TW200817166A - Process for producing an optical film - Google Patents

Description

200817166 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於無光學斑之光學薄膜之製造方法。 【先前技術】 光學薄膜除了要求透明性等光學特性優，同時薄膜的 均勻，少光學斑也是重要的。製膜所用之樹脂如劣化，則 樹脂中產生膠體，於所得之薄膜表面產生點狀缺陷，成爲 光學斑之原因。因此，防止樹脂劣化之方法方面，提出有 使用特定氣體透過量·異物量之容器的方法、使與氧氣檢 測劑及/或水分檢測劑於密封容器中共存之方法等樹脂之 保存方法（參考專利文獻1及2 )。然而，近年伴隨著液 晶面板之大型化等，尋求產能高地製造寬1 m以上之薄膜 的方法，製作此般寬廣之光學薄膜時，寬範圍內不產生光 學斑的方法方面，以傳統製法係不足的。 〔專利文獻1〕特開平7— 206998號公報 〔專利文獻2〕特開200 1 — 1 92458號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明以提供在廣範圍不產生光學斑之光學薄膜之製 造方法爲課題。 〔解決課題之方法〕 -4- 200817166 本發明係關於將樹脂顆粒以氧濃度1 〇PPm以下之惰性 氣體爲媒介輸送至壓出機後，將該顆粒熔融壓出成形爲特 徵之光學薄膜之製造方法。 本發明中，以將封入箱中之樹脂顆粒輸送至乾燥機 後，由該乾燥機以氧濃度1 Oppm以下之惰性氣體爲媒介輸 送至壓出機爲佳。此情況以將封入箱中之樹脂顆粒以氧濃 度1 0 p p m以下之惰性氣體爲媒介輸送至乾燥機爲佳。 本發明中，惰性氣體以氮氣爲佳。 本發明中，樹脂顆粒爲具由來自下式（1 )所示之化 合物之構造單元之環狀烯烴系樹脂之顆粒爲佳。

(式（1)中，R1〜R4爲氫原子，鹵原子，碳數1〜30之 烴基，或其他1價有機基，各自可爲相同或相異。又’ R1 〜R4之中任意2者可相互鍵結，形成單環或多環構造，m 爲〇或正整數，p爲0或正整數） 本發明亦可爲將該光學薄膜進一步延伸而成之光學薄 膜之製造方法。 〔發明效果〕 -5- 200817166 本發明可提供一種就算薄膜寬廣亦無光學斑之光學薄 膜之製造方法。又，如光學薄膜爲施加延伸之薄膜時，可 適用於相位差及光軸安定且無光學斑之薄膜而。本發明之 光學薄膜，爲光學斑少，薄膜產率佳，進一步在延伸薄膜 上霧値小而透明性優，於使用此之大畫面液晶顯示器等可 全面達成彎曲及不均少之高性能。 〔實施發明之最佳型態〕 《光學薄膜》 <樹脂> 本發明所用之樹脂方面，爲薄膜形狀，光線透過率爲 70%以上，以85%以上之者爲佳。具體上，以透明環氧樹 脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚颯樹脂、聚亞芳基樹 脂、環狀烯烴系樹脂、聚苯撐醚系樹脂、有機矽氧烷系樹 脂等之具有高透明性同時有優異耐熱性之樹脂爲佳。此等 中，由透明性及耐熱性優，以及吸濕（水）性低，所得之 特定構件之不易吸濕（水）變形點來看，以環狀烯烴系樹 脂、聚苯撐系樹脂及有機矽氧烷系樹脂爲佳，特別以具由 來自該式（1)所示之化合物之構造單元之環狀烯烴系樹 脂爲佳。 本發明之光學薄膜所用之環狀烯烴系樹脂方面，有如 下次之（共）聚物。 (1 )該式（1 )所示之特定單體之開環聚合物。 (2 )該式（1 )所示之特定單體與共聚合性單體之開 -6- 200817166 環共聚合物。 (3 )該（1 )或（2 )之開環（共）聚物之氯化 (共）聚物。又，（3 )中，該（1 )之開環聚合物之氫化 聚合物構造單元可以該式（2)表示。 (4 )該（1 )或（2 )之開環（共）聚物經Friedel-

Crafts反應環化後，氫化之（共）聚物。 (5) 該式（1)所示之特定單體與含有不飽和雙鍵化 合物之飽和共聚合物。 (6) 由該式（1)所示之特定單體、乙烯系環狀烴系 單體及環戊二烯系單體選出之1種以上之單體加成型 (共）聚物及其氫化（共）聚物。 (7) 該式（1)所示之特定單體與丙烯酸酯之交互共 聚合物。 <特定單體> 該特定單體之具體例方面，有如下之化合物，但本發 明並不爲此等具體例所限定。 二環〔2.2.1〕庚—2 —烯， 三環〔4.3_0.12,5〕— 8 —癸烯， 三環〔4.4.0.12,5 〕一 3 —十一烯， 四環〔4·4·0·12,5.17，1()〕一 3—十二烯， 五環〔6·5·1·13,6·02,7.09，13〕— 4一十五烯， 5—甲基二環〔2.2.1〕庚—2—烯， 5 —乙基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯， -7- 200817166 5—甲氧基簾基一環〔2.2.1〕庚一 2 —矯， 5—甲基一 5—甲氧基鑛基二環〔2.2.1〕庚一 2—烯， 5—氯基一環〔2.2.1〕庚一 2 —燃， 8 —甲氧基羰基四環〔4.4·0·12,5.Γ，1()〕一 3 —十二 烯， 8 —乙氧基羰基四環〔4·4·0.12,5·Γ，1()〕一 3 —十二 烯， 8 — η—丙氧基羰基四環〔4·4·0·12,5·Γ，1()〕一 3—十二 烯， 8 —異丙氧基羰基四環〔4·4·0·12’5.17’1()〕一 3 —十二 烯， 8 — η — 丁 氧基羰基四環〔4 · 4.0 · 1 2，5 · Γ，1G〕一 3 —十二 儲， 8 —甲基一 8 —甲氧基羰基四環〔4.4.0.12 ’5.17’1G〕— 3 一十二烯， 8—甲基一 8—乙氧基羰基四環〔4·4·0·12’5.Γ’1()〕— 3 一十二烯， 8 —甲基—8— η —丙氧基羰基四環〔4.4.0.12’5.17’1()〕 —3 —十一^嫌， 8 —甲基一 8 —異丙氧基羰基四環〔4·4.0.12’5·Γ’1()〕 —3 —十二烯， 8 —甲基一 8 — η—丁 氧基羰基四環〔4·4.0.12’5·Γ，1()〕 —3 -十二烯， 5 —亞乙基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯， -8- 200817166 8 —亞乙基四環〔4.4.0.12,5.r，1G〕一3—十二烯， 5-苯基二環〔2.2.1〕庚—2 —烯， 8— 苯基四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕— 3-十二烯， 5- 氟二環〔2.2.1〕庚—2-烯， 5—氟甲基二環〔2.2.1〕庚一 2—烯， 5 —三氟甲基二環〔2.2.1〕庚一2—烯， 5 —五氟乙基二環〔2.2.1〕庚一 2—烯， 5，5 —二氟二環〔2.2.1〕庚—2-烯， 5，6—二氟二環〔2.2.1〕庚—2—烯， 5，5—雙（三氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2—烯， 5，6—雙（三氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2—烯， 5 —甲基一 5 —三氟甲基二環〔2.2.1〕庚—2—烯， 5，5,6 — 三氟二環〔2.2.1〕庚一 2-烯， 5，5,6 —三（氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯， 5,5，6,6 —四氟二環〔2.2.1〕庚一 2 —烯， 5，5,6,6 —四（三氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2—烯， 5,5 —二氟一 6,6-雙（三氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2 —少希’ 5,6-二氟—5,6 -雙（三氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2 —矯’ 5，5,6 —三氟一 5 —三氟甲基二環〔2.2.1〕庚—2 — 嫌， 5 —氟—5 —五氟乙基一6,6—雙（二氟甲基）二環〔 2.2.1〕庚—2 —嫌， -9- 200817166 5，6 —二氟一 5 —五氟—iso —丙基一 6 -三氟甲基二環 〔2.2.1〕庚—2 —烯， 5 —氯一5,6,6 —二氟二環〔2.2.1〕庚—2- 儲， 5，6 — 二氯一 5,6 —雙（二氟甲基）二環〔2.2.1〕庚一 2 -儲’ 5.5.6 —三氟一 6 -三氟甲氧基二環〔2.2.1〕庚一 2 - 烯， 5.5.6 -三氟一 6 —五氟丙氧基二環〔2.2.1〕庚一 2- 烯， 8 —氟四環〔4·4·0.12,5·17，1()〕一 3 —十二烯， 8—氟甲基四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕一 3—十二烯， 8—二氟甲基四環〔4·4.0·12’5·Γ，1()〕一 3—十二烯， 8 — 三氟甲基四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕一 3—十二烯， 8 —五氟乙基四環〔4.4.0.12,5.17，1g〕一 3—十二烯， 8.8— 二氟四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕— 3 —十二烯， 8.9— 二氟四環〔4·4·0.12,5·17，1()〕一 3—十二烯， 8,8— 雙（三氟甲基）四環〔4.4·0·12,5·ΐ7，1()〕一 3—十 二烯， 8，9 一雙（三氟甲基）四環〔4 · 4 · 0 · 1 2，5 · 1 7，1 G〕一 3 -十 二烯， 8 —甲基一8 —三氟甲基四環〔4.4.0.I2,5.Γ，10〕一 3 — 十二烯， 8,8,9一三氟四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕一3—十二烯， 8,8,9 一三（三氟甲基）四環〔4·4.0·12,5·Γ，1()〕一3 — -10- 200817166 8,8,959—四氟四環〔4.4.0.12,5.17，1()〕一3—十二烯， 8,8,9,9—四（三氟甲基）四環〔4·4·0·12,5.Γ，1()〕一 3 一十二烯， 8.8 —二氟一 9,9 一雙（三氟甲基）四環 〔 4.4·0·12,5·Γ，1()〕— 3 —十二烯， 8.9 一二氟一 8,9 —雙（三氟甲基）四環〔 4·4·0·12,5.Γ，1()〕— 3 —十二烯， 8.8.9 一 三氟一 9 一 三氟甲基四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕一 3 -十二烯， 8.8.9 一三氟一 9 一三氟甲氧基四環〔4·4·0·12,5·17，10〕 一 3 -十二烯， 8,8,9_三氟一 9 一五氟丙氧基四環〔4.4.0·12,5·17，10〕 一 3 -十二烯， 8 —氟一 8 —五氟乙基—9,9 —雙（三氟甲基）四環〔 4·4·0·12,5·17，1()〕一 3—十二烯， 8，9 一二氟一 8—五氟iso —丙基一 9 一三氟甲基四環〔 4.4.0.12,5 .17，1()〕— 3-十二烯， 8—氯一8,9,9一 三氟四環〔4·4·0·12,5·17，1()〕一 3—十 二烯， 8.9 一二氯一 8,9 —雙（三氟甲基）四環〔 4 · 4 · 0 · 1 2，5 · 17，1G〕— 3 —十二烯， 8 — （2,2,2—三氟乙氧基羰基）四環〔4·4·0·12,5·Γ，10 〕一 3 -十二烯， -11 - 200817166 8 —甲基一 8 — （2，2,2 —三氟乙氧基羰基）四環〔 4·4.0·12,5·17’1()〕一 3—十二烯等。 此等可1種單獨或2種以上倂用。 特定單體中較佳爲，該式（1)中，R1及R3爲氫原子 或碳數1〜10，較佳爲1〜4，更佳爲1〜2之烴基，R2及 R4爲氫原子或1價之有機基，R2及R4之至少1者爲具 有氫原子及烴基以外之極性之極性基，m爲0〜3之整 數，p爲0〜3之整數，較佳爲m+p=0〜4，爲0〜2更 佳，而m=l，p=0又更佳。m=l，p二0之特定單體，因 所得之環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度高且機械強度優而 適宜。 該特定單體之極性基方面，可舉出有羧基、羥基、烷 氧基羰基、烯丙氧基羰基、胺基、醯胺基、氰基等，此等 極性基爲經亞甲基等連結基鍵結亦可。又，羰基、醚基、 矽烷基醚基、硫醚基、亞胺基等具有極性之2價之有機基 爲連結基而鍵結之烴基等亦可作爲極性基。此等中，以羧 基、羥基、烷氧基羰基或烯丙氧基羰基爲佳，特別以烷氧 基羰基或烯丙氧基羰基爲佳。 另外，R2及R4之至少1者爲式-(CH2)nCOOR所示之 極性基單體，因所得之環狀烯烴系樹脂有高玻璃轉移溫度 與低吸濕性，與各種材料有優異之密著性而適合。該特定 極性基相關式中，R爲碳原子數1〜12，以1〜4更佳，特 別以1〜2之烴基更佳，以烷基爲佳。又，η通常爲〇〜 5，而η値愈小，所得之環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度 -12- 200817166 變高而爲適合，而η爲0之特定單體因其合成容易而適宜 使用。 