TW201233820A - Ceramic member and manufacturing thereof - Google Patents

Description

201233820 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明是有關於一種陶瓷工件及其製造方法，特別是有 關於一種具有漸變金屬碳化物層或漸變金屬氧化物層之 陶瓷工件及其製造方法。 [先前技術3 . [0002] 目前，習知的陶瓷外殼上，常會鍍覆一層金屬層作為裝 飾用，然而由於不同材質之間的晶格差距過大，容易造 成在異質接面上有硬殘餘應力過大的問題，因此容易形 成掉漆或掉膜的問題，使的消費性電子產品的外表經不 起時間的考驗。 [0003] 習知在鍍覆金屬膜層時常使用的方法包含電鍍或是電弧 鍍膜法，然而此些方法對於金屬裝飾層的附著力皆未能 有提高的效果。因此，提供一種具有高度黏附效果的金 屬裝飾層與陶瓷基材之間的嫁接材料以及其製作方法， 就顯得刻不容緩了。 〇 【發明内容】 [0004] 有鑑於上述習知技藝之問題，本發明之目的就是在提供 一種陶瓷工件及其製造方法，以解決陶瓷外殼上鍍覆金 屬時附著力不足的問題。 [0005] 根據本發明之目的，提出一種陶瓷工件，其包含了一陶 瓷基材以及一嫁接層。嫁接層係以反應性真空鍍膜的方 式設置於陶瓷基材之一面上，且嫁接層為碳化金屬（ M Cy)、氧化金屬（M 0 )或氮化金屬（Μ N )。 X X y X y 100104196 表單編號A0101 1002007397-0 201233820 [0006] 其中，嫁接層更包令—第一嫁接子層以及一第二嫁接子 層。第一嫁接子層（M Cu)係設於陶瓷基材之該面上， a b 而第二嫁接子層（M CJ則設於第一嫁接子層上，且 c d a + b= 1，c + d = l且a<c ° [0007] 其中，嫁接層更包含一第一嫁接子層以及一第二嫁接子 層。第一嫁接子層（Ma〇b)係設於陶瓷基材之面上，而 第二嫁接子層（M 0」）則設於第一嫁接子層上，且a + b = l c d ，c + d=l_3*a<c ° [0008] 其中，嫁接層更包含一第一嫁接子層以及一第二嫁接子 層。第一嫁接子層（M Nk)係設於陶瓷基材之面上，而 a b 第二嫁接子層（Μ Μ則設於第一嫁接子層上，且a + b = l c α ，c + d = 1 且a<c ° [0009] 其中，嫁接層更包含一第一嫁接子層以及一第二嫁接子 層。第一嫁接子層係設於陶瓷基材之該面上，而第二嫁 接子層則設於第一嫁接子層上，且第一嫁接子層之厚度 係小於第二嫁接子層。 [0010] 其中，嫁接層更包含一第一嫁接子層以及一第二嫁接子 層。第一嫁接子層係設於陶瓷基材之該面上，而第二嫁 接子層則設於第一嫁接子層上，且第一嫁接子層之厚度 係大於第二嫁接子層。 [0011] 其中，嫁接層之厚度係介於1〜500奈米。 [0012] 其中，陶瓷工件更包含一金屬層，且金屬層設置於嫁接 層之上。 100104196 表單編號A0101 第4頁/共27頁 1002007397-0 201233820 [0013] [0014] 0 [0015] [0016] [0017]

