之分離。

Description

電子裝置之製造方法
本發明係關於一種電子裝置之製造方法，尤其是關於一種具有對聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間之剝離線供給特定之有機溶劑而進行分離(剝離)之分離步驟的電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)等裝置(電子機器)之薄型化、輕量化不斷發展，用於該等裝置之玻璃基板之薄板化不斷發展。若因薄板化而導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之操作性降低。
因此，先前以來，廣泛採用如下方法：於厚於最終厚度之玻璃基板上形成裝置用構件(例如薄膜電晶體)之後，藉由化學蝕刻處理將玻璃基板薄板化。
然而，於該方法中，例如於將1片玻璃基板之厚度自0.7mm薄板化至0.2mm或0.1mm之情形時，由於利用蝕刻液將原本之玻璃基板之材料之大半削掉，故而就生產性或原材料之使用效率之觀點而言欠佳。又，於上述之利用化學蝕刻之玻璃基板之薄板化方法中，於在玻璃基板表面存在微細之損傷之情形時，有因蝕刻處理而以損傷為起點形成微細之凹處(腐蝕坑)，而成為光學缺陷之情況。
最近，為應對上述課題，提出有如下方法：準備積層有薄板玻璃基板與補強板之玻璃積層體，於玻璃積層體之薄板玻璃基板上形成 顯示裝置等之電子裝置用構件之後，自薄板玻璃基板分離支持板(例如參照專利文獻1)。補強板具有支持板、及固定於該支持板上之聚矽氧樹脂層，聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板可剝離地密接。將玻璃積層體之聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之界面剝離，自薄板玻璃基板分離之補強板可與新的薄板玻璃基板積層，作為玻璃積層體而再利用。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2007/018028號
近年來，伴隨形成於玻璃積層體之玻璃基板上之電子裝置用構件之高功能化或複雜化，形成電子裝置用構件時之溫度成為更高之溫度，並且曝露於該高溫下之時間亦需要長時間之情況並不少見。
專利文獻1中記載之玻璃積層體於大氣中300℃、1小時之處理中並未產生特殊問題。但是，根據本發明者等人之研究，於參照專利文獻1，對玻璃積層體進行350℃、1小時之處理之情形時，有如下情況：於將玻璃基板自聚矽氧樹脂層表面剝離時，玻璃基板未自樹脂層表面剝離而其一部分被破壞，或樹脂層之樹脂之一部分殘留於玻璃基板上，因此其結果為，於形成電子裝置用構件後無法順利地進行電子裝置之分離，從而導致電子裝置之生產性之降低。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種即便於高溫加熱處理條件後亦容易地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離的電子裝置之製造方法。
本發明者針對先前技術之問題點進行研究，結果發現，藉由對作為聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離界面之交界線之剝離線供給特定 性質之有機溶劑，而容易地進行剝離，從而完成本發明。
即，為達成上述目的，本發明之第1態樣係一種電子裝置之製造方法，其係具有如下步驟者：自依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層、玻璃基板、及電子裝置用構件之附電子裝置用構件之積層體，以上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之界面作為剝離面，將包含上述支持基材及上述聚矽氧樹脂層之附聚矽氧樹脂層之支持基材、與包含上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置分離，而獲得上述電子裝置；且對作為聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之剝離界面之交界線之剝離線供給溶解度參數超過10之有機溶劑、或上述有機溶劑與水之混合溶液，而進行上述附聚矽氧樹脂層之支持基材與上述電子裝置之分離。
於第1態樣中，較佳為有機溶劑包含可具有鹵素原子之醇系溶劑、或非質子性極性溶劑。
於第1態樣中，較佳為有機溶劑包含選自由碳數1~6之醇系溶劑、二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基亞碸(DMSO)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、環丁碸、及乙腈所組成之群中之至少1種。
於第1態樣中，較佳為聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
又，較佳為上述聚矽氧樹脂為加成反應型聚矽氧之硬化物，上述加成反應型聚矽氧為包含下述(a)及(b)之硬化性聚矽氧樹脂組合物，上述聚矽氧樹脂層係藉由使上述硬化性聚矽氧樹脂組合物於上述支持基材之表面硬化而形成：(a)每1分子具有至少2個烯基之線性有機聚矽氧烷，(b)每1分子具有至少3個與矽原子鍵結之氫原子，且與矽原子鍵結之氫原子之至少1個存在於分子末端之矽原子之線性有機聚矽氧烷。
根據本發明，可提供一種即便於高溫加熱處理條件後亦容易地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離的電子裝置之製造方法。
10‧‧‧電子裝置用構件之積層體
12‧‧‧支持基材
14、30‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧矽氧樹脂層之第1主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧電子裝置用構件
20‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材
22‧‧‧電子裝置
24‧‧‧溶液
26、A‧‧‧玻璃積層體
40‧‧‧支持玻璃基板
50‧‧‧薄板玻璃基板
60、70‧‧‧聚碳酸酯
80‧‧‧液晶面板
82‧‧‧TFT基板
83‧‧‧TFT元件
84‧‧‧CF基板
85‧‧‧濾色器元件
86‧‧‧液晶層
90‧‧‧電子紙
91‧‧‧電子紙元件
92‧‧‧TFT層
94‧‧‧電工學介質之層
96‧‧‧透明電極
98‧‧‧前面板
圖1(A)~圖1(C)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之分離步驟之程序的模式性剖面圖。
圖2(A)及圖2(B)分別為圖1(B)之狀態之立體剖面圖及俯視圖。
圖3(A)及圖3(B)係表示電子裝置之構成例之模式性剖面圖。
圖4(A)~圖4(C)係依序表示附電子裝置用構件之積層體之製造方法之各步驟之程序的模式性剖面圖。
圖5係剝離強度之測定裝置之概要圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限制於以下之實施形態，可於不脫離本發明之範圍之情況下對以下之實施形態進行各種變化及置換。
作為本發明之電子裝置之製造方法之特徵點，可列舉對作為聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離界面之交界線之剝離線供給顯示特定之溶解度參數(SP值)之有機溶劑或上述有機溶劑與水之混合溶液之點。推測藉由供給上述有機溶劑或混合溶液，有機溶劑滲入至聚矽氧樹脂層之玻璃基板側之表層，使聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面接著力降低，因此更容易地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離。