又，該式（1)中，R1或R3以院基爲佳，係爲碳數1〜4 之烷基，以1〜2之烷基更佳，特別以甲基又更佳，特別 是此烷基爲該式-(CH2)nCOOR所示之特定極性基爲與鍵結 碳原子相同碳原子鍵結，所得之環狀烯烴系樹脂因可吸濕 性低而適用。 <共聚合性單體> 共聚合性單體之具體例方面，可舉例有環丁烯，環戊 烯，環庚烯，環辛烯，二環戊二烯等之環烯烴。 環烯烴之碳數方面，以4〜20爲佳，更佳爲5〜12。 此等可1種單獨或2種以上倂用。 特定單體/共聚合性單體之偏好使用範圍，重量比爲 100/0 〜50/50，更佳爲 100/0 〜60/40。 <開環聚合觸媒> 本發明中，（1 )特定單體之開環聚合物，及（2 )爲 得到特定單體與共聚合性單體之開環共聚合物之開環聚合 反應，爲在歧化觸媒存在下進行。 此歧化觸媒爲，（a)由W、Mo及Re化合物所選出 之至少1種，與（b ) Deming之週期表ία族元素（如 Li、Na、K 等）、ΠΑ 族元素（如、Mg、Ca 等）、ΠΒ 族 元素（如，Zn、Cd、Hg等）、ΠΙΑ族元素（如，B、A1 -13- 200817166 寺）、IVA S矢兀素（如’ Si、Sn、Pb等）、或IVB族元 素（如，Ti、Zr等）之化合物、具有至少1種含該元素一 碳鍵結或該元素-氫鍵結之者所選出之至少1種之組合所 成之觸媒。又，此場合爲提高觸媒活性亦可添加後述之 (c )添加劑。 (a )成分方面適當之 w、Mo或Re化合物之代表例 方面，有WC16、M〇Cl6、Re〇Cl3等特開平1— 132626號公 報第8頁左下欄第6行〜第8頁右上欄第1 7行之化合 物。 (b) 成分之具體例方面，有 n — C4H9Li、 (C2H5)3A1、（C2H5)2A1C1、（C2H5)15A1C115、（C2H5)A1C12 、甲基鋁氧烷、LiH等特開平1— 132626號公報第8頁右 上欄第1 8行〜第8頁右下欄第3行之化合物。 添加劑（c )成分之代表例方面，有醇類、醛類、酮 類、胺類等適宜使用，進一步可使用特開平1— 132626號 公報第8頁右下欄第16行〜第9頁左上攔第17行之化合 物。 歧化觸媒使用量方面，該（a)成分與特定單體之莫 耳比「（a)成分：特定單體」，通常爲1:5 00〜1: 50,000之範圍，以1:1，000〜1:10,000之範圍爲佳。 (a)成分與（b)成分之例，以金屬原子比（a)： (b)爲1: 1〜1: 50，以1: 2〜1: 30之範圍爲佳。 (a )成分與（c )成分之比例，以莫耳比（c ): (a)爲 0.005: 1〜15: 1，以 0.05: 1〜7: 1 之範圍爲 -14- 200817166 佳。 <聚合反應用溶劑> 開環聚合反應中所用之溶劑（構成分子量調節劑溶液 之溶劑、特定單體及/或歧化觸媒之溶劑）方面，如戊 烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷等鏈烷類，環己烷、 環庚烷、環辛烷、萘烷、原菠烷等環鏈烷類，苯、甲苯、 二甲苯、乙基苯、異丙苯等芳香族烴，氯丁烷、溴己烷、 氯化甲烷、二氯乙烷、六亞甲基二溴、氯苯、氯仿、四氯 乙烯等鹵化鏈烷、鹵化芳基等化合物、酢酸乙酯、酢酸η 一丁酯、酢酸iso — 丁酯、丙酸甲酯、二甲氧基乙烷等飽 和羧酸酯類，二丁基醚、四氫呋喃、二甲氧基乙烷等醚類 等，此等可單獨或混合使用。此等中，以芳香族烴爲佳。 溶劑使用量方面，「溶劑：特定單體（重量比）」， 通常爲1: 1〜10: 1，以1: 1〜5: 1之量爲佳。 <分子量調節劑> 所得之開環（共）聚物之分子量調節，可依聚合溫 度，觸媒種類，溶劑種類而進行，本發明中，藉由與分子 量調節劑於反應系共存而調節。 在此，合適之分子量調節劑方面，如乙j：希、丙丨希、1 一 丁嫌、1一戊燒、1 一己嫌、1一庚燦、1 一辛燦、1 一壬 嫌、1 一癸烯等α -嫌烴類及苯乙烯，此等中，特別以i _ 丁嫌、1 一己嫌爲佳。 -15- 200817166 此等分子囊調節劑，可單獨或2種以上混合使用。 分子量調節劑使用量方面，相對於供應開環聚合反應 之^疋單體1莫耳，爲0.005〜〇·6莫耳，以〇·〇2〜0.5莫 耳爲佳。 爲彳守到（2 )開環共聚合物，於開環聚合工程中，使 特定單體與共聚合性單體進行開環共聚合即可，另外，在 聚丁 一烯’聚異丙烯等共軛雙烯化合物，苯乙烯一 丁二烯 共聚合物，乙烯一非共軛雙烯共聚合物，聚原菠烯等主鏈 中含2個以上碳一碳間雙鍵之不飽和烴系聚合物等存在下 令特定單體進行開環聚合亦佳。 以上般所得之開環（共）聚物，可直接使用，而將此 進一步氫化所得之（3 )氫化（共）聚物，可用作耐衝撃 性大之樹脂原料。 <氫化觸媒> 氫化反應，通常之方法，也就是於開環聚合物溶液中 添加氫化觸媒，在常壓〜300氣壓，以3〜200氣壓之氫氣 體爲佳，於〇〜200 °C進行，而以20〜18(TC使其作用爲 佳。 氫化觸媒方面，可使用在一般之烯烴性化合物氫化反 應所用者。此氫化觸媒方面，舉例有不均一系觸媒及均一 系觸媒。 不均一系觸媒方面，有銷、白金、鎳、錯、纟了等貴金 屬觸媒物質，其載負於碳、二氧化砂、氧化銘、欽等載體 -16- 200817166 之固體觸媒。又’均一系觸媒方面，有環烷酸鎳/三乙基 鋁、乙醯基丙酮鎳/三乙基鋁、辛烯酸鈷/ η 一丁基鋰、 Cp2ZrTiCl2/二乙基鋁單氯化物、酢酸铑、氯三（三苯基 膦）铑、二氯三（三苯基膦）釕、氯氫羰基三（三苯基 膦）釕、二氯羰基三（三苯基膦）釕等。觸媒形態可爲粉 末或粒狀。 此等氫化觸媒，使用開環（共）聚物：氫化觸媒（重 量比）爲1 : 1 X 1 〇 ·6〜1 : 2之比例。 如此，經氫化所得之氫化（共）聚物’成爲有優異之 熱安定性，成形加工時及作爲製品使用時就算加熱’其特 性亦不會劣化。在此，氫化率，通常爲50%以上，以70 %以上爲佳，更佳爲90%以上’ 99%以上又更佳。 又，氫化（共）聚物之氫化率’以500MHz，ΑΝ MR 測定 之値爲 50% 以上 ，以 90% 以上 爲佳， 更佳爲 98 %以上，99%以上又更佳。氫化率愈高’對熱或光之安定 性愈優異，使用作爲本發明波長板時’可得到經長期間仍 安定之特性。 又，作爲本發明之環狀烯烴系樹脂使用之氫化（共） 聚物，該氫化（共）聚物中所含膠體之含有量以5重量％ 以下爲佳，以1重量％以下更佳。 又，本發明之環狀烯烴系樹脂方面，（4 )將該（1 ) 或（2 )之開環（共）聚物經Friedel-Crafts反應環化 後，亦可使用已氫化之（共）聚物。 -17- 200817166 〈經 Friedel-Crafts 反應環化〉 將（1)或（2)之開環（共）聚物經 Friedel-Crafts 反應環化之方法並未特別限定，可用特開昭5 0 — 1 543 99 號公報之酸性化合物之公知方法。