TW201241582A - Exposure device using micro lens array - Google Patents
Exposure device using micro lens array Download PDFInfo
- Publication number
- TW201241582A TW201241582A TW101111887A TW101111887A TW201241582A TW 201241582 A TW201241582 A TW 201241582A TW 101111887 A TW101111887 A TW 101111887A TW 101111887 A TW101111887 A TW 101111887A TW 201241582 A TW201241582 A TW 201241582A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- microlens array
- pattern
- substrate
- exposure
- mask
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
201241582 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 【0001】 鏡陣列之曝光裝置,特別是關於 晶顯示面板之曝光的使用微透鏡 本發明係關於一種使用微透 一種’適用於攜帶型機器用其液 陣列之曝光裝置。 【先前技術】 【0002】 搭載於攜帶電話及攜帶型資訊端末等之機器的液晶顯示裝 置丄與電視等之大型液晶顯示裝置不同,其面板為小型面板,且 要求面板更為高度精密。 【0003】 、製造,等播帶型機韻液晶顯*面板時所使用之曝光裝置, 過去為了高度精密的曝光’使用用於半導體裝置之曝光的步 【0004】 過去,藉步進器將攜帶型機器用的小型液晶顯示面板曝光 時’使透射過遮罩圖案的光線’透射縮小光學系統後,照射基板。 此時’曝光對象之基板,為例如1. 5m見方之大型基板,曝光時, 於1 乍為1或複數片的個別基板之各個區域進行複數次曝光。之後, 將藉由複數次曝光而使作為個別基板之區域其整體曝光的基板加 以分割,製造複數片玻璃基板。 【0005】 然則,此一步進器中,由於係以丨個接物透鏡決定曝光區域 之大小,故在1片玻璃基板上製作複數片面板時,產生此一接物 透鏡之曝光區域的邊界’位於面板内部之位置的情形。如此一來, ,此一面板中,包夹曝光區域的邊界之兩側區域由不同光束曝 光’邊界中’產生配線等之位置偏移等問題。因此,於此一邊界 中,,須施行使配線圖案變粗、傾斜而形成邊緣部以於該傾斜部 重合4之所謂「接補」的處理。此外,即便施行此一「接補」的 201241582 J理’仍有施加此一「接補」的部分於直線上相連,產生條紋等 =形,如此一來,則產生此等條紋的面板,無法成為製品,而不 :不將其廢棄H,於曝光醜為難以進行此一「接補」的 地理之困難圖案的情況’對於曝光區域邊界之面板,無法作 品而必須將其廢棄。 、 【0006】 而前人亦提出使用微透鏡陣列之曝光裝置(專利文獻1及 2,)。然則,習知之使用微透鏡陣列之曝光裝置,係將電視等之大 型液,顯示裝置用的面板曝紅曝光裝置,將其直接應用於攜帶 ,機器用的液晶顯錢置,則在攜帶型機||用的液晶顯示面板之 情況,因面板小、且有各種大小,故有製造效率不佳等問題。 [習知技術文獻] [專利文獻] 【0007】 專利文獻1日本特開2010 —102149號公報 專利文獻2日本特開2008—197226號公報 【發明内容】 [本發明所欲解決的問題] 【0008】 如同上述,如攜帶型機器用的液晶顯示面板,要求高度精密, 且為小型面板的情況’若使用習知之步進器,則曝光圖案的’「接 補」變得必要,若使用微透鏡陣列,則有製造效率不佳等門 [0009] 此外’使用微透鏡陣列之曝光裝置中,於遮罩形成有配人 面板之大小的圖案,微透鏡陣列,亦將配合面板之大小的$ 晶片固定於架座而使用。因此,將大小相異的面板進行時, 必須同時置換遮罩與微透鏡晶片,具有製造效率更為降低等門題 進一步,將複數個面板同時進行曝光時,作為遮罩,使用形 201241582 成為複數個圖案區域隔著適當長度距離的遮罩,將對應於各圖案 區域之大小的微透鏡晶片固定於架座而使用。使用此等構成之曝 光裝置進行曝光,則曝光光線不照射各圖案區域間。因此,此— 區域未被曝光,具有浪費基板材料之廣大面積等問題。 