TW200936975A - Cooling device and heat treating device using the same - Google Patents

Description

200936975 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於對半導體晶圓等的被處理體施予熱處 之熱處理裝置及用於此熱處理裝置之冷卻裝置。 【先前技術】 一般，爲了製造半導體積體電路，對半導體晶圓進 © 成膜處理、蝕刻處理、氧化處理、抗散處理以及改質處 等的各種熱處理。當用縱型的分批式熱處理裝置進行這 的熱處理時，首先，從收容複數片半導體晶圓（例如收 25片）之卡匣中，將該半導體晶圓移到縱型的晶圓載 板上。晶圓載置板依據晶圓尺寸大致可以載置30〜150 程度的晶圓。此晶圓載置板由下方裝載到處理容器內後 處理容器被氣密密閉。然後，一面控制處理氣體的流量 處理壓力、處理溫度等各種的處理條件，一面對半導體 〇 圓施予一定的熱處理。 在過去一般熱處理容器的外周部位設有晶圓加熱用 加熱器、及由氧化鋁、二氧化矽等的隔熱材所形成之隔 層。隔熱層是爲了確保處理容器的保溫及處理容器周圍 安全性而設置。而且含在高溫狀態的隔熱層之B、Fe、 等的金屬雜質逐漸透過石英製的處理容器而侵入到處理 器內部造成晶圓受到些微污染的可能性最近已被指出。 外，從提高生產流量的觀點，爲了使處理容器的升降溫 加速’而期待能減小處理爐全體的熱容量。從這個觀點 理 行 理 些 容 置 片 晶 的 熱 的 Cu 容 另 度 -4- 200936975 也期待能不用上述隔去的熱處理裝置。 此處，參照第9圖說明沒有前述過的隔熱層之過去的 熱處理裝置例。這個熱處理裝置2具有由內筒4和外筒6 所形成的雙重構造之石英製縱型的處理容器8。在內筒4 內的處理空間收容石英製的晶圓載置板10，晶圓載置板 ‘ 1〇上下隔有間隔把持有多數片的半導體晶圓W。 設有開閉此處理容器8的下部開口之罩蓋12，罩蓋 Q 12介於磁性流體封圈14設有旋轉軸16。此旋轉軸16的 上端設有旋轉台18，此旋轉台18上設有保溫筒20。保溫 筒20上載置晶圓載置板1〇。罩蓋12安裝在可升降的升 降機22之機臂24，罩蓋12能與旋轉軸16及晶圓板10 等一起升降。晶圓載置板10從處理容器8的下部開口插 入至處理容器8內。 處理容器8的下端部接合不銹鋼的集流腔26。集流 腔26中貫穿了將一定的處理（成膜處理）所必要的種種 〇 處理氣體導入到處理容器8內之複數個氣體噴嘴28A、 28B(圖示爲2個噴嘴）。氣體噴嘴2 8A、28B分別連接 氣體供應系30A、30B，並且氣體供應系30A、30B中間 設有如同控制氣體流量的質量流動控制器之流量控制器 32A、32B。 由各氣體噴嘴28 A、28B所供應之各處理氣體，往內 筒4內的處理空間S，也就是往晶圓的收容領域上升而到 達頂端部’於該頂部往下方折返，流入內筒4與外筒6的 間隙內’最後排出到處理容器8外。在集流腔2 6的側壁 -5- 200936975 設有排氣口 34，在此排氣口 34連接將處理容器 空之真空泵（未圖示）。在處理容器8的外側’ 容器8設置向上下方向延伸之複數根棒狀的加奔 加熱器36將處理容器8內的晶圓加熱到預定的福 在加熱器36的外側設置未施加隔熱材的筒月 '。