酸性化合物方面，具體 上，可用 A1C13 、 BF3 、 FeCl3 、 A1203 、 HC1 、 CH2C1C0 0H、沸石、活性白土等路易士酸、布氏酸。 環化之開環（共）聚物，可與（1 )或（2 )之開環 (共）聚物同樣地方法氫化。 另外，本發明之環狀烯烴系樹脂方面，亦可使用 (5)該特定單體與含有不飽和雙鍵化合物之飽和共聚合 物0 <含有不飽和雙鍵化合物> 含有不飽和雙鍵化合物方面，如乙烯、丙儲、丁烯 等’以碳數2〜12爲佳，更佳爲碳數2〜8之燒烴系化合 物。 特定單體/含有不飽和雙鍵化合物之偏好使用範圍， 以重量比爲90/10〜40/60，更佳爲85/15〜50/50。 本發明中，爲得到（5 )特定單體與含有不飽和雙鍵 化合物之飽和共聚合物，可使用一般之加成聚合法。 <加成聚合觸媒> 合成該（5)飽和共聚合物之觸媒方面，可使用由鈦 化合物、鉻化合物及釩化合物選出之至少一種，與作爲輔 -18- 200817166 助觸媒之有機鋁化合物。 於此，鈦化合物方面，有四氯化鈦、三氯化鈦等，而 锆化合物方面有雙（環戊二烯）鉻氯化物、雙（環戊二 烯）鉻二氯化物等。 另外，釩化合物方面，可使用如下式 VO(OR)aXb5 或 V(OR)cXd 〔但，R爲烴基，X爲鹵原子，〇Sa$3，0SbS3， (a+b) $3，0^c$4，0^d^4，3$ (c+d) ^ 4 ] 所示之釩化合物，或此等之電子供給加成物。 該電子供給體方面，有醇、苯酚類、酮、醛、羧酸、 有機酸或無機酸之酯、醚、酸醯胺、酸酐、烷氧基矽烷等 含氧電子供給體、氨、胺、腈、異氰酸酯等含氮電子供給 體等。 另外，輔助觸媒之有機鋁化合物方面，可使用由含至 少1個鋁-碳鍵結或鋁-氫鍵結之者選出之至少一種。 該等中，如使用釩化合物時，釩化合物與有機鋁化合 物之比率，相對於釩原子，鋁原子之比（A1 / V )爲2以 上，以2〜5 0爲佳，以3〜2 0之範圍更佳。 加成聚合中所使用之聚合反應用溶劑，可使用與開環 聚合反應中所使用之溶劑相同者。又，所得之（5 )飽和 共聚合物分子量之調節，通常，以氫進行。 另外，本發明之環狀烯烴系樹脂方面，亦可使用 -19- 200817166 (6)該特定單體’及乙嫌系環狀煙系單體或環戊二綠系 單體所選出之1種以上卓體之加成型共聚合物及宜氨化丑 聚合物。 <乙烯系環狀烴系單體> 乙烯系環狀烴系單體方面，如，4 一乙烯環戊丨希、2 — 甲基一 4 一異丙嫌基環戊等乙j：希環戊烯系單體、*一乙烯 環戊烷、4-異丙烯基環戊烷等乙烯環戊烷系單體等乙烯 化5員環烴系單體、4 一乙烯環己烯、4-異丙烯基環己 烯、1—甲基一 4 一異丙綠基環己烯、2 —甲基一 4 一乙儲環 己烯、2 -甲基- 4 -異丙烯基環己烯等乙烯環己烯系單 體、4 —乙烯環己烷、2—甲基一 4 —異丙烯基環己烷等乙 嫌環己院系單體、苯乙儲、α —甲基苯乙嫌、2 -甲基苯 乙烯、3 —甲基苯乙烯、4 一甲基苯乙烯、1 一乙烯萘、2_ 乙烯萘、4一苯基苯乙烯、ρ—甲氧基苯乙烯等苯乙烯系單 體、d —帖嫌、1 一蔽嫌、一·帖細、d-棒彳冡綠、1 一棒樣 烯、二戊烯等萜烯系單體、4 -乙烯環庚烯、4-異丙烯基 瓌庚烯等乙烯環庚烯系單體、4 -乙烯環庚烷、4 -異丙烯 基環庚院等乙燒環庚院系單體等。其中以苯乙稀、α -甲 基苯乙烯爲佳。此等可1種單獨或2種以上倂用。 C環戊二烯系單體> 本發明之（6)加成型共聚合物單體中所使用之環戊 二烯系單體方面，如環戊二烯、1—甲基環戊二烯、2—甲 -20- 200817166 基環戊二嫌、2-乙基環戊二嫌、5 -甲基環戊二嫌、5,5 -甲基環戊二烯等。以環戊二烯爲佳。此等可1種單獨或 2種以上倂用。 由該特定單體、乙烯系環狀烴系單體及環戊二烯系單 體所選出之1種以上之單體的加成型（共）聚物爲，可以 以與該（5)特定卓體與含有不飽和雙鍵化合物之飽和共 聚合物同樣之加成聚合法得到。 又，該加成型（共）聚物之氫化（共）聚物爲，可以 與該（3 )開環（共）聚物之氫化（共）聚物同樣之氫化 法得到。 另外，本發明之環狀烯烴系樹脂方面，亦可使用 (7)該特定單體與丙烯酸酯之交互共聚合物。 <丙烯酸酯> 本發明之（7)該特定單體與丙烯酸酯之交互共聚合 物之製造中所使用之丙烯酸酯方面，如，甲基丙烯酸酯、 2-乙基己基丙烯酸酯、環己基丙烯酸酯等碳原子數1〜20 之直鏈狀、分支狀或環狀烷基丙烯酸酯、縮水甘油基丙烯 酸酯、2-四氫糠基丙烯酸酯等碳原子數2〜20之含雜環 基之丙烯酸酯、具有苄基丙烯酸酯等碳原子數6〜20之含 芳香族環基丙烯酸酯、異冰片基丙烯酸酯、二環戊基丙烯 酸酯等之碳數7〜30之有多環構造之丙烯酸酯。 本發明中，爲得到（7 )該特定單體與丙烯酸酯之交 互共聚合物，在路易士酸存在下，使該特定單體與丙烯酸 -21 - 200817166 酯合計爲100莫耳時’通常，以該特定單體爲30〜70莫 耳，丙烯酸酯爲70〜30莫耳之比例，而以該特定單體爲 40〜60莫耳，丙烯酸酯爲60〜4〇莫耳之比例爲佳，又以 該特定單體爲45〜55莫耳，丙烯酸酯爲55〜45莫耳之比 例進行自由基聚合更佳。 爲得到（7)該特定單體與丙烯酸酯之交互共聚合物 所使用之路易士酸的量，相對於丙烯酸酯1 0 0莫耳，爲 0.001〜1莫耳之量。又，可使用公知之產生游離自由基之 有機過氧化物或偶氮雙系之自由基聚合起始劑，聚合反應 溫度，通常爲一2 0 °C〜8 0 °C，以 5 °C〜6 0 °C爲佳。又，聚 合反應用溶劑，可使用與開環聚合反應中所使用之溶劑相 同之者。 又，本發明之「交互共聚合物」爲，來自該特定單體 之構造單元爲不相連，也就是，指具有來自該特定單體之 構造單元旁必爲來自丙烯酸酯之構造單元之構造的共聚合 物，但來自丙烯酸酯之構造單元間相鄰存在之構造並不排 除。 本發明所用之環狀烯烴系樹脂之適宜分子量爲，在固 有黏度〔7?〕inh時爲0.2〜5dl/g，更佳爲〇·3〜3dl/g， 特別佳爲0.4〜1 . 5 d 1 / g ’溶解於四氫咲喃後以膠體滲透層 析法（GPC )測定之聚苯乙烯換算之數平均分子量（Mn ) 爲8,000〜100,000，更佳爲10,000〜80,000，特別佳爲 12,000〜50,000，重量平均分子量（Mw)爲20，000〜 300，〇〇〇，更佳爲 30, 〇〇〇 〜000 ’ 特別佳爲 000 〜 -22- 200817166 200,000之範圍者爲合適。又，分子量分布（Mn/Mw)， 以2.0〜4.0爲佳，更佳爲2.5〜3.7，又更佳爲2.8〜3·5。 固有黏度〔7?〕inh，藉由數平均分子量及重量平均分 子量在該範圍的話，環狀烯烴系樹脂之耐熱性、耐水性、 耐藥品性、機械的特性，以及作爲本發明之光學薄膜之成 形加工性良好。 