【0011】 鑑於此一問題,本發明之目的在於提供一種,可配合攜帶型 機器用的液晶顯示面板之大小有效率地使用微透鏡陣列,並減少 基板材料的浪費之使用微透鏡陣列之曝光裝置。 [解決問題之技術手段] 【0012】 本發明的使用微透鏡陣列之曝光裝置,具備:光源,發出曝 光光線;遮罩’具有複數個圖案區域,該複數個圖案區域係為, 來自此一光源之曝光光線所入射並應進行曝光之圖案與複數個面 板對應而分別形成;微透鏡陣列,由複數個微透鏡陣列晶片組成, 該複數個微透鏡陣列晶片使透射過遮罩之曝光光線入射並使該遮 罩之圖案的正立等倍像成像於基板上;架座,支持此一微透鏡陣 列;驅動裝置,在該光源與該微透鏡陣列之位置關係固定的狀態 下,使該遮罩與該基板對於該光滬與該微透鏡陣列相對地移動, 以將該曝光光線在該基板上於第1方向掃目苗;以及控制裝置,控 制該驅動裝置與該光源。此一使用微透鏡陣列之曝光裝置的特徵 為:該遮罩,在垂直於該第1方向的第2方向,配列複數個該圖 案區域,鄰接之圖案區域,彼此以欲製造之面板其該第2方向的 配列間距P之整數n (ng2)倍的間距np配置;該微透鏡陣列, 於該第2方向配列該微透鏡陣列晶片,各微透鏡陣列晶片,其該 第2方向的長度較該圖案區域之該第2方向的長度更長,且設置 為與該圖案區域之數目相同,各圖龍域之透射光線藉由各自對 ,之微透鏡陣列晶片照射於基板。作為曝光光線,使用水銀燈光 等:另,、本發明之面板,係指液晶顯示面板之顯示畫面及其周邊 部,形成之曝光圖案,包含顯示晝面之圖案及盆周邊圖案。 【0013】 ' ^ 6 201241582 ㈣使用微透鏡陣列之曝光裝置中,例如於該驅動裝置 產生轉光光線之掃峨,使該基板移鱗面板其該第2 二罢間距p之距離’之後’該控職置,再度施行該驅 動裝置及該光源產生的曝光光線之掃瞄。 【0014】 ,發明的其他使用微透鏡陣列之曝光裝置,具備:光源,發 ”線;遮罩,具有複數個圖案區域,該複數個圖案區域係 自此—光源之曝光光線所人射並應進行曝光之_與複數 反對應而分別形成;微透鏡陣列,由複數個微透鏡陣列晶片 、、且、該複數個微透鏡陣列晶片使透射過遮罩之曝光光線入射並 使該遮罩之_的正立等倍像成像於基板上;架座,練此一微 透鏡,列,驅綠置’在該細、無微補^,狀位置關係固定 的狀態下’使該遮罩與該基板對於該光源與該微透鏡陣列相對地 移動,以將該曝光光線在該基板上於第1方向掃瞒;以及控制裝 置,控制該驅動裝置與該光源。此一使用微透鏡陣列之曝光裝置 的特徵為.該遮罩’在垂直於該第1方向的第2方向,配列複數 個該圖案區域,由以欲製造之面板其該第2方向的配列間距p配 列之2個以上的整數m個圖案區域所組成之圖案區域群,係以此 圖案區域數m與該配列間距p的積mp之整數n (ng2)倍的間 距mnP配置;該微透鏡陣列,於該第2方向配列該微透鏡陣列晶 片,各微透鏡陣列晶片,其該第2方向的長度較該圖案區域群之 圖案區域數m與該配列間距p的積mp更長,且設置為與該圖案區 域群之數目相同,各圖案區域ι群之透射光線藉由各自對應之微透 鏡陣列晶片照射於基板。 【0015】 _ 此一使用微透鏡陣列之曝光裝置中,例如,於該驅動裝置及 該光源產生的曝光光線之掃瞄後,使該基板移動該圖案區域群其 該第2方向的該長度mp之距離,之後,該控制裝置,再度施行該 驅動裝置及該光源產生的曝光光線之掃瞄。 [本發明之效果] 【0016】 【0016】201241582 本發明之曝光裝置中,於遮罩的第2方向配列複數個之複數 個圖案區域,鄰接之圖案區域,彼此以欲製造之面板其第2方向 的配列間距P之紐η (似)倍的_£np配置,構成微透鏡陣 列之複數個微透鏡陣列晶片,其第2方向的長度較圖案區域之第2 方向的長度更長,且設置為與圖案區域之數目相同,各圖案區域 之透射光線藉由各自對應之微透鏡陣列晶片照射於基板。因此, 若=曝光光線之掃瞄後,使基板以面板其第2方向的配列間距p 為單位地移動,並依序施行驅動裝置及光源產生的曝光光線之掃 瞄,則與形成之曝光圖案鄰接的未曝光處依序被無縫隙地曝光, 可有效率地使用微透鏡陣列,將較遮罩更為小尺寸之面板基板, 高效率地曝光,亦可減少基板材料的浪費。 【0017】 ' 此外,於遮罩的第2方向配列複數個之複數個圖案區域,構 成由以欲製造之面板其第2方向的配列間距p配列之2個以上的 整數m個圖案區域所組成之圖案區域群,以此一圖案區域群之圖 案區域數m與配列間距P的積mp之整數η (n^2)倍的間距mnp 配置的情況中,構成微透鏡陣列之複數個微透鏡陣列晶片,其第2 方向的長度較圖案區域群之圖案區域數m與配列間距p的積更 長,且设置為與圖案區域群數目相同,各圖案區域群之透射光線 藉由各自對應之微透鏡陣列晶片照射於基板。