冷卻夾套38具有隔有間隔配置並且相互接合 製的筒狀內側殻層3 8 A及外側殼層3 8B。在內側 Q 側殼層3 8 A、3 8 B熔焊接將形成在兩殼層間的空 形成曲折的冷媒通路42之多數片隔板40。當冷 冷媒通路4 2，則冷卻夾套3 8成爲隔熱層的功能 夾套38的外側氣相維持在安全的溫度。 然則，經過冷卻夾套3 8的冷卻水之壓力通 kg/cm2程度，所以爲了負荷此壓力，必須相當程 側殻層38A及外側殼層38B的強度。因此，內 殼層38A、38B的厚度t被設定爲6 mm程度。 〇 成冷卻夾套38的重量增大的問題以及其結果爲 38之支承構造大型化又複雜化的問題。另外由 殼層38A與外側殻層38B之間熔焊接著隔板40 造冷卻夾套38會造成困難，其結果導致製造成 。另外，如果發生溶焊接不良則會發生冷卻水流 結果會有冷卻不均或冷卻處理中晶圓間的溫度參 可能性。進而，在與熔焊接隔板40的部位相對 殼層3 8A的處理容器所對向之面出現熔焊接畸 接焊珠，則會有該部分的反射率局部性變化而造 8內抽真 圍繞處理 贫器36， i度。 犬夾套38 之不銹鋼 殼層及外 間分開而 卻水流到 ，將冷卻 常高達5 度提高內 側及外側 不過會造 冷卻夾套 於在內側 ，所以製 本的增大 短路，其 差不齊的 應之內側 變或熔焊 成晶圓間 -6 200936975 的溫度參差不齊的問題。 【發明內容】 本發明係針對以上的問題點，有效解決此問題點而被 提案。本發明之目的爲提供重量輕且冷卻效率高以及信賴 性也高之冷卻裝置及使用該冷卻裝置之熱處理裝置。 爲了達成上述目的，本發明是針對用於具有收容被處 〇 理體的處理容器及將該處理容器內的前述被處理體加熱的 加熱器之熱處理裝置中的冷卻裝置，具備有形成爲能收容 前述處理容器及前述加熱器之筒狀基體構件、及形成爲沿 著前述基體構件表面捲繞並且焊接於前述基體構件表面， 且內部能流通冷媒之管構件；前述管構件，具有矩形剖面 ，是將：上述筒狀的基體構件的表面、以及與前述基體構件 的表面所相對的前述矩形的第一邊部對應的前述管構件的第 一表面，予以焊接，藉此將前述筒狀的基體構件的表面、與 © 前述管構件的第一表面，隔介著焊料予以接合。 前述管構件能沿著前述筒狀基體構件的外側表面捲繞 。另外，前述管構件能沿著前述筒狀基體構件的外側表面 .捲繞成螺旋狀。 前述管構件能具有複數個管部位，複數個管部位分別 具有相互分開的冷媒通路。此情況，最好是各管部位個別 供應及排出冷媒。最好是前述各管部位分別配置在前述筒 狀基體構件的不同高度。 本發明的冷卻裝置可以更進一步由具備將冷媒供應到 200936975 前述冷卻管構件之冷媒供應手段所構成。 依情況，能對前述筒狀基體構件的內側表面施予使前 述內側表面對熱線的反射率提高之表面處理、或是使前述 內側表面對熱線的反射率降低之表面處理。使反射率提高 之表面處理包括前述內側表面的鏡面處理以及形成在前述 內側表面之陶瓷或金屬膜的形成。 本發明更進一步提供具備上述冷卻裝置之熱處理裝置 【實施方式】 以下，根據圖面詳述本發明的冷卻裝置以及使用該冷 卻裝置之熱處理裝置的實施例。 (第1實施形態） 參照第1〜5圖說明本發明的第1實施形態。熱處理 〇 裝置50具有雙重管構造的處理容器56。處理容器56具 有筒狀的石英製內筒52、及隔有一定的間隙呈同心圓狀 配置在內筒52的外側之石英製外筒54。 處理容器56的介於Ο封圈等密合構件57用不銹鋼 製的筒狀集流腔58來支承。