本發明所用之環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度（Tg ) 方面，通常爲1 1 0 °C以上，以1 1 0〜3 5 0 °c爲佳，更佳爲 1 2 0〜2 5 0 °C，特別佳爲 1 2 0〜2 0 0 °C。T g未滿 1 1 0 °C時， 在高溫條件下之使用，或塗佈、印刷等二次加工時會變形 而不適宜。另一方面，Tg超過350 °C則成形加工變困難， 又因成形加工時提高加熱溫度是必要的，樹脂因熱劣化之 可能性變高。 以上之環狀烯烴系樹脂，於不損及本發明效果之範圍 下，可搭配如特開平9 - 22 1 5 77號公報、特開平 1 0 — 2 8 773 2號公報所記載之特定烴系樹脂、或公知之熱可 塑性樹脂、熱可塑性彈性體、橡膠質聚合物、有機微粒 子、無機微粒子等。 又，本發明所用之環狀烯烴系樹脂，於不損及本發明 效果之範圍下，可添加爲改善耐熱劣化性或耐光性之公知 之抗氧化劑或紫外線吸收劑等添加劑。如，將由下述苯酚 系化合物、硫醇系化合物、硫化物系化合物、二硫化物系 化合物、磷系化合物所成群中選出之至少1種化合物，相 對於本發明之環狀烯烴系樹脂1 0 0重量份，添加0.0 1〜1 〇 -23- 200817166 重量份，可提升耐熱劣化性。 苯酚系化合物： 苯酚系化合物方面，三乙二醇一雙〔3 — （3 - t 一丁 基—5 -甲基一 4一羥基苯基）丙酸酯〕、1，6-己烷二醇 一雙〔3 - （3,5 -二一 t 一丁基一 4 一羥基苯基）丙酸酯 〕、2,4 —雙—（η —辛基硫）一 6-（4 —羥基 一3,5- 二— t — 丁基苯胺基）一 3,5 -三嗪、季戊四醇一四〔3— (3,5 一二一 t 一丁基—4 —羥基苯基）丙酸酯〕、2，2—硫一二乙 撐雙〔3 - （3,5 -二一 t — 丁基—4 一羥基苯基）丙酸酯 〕、十八烷基一 3— (3,5-二一 t 一丁基一 4 —羥基苯基） 丙酸酯〕、N，N—六亞甲基雙（3,5—二一t一丁基 — 4一 羥基一氫桂皮醯胺）、1，3,5 -三甲基一 2,4,6-三（3,5 — 二一 t — 丁基—4一羥基苄基）苯、三—（3,5 -二—t 一丁 基一 4 一羥基苄基）一異氰脲酸酯、3,9 -雙〔2 - 〔3 - (3 - t — 丁基一 4一經基一 5—甲基苯基）丙釀氧基〕一 1，1 —二甲基乙基〕一 2,4,8, 10—四氧雜螺〔5.5〕十一烷等。 以十八烷基一 3 -（3,5 -二一 t — 丁基_4 一羥基苯基）丙 酸酯〕、1，3,5—三甲基一254,6—三（3,5—二一1一丁基一 4一羥基苄基）苯、季戊四醇—四〔3 — （3,5—二—t — 丁 基一 4 一羥基苯基）丙酸酯〕爲佳，特別佳爲，十八烷基 一 3-（3,5-二一 t — 丁基一 4 —羥基苯基）丙酸酯〕等。 硫醇系化合物： 硫醇系化合物方面，有t -十二烷基硫醇、己基硫醇 -24- 200817166 等烷基硫醇、2 -锍基苯並咪唑、2 -锍 味π坐、1 一甲基一 2 -（甲基疏基）苯並ϊ 一甲基苯並咪唑、2—锍基一 4 一甲基苯 一 5-甲基苯並咪唑、2-锍基—5,6 —二 一（甲基锍基）苯並咪唑、1—甲基一2-（ 唑、2 —锍基一 1，3 -二甲基苯並咪唑、锍 硫化物系化合物： 硫化物系化合物方面，有2，2 -硫 (3,5 -二一 t 一丁基一 4一羥基苯基）丙 雙（4 —甲基一 6 - t一丁基苯酚）、2,4一 基）一 6—甲基苯酚、雙十二烷基3,3’-十四烷基3,3’ -硫二丙酸酯、二硬酯基 酯、季戊四醇四（3 -十二烷基硫丙酸酯 3，3’ 一硫二丙酸酯等。 基一 6—甲基苯並 Μ坐、2 —锍基一 1 並咪唑、2 -锍基 甲基苯並咪唑、2 甲基锍基）苯並咪 基酢酸等。 一二乙撐雙〔3 — 酸酯〕、2,2 -硫 雙（η —辛基硫甲 硫二丙酸酯、雙 3，3 ’ 一硫二丙酸 )、雙十三烷基

二硫化物系化合物方面，有雙（4 -物、雙（2—氯苯基）二硫化物、雙（2, 硫化物、雙（2,4,6-三氯苯基）二硫化: 苯基）二硫化物、2,2’ 一二硫二安息香酸 醯基苯基）二硫化物、雙（4 一胺甲醯 物、1，1 ’ 一二萘基二硫化物、2，2 ’ 一二萘 2’ 一二萘基二硫化物、2,2’ 一雙（1 一氯 氯苯基）二硫化 5 -二氯苯基）二 樹、雙（2 -硝基 乙基、雙（4—乙 基苯基）二硫化 基二硫化物、1， 二萘基）二硫化 -25- 200817166 物、1，1，一雙（2-氯萘基）二硫化物、2,2, 一雙（1 一氰 基萘基）二硫化物、2,2, 一雙（1 一乙醯基萘基）二硫化 物、雙十二烷基一 3，3, 一硫二丙酸酯等。 隣系化合物： 磷系化合物方面，有三（4 —甲氣基一 3,5 —二苯基） 磷酸酯、三（壬基苯基）磷酸酯、三（2,4 一二一 t 一丁基 苯基）磷酸酯、雙（2，6-二一 t 一丁基一 4 一甲基苯基） 季戊四醇二磷酸酯、雙（2,4 一二—t 一丁基苯基）季戊四 醇二磷酸酯等。 另外，將2,4 —二羥基苯並苯酮、2 —羥基一 4 一甲氧 基苯並苯酮等苯並苯酮系化合物、N -（苄氧基羰氧基）苯 並三唑等苯並三唑系化合物、或2—乙基乙二醯苯胺、2-乙基一 2, 一乙氧基乙二醯苯胺等乙二醯苯胺系化合物，相 對於環狀烯烴系樹脂100重量份，藉由添加0.01〜3重量 份，又以0.0 5〜2重量份爲佳，可提升耐光性。 又，本發明之環狀烯烴系樹脂，藉由溶融壓出成形爲 薄膜等時，爲防止溶融壓出時之熱經歷而使該樹脂熱劣 化，亦可添加抗氧化劑。 該抗氧化劑之具體例方面，如，1 ,3，5 -三甲基一 2,4,6 —三（3,5 —二—t — 丁基—4 —羥基苄基）苯、N，N， 一六亞甲基雙（3，5 -二一 t一 丁基一 4一趨基一氫化肉桂醯 fl女）、二一（3,5 -二—t 一丁基—4 一經基节基）一異氯酸 酯、三（2，4 一二一 t 一丁基苯基）亞磷酸酯等，本發明並不 -26- 200817166 爲此等所限定，又，關於此等，有因溶融壓出之環狀烯烴 系樹脂之Tg而不適合的狀況。又，在不損及本發明之效 果範圍內，此等可組合使用，或單獨使用。 此等抗氧化劑之添加量，相對於環狀烯烴系樹脂100 重量份，通常爲0.01〜5重量份，以0.05〜4重量份爲 佳，更佳爲0.1〜1.5重量份。抗氧化劑添加量未滿0.01 重量份時，於壓出加工時於樹脂易產生膠體，因此，於所 得之薄膜上發生缺陷而不適用。另一方面，添加劑量，超 過5重量份則於加工時會招致產生沈積物，此沈積物因會 成爲分模線、薄膜上之魚眼、燒焦等原因而不適用。 相關抗氧化劑，可於製造環狀烯烴系樹脂時添加，或 於溶融壓出時與環狀烯烴系樹脂顆粒一同搭配。 又’將本發明之環狀烯烴系樹脂經溶融壓出成形時， 在不損及本發明效果之範圍內，可使用滑劑、紫外線吸收 劑、染料或顔料等該抗氧化劑以外之添加劑。