[0018] [0019] [0020] 根據本發明之目的，再提出一種陶瓷工件之製造方法， 其包含提供一陶瓷基材，並以電漿轟擊陶瓷基材之一面 ，再以真空鍍膜法進行反應性鍍膜鍍製一嫁接層於陶瓷 基材之該面上，嫁接層係為碳化金屬（M C )、氧化金 X y 屬（MO )或氮化金屬（MN )。 X y X y 其中，鍍製嫁接層更包含先鍍製一第一嫁接子層（M Cu a b )於陶瓷基材之該面上，再鍍製一第二嫁接子層（M L c d )於第一嫁接子層上，且a+b=l，c + d = l，a<c。 其中，鍍製嫁接層更包含先鍍製一第一嫁接子層（Ma〇b )於陶瓷基材之該面上，再鍍製一第二嫁接子層（Μ 0, c d )於第一嫁接子層上，且a+b=l，c + d=l，a<c。 其中，鍍製嫁接層更包含先鍍製一第一嫁接子層（M a b )於陶瓷基材之該面上，再鍍製一第二嫁接子層（Μ \ c d )於第一嫁接子層上，且a+b=l，c+d=l，a<c。 其中，鍍製嫁接層更包含先鍍製一第一嫁接子層於陶瓷 基材之一面上，再鍍製一第二嫁接子層於第一嫁接子層 上，且第一嫁接子層之厚度係小於第二嫁接子層。 其中，鍍製嫁接層更包含先鍍製一第一嫁接子層於陶瓷 基材之一面上，再鍍製一第二嫁接子層於第一嫁接子層 上，且第一嫁接子層之厚度係大於第二嫁接子層。 其中，漿轟擊或真空鍍膜的工作壓力係為10_2~10_4Pa。 其中，陶瓷工件的製造方法係通入氬氣及一有機氣體、 氧氣、氮氣或前述氣體至少二者之組合作為真空鍍膜之 100104196 表單編號A0101 第5頁/共27頁 1002007397-0 201233820 電漿氣體。 [0021] 其中，有機氣體係為曱烷或乙炔。 [0022] 其中，嫁接層之厚度係介於1〜500奈米。 [0023] 其中，陶瓷工件的製造方法更包含下列步驟以真空鍍膜 的方式設置一金屬層於嫁接層之上。 [0024] 承上所述，依本發明之陶瓷工件及其製造方法，其可具 有一或多個下述優點： (1) 此陶瓷工件及其製造方法可藉由在陶瓷基材與金屬 鍍層之間設置一層嫁接層，藉此可提高金屬鍍材之附著 性。 (2) 此陶瓷工件及其製造方法可藉由漸變嫁接層的濃度 或厚度，藉此可解決金屬鍍材無法牢固在陶瓷基材上的 問題。 【實施方式】 [0025] 請參閱第1圖，其係為本發明之陶瓷工件之製造方法之流 程圖。如圖所示，本發明之陶瓷工件之製造方法，其包 含下列步驟： (S10)提供一陶瓷基材； (S20)以電漿轟擊陶瓷基材之一面；以及 (S30)以真空鍍膜法進行反應性鍍膜鍍製一嫁接層於陶 兗基材之該面上，嫁接層係為碳化金屬（MxCy)、氧化 金屬（M 0 )或氮化金屬（Μ N )。 X y X y [0026] 請參閱第2圖，其係為本發明之陶瓷工件之製造方法之另 一流程圖。如圖所示，本發明之陶瓷工件之製造方法， 100104196 表單編號A0101 第6頁/共27頁 1002007397-0 201233820 步驟（S30 )更包含下列步驟： (S300 )鍍製一第一嫁接子層（M CK)於陶瓷基材之一 a b 面上；以及 (S301)鍍製一第二嫁接子層（M L)於第一嫁接子層 c d 上，且a + b = l，c + cK，a<c ° [0027] 〇 其中，第一嫁接子層及第二嫁接子層也可以是氧化金屬 層（Μ 或Μ 0』）或或氮化金屬（M NU4M N』），在這 abed abed 裡為了省略說明，便不繪示鍍製氧化金屬層及氮化金屬 層之流程圖。 [0028] 請參閱第3圖，其係為本發明之陶瓷工件之製造方法之再 一流程圖。