TW200426443A - Electro-optical device, electronic machine, and projection-type display device - Google Patents

Description

200426443 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係屬於例如主動矩陣驅動之液晶裝置、電子紙 等之電泳裝置、EL( Electro-Luminescence)顯示裝置等 之光電裝置之技術領域。尙且，本發明係亦屬於具備此般 之光電裝置所形成之電子機器及液晶投射等之投射型顯示 裝置之技術領域。

【先前技術】 以往，於基板上具備：所配列於矩陣狀之畫素電極及 所連接於各該電極之薄膜電晶體（Thin Film Transistor; 以下適當稱之爲TFT)、所連接於各該TFT，並平行設置 於各行及各列方向之掃描線及資料線等。即爲所謂之可驅 動主動矩陣之光電裝置。 於此般之光電裝置，加上上述，係具備對向配置之前 述基板之對向基板之同時，於該對向基板上，具備對向於 畫素電極之對向電極等，甚至，具備所挾持於畫素電極及 對向電極間之液晶層，來進行畫像顯示。即，液晶層內之 液晶分子’係藉由所設定於畫素電極及對向電極間之特定 之電位差，適當變更此配向狀態，藉此，藉由透過當該液 晶層之光之透過率之變化，來進行畫像之顯示。 尙且’於相關之光電裝置’於前述畫素電極之電位給 與時’以防止前述之液晶層之劣化等爲目的，即採取所謂 1 Η反轉驅動、1 S反轉驅動、或點狀反轉驅動之驅動方 -4- (2) 200426443

法。在此，例如所謂之1 Η反轉驅動，係驅動方法包含： 爲於所配列於前述之矩陣狀之畫素電極，用正電位驅動第 η行之畫素電極時，第η+1行之畫素電極用負電位來驅 動，如此一來，一邊隨各行之反轉極性，一邊進行所配列 於矩陣狀之全部畫素電極之驅動之工程。藉此，於相互接 隣之畫素電極之行間，於和前述對向電極間產生之縱向電 場之方向係爲相反之故，可防止經常於一定之方向施加電 場之情況時所發生之液晶層之特性劣化。再者，所謂之 1 S反轉驅動，係以前述之「行」做爲單位之處’以 「列」做爲單位所考慮之驅動方法。所謂之點狀驅動係爲 以各畫素電極考慮極性反轉之驅動方法。

但是，一旦使用相關之驅動方法，於每畫素電極將產 生所謂之反預傾斜角之同時，對應於相互接隣之畫素電極 之反預傾斜角之間將藉由相互作用，造成畫像品質低落之 問題產生。在此，所謂之反預傾斜角，係爲藉由原本之配 向膜等所配列於特定之方向（即，以特定之預傾斜角，同 時配列）之液晶分子，係和其配列於相反方向之領域。產 生此般之現象，係如前述般，藉由給與每個畫素電極使極 性反轉之電場，將造成使液晶分子之配列狀態易產生凌亂 之原因所在。同時，所謂起因於反預傾斜角之畫像品質低 落，係，例如對比度不佳，或更具體來說’係由進行全面 黑顯示之畫面來進行較淡之灰階之顯示時’之前之黑顯示 部分將有殘留現象（較差之情況時，於橫線條殘留黑顯 示） (3) 200426443 在此，於以往皆欲對應處理此般之問點點，例如專利 文獻1所明確指示般，於前述之畫素電極各處設置嵌入 部，藉由使相互接隣之畫素電極間之距離變遠，及更相互 接隣之反預傾斜角之間之物理的距離變大，以提供防止畫 像品質低落之光電裝置。 【專利文獻1】 特開2001-318388號公報

但是，於如同前述專利文獻1所明確指示之光電裝 置，具有以下之問題點。即藉由設置嵌入部於畫素電極， 將相互接鄰之畫素電極間之距離變遠，確實可以得到防止 畫質不佳之效果，但是，藉由前述設置嵌入部之構造，以 該嵌入部爲原因所在，於畫像上將產生新的漏光之問題 點。此原因或詳細之機械裝置並未明朗化，但，藉由本發 明之硏究，於未設置前述嵌入部之裝置構造，並確認出並 未產生前述之漏光，故當該嵌入部確實爲漏光之原因所 在。尙且，前述之漏光，係藉由前述之嵌入部之具體形狀 之不同和液晶爲左旋轉或右旋轉，來確認出現方向之不 同。 例如，畫素電極之平面形狀，係槪略矩形狀之情況 時，於該矩形狀之接鄰兩角嵌入之情況時，所對向於挾持 於前述兩角之邊之邊上之角部，將產生前述之漏光。即’ 嵌入部，於「下邊」部位所形成之時，漏光將出現於「上 邊」上之角部，而嵌入部若形成於「上邊」部位時，則將 出現於「下邊」上之角部。產生這樣之漏光結果，藉由於 -6 - (4) (4)200426443 畫素電極形成前述嵌入部，即使可防止以反預傾斜角爲原 因之畫質不佳之現象，但卻造成畫質毀損之結果。 本發明’有鑑於上述之問題點，爲防止以反預傾斜角 爲起因之畫質不佳之緣故，及將未於畫像上產生漏光，故 以提供具備可顯示更高品質之畫像之光電裝置及具備此般 之電子機器及投射型顯示裝置爲主要之課題。