當然在此狀 況，爲具有融點之添加劑的情況時，其融點以在本發明之 必須抗氧化劑融點之範圍內爲佳。 <薄膜成形> 本發明光學薄膜之成形方法爲溶融壓出法，將樹脂顆 粒，以氧濃度1 〇ppm以下之惰性氣體爲媒介輸送至壓出 機，將該顆粒溶融壓出成形。具體上，將封入箱中之樹脂 顆粒輸送至乾燥機，由該乾燥機以氧濃度10ppm以下，較 佳爲8PPm以下，更佳爲6ppm以下惰性氣體爲媒介輸送 -27- 200817166 至壓出機。具體上，如圖1所示般，將封入箱中之樹脂顆 粒’以氧濃度lOppm以下之惰性氣體爲媒介輸送至乾燥 機’進行乾燥處理後，以使用藉由先前之輸送於乾燥機所 充塡之惰性氣體將該顆粒輸送至壓出機爲佳。 該箱爲具有將顆粒封入之儲存槽與將顆粒取出之取出 管以及於上部下部有將顆粒取出用之設備之者即可。箱内 部爲以清潔狀態將顆粒封入爲必要的，又，顆粒封入後， 使異物無法由外部侵入而被遮蔽是必要的。 該乾燥機，通常，於將樹脂顆粒投入壓出機前，以將 該樹脂所含之水分、氣體（氧等）、殘留溶劑等預先除去 爲目的，爲於該樹脂Tg以下之適當溫度，進行樹脂乾燥 所使用。以使用惰性氣體循環式乾燥機、真空乾燥機爲 佳。 樹脂顆粒，通常經由箱與乾燥機間所設置之吸引送料 斗（以下，也單稱「送料斗」）輸送至乾燥機。輸送時， 將送料斗減壓，藉由從箱所配備之閥將該惰性氣體輸送， 使樹脂顆粒於乾燥機中空轉。又，爲抑制送料斗内之吸濕 及氧之吸收，偏好之方法有將送料斗以氮或氬等惰性氣體 封閉，或使用可保持減壓狀態之真空送料斗。 經乾燥之樹脂顆粒，經壓出機上部所設置之送料斗運 送至壓出機。與至乾燥機之輸送相同地，輸送時將送料斗 減壓，於乾燥機内所充塡之惰性氣體與樹脂顆粒被輸送至 乾燥機。又，由外部更進一步持續導入惰性氣體亦可。 本發明所用之惰性氣體方面，只要與樹脂顆粒不反應 -28- 200817166 之氣體即可並未特別限定，如氮、二氧化碳、氬等’以使 用氮爲佳。又，運送樹脂顆粒時，氮氣流量，因乾燥機及 壓出機之尺寸而異，通常爲100〜8001/ min，以120〜 6001/min 爲佳。 經溶融壓出法得到之環狀烯烴系樹脂薄膜之方法方 面，並未特別限定，使用公知之方法即可。如，有由壓出 機所配置之模頭將溶融狀態之環狀烯烴系樹脂壓出，使該 樹脂於鏡面輥表面壓著，之後，冷卻後剝離後進行薄片化 之方法。 將環狀烯烴系樹脂溶融之方法方面，以經壓出機將樹 脂溶融之方法爲佳，將該溶融樹脂以齒輪泵定量供給，將 此以金屬過濾器等過濾除去不純物後，以模頭邊賦予薄膜 形狀邊壓出之方法爲佳。 將由模頭壓出之薄膜冷卻進行薄膜化之方法方面，有 夾輪方式、施加靜電方式、氣刀方式、壓延方式、單面帶 方式、雙面帶方式、3本輥方式等，製造光學斑少之薄膜 時，以使用單面帶式，其中稱套管式之薄膜製造裝置、施 加靜電方式等爲佳。如，於模頭吐出口下方配置鏡面輥與 金屬帶，設置與該鏡面輥並排之剝離輥之薄膜製造裝置。 該金屬帶，藉由與其内面相接所設置之2個保持輥，保持 張力作用狀態。由吐出口所吐出之樹脂，經該鏡面輥與金 屬帶間之挾壓，轉印至鏡面輥，冷卻後，由剝離輥剝離而 薄膜化。又，於所吐出之薄膜兩端之位置，配置爲與模頭 吐出口下方之鏡面輥相對，由帶電電極，將薄膜貼附於鏡 -29- 200817166 面輥側’得到無光學斑、薄膜表面性良好之方法等亦爲適 用之方法。 壓出機方面，可使用單軸、雙軸、遊星式、融混練機 等任一皆可，以使用單軸壓出機爲佳。又，壓出機之螺桿 形狀方面，有通氣孔型、副螺桿型（sub-flight screw )、 先端達魯曼基（Dulmadge)型、全程螺桿型等，有壓縮比 大的、小的，壓縮部之長度爲長緩壓縮、長度爲短急壓縮 型等’因氧混入及壓出機内部之剪斷發熱，使樹脂中易產 生膠體。因爲此膠體會成爲薄膜中稱爲魚眼之點狀缺陷及 燒焦之原因，以可壓抑氧溶解、剪斷發熱之螺紋形狀·壓 縮型之者爲佳，以壓縮比爲1 . 5〜4 · 5爲佳，特別佳爲1 . 8 〜3 · 6。樹脂計量中所使用之齒輪泵，使用内部潤滑式， 或外部潤滑式任一皆可，其中以外部潤滑方式爲佳。 關於異物過濾所使用之過濾器，有葉片圓盤型、燭狀 過濾器型、葉片型、篩網等。其中，使樹脂滞留時間分布 變小爲目的，以葉片圓盤型最佳，指過濾器之網孔大小習 稱網目，以20 // m以下，偏好爲1 0 // m以下，更佳爲5 //m以下。最好爲3/zm以下。習稱之網目，比20//m大 時，要除去肉眼可見之異物外，除去膠體等爲困難的，故 不宜用作製作光學薄膜用之過濾器。 模頭方面，使模頭内部樹脂流動均一爲必須的，爲保 持薄膜厚度均一性，在模頭出口附近之模頭内部壓力分布 於寬度方向保持一定是必須的。爲滿足此般條件，可使用 分歧管模頭、魚尾式模頭、衣架式模頭等，此等中，以衣 -30- 200817166 架式模頭爲佳。又模頭之流量調整，以彎曲唇型爲佳。 又，以附設經熱栓方式自動控制進行厚薄調整機能的模頭 更佳。爲調整流量設置之扼流桿、爲調整厚度而設置之支 撐墊塊，於設置部分產生高低差、設置部分之隙間等，混 入空氣等，而可能成爲燒焦之發生原因、模頭線之原因而 不適用。模頭吐出口，以塗佈鎢碳化合物等超硬塗佈等爲 佳。又，模頭材質方面，有 SCM系之鋼鐵、SUS等不繡 鋼材等、但並不限制於此等。又，可使用有於表面鍍上 絡、鎮、欽等之者，經 PVD ( Physical Vapor Deposition )法等，形成 T iN、T i A IN、T i C、C rN、D L C (金鋼石狀碳）等被膜之者，被其他陶瓷熔射者、表面被 氮化處理之者等。此般模頭，表面硬度高，與樹脂之摩擦 小，故於所得之透明樹脂薄膜，可防止燒焦雜質等混入且 防止模頭線產生，故爲適用。 鏡面輥，以具有内部加熱方法及冷卻方法者爲佳，其 表面粗度爲0.5 // m以下，特別以〇 · 3 // m以下爲佳。鏡面 輥方面，使用於金屬輥施加鍍敷者爲佳，以施加鉻鍍敷、 無電解鎳鍍敷等者更佳。 鏡面輥之加熱方法，以被覆式油調溫方式、介電加熱 方式等方法爲佳。輥之加熱方法並未特別限制，以輥溫度 於薄膜製膜範圍下，無溫度差爲佳，所容許之輥寬度方向 之溫度差以厂C以内爲佳，更佳爲厂C以内。 於單面帶式裝置或套管式取出裝置中使用之金屬帶方 面’以使用無接合處之無端帶爲佳。構成金屬帶之材料方 -31 - 200817166 面，可用不繡鋼、鎳等。又，固定金屬帶之保持輥，以其 表面經有矽酮橡膠或其他具耐熱性彈性體等所被覆爲佳。 金屬帶厚度，以〇·1〜〇.4mm爲佳，未滿0.1mm則彎曲 大，會立刻損傷帶而不宜。另一方面，比〇.4mm厚則加工 時不隨薄膜變形而不適合。 藉由該裝置，如下製造薄膜。 壓出機滾筒，爲防止溶融壓出中樹脂氧化產生膠體 等，以經氮或氬等惰性氣體密封爲佳。 經壓出機溶融之環狀烯烴系樹脂，由模頭吐出口向垂 直方向之下方壓出成薄膜狀。