本實施方式與上述的實施方式之不同處在於 ，步驟（S30)中，鍍製嫁接層更可包含下列步驟： (S302 )鍍製一第一嫁接子層於陶瓷基材之一面上；以 及 (S303 )鍍製一第二嫁接子層於第一嫁接子層上，且第 一嫁接子層之厚度係小於第二嫁接子層。 〇 r Ί [0029] 然而，於本發明所屬技術領域具有通常知識者應可輕易 理解，將第一嫁接子層之厚度設置的較第二嫁接子層大 也是同屬本發明範疇的另一實施態樣，本處之圖式以及 說明係為舉例而非限制，在此先行敘明。 [0030] 請參閱第4圖，其係為本發明之陶瓷工件的製造方法之示 意圖。如第4圖左所示，陶瓷基材20係設置於一濺鍍系統 2之内，並放置於一載台21上加熱至約175〜225°C。於 降低工作壓力到至少10_4Pa (背景壓力）之後，隨即於 100104196 表單編號A0101 第7頁/共27頁 1002007397-0 201233820 通入氬氣（Ar) 50mcc/niin後調整工作壓力至 10_2〜10_3Pa，並將載台通入直流或交流電壓15〜35伏特 (功率80%)，以令氬氣轉變為電漿22並轟擊該陶瓷基 材2 0大約5〜1 5分鐘做為表面清潔。 [0031] 再如第4圖右所示，此時即進行反應性濺鍍：通入曱烷或 乙炔或其他含碳的氣體、氧氣或氮氣以作為形成碳化金 屬嫁接層、氧化金屬嫁接層或氮化金屬嫁接層的碳、氧 或氮的來源。將濺鍍搶23通入直流或交流電壓（如射頻 等）80〜130伏特（功率40〜85%)，以在靶材24附近產 生濺鍍靶材24用的電聚，且同時降低通至陶瓷基材20的 偏壓功率至約15〜25%。其中，靶材24係為金屬材質，其 可為鐵、鉻、鋅、鎢或鈦等。此時，靶材24即被電漿濺 鍍出至少一金屬原子240並朝向陶瓷基材20移動，進而在 金屬基板上與因電漿化而從甲烷或乙炔中所釋放出來的 碳產生化學反應，產生金屬碳化物M C嫁接層、氧化金 X y 屬Μ 0嫁接層或氮化金屬Μ N嫁接層，如FeQC、Ti09、 x y x y 3 2 AIN或其他視金屬靶材的種類不同而產生不同的金屬碳化 物、金屬氧化物或金屬氮化物。 [0032] 其中，當要生產濃度漸變的嫁接層時（如步驟S21〜S22 )，便以一定的時間間隔將濺鍍槍23的功率增加或增加 氬氣/碳來源氣體或氬氣/氧氣的比例，即可增加靶材24 單位時間的被濺鍍量或減少碳、氧或氮來源，以提升嫁 接層的金屬含量；又或是可以以不同的時間間隔將濺鍍 槍23的功率增加（如步驟S23〜S24)，以產生濃度不同 、厚度也不同的漸變層的效果，有效增加膜層的附著力 100104196 表單編號A0101 第8頁/共27頁 1002007397-0 201233820 ο [0033] Ο [0034] 最後，停止通入甲烷或乙炔或其他含碳的氣體、氡氣或 氮氣，使得電漿的氣體來源僅僅只有氬氣，此時在陶瓷 基材20上的金屬原子240便不再產生反應，而僅以純金屬 層的方式鍍覆在嫁接層上。另外，金屬濺鍍搶也不僅僅 只限於圖中的一支’其可以有複數個濺鍍搶同時或間隔 地濺鍍相同或不同的金屬，本發明並不在此做限制，在 此先行敘明。如此的接合方式可以有效的提高金屬層與 陶瓷基材20的接合力。在一些較佳的實施例中，嫁接層 之總厚度係介於1〜500奈米。 其中，陶瓷基材係可為碳化矽、Κ匕鋁等常用工業陶瓷 基材；通至金屬靶材24的電源約在5V〜30.0V之間，且其 功率範圍約10%〜85%之間；而通至陶宪:秦:材2〇的偏壓電 源則約在0〜150V之間，功率範圍15〜9冰％。上述的操作 係端看所生產不同的工件而定，丰發明並不在此做限制