因此,若於曝光光 線之掃描後’使基板移動圖案區域群之圖案區域數m與配列間距P 的積mP之距離,並依序施行驅動裝置及光源產生的曝光光線之掃 瞄,則與形成之曝光圖案鄰接的未曝光處依序被無縫隙地曝光, 可有效率地使用微透鏡陣列,將較遮罩更為小尺寸之面板基板, 高效率地曝光,亦可減少基板材料的浪費。 【實施方式】 [實施本發明之最佳形態] 【0019】 S ⑧ 201241582 μ以本巧之實郷態,參考_频地购。圖1⑷ 為顯不本發明之貫施形態的使用微透鏡陣 ; ®1 (b) =的圖丄圖2為顯示圖1之次序的曝光步驟之圖。圖 j明ίΪΪί態的使用微透鏡陣列之曝光裝置其立體圖^圖4 為,4不遮罩平口與微透鏡陣列之立體圖,圖5為 方向u 1方向)1及與此—_方向1呈直角之 方向(第2方向)2移動的χ—γ平台u之 U ° Χ'Υ ^ ^ 之上方,又置木台13,並於此一架台13上, 一 個光=。此等光源14,例如為高壓水銀燈光源,將波 ίί ίϊ的曝光光線15,往下方照射。此-曝光光i 15之,黑射區域,如圖5所示為矩形。 【0020】 罢工ΓίΓΐ光光線15其光源14之下方,如圖4所示,配置遮 ί 2第架往第2方向2延伸之第1導引構件16, 於此弟1導引構件16,懸架往第i方向】延伸之第2 。ί 1導引構件16被固^於架台13上,第2導引構件17則以 方t延伸之第1導引構件16上可往第2方向2移二 個遮罩平台18係以維持相互地保持其位置 關係並在在苐1方向i延伸之弟2導引構件17上可往 式= 加以支持。此—遮罩平台18,形成有矩形的開二 丨Ϊ°因此,遮罩2G,藉由第1導引構件16 V引構件17,對於第1方向丨,可進行掃猫 向2,可於此一方向移位。 仰耽弟2方 [0021] 於此一遮罩20之下方,設置微透鏡陣列架座21,於此一 I1 =開口部内’支持複數個晶片狀的微透鏡陣列晶片22a,才毒成 稷數個微透鏡陣列晶片22a組成之微透鏡陣列22。微透鏡陣列 201241582 =22a ’各自形成多數微透鏡,藉由 =正立等倍像,成像於配置在微透鏡的 中的微透鏡之_域,與來自 線15的矩形照射區域一致,曝光光線15 之-,分的區域後,藉由微透鏡陣列22, 遮罩2〇 [0022] 本^施形態中,於曝光裝置設有驅動裝置 =U㈣。此外,基板平台12上之基板4G,以下列 ^ ίΞΪίί平台12往第2方向2移動,可對於絲14、遮罩如 陣列22,於第2方向2移位。另,基板平台12之往罩第2 =’可由手動進行’亦可為設置供基板移位用之^動 ΐί ” 驅動裝置進行。本實施_中,複數個微透鏡陣列 第^向2並以架座21支持,架座21被固定於 保持以微透鏡陣列22將來自光源14之曝 if光於基板40上的狀態,並將遮罩20與基板40往第1 光線15掃喊板4G ’形成在遮罩圖.案區域 20a的圖案破曝光而轉印於基板4〇上。 【0023】 第1驅動裝置產生的光源及微透鏡陣列22對於遮罩2〇及 ίΪ,相對地於第1方向1的掃猫,係以未圖示之控制裝置進 2二而ί光裝置,藉由控制裝置控制驅動裝置及光源而將曝 田後,使基板40於第2方向2移位,並再度重複藉控制 裝置匕制驅動裝置及光源而將曝光光線掃_ =于往第1扣丨_絲狀掃雜第2 的= 之移位’基板的圖案形成用區域被依序曝光。亦即,於驅動裝 4 源產生的曝光光線之掃目苗後,例如以手動使基板40移動面 ^ ,2的配列間距P之距離’則控制裝置,再度控制驅 ,裝=光源而施行曝絲線之掃猫。藉此,將與形成有曝光圖 案之區域於第2方向鄰接之區域依序曝光。 ⑧ 10 201241582 【0024】 遮罩平台18所固持之遮罩2〇的大小,例如,第2方向2的 寬度為4GGmm。❿料20,設冑麟权目親應練數個面板 所形成的圖案區域20a。本實施形態中,圖案區域2〇a,於第2方 向2配列複數個,鄰接之圖案區域施,彼此以欲製造之面板其第 1方向2的配列間距p之整數n (η^2)倍的間距沾配置,各圖 案區域20a與排列於第1方向1之複數個面板對應。遮罩2〇,形 成有圖案區域20a之區域以外的部分成為遮光區域。因此,自光 源14射出之曝光光線,僅透射圖案區域施,入射至微透鏡陣列 22。另一T面’照射至圖案區域施以外之部分的曝光光線以, ^圖1所*,不透射遮罩2〇。本實施形態中,如圖1所示,於遮 罩20形成3個圖案區域2〇a,圖案區域2〇a其第2方向2的寬度 Wp ’與欲製造之面板的寬度相等,鄰接之圖案區域2加,彼此^ 面板其配列間距Ρ之2倍的間距2Ρ配置。 