模頭出口之溫度分布，爲使 樹脂溶融黏度差少，控制在± 1 °C以下爲佳。 之後，所壓出之樹脂，經鏡面輥與金屬帶挾壓，冷 卻。接著，轉印至鏡面輥表面之樹脂，經剝離用輥由鏡面 輥表面剝離，製造薄膜狀之薄膜。 本發明中，樹脂加工溫度，也就是壓出機及模頭之設 定溫度，由可將流動性均一之溶融狀態樹脂從模頭吐出， 抑制樹脂劣化觀點，爲樹脂之Tg + 100°C以上、Tg + 200 °C以下爲佳。 又，經鏡面輥與金屬帶將樹脂挾壓時，也就是，將樹 脂轉印於鏡面輥時之壓力，以面壓爲〇.〇1〜0.8 MPa爲 佳，特別佳爲0.1〜0.6MPa。以0.15〜0.45MPa又更佳。 此時，以鏡面輥與金屬帶之周速度相近爲佳。偏好範 圍方面，當鏡面輥周速度爲1.00時，金屬帶之周速度爲 0.95〜1.05，特別佳爲0.99〜1.01。 -32- 200817166 另外，薄膜剝離時之條件，剝離溫度Tt ( °c )，剝離 應力 TF(MPa)時，各自以 Tg— 3(TCSTtSTg+5°C， 0.01MPa$TF$5MPa 之範圍爲佳。 於此，冷卻輥之鏡面輥溫度，通常爲Tg — 80〜Tg + l〇°C，以 Tg — 60 〜Tg — 2°C 爲佳。 本發明模頭之流路之水平部分與模頭出口之先端部分 相接觸，此先端水平部分稱模口平面。模口平面之長度爲 10〜50mm，以11〜40mm爲佳。 <薄膜延伸加工> 本發明之光學薄膜，可將如此所得之光學薄膜，進一 步延伸。其延伸加工方法方面，具體上，有公知之單軸延 伸法或雙軸延伸法。也就是，可使用經拉幅法之横單軸延 伸法、輥間壓縮延伸法、利用圓周相異之二組輥之縱單軸 延伸法等’或組合橫單軸與縱單軸之雙軸延伸法、經吹製 法之延伸法等。 單軸延伸法之狀況，延伸速度通常爲1〜5,000 % / 分，以50〜1，000% /分爲佳，更佳爲1〇〇〜1，〇〇〇%/ 分，特別佳爲1〇〇〜500 %/分。 雙軸延伸法之狀況，有同時於2方向進行延伸或單軸 延伸後於與最初延伸方向相異方向進行延伸處理之情況。 此時，爲控制延伸後薄膜之折射率橢圓體形狀之2延伸軸 相交角度’依所期望特性而決定並不特別限定，通常爲 120〜60度之範圍。又，延伸速度在各延伸方向相同也 -33- 200817166 可，相異亦可，通常爲1〜5,000%/分，以5(^1000% /分爲佳，更佳爲1〇〇〜1，〇〇〇%/分，特別佳爲1〇〇〜 5 0 0 % / 分。 延伸加工溫度，並未特別限定，以本發明之樹脂的玻 璃轉移溫度Tg爲基準，通常爲Tg±30°C，以Tg±15t：爲 佳’更佳爲Tg— 5°C〜Tg+15°C之範圍。在該範圍内，可 抑制相位差不均發生’又，控制折射率橢圓體變得容易所 以適合。 延伸倍率，依所期望特性而決定並不特別限定，通常 爲1.01〜10倍，以1.03〜5倍爲佳，更佳爲1·03〜3倍。 延伸倍率在1 0倍以上則有相位差之控制變得困難之情 形。 經延伸之薄膜，可直接冷卻，或於Tg — 20°c〜Tg之 溫度環境下保持至少1 0秒以上，較佳爲3 0秒〜6 0分鐘， 更佳爲1分〜6 0分鐘進行熱接合。藉由此，可得到透過光 相位差之經時變化少且安定之相位差薄膜。 不施加延伸加工情況之本發明之光學用薄膜之經加熱 的尺寸收縮率，在1〇〇 °C進行加熱5 00小時時，通常爲5 %以下，較佳爲3%以下，更佳爲1%以下，特別佳爲0.5 %以下。 又，本發明之相位差薄膜之經加熱之尺寸收縮率，在 100°c進行加熱5 00小時時，通常爲10%以下，較佳爲5 %以下，更佳爲3 %以下’特別佳爲1 %以下。 爲使尺寸收縮率在該範圍内’除本發明之樹脂原料之 -34- 200817166 單體A、B之選擇外，可藉由鑄模方法或延伸方法來控 制。 此般延伸之薄膜，經延伸而分子配向、賦予透過光相 位差，此相位差，可藉由延伸倍率、延伸溫度或薄膜厚度 等控制。如，延伸前薄膜厚度相同時，延伸倍率愈大之薄 膜透過光相位差之絕對値有變大之傾向，藉由變更延伸倍 率可得到賦予透過光所期望之相位差之相位差薄膜。另一 方面，延伸倍率相同時，延伸前薄膜厚度愈厚過光相位差 之絕對値有變大之傾向，故藉由變更延伸前薄膜厚度可得 到賦予透過光所期望之相位差之相位差薄膜。又，於該延 伸加工溫度範圍，延伸溫度愈低透過光相位差之絕對値有 變大之傾向，故藉由變更延伸溫度可得到賦予透過光所期 望之相位差之相位差薄膜。 如此延伸所得之相位差薄膜厚度，通常爲1 〇〇 // m以 下，較佳爲100〜20//m，更佳爲 80〜20//m。藉由使厚 度變薄則相位差薄膜可因應所使用之領域之製品的小型 化、薄膜化。於此，爲控制相位差薄膜之厚度，可由控制 延伸前光學薄膜之厚度、控制延伸倍率而得到。如，藉由 使延伸前之光學薄膜變薄，使延伸倍率變比較大，可進一 步使相位差薄膜之厚度變薄。 <薄膜特性> 如上述般所得之本發明之光學薄膜（溶融壓出薄膜’ 延伸薄膜），其特徵爲於薄膜表面，直徑3 0 // m以上之點 -35- 200817166 狀缺卩曰爲3個/ m以下，較佳爲1個/ m2以下。點狀缺 陷’爲於薄膜表面存在之點狀或略圓形狀之凹凸，該缺陷 之原因之一，爲於樹脂中存在之膠體等異物所造成。該點 狀缺陷，爲成爲光學斑之一大原因。 又’本發明之延伸的光學薄膜，因表面平滑性優，以 ASTM D1003標準測定之厚度於3mm下霧値爲1%以下， 較佳爲0 · 8 %以下。 又’薄膜之平均粗糙度Ra爲0.2 // m以下，較佳爲 0.15//m以下，更佳爲o.ivm以下。 《偏光板》 本發明之偏光板，於PVA系薄膜等所成之偏光子之 至少一面，將本發明之光學薄膜，以PVA樹脂爲主體之 水溶液所成之水系接著劑、含有極性基黏接著劑、光硬化 性接著劑等進行貼合，依必要將其加熱或曝光、壓著，可 藉由將偏光子與光學薄膜接著（積層）而製造。 《液晶面板》 本發明之液晶面板，可於2枚玻璃基板間挾持液晶所 成之液晶顯示元件之至少一面，貼合本發明之偏光板，可 經使液晶顯示元件與偏光板接著（積層）而製造。 【實施方式】 〔實施例〕 -36- 200817166 以下，具體說明關於本發明之實施例，但本發明並不 爲此等實施例所限定。又，以下，「份」，「％」，無特 別指示下係指「重量份」，「重量％」。 又’以下實施例中，各種評估經下述方法測定。 〔玻璃轉移溫度（Tg )〕 使用 Seiko Instruments Inc.製之示差掃瞄熱量計 (DSC)，氮環境下以昇溫速度2 0 °C /分之條件，測定玻 璃轉移溫度。 〔點狀缺陷測定〕 將光學薄膜卷起l〇m2放置於黑紙上，在100w螢光燈 下確認反射光之搖動。反射光搖動處爲點狀缺陷，將其做 記號。之後，以5 0倍光學顯微鏡觀察薄膜表面，計算直 徑3 0 // m以上點狀缺陷之個數。 