本發明之電子裝置之製造方法至少具有如下步驟(分離步驟)：自依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層、玻璃基板、及電子裝置用構件之附電子裝置用構件之積層體，以聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面作為剝離面，將包含支持基材及聚矽氧樹脂層之附聚矽氧樹脂層之支持基材、與包含玻璃基板及電子裝置用構件之電子裝置分離，而獲得電子 裝置。
圖1(A)~圖1(C)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之分離步驟之程序的模式性剖面圖。以下，一面參照圖1(A)~圖1(C)，一面詳細闡述分離步驟之程序。
首先，準備具有支持基材、配置於支持基材上之聚矽氧樹脂層、配置於聚矽氧樹脂層上之玻璃基板、及配置於玻璃基板上之電子裝置用構件的附電子裝置用構件之積層體。圖1(A)係本發明之附電子裝置用構件之積層體之一例之模式性剖面圖。
如圖1(A)所示，附電子裝置用構件之積層體10依序具有支持基材12、聚矽氧樹脂層14、玻璃基板16、及電子裝置用構件18。再者，聚矽氧樹脂層14較佳為其一面固定於支持基板12之層，並且其另一面與玻璃基板16之第1主面接觸，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面可剝離地密接。
包含支持基材12之層及聚矽氧樹脂層14之2層部分於製造液晶面板等電子裝置用構件之下述構件形成步驟中，補強玻璃基板16。包含支持基材12之層及聚矽氧樹脂層14之2層部分亦稱為附聚矽氧樹脂層之支持基材20。
又，包含玻璃基板16及電子裝置用構件18之2層部分亦稱為電子裝置22。
再者，對於構成附電子裝置用構件之積層體之各構件及其製造程序，於後段進行總述。
首先，對以聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面作為剝離面，自附電子裝置用構件之積層體，將附聚矽氧樹脂層之支持基材與電子裝置分離之程序進行說明。
首先，於自附電子裝置用構件之積層體，將附聚矽氧樹脂層之支持基材與電子裝置分離時，較佳為對聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界 面賦予剝離之起點。例如，於圖1(A)中之玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之界面插入鋒利之刃具狀者而賦予剝離之起點。
繼而，如圖1(B)所示，進行附聚矽氧樹脂層之支持基材20與電子裝置22之分離。此時，對作為聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之剝離界面之交界線之剝離線供給溶解度參數超過10之有機溶劑、或該有機溶劑與水之混合溶液(將該等統稱為溶液24)。
圖2(A)及圖2(B)表示圖1(B)之狀態之立體剖面圖及俯視圖，顯示剝離線X(剝離交界線)。剝離線X係表示聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16未經剝離之部分、與聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16經剝離之部分之交界之線。如圖2(A)及圖2(B)所示，於一面上拉電子裝置22之一端側一面進行剝離之情形時，剝離線X自電子裝置之一端側向另一端側(自圖2(B)之右側向左側)移動。
作為供給至剝離線之有機溶劑，使用溶解度參數(SP值：cal/cm3)超過10之有機溶劑。其中，就更良好地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離之方面而言，有機溶劑之溶解度參數較佳為11以上。上限並無特別限制，就潤濕性之方面而言，通常較佳為23以下。
有機溶劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
再者，所謂溶解度參數(δ)，係將有機溶劑之每1莫耳之蒸發熱設為△H(cal/mol)，將莫耳體積設為V(cm3‧mol)時，藉由δ=(△H/V)1/2定義之值。
又，有機溶劑之對下述聚矽氧樹脂層之接觸角並無特別限制，就更良好地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離之方面而言，較佳為90°以下。
再者，接觸角之測定方法係使用協和界面科學股份有限公司製造之PCA-1，將液滴之滴加量設為1μl，於23℃下每1樣品面滴加5點，對滴加60秒後之接觸角進行測定。求出去除5點之接觸角中之最 大值、最小值之各1點所得之3點的接觸角之平均值作為接觸角。
又，作為供給至剝離線之溶液，亦可列舉溶解度參數超過10之有機溶劑與水之混合溶液。有機溶劑之定義如上所述。
混合溶液中之有機溶劑之含量並無特別限制，就更良好地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離之方面而言，相對於混合溶液總量，較佳為10質量%以上，更佳為20質量%以上。上限並無特別限制。
作為有機溶劑之較佳態樣，就更良好地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離之方面而言，可列舉滿足上述溶解度參數且可具有鹵素原子之醇系溶劑、或非質子性極性溶劑。
作為醇系溶劑，就更良好地進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離之方面而言，可較佳地列舉碳數1~6之醇系溶劑，更佳為碳數1~3之醇系溶劑。具體而言，可列舉乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇等。再者，醇系溶劑亦可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中之任一種。
又，醇系溶劑中亦可包含鹵素原子。即，亦可為氫原子被鹵素原子取代之醇系溶劑。作為鹵素原子，可列舉：氟原子、溴原子、碘原子等。
作為非質子性極性溶劑，可列舉：二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基亞碸(DMSO)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、環丁碸、或乙腈等。
有機溶劑或混合溶液之供給方法並無特別限制，可列舉：使用注射器等對剝離線直接供給有機溶劑或混合溶液之方法，或利用噴霧將有機溶劑或混合溶液吹送至剝離線之方法等。
又，若將有機溶劑或混合溶液暫且供給至剝離線，則於伴隨聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離而剝離線移動時，有機溶劑或混合溶液亦藉由毛細現象而沿著剝離線移動，因此容易繼續進行聚矽氧樹脂層與玻璃基板之剝離。又，正在進行剝離時，亦可對剝離線連續地供給 有機溶劑或混合溶液。
再者，有機溶劑或混合溶液之供給量並無特別限制，只要供給覆蓋剝離線之程度之量即可。
進行附聚矽氧樹脂層之支持基材20與電子裝置22之分離之方法並無特別限制，可使用公知之方法。
例如，以附電子裝置用構件之積層體10之支持基材12成為上側、電子裝置用構件18側成為下側之方式設置於壓盤上，使電子裝置用構件18側真空吸附於壓盤上，於該狀態下，首先將刃具插入至聚矽氧樹脂層14-玻璃基板16界面。繼而，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基材12側，自插入刃具之部位附近依序使真空吸附墊上升。
藉由實施上述處理，如圖1(C)所示，可將附電子裝置用構件之積層體10分離為附聚矽氧樹脂層之支持基材20與電子裝置22。
再者，可於附聚矽氧樹脂層之支持基材20上積層新的玻璃基板16及電子裝置用構件18，作為附電子裝置用構件之玻璃積層體10而再利用。