[0035] 請參閱第5圖，其係為本發明之陶瓷工件之第一實施例示 意圖。如圖所示，本發明之陶瓷工件5，其包含了 一陶兗 基材50以及一嫁接層51。嫁接層51係以反應性真空鍍膜 的方式設置於陶瓷基材50之上，且嫁接層51為碳化金屬 (M C )。其中，陶瓷基材50係可為碳化矽等常用工業 陶瓷基材，而嫁接層51係可以上述的方法沈積成一層的 变態，如本實施例所示，且嫁接層51上更可設置有一金 属層52(如銅、鈦等常用之金屬），嫁接層51即可有效 的接合金屬層52及陶瓷基材50。 1002007397-0 100104196 表單煸號A0101 第9頁/共27頁 201233820 [0036] 請參閱第6圖，其係為本發明之陶瓷工件之第二實施例示 意圖。如圖所示，本發明之陶瓷工件6包含了一陶瓷基材 60、一嫁接層61以及一金屬層62。嫁接層61係以反應性 真空鍍膜的方式設置於陶瓷基材60之上，且嫁接層61為 碳化金屬（M C );而金屬層62則以真空鍍膜的方式設 X y 置於嫁接層61上。在本實施例中，嫁接層61更包含一第 一嫁接子層610以及一第二嫁接子層611。第一嫁接子層 (M Cu) 610係設於陶瓷基材60之一面上，而第二嫁接子 a b 層（M C,) 611則設於第一嫁接子層610上，且a+b=l， c d c + d=l且a<c。亦即，本實施例係將整個嫁接層61分成多 個成分的組成，且較上層的嫁接層61的金屬比例較高， 如此一來在嫁接陶瓷基材60以及金屬層61時，即可以緩 慢漸變的方式接合陶瓷基材60以及金屬層61，所造成的 接合面應力較小，接合強度有效提高。 [0037] 請參閱第7圖，其係為本發明之陶瓷工件之第三實施例示 意圖。如圖所示，本發明之陶瓷工件7包含了一陶瓷基材 70、一嫁接層71以及一金屬層72。嫁接層71係以反應性 真空鍍膜的方式設置於陶瓷基材70之上，且嫁接層71為 氧化金屬（M 0 );而金屬層72則以真空鍍膜的方式設 X y 置於嫁接層71上。在本實施例中，嫁接層71更包含一第 一嫁接子層710以及一第二嫁接子層711。第一嫁接子層 (M Ou) 710係設於陶瓷基材70之一面上，而第二嫁接子 a b 層（Μ 0』）711則設於第一嫁接子層710上，且a + b = l， c d c + d = l且a<c。在本實施例中，第一嫁接子層710之厚度 係小於第二嫁接子層711，此實施例即為結合了厚度與濃 100104196 表單編號A0101 第10頁/共27頁 1002007397-0 201233820 [0038] Ο [0039] Ο [0040] 度的漸變關係’有效達到增加接合強度的效果。 另外雖然並未繪示於圖式中，然而於本發明所屬技術 湏域/、有通常知識者應可輕易理解，將前述實施例中的 氧氣或有錢體更換錢氣後即可完成以氣化金屬為主 的嫁接子層，亦即第-嫁接子層可為（Μ Ν )而第二嫁 3 b 接子層可為（Md)，因此以氮化金屬為主的嫁接子層 係同屬本發明Μ的另-實絲樣，前面所救述過的實 施例、圖式以及說明係為舉例而非限制，在此先行敘明 〇 請參閱第8圖’其係為本發明之喊工件之第四實施例示 意圖。如圖所示’本發明之陶瓷工件8係包含一陶瓷基材 80、一嫁接層81以及一金屬層82。其中，嫁接層81包含 了一碳化金屬嫁接層810、一金屬嫁接層811以及一合金 嫁接層812。碳化金屬嫁接層81〇包含了第一碳化金屬嫁 接子層8100、第二碳化金屬嫁接子層81〇1、第三碳化金 屬嫁接子層8102以及第四碳化金屬嫁接子層81〇3。