內筒52的下端利用從集流腔 58的內壁往內突出之環的支承板58A來支承。處理容器 5 6內的裝塡有上下隔有間隔支承多數片半導體晶圓（即 是被處理體）之石英製晶圓載置板60 (即是被處理體把 持手段）。典型的實施形態則是晶圓載置板60上以等間 -8 - 200936975 隔把持直徑爲300 mm的25片晶圓W。 晶圓板60介於石英製的保溫筒62載置在旋轉台64 上。旋轉台64支承於貫穿開閉集流腔58的下端開口之蓋 66的旋轉軸68上面。在貫穿蓋66的旋轉軸68之部位設 有磁性流體封圏70。磁性流體封圈70將旋轉軸68氣密 封合，並且容許旋轉軸68自由旋轉。在蓋66的周邊部與 集流腔5 8的下端之間設置密封構件72，例如設置Ο封圈 〇 72，而確保處理容器56的氣密性。 旋轉軸68安裝於被稱爲升降機之升降機構74所伸出 之臂76的前端。利用升降機構74可以將晶圓板60及蓋 66等的構件一起升降。在集流腔58的側部設有從內筒52 與外筒54之間隙的底部排出處理容器56內的氣相之排出 口 78。排出口 78連接設有真空泵之真空排氣系。集流腔 連接將處理氣體供應到內筒52內之處理氣體導入手段80 。處理氣體導入手段由2個氣體供應系82、84所形成， 〇 氣體供應系82、84分別具有貫穿集流腔58的側壁之氣體 噴嘴86、88。氣體噴嘴86、88分別連接分別介於有如質 量流控制器的流量控制器90、92之氣體流路94、96。因 此，經由氣體供應系82、84，熱處理所必要的複數種氣 體可以一面控制流量一面進行供應。氣體供應系並不侷限 於2系統，也可以依熱處理所必要的氣體種類設置因應數 量個系統。 在處理容器56的外側設有將半導體晶圓W加熱之加 熱手段98。加熱手段98由沿著處理容器56的圓周方向 -9 - 200936975 以等間隔配置之複數根，例如爲8根（參照第2圖）之加 熱棒100所形成。如第3圖所示，各加熱棒1〇〇有其上部 彎折之U字形狀。加熱棒100上下方向的長度比晶圓板 60上下方向的長度還長。加熱棒100從處理容器56之外 '筒54的外壁面稍微離開沿著該外壁面往上下方向延伸。 — 加熱棒1〇〇的下端部位彎折成L形狀。加熱棒100的端部 100 A固定於集流腔58，因而加熱棒100以站立的姿勢用 Q 集流腔58來支承。加熱棒100可以採用以石英層覆蓋碳 線的周圍之碳線加熱器。各加熱棒100藉由中間設有開關 104之供應線102連接到加熱器電源106。 熱處理裝置50更進一步具備本發明的冷卻裝置1〇8 。冷卻裝置108具有包圍處理容器56和加熱棒100之筒 構件（即是基體構件）1 1 0、及捲繞在筒構件1 1 0的側壁 並且焊接於該側壁之冷卻管1 1 2 (即是管構件）、及將冷 媒供應到冷卻管1 1 2之冷媒供應手段1 1 4。然而，以下， Ο 在於本明細書中，筒構件及冷卻管112也稱爲冷卻筒。 筒構件1 1 0由構成筒構件1 1 0的側壁之圓筒部位、阻 塞該圓筒部分的上端之頂端部位所形成。筒構件110由鋁 或不銹鋼等的金屬材料所形成。筒構件110的厚度tl非 常薄較佳，例如爲1.5 mm程度。 冷卻管112由不銹鋼、鋁、鈦、銅等的金屬材料所形 成。冷卻管1 1 2最好是有矩形正方形的剖面。