又，利用上述方法製造之電子裝置22(包含玻璃基板16及電子裝置用構件18之積層體)可用作具有玻璃基板與顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板與太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板與薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池、具有玻璃基板與電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
再者，作為電子裝置之更具體之例，於進行下述構件形成步驟中所述之TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display，薄膜電晶體-液晶顯示器)之製造之情形時，可獲得如圖3(A)所示之液晶面板。圖3(A)所示之液晶面板80包含TFT基板82、CF(color filter，濾色器)基板84、及液晶層86等。TFT基板82係於玻璃基板16上圖案形成 TFT元件(薄膜電晶體)83等而成。CF基板84係於玻璃基板16上圖案形成濾色器元件85而成。TFT基板82及CF基板84亦相當於上述電子裝置。
又，作為電子裝置之其他具體例，可列舉圖3(B)所示之電子紙。圖3(B)中，電子紙90例如包含玻璃基板16、TFT層92、包含電工學介質(例如微膠囊)之層94、透明電極96、及前面板98。電子紙元件91包含TFT層92、電工學介質之層94、及透明電極96等。電子紙元件可為微膠囊型、共平面型、扭轉球型、粒子移動型、電子噴流型、聚合物網路型中之任一種。
以下，記載上述所使用之附電子裝置用構件之積層體10之各構成(支持基材12、聚矽氧樹脂層14、玻璃基板16、電子裝置用構件18)之說明、及附電子裝置用構件之積層體10之製造方法。
再者，支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面具有剝離強度(x)，若對支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面發生剝離。聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面具有剝離強度(y)，若對聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離。
於附電子裝置用構件之積層體10中，通常較佳為上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。若為該態樣，則若對附電子裝置用構件之積層體10施加剝離支持基材12與玻璃基板16之方向之應力，則本發明之附電子裝置用構件之玻璃積層體10於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面發生剝離，而更容易地分離為電子裝置22與附聚矽氧樹脂層之支持基材20。
剝離強度(x)較佳為與剝離強度(y)相比充分高。提高剝離強度(x)意味著可提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，且於加熱處理 後可對玻璃基板16維持相對更高之附著力。
為提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12之附著力，例如較佳為使交聯性有機聚矽氧烷於支持基材12上進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14。利用交聯硬化時之接著力，可形成對支持基材12以高結合力結合之聚矽氧樹脂層14。
另一方面，通常交聯硬化後之交聯性有機聚矽氧烷之硬化物對玻璃基板16之結合力低於上述交聯硬化時產生之結合力。因此，較佳為於支持基材12上使交聯性有機聚矽氧烷進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14，其後於聚矽氧樹脂層14之面積層玻璃基板16。
[支持基材]
支持基材12支持而補強玻璃基板16，於下述構件形成步驟(製造電子裝置用構件之步驟)中，於製造電子裝置用構件時防止玻璃基板16之變形、損傷、破損等。
作為支持基材12，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS板等金屬板等。通常，由於下述構件形成步驟伴隨熱處理，故而支持基材12較佳為由與玻璃基板16之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為由與玻璃基板16相同之材料形成，支持基材12較佳為玻璃板。尤其較佳為支持基材12為包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之玻璃板。
支持基材12之厚度可厚於玻璃基板16，亦可薄於玻璃基板16。較佳為基於玻璃基板16之厚度、聚矽氧樹脂層14之厚度而選擇支持基材12之厚度。例如，現行之構件形成步驟係以對厚度0.5mm之基板進行處理之方式設計者，於玻璃基板16之厚度與聚矽氧樹脂層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基材12之厚度設為0.4mm。支持基材12之厚度於通常情況下較佳為0.2~5.0mm。
於支持基材12為玻璃板之情形時，就容易處理，且不易破裂等理由而言，玻璃板之厚度較佳為0.08mm以上。又，就期望如於形成 電子裝置用構件後進行剝離時不破裂而適度地彎曲之剛性之理由而言，玻璃板之厚度較佳為1.0mm以下。
支持基材12與玻璃基板16於25~300℃下之平均線膨脹係數之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則於下述構件形成步驟中之加熱冷卻時，有支持基材12與玻璃基板16發生剝離等之可能性。於支持基材12之材料與玻璃基板16之材料相同之情形時，可抑制此種問題之產生。
[聚矽氧樹脂層]
聚矽氧樹脂層14於進行將附聚矽氧樹脂層之支持基材20與電子裝置22分離之操作之前防止玻璃基板16之位置偏移，並且防止玻璃基板16等因分離操作而破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16接觸之表面14a可剝離地密接於玻璃基板16之第1主面16a。較佳為聚矽氧樹脂層14以較弱之結合力結合於玻璃基板16之第1主面16a，其界面之剝離強度(y)低於聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間之界面之剝離強度(x)。
即，於將玻璃基板16與支持基材12分離時，較佳為於玻璃基板16之第1主面16a與聚矽氧樹脂層14之界面進行剝離，於支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面不易剝離。於該較佳態樣中，聚矽氧樹脂層14具有與玻璃基板16之第1主面16a密接，但可容易地剝離玻璃基板16之表面特性。即，聚矽氧樹脂層14對玻璃基板16之第1主面16a以某程度之結合力結合而防止玻璃基板16之位置偏移等，並且以於剝離玻璃基板16時，不會破壞玻璃基板16而可容易地剝離之程度之結合力結合。將該聚矽氧樹脂層14表面之可容易地剝離之性質稱為剝離性。另一方面，支持基材12之第1主面與聚矽氧樹脂層14以相對不易剝離之結合力結合。
再者，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面之結合力亦可於在 玻璃基板16之面(第2主面16b)上形成電子裝置用構件之前後發生變化(即，亦可改變剝離強度(x)或剝離強度(y))。但是，較佳為即便於形成電子裝置用構件之後，剝離強度(y)亦低於剝離強度(x)。
聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層較佳為以較弱之接著力或起因於凡得瓦力之結合力結合。於形成聚矽氧樹脂層14後於其表面積層玻璃基板16之情形時，當聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂充分交聯至不顯示接著力之程度時，可認為以起因於凡得瓦力之結合力結合。但是，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂具有某程度之較弱之接著力之情況並不少見。認為即便於接著性極低之情形時，於形成電子裝置用構件時，藉由加熱操作等，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂亦會接著於玻璃基板16表面，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之間之結合力上升。
視情況，亦可對積層前之聚矽氧樹脂層14之表面或積層前之玻璃基板16之第1主面16a進行減弱兩者間之結合力之處理而積層。藉由對積層之面進行非接著性處理等，其後進行積層，可減弱聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之界面之結合力，降低剝離強度(y)。
又，聚矽氧樹脂層14較佳為以接著力或黏著力等較強之結合力結合於支持基材12表面。例如，如上所述，藉由使交聯性有機聚矽氧烷於支持基材12表面交聯硬化，可使作為交聯物之聚矽氧樹脂接著於支持基材12表面，獲得高結合力。又，可於支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間實施產生強結合力之處理(例如使用偶合劑之處理)而提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間之結合力。
聚矽氧樹脂層14與支持基材12之層以高結合力結合意味著兩者之界面之剝離強度(x)較高。
聚矽氧樹脂層14之厚度並無特別限定，較佳為2~100μm，更佳為3~50μm，進而較佳為7~20μm。若聚矽氧樹脂層14之厚度為此種範圍，則即便有氣泡或異物介存於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間 之情況，亦可抑制玻璃基板16之變形缺陷之產生。又，若聚矽氧樹脂層14之厚度過厚，則有因形成需要時間及材料而不經濟，且耐熱性降低之情況。又，若聚矽氧樹脂層14之厚度過薄，則有聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之密接性降低之情況。
再者，聚矽氧樹脂層14亦可包含2層以上。於該情形時，「聚矽氧樹脂層14之厚度」意指全部層之合計厚度。
又，於聚矽氧樹脂層14包含2層以上之情形時，亦可係形成各層之樹脂包含不同之交聯聚矽氧樹脂。
較佳為聚矽氧樹脂層14中所含之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，聚矽氧樹脂形成立體網狀結構。
交聯性有機聚矽氧烷之種類並無特別限制，只要成為經由特定之交聯反應進行交聯硬化而構成聚矽氧樹脂之交聯物(硬化物)，則其結構並無特別限定，只要具有特定之交聯性即可。交聯之形式並無特別限制，可根據交聯性有機聚矽氧烷中所含之交聯性基之種類適當地採用公知之形式。例如可列舉：矽氫化反應、縮合反應、或加熱處理、高能量線處理或者利用自由基聚合起始劑之自由基反應等。
更具體而言，於交聯性有機聚矽氧烷具有烯基或炔基等自由基反應性基之情形時，藉由經由上述自由基反應之自由基反應性基彼此之反應進行交聯而成為硬化物(交聯聚矽氧樹脂)。
又，於交聯性有機聚矽氧烷具有矽烷醇基之情形時，藉由矽烷醇基彼此之縮合反應進行交聯而成為硬化物。
進而，於交聯性有機聚矽氧烷包含具有與矽原子鍵結之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即有機烯基聚矽氧烷)、及具有與矽原子鍵結之氫原子(氫矽烷基)之有機聚矽氧烷(即有機氫聚矽氧烷)之情形時，於矽氫化觸媒(例如鉑系觸媒)之存在下，藉由矽氫化反應進行交聯而成為硬化物。
其中，就聚矽氧樹脂層14之形成較容易，玻璃基板之剝離性更優異之方面而言，較佳為交聯性有機聚矽氧烷包含於兩末端及/或側鏈具有烯基之有機聚矽氧烷(以下亦適當稱為有機聚矽氧烷A)、及於兩末端及/或側鏈具有氫矽烷基之有機聚矽氧烷(以下亦適當稱為有機聚矽氧烷B)之態樣。
再者，作為烯基，並無特別限定，例如可列舉：乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己炔基等，其中，就耐熱性優異之方面而言，較佳為乙烯基。
又，作為有機聚矽氧烷A中所含之烯基以外之基、及有機聚矽氧烷B中所含之氫矽烷基以外之基，可列舉烷基(尤其是碳數4以下之烷基)。
有機聚矽氧烷A中之烯基之位置並無特別限制，於有機聚矽氧烷A為直鏈狀之情形時，烯基可存在於下述所示之M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元與D單元之兩者。就硬化速度之方面而言，較佳為至少存在於M單元，較佳為存在於2個M單元之兩者。
再者，所謂M單元及D單元，係有機聚矽氧烷之基本構成單元之例，所謂M單元，係鍵結有3個有機基之1官能性之矽氧烷單元，所謂D單元，係鍵結有2個有機基之2官能性之矽氧烷單元。於矽氧烷單元中，矽氧烷鍵為2個矽原子經由1個氧原子鍵結之鍵，因此矽氧烷鍵中之每1個矽原子之氧原子視為1/2個，式中表現為O1/2。
有機聚矽氧烷A中之烯基之數量並無特別限制，較佳為於1分子中有1~3個，更佳為2個。
有機聚矽氧烷B中之氫矽烷基之位置並無特別限制，於有機聚矽氧烷B為直鏈狀之情形時，氫矽烷基可存在於M單元及D單元中之任一者，亦可存在於M單元與D單元之兩者。就硬化速度之方面而言，較佳為至少存在於D單元。
有機聚矽氧烷B中之氫矽烷基之數量並無特別限制，較佳為於1分子中具有至少3個，更佳為3個。
有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B之混合比率並無特別限制，較佳為以有機聚矽氧烷B中之矽原子上所鍵結之氫原子與有機聚矽氧烷A中之全部烯基之莫耳比(氫原子/烯基)成為0.7~1.05之方式進行調整。其中，較佳為以成為0.8~1.0之方式調整混合比率。
作為矽氫化觸媒，較佳為使用鉑族金屬系觸媒。作為鉑族金屬系觸媒，可列舉鉑系、鈀系、銠系等之觸媒，就經濟性、反應性之方面而言，尤其較佳為作為鉑系觸媒使用。作為鉑族金屬系觸媒，可使用公知者。具體而言，可列舉：鉑微粉末、鉑黑、氯亞鉑酸、氯鉑酸等氯鉑酸、四氯化鉑、氯鉑酸之醇化合物、醛化合物、或者鉑之烯烴錯合物、烯基矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。
作為矽氫化觸媒之使用量，相對於有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B之合計質量100質量份，較佳為0.1~20質量份，更佳為1~10質量份。
交聯性有機聚矽氧烷之數量平均分子量並無特別限制，就操作性優異，並且成膜性亦優異，高溫處理條件下之聚矽氧樹脂之分解進一步得到抑制之方面而言，利用GPC(凝膠滲透層析法)測定所得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量較佳為1,000~5,000,000，更佳為2,000~3,000,000。
交聯性有機聚矽氧烷之黏度較佳為10~5000mPa‧s，更佳為15~3000mPa‧s。