本實 施例之陶瓷基材80係為碳祀矽 '金屬嫁接層81丨係為金屬 鈦，而金屬層82係為金屬銅β 在此要先s兒明的是，第一碳化金屬嫁接子層81〇〇、第二 碳化金屬嫁接子層8101、第三碳化金屬嫁接子層81〇2以 及第四石反化金屬嫁接子層8103皆屬於前述實施例中的嫁 接子層，本實施例係大幅的擴充嫁接子層的結構。 在本實施例中，陶究基材80首先於背景壓力中先被加熱 至175〜225°C ’接著便通入25〜75mC.c的氬氣並調整工 100104196 表單編號A0101 第11買/共27頁 1002007397-0 [0041] 201233820 作壓力至10 2~10 3pa且對陶瓷基材8〇通入約15〜25V，

功率80%的基板偏壓以進行基板表面處理約15〜25分鐘。 之後便通入乙炔並維持氬氣/乙炔比約2. 2 5的比例，且打 開滅鑛搶以功率80% (降低基板偏壓功率至20%)，75〜 90V濺锻鈦靶’使得鈦原子濺鍍至陶瓷基材8〇上產生反應 性濺鍍以形成第一碳化金屬嫁接子層8100，亦即碳化鈦 (Ti C X y [0042] 在大約7〜12分鐘後，隨即提升氬氣/乙炔比至大約2. 3的 比例，以形成第二碳化金屬嫁接子層8101。由於乙炔通 入的比例相對下降，因此在本第二碳化金屬嫁接子層 8101層中碳化鈇（Ti C )y對X的比例也跟著下降了。在 相同的時間間隔後，再度提升氬氣/乙缺比至大約3的比 例，並進一步提升鈦靶濺鍍搶的電壓至9〇〜11 0V以更進 一步提升欽原子的比例，而形成第三碳化金屬嫁接子層 8102。最後’再度提升氬氣/乙炔比至大約6的比例，並 進一步提升鈦靶濺鍍槍的電壓至100〜130V以更進一步提 升鈦原子的比例，而形成第四碳化金屬嫁接子層81〇3。 由於各層濺鍍的時間間隔皆相同，因此各子層的厚度也 相同。 [0043] 在形成第四碳化金屬嫁接子層8103之後，隨即關閉乙炔 以進行純粹的鈇原子濺鍍。在濺鍍相同的厚度的鈦金屬 層（金屬嫁接層811 )後，開啟另外一隻濺鑛搶以同時濺 鍍銅靶，此時調整兩隻濺鍍搶功率及電壓皆相同（40%， 100V)以形成與前述個嫁接層厚度相同的鈦銅介金屬化 合物或鈦銅合金，即合金嫁接層812。之後便關閉鈦靶濺 100104196 表單编號Α0101 第12頁/共27頁 1002007397-0 201233820 [0044] 鍍搶，僅留下濺鍍銅靶的濺鍍槍繼續進行濺鍍純銅以形 成金屬層82。最後則進行熱處理，將整個陶瓷工件8升溫 至550〜65(TC持溫10〜15分鐘後，爐冷至室溫。 然而，於本發明所屬技術領中具有通常知識者應可瞭解 ，在本實施例中，若將乙炔氣體置換成氧氣或氮氣，即 可形成含氧化金屬之嫁接層或含氮化金屬之嫁接層，在 此為了簡化敘述，便不再贅述。 [0045] Ο [0046]

在本實施例中舉例了可以有兩組以上的嫁接層以及嫁接 子層’且每層嫁接子層的金屬濃度都呈現漸變式的型態 。且藉由在百格測試（ASTM D3359，刀間距lmm，χ_γ 各10格）測試條件下，本發明，有效的提升金屬層對陶瓷 基材的附著力至大於4Β且不邊蘇;裂ς,習知技術約3Β且易 龜裂），可見本發明實質上確實提升了金屬層對陶瓷基 材的附著力。 綜上所述，本發明係可藉由嫁接層增進陶瓷基材與金屬 層的附著力，且可更進-步藉由多個嫁接子層以不同的 濃度或厚度作為漸變的條件，有效的解決喊基材上鍵 覆其他金屬時，附著力;夠容騎漆的問題。 [0047] 政“也 性者。任何未脫離本 發明之精神與而對其進行之等效修^變更，均 應包含於後附之申請專利範圍中。 [0048] 【圖式簡單說明】 第1圖係'為本發明之陶瓷工件之製造方法 第2圖係為本發明之陶瓷工件之裳 淹程圖 教知·方法之另一流程圖 100104196 表單鎢號Α0ΠΗ 第13頁/共27頁 1002007397-0 201233820 第3圖係為本發明之陶瓷工件之製造方法之再一流程圖； 第4圖係為本發明之陶瓷工件之製造方法之示意圖； 第5圖係為本發明之陶瓷工件之第一實施例示意圖； 第6圖係為本發明之陶瓷工件之第二實施例示意圖； 第7圖係為本發明之陶瓷工件之第三實施例示意圖；以及 第8圖係為本發明之陶瓷工件之第四實施例示意圖。 【主要元件符號說明】 [0049] 2:濺鍍系統； 20、50、60、70 :陶瓷基材； 21 :載台； 22 :電漿； 23 :濺鍍搶； . 24 :靶材； 240 :金屬原子； 5、6、7、8:陶兗工件； 51、 61、71、81 :嫁接層； 610、 710 :第一嫁接子層； 611、 711 :第二嫁接子層； 52、 62、72、82 :金屬層； 810 :碳化金屬嫁接層； 8100 :第一碳化金屬嫁接子層； 8101 :第二碳化金屬嫁接子層； 8102 :第三碳化金屬嫁接子層； 8103 :第四碳化金屬嫁接子層； 811 :金屬嫁接層； 100104196 812 :合金嫁接層；以及 表單編號A0101 第14頁/共27頁 1002007397-0 201233820 S10〜S30、S300~S303 :步驟。

100104196 表單編號A0101 第15頁/共27頁 1002007397-0

Claims (1)

1. 201233820 七、申請專利範圍： 1 種陶瓷工件，其包含： —陶瓷基材；以及 —嫁接層’其係設置於該陶:面上，且該嫁接層 係為碳化金屬（μΛ)、氡化金屬（M或氮化金屬（ Μ N ) 〇 y X〆 2.如申請專利範圍第i項所述之陶免工件，其中該嫁接層更 包含： —第-嫁接子層（ΜΛ) ’係設於該陶餘材之該面上； 以及 —第二嫁接子層（McCd)，係設於該第一嫁接子層上； 其中，a + b=l，c + d = l 且 a<c.» 3 ·如申請專利範圍第！項所述之陶变工件，其「中該嫁接層更 包含： —第-嫁接子層（Ma〇b)，係設於該料基材之該面上； 以及 —第二嫁接子層（Mc0d)，係設於該*—嫁接子層上； 其中，a+b = l，c + d = l 且 a<c。 4.如申請專利範圍第1項所述之陶究工件，其中該嫁接層更 包含： —第-嫁接子層（MaNb)，係設於該陶究基材之該面上； 以及 ’ —第二嫁接子層（ΜΛ)，似於該第—嫁接子層上； 其中，a+b = l，c+d=lJLa<c ° 其中該嫁接層更 如申請專利範圍第1項所述之陶瓷工件 100104196 表單編號A0101 第16頁/共27頁 1002007397-0 201233820 包含’· 一第一嫁接子層，係設於該陶瓷基材之該面上；以及 一第二嫁接子層，係設於該第一嫁接子層上； 其中，該第一嫁接子層之厚度係小於該第二嫁接子層。 6.如申請專利範圍第1項所述之陶瓷工件，其中該嫁接層更 包含： 一第一嫁接子層，係設於該陶瓷基材之該面上；以及 一第二嫁接子層，係設於該第一嫁接子層上； 其中，該第一嫁接子層之厚度係大於該第二嫁接子層。 ❹