【0025】 本發明中’微透鏡陣列晶片22a其第2方向岐度術 圖案區域20a其第2方向2的寬度Wp更長,於第2方向2盈配 列各圖案區域20a數目相同之3片微透鏡陣列晶片22&,自^源 14射出並透射過遮罩2〇的圖案區域施之曝光光線15全部,分 巧入^至各自對應之微透鏡陣列晶片22a之具有光學作用 为。因此,於圖案區域2〇a其透射光線所入射 透鏡陣列晶片22a之端緣。如圖i所示,架座21 =持= 透鏡陣列晶片22a,例如,第2方向2的長度Wm相同。' 【0026】 其次,對使用如同上述構成的微透鏡陣列之曝光 Ϊ以,有光阻膜之玻璃基板4G,搬運至基板平台^ 上汉疋於與4個遮罩平台18所支持之遮罩2〇正 後,藉由導引構件16、17與基板平台12&χ—γ ^ 板4〇gf】2Q保持為—定的位置關係,以驅鱗置同時驅動广 11 201241582 本實施形態中,如圖5所示,4個遮罩平台ι8各自保 20,來自4個光源14之4束曝光光線15,入射至各遮罩2〇 f 光光線15的矩形照射區域,矣寬方向的長度,對應於遮罩^ 第2方向2 (與掃瞄方向垂直的方向)之全域的長度。此一曝光& 線15,如圖6所示’藉由將遮罩20及基板40,·同時—體地^ 方向1對於曝光光線15相對地移動,曝光光線15,將遮罩2〇於 以空心箭頭所示之掃瞄方向進行掃瞄。 、 【0028】 圖7為,顯示卸除遮罩20之狀態的立體圖。如此圖7所示, 透射過遮罩20之各圖案區域20a的曝光光線15,其矩形照射'區 域,位f微透鏡陣列架座21之開口部内所支持的微透鏡陣^晶^ 22a其微透鏡形成區域内。而此一曝光光線15與微透鏡陣列=, 其位置,係被©定,在鮮2。及基板4〇 _體地同時移動時,如 圖7所示’曝光光線15於以空心箭頭所示之掃瞄方向對於遮罩 及基板40相對地掃瞄,微透鏡陣列22,使透射過遮罩2〇之曝 光線15於基板40上成像(圖丨中的符號41a之區域)。藉此了如 圖1所示,於基板40上,遮罩20的圖案,轉印為正立^倍 於光阻上形成帶狀的曝光圖案41。 【0029】 本實施形態中,於遮罩2〇 ’形成3個圖案區域施,各 f欲製造之面板其第2方向的寬度轉,鄰接之圖案區 域20a,彼此以欲製造之面板其第2方向的配列間距 =配置。因此’曝光圖㈣亦同樣地,以與第2方向之= =施喊度Wp相等的寬度,各曝光_ 41彼此以2p的間 3條。微透鏡陣列22,例如,將以寬度15Gmm製造 杯ϋΐΐί鏡陣列,切斷成為較欲製造之複數種面板其任一面 )又更長的長度Wm’以作為微透鏡陣列晶片22a,使其於第 微1鏡_2構成為:與各硫的寬度對 ίίϊΐίίΓϊ透射光線,入射至各微透鏡陣列晶片瓜 -、子乍用的微透鏡部分。之後,藉由對於玻璃基板4〇上之 ⑧ 201241582 行1次掃_作,可將3片面板同時曝光,可將曝光動 陣二it此夕i’此時’關於各面板,因其内部不存在微透鏡 t 3 之接縫,故曝光_中,不必施行過去之所謂「接 不」、处理。因此,未於曝光圖案產生曝光不均的情 【0030】 安…依If 2G的圖案區域施之配置,藉1次掃_成的曝光圖 :之3 ’殘留有與面板其第2方向的配列間距p為相同寬 ^光區域。本實施職中’於〗次掃瞎結束後,先停止來自光 源14之曝光光線15的射出,將基板平台12上之基板4〇,對於 源14、遮罩20及微透鏡陣列22,移動欲製 巧,間距P之距離,其後,再開始進行曝光光線士的^向匕 二2方向2的移位,以手動進行’或在設置供基 板移位用之驅動裝置的情況,藉驅動裝置進行。之後,如圖 =以與第1方向1中的第〗次掃瞒方向相反之方向進行掃猫, 將未曝光(1麟光。藉此,未曝光區域被 =’祕之圖龍域20a,彼此以欲製造之面板其第2方向的配 I之間?>配置,故藉由形成2次掃瞄所產成的曝 Λ曝光圖案41間’殘留有寬度為面板的配列間距P 與面板免度WP之差(P—Wp)的未曝光區域。此一區域,在將工 片基板切割為複數片面板時,可作為切斷帶使用。由於在 掃瞄之前,使光源14、遮罩20及微透鏡陣列22全體 Γ ==第2方向移動’故以第2次掃猫形狀曝光圖^ 其内部亦不存在微透鏡陣列晶片22a之接縫, ϊίίϋΓ不必施行過去之所謂「接補」的處理,未於曝光 圖案產生曝光不均的情形。 【0031】 遮罩’通常寬度為40〇mm程度,但若欲製造此等長 的變ί :微透鏡陣列’通常雖為150醜罐度 (見度)的曰曰片狀’但母早位長之相對的製造成本低。因此,必 13 201241582 須進行將複數片之微透鏡陣列晶片接合,構成與遮罩寬度對應之 微透鏡陣列之作業,或進行於微透鏡陣列架座21設置例如長度為 150mm之微透鏡陣列晶片,於未存在此一微透鏡陣列晶片之區域 的遮罩部分,形成Cr膜,將曝光光線之透射遮斷等作業。