〔全光線透過率，霧値〕 使用村上色彩技術硏究所製之霧値計「HM - 1 5 0 型」，測定全光線透過率及霧値。 〔透過光之面内相位差（R〇 )〕 使用王子計測機器（股）製之「KOBRA— 2 1ADH」， 將於薄膜垂直之光入射時之面内相位差（R 〇 )，在波長 5 5 0 n m進行測定。 -37- 200817166 〔偏光板之透過率及偏光度〕 使用大塚電子（股）製之「RETS」’測定偏光板之 透過率及偏光度。測定波長爲5 5 0nm。 〔薄膜厚度分布〕 使用薄膜厚度分布測定裝置（MOCON )，於薄膜長 度方向進行測定。 <調製例1 > 於由丙烯酸丁酯94.8份、丙烯酸5份、2-羥基乙基甲 基丙烯酸酯0.2份所成之重量平均分子量（Mw) 120萬， 重量平均分子量與數平均分子量（Μη)比（Mw/ Μη)爲 3·9之丙烯酸系聚合物之酢酸乙酯溶液中添加甲苯稀釋， 成爲丙烯酸系聚合物之1 3 %甲苯溶液，將添加異氰酸酯交 聯劑〔CORONA TEL (日本聚尿烷社製）〕2.0份攪拌後之 溶液塗佈於離型薄膜上，令其不發泡，以60 °C X5分鐘， 1 0 0 °C X 5分鐘之2階段進行乾燥後，進一步將輕剝離型之 離型薄膜暫時層合於黏著劑面，製作乾燥後黏著劑厚度 (平均値）爲25 // m之非支持薄膜。 〔實施例1〕 樹脂方面，使用環狀烯烴系樹脂（J S R股份公司製： 商品名「ARTON D45 3 1」，玻璃轉移溫度1 3 0 °C )之封入 -38- 200817166 8 00 k g箱中之樹脂顆粒，於以氧濃度〇.lppm之氮2001 / min的氮循環式乾燥機（曰水加工股份公司製：型號NS —200 )中輸送，在氮環境下，乾燥溫度i〇0°C下進行180 分鐘之除濕乾燥。之後，使該樹脂導入於使用氧濃度 O.lppm 之氮 2001/min 的壓出機（GM ENGINEERING CO.， LTD·製：GM— 90)，以 26(TC溶融，以齒輪泵定量送 液，使用5 // m葉片圓盤過濾器將異物除去，從經設定 2 5 0°C之鋁鑄加熱器所加熱之T模頭進行壓出。此時T模 頭之開口爲0.5mm，T模頭出口與冷卻輥之薄膜的壓著點 間之距離爲65mm時，使壓著於25 0mm φ之冷卻輥。冷卻 車毘之溫度爲1 2 0 °c，於其下方側設置2 5 0 m m φ之冷卻輥 2，於更下方側設置25 0mm φ之剝離輥。個別輥之溫度爲 1 15°C、n〇°c，在薄膜表面溫度l〇8t下由剝離輥剝離膜 厚1 00 // m之薄膜，得到原菠烯系樹脂薄膜。 確認所得之光學薄膜之點狀缺陷個數爲〇·3個/m2。 又，該光學薄膜之全光線透過率爲93% ’霧値爲0.2%。 〔比較例1〕 由箱輸送至乾燥機，以及由乾燥機輸送至壓出機在相 同空氣環境下進行，以外與實施例1相同’得到光學薄膜 (b- 1 )。確認光學薄膜點狀缺陷個數爲3·2個/m2。又， 該光學薄膜輥（b - 1)之全光線透過率爲93%，霧値爲 0.3%。 -39- 200817166 〔實施例2〕 使用於實施例1得到之光學薄膜（a - 1 )，1 3 〇 t 下，使用輥夾輪式縱單軸延伸機延伸1.2倍後，1 3 0。(：下 使用拉幅式之横延伸機延伸1.4倍後得到厚70 // m之延伸 光學薄膜（a — 2)。該光學薄膜（a - 2)之相位差爲薄膜 面内相位差（R0)爲60nm。又，該光學薄膜（a — 2)之 全光線透過率爲93%，霧値爲0.1%。 另外，確認該光學薄膜（a - 2 )之點狀缺陷數爲〇 . i 個 / m2。 〔比較例2〕 使用光學薄膜（b - 1 )以外與實施例2相同，得到延 伸之光學薄膜（b - 2 )。本薄膜之相位差爲薄膜面内相位 差（R0)爲63nm。又，全光線透過率爲 93%，霧値爲 0.2%。 另外，確認該光學薄膜（b - 2 )點狀缺陷數爲3 .5個 / m2 〇 〔實施例3〕 將厚5 0 // m之聚乙烯醇薄膜邊浸漬於碘5 g、碘化鉀 250g、硼酸l〇g、水i〇〇〇g所成之40°C浴中約5分鐘，邊 單軸延伸至4倍得到偏光膜。於此偏光膜表面，使用調整 例1所得之黏著劑，將實施例1製作之光學薄膜（a - 1 ) 與實施例2製作之光學薄膜（a 一 2 )各自於偏光膜單面連 -40- 200817166 續接著得到偏光板（a )。測定此偏光板（a )之透過率與 偏光度，各自爲43%、99.99%。又，使該偏光板（a)2 片呈正交偏光狀態，由一面以輝度10 〇〇〇cd之背光照射 時，由另一面觀察時，確認並無點狀缺陷引起之光漏。 〔比較例3〕 除使用光學薄膜（b - 2 )與（c 一 1 )以外與實施例3 相同樣，得到偏光板（b )。測定此偏光板（b )之透過率 及偏光度，各自爲42%、99.87%。又，使該偏光板（b) 在光學薄膜輥（b - 2 )爲内側，2片呈正交偏光狀態，由 一面以輝度1 0000 cd之背光照射時，由另一面觀察時，確 認到點狀缺陷引起之光漏爲3.0個/ m2。 〔産業上利用可能性〕 本發明之光學薄膜，不於光學薄膜表面產生點狀缺 陷，不產生光學斑。因此，由本發明之光學薄膜輥所得之 光學薄膜，可用於如行動電話、數位資訊終端、呼叫器、 衛星導航、車用液晶顯示器、液晶螢幕、液晶電視、調光 面板、OA機器用顯不器、AV機器用顯示器等各種液晶顯 示元件及電致發光顯示元件或觸控面板等。又，亦可用作 CD、CD — R、MD、MO、DVD等光碟之記錄·再生裝置中 之波長板。 【圖式簡單說明】 -41 - 200817166 〔圖1〕本發明之光學薄膜之製造方法中偏好使用之 樹脂顆粒輸送路徑示意圖。 -42-

Claims (1)

1. 200817166 十、申請專利範圍 1 · 一種光學薄膜之製造方法，其特徵係將樹脂顆粒以 氧濃度1 Oppm以下之惰性氣體爲媒介輸送至壓出機後，將 該顆粒熔融壓出成形。 2 ·如申請專利範圍第1項之光學薄膜之製造方法，其 中’將封入箱中之樹脂顆粒輸送至乾燥機後，由該乾燥機 以氧濃度1 Oppm以下之惰性氣體爲媒介輸送至壓出機。 3 .如申請專利範圍第2項之光學薄膜之製造方法，其 中’將封入箱中之樹脂顆粒以氧濃度1 Oppm以下之惰性氣 體爲媒介輸送至乾燥機。 4·如申請專利範圍第1項之光學薄膜之製造方法，其 中，該惰性氣體爲氮氣。 5 .如申請專利範圍第1項之光學薄膜之製造方法，其 中’該樹脂顆粒爲具有由來自下式（1)所示之化合物之 構造單元之環狀烯烴系樹脂之顆粒。 [化1 ]

   (式（1)中，R1〜R4爲氫原子、鹵原子、碳數1〜30之 烴基或其他1價之有機基，各自可爲相同或相異，又，R 1 -43- 200817166 〜R4之中任意2者可相互鍵結，形成單環或多環構造，m 爲0或正整數，p爲0或正整數）。 6.如申請專利範圍第1項之光學薄膜之製造方法，其 中，更進一步進行延伸。 -44-