經由設成此 種剖面，冷卻管112就容易與筒構件110接合，且接合面 積也能加大；進而冷卻管1 1 2上下方向所相鄰的部位彼此 -10- 200936975 間容易接合，且冷卻管1 1 2上下方向所相鄰的部位間不易 產生間隙。不過冷卻管11 2的剖面也能設成其他的形狀， 例如設成橢圓形，冷卻管112捲繞在筒構件11 〇的側壁’ 最好是呈螺旋狀捲繞在側壁的外表面，遮蓋側壁的大致全 體。冷卻管1 1 2如第4、5圖所示，使上下方向所相鄰的 管部位彼此間接觸而使其不會有間隙較適切，不過本實施 形態則容許少許部分的間隙。如第5圖所示，與筒構件 φ 1 1 0之側壁面的外側表面相對向之冷卻管1 1 2的表面，包 括冷卻管112的全長都用焊材116來與筒構件110焊接。 因此，由於筒構件110與冷卻管112爲金屬結合，所以兩 者間的傳熱效率非常高。 如第5圖所示，當使冷卻管112上下方向所相鄰的管 彼此間接觸時，上下方向所相鄰的管部位彼此間也是以熔 焊接或焊接等來接合，從提高強度的觀點則較理想。然而 若能依照第5圖所示的配置進行焊接，則上下方向所相鄰 〇 的管部位彼此間也被焊接。 當用此熱處理裝置50實施之熱處理的處理溫度例如 爲600〜1200°C的高溫時，對筒構件110的內周面施予使 對熱線的反射率提高之表面處理。此表面處理包括電鍍處 理或濺射處理等的膜形成處理。經由此膜形成處理而使硝 化鈦等的陶瓷以及由銅、鉻、鎳或金等的金屬所形成之膜 118形成在筒構件110的內周面（參照第5圖）。經設置 對熱線的反射率較高的膜118’朝向加熱器1〇〇及處理容 器56反射從加熱器1 00及處理容器56側射入到筒構件 -11 - 200936975 110的熱線’因而能提高加熱效率。 另外’使對熱線的反射率提高之表 110之內周面的鏡面處理。此外，鏡面 (日本工業規格）B 0601-1994 (表面 )所測定之Ry値爲數"m以下。具體 5 μ m以下’ 1以m以下則更理想。爲了 可以採用機械硏磨、化學硏磨、電化學 Q 硏磨方法。 用此熱處理裝置50來實施之熱處 爲50〜600°C程度的低溫時，爲了使低 提升，筒構件110的內周面施予使對熱 表面處理，即是施予黑化處理。此樣的 色塗料的塗敷處理、熔射處理或噴吹處 〇 再度參照第4圖，冷卻管112區隔 Ο 爲 4 個）部位 112A、112B、112C、 112A〜112D分別遮蓋處理容器56的不 。在冷卻管112的各部位112A〜112D 來導入冷媒的入口通道120及用來排 122。然而，不將冷卻管112區分成複 卻管1 1 2內形成單一的延續冷媒流路。 如第1圖所示，冷媒供應手段114 124。冷媒循環管線124間設有使冷媒 126、及將經熱傳換而升溫的冷媒再度 面處理包括筒構件 i處理係指依據JIS 粗細的定義及表示 上，Ry之値最好是 進行此鏡面處理， 硏磨等任意的眾知 理的處理溫度例如 溫範圍的降低速度 線的反射率降低之 表面處理例如有黑 理等的粗面化處理 成複數個（第4圖 112D。這些部位 同高度的4個區域 的兩端分別設置用 出冷媒的出口通道 數個部位也能在冷 具有冷媒循環管線 循環之冷媒循環泵 冷卻之冷卻用熱交 -12- 200936975 換器1 2 8。供應側的冷媒循環管線1 24分支到複數 支管線，各別支管線聯結至冷卻管1 1 2的各部位 112D之入口通道120。另外，回收側的冷媒循環管 分支到複數條的分支管線，各分支管線聯結至冷卻 的各部位112A〜112D之出口通道122。