本發明之第1光電裝置，係爲了解決上述課題，於基 板上：延伸於一定方向之資料線，及延伸交叉於該資料線 方向之掃描線’和藉由前述掃描線供給掃描信號之開關元 件，和藉由前述資料線，經由前述開關元件而供給畫像信 號之畫素電極’和嵌入該畫素電極一部份之嵌入部，和沿 著前述資料線及前述掃描線之至少一方所延伸之第1遮光 膜，和與該第1遮光膜做爲相同膜而形成，爲了防止起因 於前述嵌入部之漏光之第2遮光膜。 藉由本發明之第1之光電裝置，係相對於開關元件之 其中一個例子做爲薄膜電晶體，透過掃描線供給掃描信 號，可控制此〇n-off。另一方面，相對於畫素電極，透 過資料線供給畫像信號，相對應於前述薄膜電晶體之 0N-0FF，可於畫素電極進行施力卩·未施力卩當該畫像信號。 藉此，關於本發明之光電裝置，係所謂可爲主動矩陣驅 動。 並且，於本發明，於畫素電極特別具備嵌入部。藉 (5) 200426443

此，若配列該畫素電極，僅需於形成前述嵌入部之部分， 和相互接鄰之畫素電極變遠之故，於各畫素電極，可使產 生之反預傾斜角之物理距離變大。因此，可防止該反預傾 斜角間之相互作用產生，進而防止畫質不佳。尙且，於嵌 入部所未形成之部分之相互接鄰之畫素電極之距離，係可 保持以往般之故，做爲光透過領域之有意義之畫素電極之 形成領域將未胡亂縮短之故，將可顯示出未遜色於以往之 明亮之畫素。

再加上，於本發明，係具備沿著資料線及掃描線之至 少一方所延伸之第1遮光膜，和具備與該第1遮光膜做爲 相同膜而形成可防止於前述嵌入部爲起因之漏光之第2遮 光膜。在此，爲何會產生起因於「嵌入部」之漏光呢，係 如前述爲本發明爲解決之問題中之課題中所提到並未明朗 化。但是，藉由本發明，關於前述漏光之光之行進，係可 藉由第2遮光膜來遮斷，可將該光混入畫像上之可能性降 到最低。 再者，於本發明，所謂第1遮光膜及第2遮光膜，係 於「做爲相同膜所形成」，係爲於當該光電裝置之製造工 程’第1及第2遮光膜之前驅膜係於相同之機會所成膜 之，尙且，對於此前驅膜，同時進行特定之圖案化處理 (例如，光微影及蝕刻工程等）。尙且，第1遮光膜及第 2遮光膜係前者做爲後者之一部分，或後者做爲前者之一 部分所形成之情況亦可。即，第1遮光膜（或第2遮光 膜），係第2遮光膜（或第1遮光膜）和圖案化上所未切 -8 ~ (6) 200426443 斷，兩者，係於平面上未間斷連續所形成之形態將包含於 本發明之範圍內。總之，所謂「做爲相同膜所形成」，係 第1遮光膜及第2遮光膜，係如前述般於相同機會所形 成，同時兩者係於圖案化上切斷後所形成亦可，未間斷連 續形成亦可。

本發明之第2之光電裝置，係爲解決上述之課題，於 基板上，一種光電裝置，其特徵係於基板上具備：延伸於 一定方向之資料線及延伸於交叉於該資料線方向之掃描 線，和藉由前述掃描線供給掃描信號之開關元件，和藉由 前述資料線，經由前述開關元件而供給畫像信號之平面視 之，包含爲矩形狀之畫素電極，和嵌入於該畫素電極之前 述矩陣狀之角部之嵌入部，和沿著前述資料線及前述掃描 線之至少一方所延伸之第1遮光膜，和與該第1遮光膜做 爲相同膜而形成，配置對應於前述畫素電極之前述矩形狀 之至少一個角部之第2遮光膜。