後者的 情況中,、由於在玻璃基板40產生未使用之區域(未成為面板之區 域)’而造成浪費。因此,宜將複數片微透鏡陣列晶片於第2方向 配列’以各職遮罩寬度對應之複數片微透鏡_晶㈣成微透 鏡陣列。此時,如同本實施形態,將各微透鏡陣列晶片22a的長 度,切斷成為較欲製造之複ϋ面板其任一面板的寬度更長的長 度Wm ’使其於第2方向配列,構成為:與欲製造之面板的複數 種寬度對應之圖案區域2〇a的任-透射光線,亦入射至各微透鏡 陣列晶片22a之具有光學作用的微透鏡部分。因此,於面板之曝 光圖案41内不存在所謂「接補」,且能夠盡可能地將多數及其他 種類面板先行曝光處理,故效率佳。 【0032】 另’製造^2方向的寬度為較,更大之寬度%的面板(參 f圖8)時’若以如下方式構成:將鄰接之圖案區域施,彼此於 ^ 2方向以面板其配列間距p2之整數倍(圖8中為2倍)的間距 λ置’ f圖案之任一透射光線,皆入射至各微透鏡陣列晶片仏 作用的微透鏡部分,則可獲得上述"^發明之效果。此 L卜,1第2、方向的寬度為較卿更小之寬度Wp3的面板(參考 圖及圖10)時,若構成為:鄰接之圖案區域20a,彼此於第2 方向以面板其配列間距之整數倍(圖9 : 3倍,圖10 : 4倍) ,,距置’各圖案之任_透射光線,亦皆人射至各微透鏡陣列 曰曰片之具有光學作用的微透鏡部分,則亦可獲得本發明之效 果。 【0033】 s ΐ ^ ’對本發明之第2實施形態,參考圖11至圖14,加以說 2加、1〇所示之第1實施形態,雖為將4個遮罩20設置 ' 、罩平台18的情況,但本第2實施形態,係使用大型遮罩, 14 201241582 將玻璃基板上之光峨曝光。另,於遮科纟42之框架支持, 圖11至圖14中,為顯示微透鏡陣列22而未加圖示。如圖! 不三於基板40上,配置丨個遮罩平台幻所支持之丨個遮罩 圖不),曝絲線15,介由遮罩人射至微透鏡陣列22,藉由微 鏡陣列22冑透射過遮罩之曝光光線集光,於基板4〇上收束 遮罩之_的正立等倍像’於基板4G上成像,形成曝光圖案41。 本實施形態中,藉由將照射發數因應基板之大小增加,使基 板40之全域曝光。首先,如圖n所示,將基板(遮罩)縱橫* 分割,分割為16個等面積區域’將來自各光源14之各曝光光線, 對此一分割區域之左上區域,施行與第i實施形態相同之2發(圖 9的情況為3發,圖1〇的情況為4發)的曝光。其次,如圖12 所示,曝光光線15,將其右鄰(第2方向之右側)之基板區域, 與第1實施形態同樣地掃瞄。其後,如圖13所示,將於第j方向 鄰接之基板區域與第1實施形態同樣地掃瞒。之後,如圖14所示, 將於第2方向鄰接之基板區域與第丨實施形態同樣地掃瞄。藉此, 使基板40之全區域曝光。 【0035】 如此地,在為大型基板的情況中’亦藉由使基板於第1及第2 方向依序移動,並增加照射發數而進行曝光,可獲得與第丨實施 形態同樣之效果。 【0036】 接著’對本發明之第3實施形態的使用微透鏡陣列之曝光裝 置進行說明。第1實施形態中,遮罩20的圖案區域20a雖為,鄰 接之圖案區域20a彼此隔著適當長度距離地配列,但本實施形態 中’以2個圖案區域2〇a構成1群圖案區域群。而此一圖案區域 群,係以面板其配列間距P3與圖案區域數2的積,亦即,以2P3 的間距配列。 【0037】 此外,微透鏡陣列晶片22a,其第2方向的長度Wm,較面板 15 201241582 其配列間距1>3與圖案區域數2的積2P更長,於第2方向2配列 與各圖案區域群數目相同之3片微透鏡陣列晶片22a。其他構成, 與第1貫施形態相同。 【0038】 圖10所示之第1實施形態的變形例中,鄰接之圖案區域20a, 彼此於第2方向以面板其配列間距&之4倍的間距設置。因此, 為了使基板40之前面曝光,驅動裝置及光源產生的掃瞄,必須使 基板40移位並實施4次。然而,如本實施形態,藉由構成為:將 2個圖案區域20a鄰接地配置,使此一透射光線之全部,透射1片 微透鏡陣列晶片22a之具有光學作用的部分,而以!次掃瞄形成 之曝光圖案的面積,為第1實施形態之2倍。本實施形態中,藉 由在1次曝光光線之掃瞄後’使基板4〇於第2方向移動面板其配 列間距P3與圖案區域數2的積2P3之距離,再度施行驅動裝置及 光源產生的掃瞄,能夠以2發的曝光,將基板4〇之全面曝光。 【0039】 本貫施形態中’鄰接之圖案區域2〇a的數目,可於微透鏡陣 ,列晶片22a其第2方向的長度之範圍内增加,藉此,可縮短曝光 周程時間。 