   100104196 7 .如申請專利範圍第1項所述之陶瓷工件，其中該嫁接層之 厚度係介於1〜500奈米。 8.如申請專利範圍第1項所述之陶瓷工件，其更包含一金屬 層，該金屬層係設置於該嫁接層之上。 9 . 一種陶瓷工件的製造方法，包含下列步驟： 提供一陶瓷基材； 以電漿轟擊該陶瓷基材之一面；以及 以真空鍍膜法進行反應性鍍膜鍍製一嫁接層於該陶瓷基材 之該面上，該嫁接層係為碳化金屬（M C )、氧化金屬（ X y Μ 0 )或氮化金屬（Μ N )。 X y X y 10 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其中 鍍製該嫁接層更包含下列步驟： 鍍製一第一嫁接子層（M Ck)於該陶瓷基材之該面上；以 a b 及 鍍製一第二嫁接子層（M L)於該第一嫁接子層上； c d 其中，a+b = 1，c + d = 1 且 a < c。 11 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其中 表單編號A0101 第17頁/共27頁 1002007397-0 201233820 鍍製該嫁接層更包含下列步驟： 鍍製一第一嫁接子層（M (^)於該陶瓷基材之該面上；以 a b 及 鍍製一第二嫁接子層（Μ (^)於該第一嫁接子層上； c d 其中，a + b二 1，c + d = lia<c ° 12 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其中 鍍製該嫁接層更包含下列步驟： 鍍製一第一嫁接子層（M Nk)於該陶瓷基材之該面上；以 a b 及 鍍製一第二嫁接子層（Μ 於該第一嫁接子層上； c α 其中，a + b=l，c + d = l 且 a<c.。 13 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其中 鍍製該嫁接層更包含下列步驟： 鍍製一第一嫁接子層於該陶瓷基材之該面上；以及 鍍製一第二嫁接子層於該第一嫁接子層上； 其中，該第一嫁接子層之厚度係小於該第二嫁接子層。 14 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其中 鍍製該嫁接層更包含下列步驟： 鍍製一第一嫁接子層於該陶瓷基材之該面上；以及 鍍製一第二嫁接子層於該第一嫁接子層上； 其中，該第一嫁接子層之厚度係大於該第二嫁接子層。 15 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其中 電漿轟擊或真空鍍膜的工作壓力係為1(Γ2〜l(T4Pa。 16 .如申請專利範圍第9項所述之陶瓷工件的製造方法，其係 通入氬氣、一有機氣體、氧氣、氮氣或前述氣體至少二者 之組合作為真空鍍膜之電漿氣體。 100104196 表單編號A0101 第18頁/共27頁 1002007397-0 18 .如 201233820 17 ·如申請專利範圍第16項所述之 該有機氣體係為甲烧或己块。見工件的製造方法 如申請專利範圍第9項所述 該嫁接層μ耗料丨〜5(：；；件㈣造方法， 如申請專利範圍第9項所述 包含下列步驟： 之陶竞工件的製造方法， .真空鍍膜的方式設置—金屬層於該嫁接層之上。 ，其中 其中 其更 以

   100104196 表單煸號Α0101 第19頁/共27頁 1002007397-0