又，作為交聯性有機聚矽氧烷之具體市售之商品名或型號，作為不具有芳香族基之交聯性有機聚矽氧烷，可列舉：KNS-320A、KS-847(均為Shin-Etsu Silicone公司製造)、TPR6700(Momentive Performance Materials Japan有限公司製造)、乙烯基聚矽氧「8500」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11364」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合、乙烯基聚矽氧「11365」(荒川化學工業公司製造)與甲基氫聚矽氧烷「12031」(荒川化學工業公司製造)之組合等。作為聚矽氧樹脂，較佳為加成反應型聚矽氧。其原因在於，硬化反應之進行容易性、於形成聚矽氧樹脂層時剝離性之程度良好，耐熱性亦較高。加成反應型聚矽氧較佳為包含下述線性有機聚矽氧烷(a)及下述線性有機聚矽氧烷(b)之硬化性聚矽氧樹脂組合物(線性有機聚矽氧烷(a)：每1分子具有至少2個烯基之線性有機聚矽氧烷。線性有機聚矽氧烷(b)：每1分子具有至少3個與矽原子鍵結之氫原子，且與矽原子鍵結之氫原子之至少1個存在於分子末端之矽原子之線性有機聚矽氧烷)。
聚矽氧樹脂層14更佳為藉由使該硬化性聚矽氧樹脂組合物於支持基材12之表面硬化而形成之硬化聚矽氧樹脂層。
[玻璃基板]
玻璃基板16係第1主面16a與聚矽氧樹脂層14接觸，於與聚矽氧樹脂層14側為相反側之第2主面16b設置電子裝置用構件。
玻璃基板16之種類可為一般者，例如可列舉LCD、OLED之類之顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板16之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，使用JIS R 3102(1995年 修訂)所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板16之線膨脹係數較大，則由於多數情況為下述構件形成步驟伴隨加熱處理，故而容易產生各種不良情況。例如，於玻璃基板16上形成TFT之情形時，若對在加熱下形成有TFT之玻璃基板16進行冷卻，則有因玻璃基板16之熱收縮而導致TFT之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板16係熔融玻璃原料，並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為一般者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板16係利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，並利用延伸等方法進行拉伸而使之變薄之方法(再曳引法)成形而獲得。
玻璃基板16之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、以其他氧化矽為主成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板16之玻璃，可採用適合電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故而液晶面板用之玻璃基板包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但是，通常包含鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板16之玻璃可基於所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當地選擇。
就玻璃基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，玻璃基板16之厚度較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下，進而較佳為0.10mm以下。於0.3mm以下之情形時，可對玻璃基板16賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板16捲取為輥狀。
又，就玻璃基板16之製造較容易，玻璃基板16之操作較容易等理由而言，玻璃基板16之厚度較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板16亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為異種材料。又，於該情形時，「玻璃基板16之厚度」意指全部層之合計厚度。
[電子裝置用構件(功能性元件)]
電子裝置用構件18係形成於玻璃基板16上，構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件18，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，於矽型中，可列舉正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，除此以外，可列舉對應化合物型、染料敏化型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，於鋰離子型中，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除此以外，可列舉對應鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除此以外，可列舉對應壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等之各種構件等。
[附電子裝置用構件之積層體之製造方法]
附電子裝置用構件之積層體10之製造方法並無特別限制，為獲得剝離強度(x)高於剝離強度(y)之積層體，較佳為包含於支持基材12表面上使特定之交聯性有機聚矽氧烷進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂 層14之步驟。即，係如下方法：於支持基材12之表面形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層，並於支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成聚矽氧樹脂層14(交聯聚矽氧樹脂)，繼而於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16，進而於玻璃基板16上形成電子裝置用構件18，而製造附電子裝置用構件之積層體10。
認為若使交聯性有機聚矽氧烷於支持基材12表面硬化，則藉由硬化反應時之與支持基材12表面之相互作用接著，聚矽氧樹脂與支持基材12表面之剝離強度變高。因此，即便玻璃基板16與支持基材12為包含相同之材質者，亦可於聚矽氧樹脂層14與兩者間之剝離強度設置差異。
以下，將於支持基材12之表面形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層，並於支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成聚矽氧樹脂層14之步驟稱為樹脂層形成步驟，將於聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16之步驟稱為積層步驟，將於玻璃基板16上形成電子裝置用構件18之步驟稱為構件形成步驟，對各步驟之程序進行詳細闡述。
(樹脂層形成步驟)
於樹脂層形成步驟中，於支持基材12之表面形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層，並於支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯，而形成聚矽氧樹脂層14。
為於支持基材12上形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層，較佳為使用使交聯性有機聚矽氧烷溶解於溶劑中而成之塗佈用組合物，將該組合物塗佈於支持基材12上而形成溶液之層，繼而去除溶劑，而製成包含交聯性有機聚矽氧烷之層。藉由組合物中之交聯性有機聚矽氧烷之濃度之調整等，可控制包含交聯性有機聚矽氧烷之層之厚度。