然而，設 使用循環冷媒一次就廢棄已經過冷卻管112的冷媒 亦可。冷媒可以用水，不過當然是不侷限於此。 〇 其次，說明用上述所構成的裝置來進行之熱處 先，從處理容器下方將載置半導體晶圓W之晶圓 60插入到處理容器56內，用蓋66將集流腔58的 口關閉而密閉處理容器56。然後，將處理容器56 成而維持在一定的處理壓力，並且將電力供應到 1 00而使晶圓溫度上升，進而直到晶圓溫度達到一 理溫度爲止待機。之後，將一定的處理氣體，分別 制流量一面從處理氣體導入手段80的氣體供應系 © 的各噴嘴86、88，供應到處理容器56內。 與此同時，使冷媒供應手段114動作，藉由冷 管線124分別將冷媒供應到冷卻管112部位112A 。因而能一面將冷卻裝置108及其周邊氣體維持在 低溫，一面實施晶圓W的熱處理 若晶圓的熱處理結束，則對加熱棒1 00的電力 對處理容器 56內供應處理氣體都停止。此後對 112供應冷媒仍繼續進行，使處理容器56及其內 導體晶圓W之溫度降低到一定的操作溫度爲止。 條的分 1 1 2 A〜 ;線 124 管 112 成不再 之構成 理。首 載置板 下端開 內抽真 加熱棒 定的處 一面控 82、84 媒供應 〜1 1 2D 安全的 供應及 冷卻管 部的半 然後， -13- 200936975 若晶圓溫度降低到操作溫度’則卸下處理容器5 6已處理 過的晶圓W。 如上述過，本發明冷卻裝置1〇8則是將冷卻管112捲 繞在筒構件11 〇，並且將冷卻管11 2焊接於筒構件11 0。 因而，冷卻管112即使削薄其厚度仍能充分耐冷媒的壓力 。因此不必使用如同過去裝置所必要的又厚又重的內側殼 體38A及外側殻體38B (參照第9圖），所以可以減輕冷 Q 卻筒的重量。另外，本發明的冷卻裝置108不用熔焊接如 同過去裝置所必要的隔板40(參照第9圖）。因而可以 達到裝置造成本的降低，且裝置的冷卻性能及信賴性也提 升。 另外，冷卻管112與筒構件110藉由焊材116被金屬 性結合，所以冷卻管1 1 2與筒構件1 1 〇之間的熱傳導性非 常良好。因此能升高冷媒效率。 另外，因使用本發明的冷卻裝置1 〇 8 ’所以不必在處 © 理容器56的周圍設置較大熱容量的隔熱層。因而能使晶 圓W或處理容器的升降溫速度大幅增大，又能使生產流 量提升。 另外，因將冷卻管1 1 2分割成複數個部位後使每個部 位都流通冷媒，所以抑制處理容器56的高度方向之冷卻 效率的參差不齊，而能進行均勻的處理。 另外，上述的實施形態’將冷卻管112接合於筒構件 110的外周面，不過取代此方式，改而將上述冷卻管112 接合於筒構件110的內周面亦可。 -14 - 200936975 另外，上述實施形態，將冷卻管112呈螺旋狀捲繞在 筒構件110上，不過取代此方式，改而水平方向或上下方 向呈螺旋狀配置冷卻管112亦可。 (第2實施形態） 其次，參照第6〜8圖說明本發明的第2實施形態。 第6〜8圖中，與第1〜5圖之構成要件相同的構成要件附 © 註相同的參照圖號，重複說明則省略。 先前已說明過之第1實施形態是將冷卻管112捲繞在 筒構件1 1 0後接合而構成冷卻筒，不過本第2實施形態則 是不用筒構件110只以冷卻管112來構成冷卻筒（冷卻夾 套）1 34。然而，本第2實施形態，冷卻筒部位以外的冷 卻裝置的構成及熱處理裝置的構成完全與第1實施形態相 同。 