【0040】 另,以複數個圖案區域20a構成圖案區域群的情況,上述實 施形態,作為其一例,使構成1個圖案區域群之圖案區域2〇a的 數目為m時,若將鄰接之圖案區域,彼此以該m與配列間距p的 積mP之整數η (n22)倍的間距mnp配置,則可獲得與本實施 形態同樣之效果。 [產業上利用性] 【0041】 本發明,於使用微透鏡陣列之曝光裝置中,由於可配合攜帶型機 器用其液晶顯示面板之大小有效率地使用微透鏡陣列,而可有效 地減少基板材料之浪費。 16 ⑧ 201241582 【圖式簡單說明】 【_】 ^圖1 (a)為顯示本發明之實施形態的使用微透鏡陣列之曝 $裝置中,遮罩與微透鏡陣列的相對位置關係之圖,(b)為顯示 藉此曝光之基板的圖。 圖2 (a)為顯示圖1之次序的曝光步驟之圖,(b)為顯示 曝光之基板的圖。 圖3顯示本發明之實施形態的使用微透鏡陣列之曝光裝置 其立體圖。 圖4顯示遮罩平台與微透鏡陣列之立體圖。 圖5顯示遮罩平台整體之立體圖。 圖6顯示掃瞎曝光步驟中的曝光光線與遮罩之關係的圖。 圖7顯示掃瞄曝光步驟中的曝光光線與微透鏡陣列之關係 的圖。 圖8 (a)為顯示製造相異大小面板之情況其遮罩與微透鏡 陣列的相對位叙圖’⑻為顯稍轉光之基板的圖。 圖9 (a)、(b)顯示製造相同之小尺寸面板之情況其遮罩盘 微透鏡陣列的相對位置關係及基板的圖。 圖10 (a)、(b)圖9的變形例。 圖11顯不本發明之第2實施形態的使用微透鏡陣列之曝光 裝置其曝光光線及微透鏡陣列之動作的圖。 圖12顯示接續圖11之動作的圖。 圖13顯示接續圖12之動作的圖。 圖14顯示接續圖13之動作的圖。 里本發明之第3實施形態的使用微透鏡陣列 之^光裝置巾,料與微透鏡相的相對位置_、之圖 顯示藉此曝光之基板的圖。 )两 【主要元件符號說明】 【0042] 17 201241582 1第1方向(掃瞄方向) 2第2方向(與掃瞄方向垂直的方向) 11 X—Y平台 12基板平台 13架台 14 光源 15、15a曝光光線 16第1導引構件 17第2導引構件 18、42遮罩平台 20遮罩 20a 圖案區域 21微透鏡陣列架座 22微透鏡陣列晶片陣列 22a微透鏡陣列晶片 40基板 41、41a曝光圖案 P、P2、P3 配列間距 Wp ' Wp2 ' Wp3 寬度 Wm長度 18
Claims (1)
- 201241582 七、申請專利範圍: 1、一種使用微透鏡陣列之曝光裝置,具備: 光源’發出曝光光線; 遮罩,具有複數個圖案區域,來自該光源之曝光光線入射於 該遮罩’並以待進行曝光之圖案與複數個面板相對應方 形成該複數個圖案區域; 微透鏡陣列,由複數個微透鏡陣列晶片構成,透射過遮罩之 曝光光線入射於該複數個微透鏡陣列晶片,並使該遮罩之圖案的 正立專倍像成像於基板上; 八 架座,支持此一微透鏡陣列; 驅動裝置,在該光源與該微透鏡陣列之位置關係固定的狀態 下,使該遮罩與該基板對於該光源與該微透鏡陣列相對地移動, 以將該曝光光線沿第1方向掃瞄於該基板上;以及 控制裝置’控制該驅動裝置與該光源; 其特徵為: 於巧遮罩中,在垂直於該第1方向的第2方向配列複數個該 圖案區域,鄰接之圖案區域,彼此以欲製造之面板之該第2方向 的配列間距P之整數n (n^2)倍的間距np配置; 於該微透鏡陣列中,該微透鏡陣列晶片配列在該第2方向, 各微透鏡陣列晶片之該第2方向的長度較該圖案區域之該第2方 向的長度更長,且設置為與該圖案區域之數目相同,各圖案區域 之透射光線藉由各自對應之微透鏡陣列晶片照射於基板。 2、 如申請專利範圍第1項之使用微透鏡陣列之曝光裝置,豆 中, 在以該驅動裝置及該光源進行曝光光線之掃瞄後,使該基板 移動該面板之該第2方向的該配列間距p之距離,其後,該控制 裝置再度以該驅動裝置及該光源施行曝光光線之掃瞄。 3、 一種使用微透鏡陣列之曝光裝置,具備: 光源’發出曝光光線; 遮罩,具有複數個圖案區域,來自該光源之曝光光線入射於 19 201241582 複之_錢_面她方式,分別 曝光數個微透辦批㈣成,骑過遮罩之 正立等倍像絲於基板上; 1㈣鮮之圖案的 架座,支持此一微透鏡陣列; 下,與該微透鏡陣列之位置關係固定的狀態 以將該ϊ光光二if Ϊ於該光源與該微透鏡陣列相對地移動, 將该曝先先線第1方向掃猫於該基板上;以及 控制裝置,控制該驅動裝置與該光源; 其特徵為: 該圖罩I直於該第1方向的第2方向’配列複數個 5:二°° ° 1 ' t造之面板之該第2方向的配列間距P配列 以上的整數m個圖案區域所組成之圖案區域群,係以此一 圖案區域數m與該配列間距P的積地之整數 距mnP配置; 一 /於該微透鏡陣列中,該微透鏡陣列晶片配列在該第2方向, f透鏡陣列晶片之該第2方向的長度較該圖躯域群之圖案區 域與該配列間距p的積地更長,且設置為與該圖案區域群 之數目相㈤’各目魏域群之祕光線藉由各自職之微透鏡陣 列晶片照射於基板。 4、如申请專利範圍第3項之使用微透鏡陣列之曝光裝置,其 中, 在以該驅動裝置及該光源進行曝光光線之掃瞄後,使該基板 移動該圖案區域群之該圖案區域數m與該配列間距p的積^之 距離’其後,馳繼置再度⑽鷄裝置及該光絲行曝光光 線之掃瞄。 20