作為溶劑，只要為於作業環境下可容易地溶解交聯性有機聚矽 氧烷，且可容易地揮發去除之溶劑，則並無特別限定。具體而言，例如可例示：乙酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF(Tetrahydrofuran，四氫呋喃)、氯仿等。
於支持基材12表面上塗佈包含交聯性有機聚矽氧烷之組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模具塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
其後，亦可視需要實施用以去除溶劑之乾燥處理。乾燥處理之方法並無特別限制，例如可列舉於減壓條件下去除溶劑之方法、或於如不會使交聯性有機聚矽氧烷之硬化進行之溫度下進行加熱之方法等。
繼而，使支持基材12上之交聯性有機聚矽氧烷交聯，而形成聚矽氧樹脂層14。更具體而言，如圖4(A)所示，於該步驟中，於支持基材12之至少單面之表面上形成聚矽氧樹脂層14。
硬化(交聯)之方法如上所述，可根據交聯性有機聚矽氧烷之交聯形式適當地選擇最佳之方法，例如可列舉加熱處理或曝光處理。其中，於交聯性有機聚矽氧烷藉由矽氫化反應、縮合反應、自由基反應進行交聯之情形時，就獲得對玻璃基板16之密接性及耐熱性優異之聚矽氧樹脂之方面而言，較佳為藉由熱硬化製造聚矽氧樹脂層14。
以下，對熱硬化之態樣進行詳細闡述。
就提高聚矽氧樹脂層14之耐熱性而言，使交聯性有機聚矽氧烷熱硬化之溫度條件較佳為150~300℃，更佳為180~250℃。又，加熱時間通常較佳為10~120分鐘，更佳為30~60分鐘。
再者，交聯性有機聚矽氧烷亦可於進行預硬化(Precure)後，進行後硬化(正式硬化)而硬化。藉由進行預硬化，可獲得耐熱性更優異之聚矽氧樹脂層14。預硬化較佳為緊接著溶劑之去除進行，於該情形 時，自層去除溶劑而形成包含交聯性有機聚矽氧烷之層之步驟與進行預硬化之步驟並未特別區分。
再者，聚矽氧樹脂層14之形成並非限於上述方法者。
例如，於使用對聚矽氧樹脂表面之密接性高於玻璃基板16之材質之支持基材12之情形時，可使交聯性有機聚矽氧烷於某些剝離性表面上硬化而製造聚矽氧樹脂之膜，並使該膜介置於玻璃基板16與支持基材12之間，同時進行積層。
又，於由交聯性有機聚矽氧烷之硬化所得之接著性相對於玻璃基板16充分低且該接著性相對於支持基材12充分高之情形時，可於玻璃基板16與支持基材12之間使交聯性有機聚矽氧烷硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
進而，即便於支持基材12包含與玻璃基板16相同之玻璃材料之情形時，亦可實施提高支持基材12表面之接著性之處理而提高對聚矽氧樹脂層14之剝離強度。例如可例示如下方法：如矽烷偶合劑般以化學方式提高固定力之化學方法(底塗處理)，或如火焰(flame)處理般增加表面活性基之物理方法，如噴砂處理般藉由增加表面之粗糙度而增加互著力之機械處理方法等。
(積層步驟)
積層步驟係於上述之樹脂層形成步驟中獲得之聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16，獲得依序具備支持基材12之層、聚矽氧樹脂層14及玻璃基板16之層之玻璃積層體的步驟。更具體而言，如圖4(B)所示，以聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側為相反側之表面14a與具有第1主面16a及第2主面16b之玻璃基板16之第1主面16a作為積層面，積層聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16，獲得玻璃積層體26。
將玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上之方法並無特別限制， 可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下於聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之方法。再者，亦可視需要於在聚矽氧樹脂層14之表面上重疊玻璃基板16之後，利用輥或加壓使玻璃基板16壓接於聚矽氧樹脂層14。藉由利用輥或加壓之壓接，可相對容易地去除混入至聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之層之間之氣泡，因此較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可抑制氣泡之混入或確保良好之密接，因此更佳。藉由於真空下進行壓接，亦有即便於殘留有微小之氣泡之情形時，氣泡亦不會因加熱而成長，不易導致玻璃基板16之變形缺陷之優點。
於積層玻璃基板16時，較佳為將與聚矽氧樹脂層14接觸之玻璃基板16之表面充分地洗淨，於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，玻璃基板16之平坦性變得越良好，因此較佳。
再者，積層玻璃基板16之後，亦可視需要進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，可提高所積層之玻璃基板16之對聚矽氧樹脂層14之密接性，而成為適當之剝離強度(y)，於下述構件形成步驟時變得不易產生電子裝置用構件之位置偏移等，電子裝置之生產性提高。
預退火處理之條件可根據所使用之聚矽氧樹脂層14之種類適當地選擇最佳之條件，就使玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之間之剝離強度(y)更適當之方面而言，較佳為於300℃以上(較佳為300~400℃)進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)加熱處理。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中獲得之玻璃積層體26中之玻璃基板16上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖4(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子裝置用構件 18，獲得附電子裝置用構件之積層體10。
本步驟之程序並無特別限定，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻璃積層體26之玻璃基板16之第2主面16b表面上形成電子裝置用構件18。
再者，電子裝置用構件18亦可並非為最終形成於玻璃基板16之第2主面16b之構件之全部(以下稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可使自聚矽氧樹脂層14剝離之附部分構件之玻璃基板於其後之步驟中成為附全部構件之玻璃基板(相當於下述之電子裝置)。
又，對於自聚矽氧樹脂層14剝離之附全部構件之玻璃基板，亦可於其剝離面(第1主面16a)形成其他電子裝置用構件。又，亦可組裝附全部構件之積層體，其後自附全部構件之積層體剝離支持基材12，而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體進行組裝，其後自附全部構件之積層體剝離2片支持基材12，而製造具有2片玻璃基板之附構件之玻璃基板。