在於第2實施形態，以下述的方式來製造冷卻筒134 © 。首先，使上下沒有間隙呈螺旋狀捲繞矩形或正方形剖面 的冷卻管1 1 2。冷卻管Π 2的上下方向所接觸之部位彼此 間介於焊材1 3 4經由焊接加以接合。然而，冷卻管構件 112上下方向的接合並不侷限於焊接，若能充分確保接合 部的強度，則用任意的接合方法，例如用熔焊接來進行亦 可 〇 另外，如第7圖所示，冷卻管1 12則與第1實施形態 相同，區分成複數個部位，例如區分成4個部位1 1 2 A、 112B、112C、112D，利用冷媒供應手段124，就能針對 -15- 200936975 冷卻管112的各部位112A〜U2D個別供應及排出冷媒。 如第8圖所示，對冷卻筒134的內周面，與第1實施 形態同樣地，施予使對熱線的反射率提高之表面處理或是 降低之表面處理。 "然而，第6圖所示的冷卻筒爲頂端部張開，不過此處 設置蓋來遮蓋頂端部亦可。 依據此第2實施形態，得到與第1實施形態大致相同 Q 的效果。進而，此第2實施例，由於不用第1實施形態所 使用的筒構件1 1 〇，所以能達到冷卻筒的更輕量化。另外 ，冷卻筒的熱容量更加減小，所以可以提升升溫度及降溫 速度，而能更加提升生產流量。另外，製程能更簡單化， 而能削減製造成本。然而，依據第1實施形態，由於使用 筒構件110，所以容易將冷卻筒的內周面形成爲平滑。因 而，依據第1實施形態，由於熱線用冷卻筒的內周面來均 等反射，所以減低複數個晶圓W的溫度參差不齊以及1 Ο 個晶圓W中面內溫度的均等化都能更容易實現。 然而，上述第1和第2實施形態，呈螺旋狀捲繞冷卻 管而形成筒狀體，不過並不侷限於此，例如將冷卻管分割 成複數個管部位，各管部位捲繞成環狀，朝上下方向積疊 捲繞成環狀的複數個管部位並且將這些管部位互相結合’ 而形成筒狀體亦可。此情況，針對各管部位個別供應及排 出冷媒。 然而，上述第1和第2實施形態，用水來作爲冷媒’ 不過並不侷限於此，使用其他的冷媒’例如卡爾登（登記 -16- 200936975 商標，音譯商標名）、弗洛里奈德（登記商標，音譯商標 名）等亦可。 然而，上述第1和第2實施形態，處理容器56爲由 內筒52及外筒54所形成之雙重管構造，不過並不侷限於 此，設成所謂單管構造的處理容器亦可。另外，被處理體 並不侷限於半導體晶圓，若爲玻璃基板或LCD基板皆可 【圖式簡單說明】 第1圖爲包括本發明冷卻裝置的第1實施形態之熱處 理裝置的重要部位之縱剖面圖。 第2圖爲第1圖所示之熱處理裝置的重要部位之橫剖 面圖。 第3圖爲第1圖所不的加熱棒之斜視圖。 第4圖爲第1圖所示的冷卻裝置之側面圖。 第5圖爲擴大表示第1圖中的a部之剖面圖。 第6圖爲包括本發明冷卻裝置的第2實施形態.之熱處 理裝置的重量部位之縱剖面圖。 第7圖爲第6圖所示的冷卻裝置之側面圖。 第8圖爲擴大表示第6圖中的b部之剖面圖。 第9圖爲表示過去的熱處理裝置例之縱剖面圖。 