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011084090A JP5704535B2 (ja) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | マイクロレンズアレイを使用した露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201241582A true TW201241582A (en) | 2012-10-16 |
Family
ID=46969181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101111887A TW201241582A (en) | 2011-04-05 | 2012-04-03 | Exposure device using micro lens array |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5704535B2 (zh) |
TW (1) | TW201241582A (zh) |
WO (1) | WO2012137785A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6283798B2 (ja) | 2013-07-01 | 2018-02-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置および照明ユニット |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3348467B2 (ja) * | 1993-06-30 | 2002-11-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び方法 |
JPH09244255A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Nikon Corp | 液晶用露光装置 |
DE19757074A1 (de) * | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
JP2004335864A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
US7061581B1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4984810B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置及びフォトマスク |
US8009269B2 (en) * | 2007-03-14 | 2011-08-30 | Asml Holding N.V. | Optimal rasterization for maskless lithography |
JP2009204982A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
JP5245506B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-07-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP5382412B2 (ja) * | 2008-10-24 | 2014-01-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置及びフォトマスク |
-
2011
- 2011-04-05 JP JP2011084090A patent/JP5704535B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-03 WO PCT/JP2012/059102 patent/WO2012137785A1/ja active Application Filing
- 2012-04-03 TW TW101111887A patent/TW201241582A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012220592A (ja) | 2012-11-12 |
WO2012137785A1 (ja) | 2012-10-11 |
JP5704535B2 (ja) | 2015-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI448833B (zh) | An exposure device and a light source device | |
TW200933311A (en) | Exposure apparatus and exposure method and device manufacturing method | |
JP2003255552A (ja) | レーザ照射装置並びに走査レーザ光を用いた露光方法及び走査レーザ光を用いたカラーフィルタの製造方法 | |
CN102385256A (zh) | 曝光装置 | |
TW201243511A (en) | Exposure device | |
US20220163894A1 (en) | System and method for double-sided digital lithography or exposure | |
TW201219988A (en) | Exposure apparatus | |
JP5825470B2 (ja) | 露光装置及び遮光板 | |
US8072580B2 (en) | Maskless exposure apparatus and method of manufacturing substrate for display using the same | |
TW200825630A (en) | Pattern drawing device and pattern drawing method | |
TW201241582A (en) | Exposure device using micro lens array | |
JP4144059B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
US8477288B2 (en) | Digital exposure method and digital exposure device for performing the method | |
JP4235972B2 (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
TW200844674A (en) | Reflection-deflection type projection optical system, projection optical apparatus, and scanning aligner | |
JP5360379B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
WO2011010560A1 (ja) | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
TW200540577A (en) | Pattern writing apparatus and pattern writing method | |
JP5760292B2 (ja) | マイクロレンズアレイを使用した露光装置 | |
JPH11231549A (ja) | 走査型露光装置および露光方法 | |
TWI529443B (zh) | 曝光裝置及微透鏡陣列構造體 | |
JP2006145745A (ja) | パターン描画装置およびパターン描画方法 | |
WO2024038533A1 (ja) | 光源ユニット、照明ユニット、露光装置、及び露光方法 | |
TW200540457A (en) | Two-dimensional light modulation device, exposure apparatus, and exposure method | |
JP2010145698A (ja) | 走査露光装置 |