例如，若以製造OLED之情形為例，則為了於玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側為相反側之表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL構造體而進行如下各種層形成或處理：形成透明電極，進而於形成透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等，形成背面電極，使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，具有如下步驟等各種步驟：TFT形成步驟，其係於玻璃積層體26之玻璃基板16之第2主面16b上使用抗蝕液對藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法形成之金屬膜及金屬氧化膜等進行形成圖案而 形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，其係於另一玻璃積層體26之玻璃基板16之第2主面16b上將抗蝕液用於圖案形成而形成濾色器(CF)；及貼合步驟，其係將TFT形成步驟中獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中獲得之附CF之積層體積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用眾所周知之光微影技術或蝕刻技術等，於玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF之前，亦可視需要將玻璃基板16之第2主面16b洗淨。作為洗淨方法，可使用眾所周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
於貼合步驟中，使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面與附CF之積層體之濾色器形成面對向，使用密封劑(例如元件形成用紫外線硬化型密封劑)貼合。其後，於由附TFT之積層體與附CF之積層體形成之元件內注入液晶材料。作為注入液晶材料之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
[實施例]
以下，藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不受該等例限定。
<實施例1>
利用純水洗淨、UV(Ultraviolet，紫外線)洗淨等將縱400mm、橫300mm、厚度0.7mm、線膨脹係數38×10-7/℃之支持玻璃基板(旭硝子股份有限公司製造，AN100)洗淨之後，利用旋轉塗佈機將無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧(Shin-Etsu Silicone股份有限公司製造之KNS-320A。有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之混合物)100質量份與鉑系觸媒(Shin-Etsu Silicone股份有限公司製造之CAT-PL-56)2質量份之混合物塗佈(塗佈量10g/m2)於支持玻璃基板上，並於180℃下 且於大氣中加熱硬化30分鐘，而獲得膜厚16μm之聚矽氧樹脂層。
利用純水洗淨、UV洗淨等將縱400mm、橫300mm、厚度0.7mm、線膨脹係數38×10-7/℃之薄板玻璃基板(AN100)之與聚矽氧樹脂層接觸之側之面清潔之後，於室溫下利用真空加壓機將支持玻璃基板之聚矽氧樹脂層形成面與薄板玻璃基板貼合，獲得具有聚矽氧樹脂層之玻璃積層體A。
繼而，於大氣下且於350℃下對玻璃積層體A進行60分鐘加熱處理。
繼而，於玻璃積層體A之4個部位中之1個部位之角部之薄板玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製之刃具而形成剝離之切口部。繼而，使真空吸附墊吸附於薄板玻璃基板與支持玻璃基板之各自之非剝離面側之面，一面使用注射器對作為聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之剝離界面之交界線之剝離線供給甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，一面向將薄板玻璃基板與支持玻璃基板分離之方向施加外力，結果薄板玻璃基板未破損而分離。
(剝離強度之測定)
使用日本專利第5200538號之段落0050中記載之治具，進行剝離試驗。將所使用之治具示於圖5。圖5中，玻璃積層體A具有支持玻璃基板40、聚矽氧樹脂層30、薄板玻璃基板50。
將玻璃積層體A切割為縱50mm×橫50mm之大小，於玻璃積層體A之兩側之玻璃(支持玻璃基板40及薄板玻璃基板50)表面，利用環氧2液玻璃用接著劑分別貼合縱50mm×橫50mm×厚度5mm之聚碳酸酯60。進而，於兩者之貼合之聚碳酸酯60之表面，分別進而垂直地貼合縱50mm×橫50mm×厚度5mm之聚碳酸酯70。聚碳酸酯70之貼合位置如圖5，縱方向設為聚碳酸酯60之最端之位置，橫方向設為與聚碳酸酯60之邊平行之位置。
以支持玻璃基板成為下側之方式設置貼合有聚碳酸酯60及70之玻璃積層體A。利用治具固定貼附於薄板玻璃基板側之聚碳酸酯70，向垂直下方以300mm/min之速度拉離貼附於支持玻璃基板側之聚碳酸酯70，結果於施加0.34kg/cm2時支持玻璃基板剝離。
<實施例2>
使用乙醇(溶解度參數：12.7cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例3>
使用乙醇(溶解度參數：12.7cal/cm3)與水之混合溶液(乙醇：水(質量比)=1：1)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例4>
使用乙醇及1-丙醇之混合溶液(含量：乙醇90質量%，1-丙醇10質量%。溶解度參數：乙醇12.7cal/cm3，1-丙醇12.0cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例5>
使用1-丙醇(溶解度參數：12.0cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例6>
使用異丙醇(溶解度參數：11.5cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例7>
使用1-丁醇(溶解度參數：11.4cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例8>
使用1-己醇(溶解度參數：10.7cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例9>
使用二甲基亞碸(溶解度參數：12.0cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例10>
使用二甲基甲醯胺(溶解度參數：12.1cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<實施例11>
使用N-甲基吡咯啶酮(溶解度參數：11.3cal/cm3)代替甲醇(溶解 度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板未破損而分離。再者，將剝離強度之測定結果示於表1。
<比較例1>
不進行甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)之供給，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板難以剝離，見到薄板玻璃基板之破損。再者，將剝離強度之結果示於表1。
<比較例2>
使用庚烷(溶解度參數：7.4cal/cm3)代替甲醇(溶解度參數：14.5cal/cm3)，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行薄板玻璃基板之剝離，結果薄板玻璃基板難以剝離，見到薄板玻璃基板之破損。再者，將剝離強度之結果示於表1。
表1中，「玻璃剝離」欄將無問題地進行薄板玻璃之剝離之情況設為「￮」，將薄板玻璃破損或難以進行剝離之情況設為「×」。
再者，表1中，實施例3之「SP值」欄表示乙醇之SP值，實施例4之「SP值」欄表示乙醇與1-丙醇之SP值。
如表1所示，於使用顯示特定之SP值之有機溶劑、或該有機溶劑與水之混合溶液之情形時，剝離強度降低，於剝離時未見到薄板玻璃基板之破損。