【主要元件符號說明】 2 :熱處理裝置 -17- 200936975 4 :內筒 6 :外筒 8 :處理容器 1 〇 :晶圓載置板 12 :罩蓋 1 4 :硫性流體封圈 16 :旋轉軸 © 18 :旋轉台 20 :保溫箱 22 :載置板升降機 24 :臂 26 :集流腔 28A、28B :氣體噴嘴 30A、30B :氣體供應系 32A、32B :流量控制器 ❹ 3 4 :排氣口 3 6 :加熱器 3 8 :冷卻夾套 3 8 A :內側殼層 3 8 B :外側殼層 4 0 :隔板 50 :熱處理裝置 52 :內筒 54 :外筒 -18 200936975 56 :處理容器 5 8 :集流腔 58A :支承板 60 :晶圓載置板 62 :保溫筒 64 :旋轉台 66 :蓋 © 6 8 :旋轉軸 7 0 :磁性流體封圈 74 :升降機構 7 8 :排出口 80:處理氣體導入手段 82 :氣體供應系 84 :氣體供應系 86 :氣體噴嘴 〇 88 :氣體噴嘴 90 :流量控制器 92 :流量控制器 94 :氣體流路 96 :氣體流路 9 8 :加熱手段 1〇〇 :加熱棒 1 〇 2 :供電線路 104 :開關 -19- 200936975 1 〇 6 :加熱器電源 1 0 8 :冷卻裝置 1 1 0 :筒構件 1 1 2 :冷卻管 1 14 :焊材 118 :膜 122 :冷媒循環管線 ❹ W :晶圓

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Claims (1)

1. 200936975 十、申請專利範圍 1. 一種冷卻裝置，是用於具有收容被處理體的處理 容器和將該處理容器內的前述被處理體加熱的加熱器之熱 處理裝置的冷卻裝置，其特徵爲： 具備： 形成能收容前述處理容器和前述加熱器之筒狀基體構 件；及 形成捲繞在前述基體構件的表面並且焊接於前述基體 構件的表面，冷媒可在內部流通之管構件； 前述管構件，具有矩形剖面，是將：上述筒狀的基體 構件的表面、以及與前述基體構件的表面所相對的前述矩 形的第一邊部對應的前述管構件的第一表面，予以焊接， 藉此將前述筒狀的基體構件的表面、與前述管構件的第一 表面，隔介著焊料予以接合。 2. 如申請專利範圍第1項之冷卻裝置，其中前述管構 件捲繞在前述筒狀基體構件的外側表面。 3. 如申請專利範圍第1項之冷卻裝置，其中前述管構 件捲繞沿著前述筒狀基體構件的外側表面呈螺旋狀捲繞。 4. 如申請專利範圍第1項之冷卻裝置，其中前述管構 件具有分別具備互相分開的冷媒通路的複數個管部分。 5. 如申請專利範圍第1項之冷卻裝置，其中前述各管 部位分別配置在前述筒狀基體構件的不同高度。 6. 如申請專利範圍第1項之冷卻裝置，其中更具備將 冷媒供應到前述管構件之冷媒供應手段。 7. 如申請專利範圍第2項之冷卻裝置，其中對前述筒 -21 - 200936975 狀基體構件的內側表面，施予使前述內側表面對於熱射線 的反射率提高之表面處理。 8·如申請專利範圍第7項之冷卻裝置，其中前述表面 處理爲前述內側表面的鏡面處理。 9.如申請專利範圍第7項之冷卻裝置，其中前述表面 處理爲形成在前述內側表面之陶瓷或金屬的膜。 10·如申請專利範圍第9項之冷卻裝置，其中前述膜 是由硝化鈦、銅、鉻、鎳以及金的群體中所選用的一種材 料所形成。 11. 如申請專利範圍第2項之冷卻裝置，其中對前述 筒狀基體構件的內側表面，施予使前述內側表面對於熱射 線的反射率降低之表面處理。 12. 如申請專利範圍第1項之冷卻裝置，其中上述管 構件上下方向所相鄰部位的彼此間也是以焊接材來接合。 13. —種熱處理裝置，其特徵爲，具備： 在內部對被處理體施予預定的處理之處理容器；及 將配置在前述處理容器外側之前述處理容器內的被處 理體加熱之加熱器；及 申請專利範圍第1項之冷卻裝置。 -22-