另一方面，於不使用上述有機溶劑或混合溶液之比較例1、及使用SP值為特定之範圍外之有機溶劑之比較例2中，剝離強度較大，於剝離時見到薄板玻璃基板之破損。
<實施例12>
於本實施例中，使用實施例1中獲得之玻璃積層體A製造OLED。
更具體而言，於玻璃積層體A之薄板玻璃基板，藉由濺鍍法將鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極電極。繼而，藉由電漿CVD法，於設置有閘極電極之剝離性玻璃基板之第2主面側，進而依序將氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽成膜，繼而藉由濺鍍法將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻，形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。繼而，藉由電漿CVD法，於剝離性玻璃基板之第2主面側，進而將氮化矽成膜而形成鈍化層之後，藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成像素電極。
繼而，於所獲得之積層體之薄板玻璃基板側表面上，進而藉由蒸鍍法，依序將4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺成膜作為電洞注入層、將雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜作為電洞傳輸層、將於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)40體積%而成者成膜作為發光層、將Alq3成膜作為電子傳輸層。繼而，於所獲得之積層體之薄板玻璃基板側表面上，藉由濺鍍法將鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成對 向電極。繼而，於形成對向電極之面上經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板而進行密封。藉由上述程序獲得之於薄板玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體A2相當於附電子裝置用構件之積層體。
再者，於上述製造製程中，作為加熱處理，於350℃下1小時之處理為最高溫下之處理。
使用上述玻璃積層體A2代替玻璃積層體A1，除此以外，依據與實施例1相同之程序，進行聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之剝離，結果以與實施例1相同程度之剝離強度進行兩者之剝離，可獲得包含薄板玻璃基板及電子裝置用構件之電子裝置。
又，即便於實施實施例2~11之各程序代替上述實施例1之程序之情形時，亦可分別以與實施例2~11相同程度之剝離強度進行聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之剝離，可獲得包含薄板玻璃基板及電子裝置用構件之電子裝置。
另一方面，於實施比較例1~2之各程序代替上述實施例1之程序之情形時，於聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之剝離時，產生薄板玻璃基板之破損，無法獲得所需之電子裝置。
上文詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但業者明瞭，可於不脫離本發明之範圍與精神之情況下進行各種修正或變更。
本申請案係基於2013年7月31日提出申請之日本專利申請案2013-159724者，且將其內容作為參照而併入本文中。

Claims (5)

  1. 一種電子裝置之製造方法，其係具有如下步驟者：自依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層、玻璃基板、及電子裝置用構件之附電子裝置用構件之積層體，以上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之界面作為剝離面，將包含上述支持基材及上述聚矽氧樹脂層之附聚矽氧樹脂層之支持基材、與包含上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置分離，而獲得上述電子裝置；且對作為上述聚矽氧樹脂層與上述玻璃基板之剝離界面之交界線之剝離線供給溶解度參數超過10之有機溶劑、或上述有機溶劑與水之混合溶液，而進行上述附聚矽氧樹脂層之支持基材與上述電子裝置之分離。
  2. 如請求項1之電子裝置之製造方法，其中上述有機溶劑包含可具有鹵素原子之醇系溶劑、或非質子性極性溶劑。
  3. 如請求項1或2之電子裝置之製造方法，其中上述有機溶劑包含選自由碳數1~6之醇系溶劑、二甲基甲醯胺(DMF)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基亞碸(DMSO)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、環丁碸、及乙腈所組成之群中之至少1種。
  4. 如請求項1至3中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂層中之聚矽氧樹脂為有機烯基聚矽氧烷與有機氫聚矽氧烷之反應硬化物。
  5. 如請求項4之電子裝置之製造方法，其中上述聚矽氧樹脂為加成反應型聚矽氧之硬化物，上述加成反應型聚矽氧為包含下述(a)及(b)之硬化性聚矽氧樹脂組合物，上述聚矽氧樹脂層係藉由使上述硬化性聚矽氧樹脂組合物於 上述支持基材之表面硬化而形成：(a)每1分子具有至少2個烯基之線性有機聚矽氧烷，(b)每1分子具有至少3個與矽原子鍵結之氫原子，且與矽原子鍵結之氫原子之至少1個存在於分子末端之矽原子之線性有機聚矽氧烷。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017041391A (ja) * 2015-08-21 2017-02-23 旭硝子株式会社 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
CN110969931B (zh) * 2018-09-29 2022-08-23 杰宜斯科技有限公司 显示部模块的返工装置及方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2829341B2 (ja) * 1990-01-08 1998-11-25 日本電信電話株式会社 レジスト剥離液
US6326130B1 (en) * 1993-10-07 2001-12-04 Mallinckrodt Baker, Inc. Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2005189397A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Nikon Corp 薄膜フィルタの接合方法
DE602005018075D1 (de) * 2004-08-03 2010-01-14 Mallinckrodt Baker Inc Reinigungsmittel für mikroelektronik-substrate
JP5340837B2 (ja) * 2009-07-16 2013-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル及びタッチパネルの作製方法
JP5562597B2 (ja) * 2009-08-28 2014-07-30 荒川化学工業株式会社 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法

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