藉由本發明之第2光電裝置，可主動矩陣驅動，係和 前述之第1光電裝置相同之。 尙且，於本發明特別是畫素電極係平面視之並包含矩 形狀，該矩形狀之角部係具備所嵌入之嵌入部。藉此，若 配列該畫素電極，僅需於形成前述嵌入部之部分，和相互 接鄰之畫素電極變遠之故，於各畫素電極，可使產生之反 預傾斜角之物理距離變大。因此，可防止該反預傾斜角間 之相互作用產生，進而防止畫質不佳。尙且，於嵌入部所 未形成之部分之相互接鄰之畫素電極之距離，係可保持以 -9- (7) 200426443 往般之故，做爲光透過領域之有意義之畫素電極之形成領 域將未胡亂縮短之故，將可顯示出未遜色於以往之明亮之 畫素。

再加上，於本發明，係沿著資料線及前述掃描線之至 少一方所延伸之第1遮光膜，和與該第1遮光膜做爲相同 膜而形成，配置對應於前述畫素電極之前述矩形狀之至少 一個角部之第2遮光膜。在此，起因於「嵌入部」之漏光 爲何會產生，係如本發明之前述之解決課題部分所述般， 並未明朗化。但是，藉由本發明者等之硏究，如本發明， 畫像電極之平面之形狀係包含矩形狀，該矩形狀之「角 部」係爲嵌入之情況時，漏光係對應於當該矩形狀之至少 其中一方之角部，其出現之必然性爲較高。此情況所謂之 「至少其中一方之角部」係包含前述之嵌入部所形成之角 部之外，亦包含構成矩形狀之其他之角部。於本發明，係 如相關於對應之「至少其中一方之角部」般，形成遮斷光 行進之第2遮光膜。 因此，藉由本發明，可防止起因於前述之反預傾斜角 所造成之畫質不佳，並亦可防止藉由起因於嵌入部之漏光 所造成之畫質惡化之情形。 再者，於本發明，第1遮光膜及第2遮光膜係爲「做 爲相同膜所形成」之故，係具有如同前述般之意義。 尙且，畫素電極之平面之形狀係「包含矩形狀」，係 該畫素電極本身若爲正方形·長方形等之其它情況之時， 此等正方形·長方形等做爲基本，但該畫素電極之平面之 -10- (8) 200426443 形狀，係將亦包含形成於該正方形·長方形等伴隨多少變 形之圖案之情況。 本發明之第1或第2之光電裝置之其中一個形態，係 前述嵌入部，係挾持前述矩形狀之某一邊之二個角部中之 至少其中一邊嵌入所形成之，而前述第2遮光膜係對應於 挾持對向於某一邊之邊之二個角部之任一方所形成之。

藉由此一形態，可確實防止起因於嵌入部所產生之漏 光之原因。即，藉由本發明者等之硏究，例如畫素電極之 平面之形狀係爲長方形狀之情況時，係嵌入挾持該長方形 狀之一個短邊之二個角部般，形成前述之嵌入部後，前述 之漏光，係可確認爲，挾持對向於前述短邊之短邊之二個 角部之任一方將出現漏光之必然性爲較高。然而，於本形 態，對應當該二個角部之任一方般，形成前述之第2遮光 膜。如此一來，於本形態，藉由於較易產生漏光之處設置 第2遮光膜’將可確實防止起因於此之畫質不佳之情況產 生。 本發明之第1或第2之光電裝置之其它形態，係前述 之第1遮光膜，係沿著前述掃描線及前述資料線之任一 方，所形成之平面視之之格子狀，尙且，前述畫素電極係 去除該格子狀，配列矩陣狀，而前述之第2遮光膜，係形 成於對應於前述格子狀之各交叉點之角落部。 藉由此形態’第1遮光膜係沿著前述掃描線及前述資 料線之任一方所形成格子狀，並且，前述畫素電極，係去 除該格子狀，配列矩陣狀之故，做爲隔著相互接鄰之各畫 -11 - (9) 200426443 素間之所謂之「缺角部」之遮光膜而進行功能之。藉此， 可達成畫像之高對比化。

另一方面，第2遮光膜，係對應於前述格子狀之各交 差點之角落部般所形成之。藉此，第2遮光膜係藉由僅包 覆一個個之畫素電極之角部所形成之。因此，一般而言， 做爲光透過領域之具有意義之畫素電極之形成領域，將不 會整個廣大面積胡亂包覆，故和以往相比較，將不會 牲 畫像之亮度，並可得到關於防止前述之漏光之作用效果。 尙且，如同前述，畫素電極之平面之形狀係包含矩形 狀，並且，嵌入部係嵌入該矩形狀之角部般所形成之情況 時，漏光係即爲本形態中所提到之「角落部」附近所產生 之必然性較高。因此，藉由本形態，於相關之前提之情況 時，可確實防止起因於嵌入部之畫質不佳之情況。

再者，於本形態，係包含畫素電極，「去除該格子 狀」所形成之，係第1遮光膜及畫素電極係平面視之’將 未完全重疊所形之的話’將無意義。例如’畫素電極之某 一邊和第1遮光膜若部分重疊而形成亦可。此情況’係包 含畫素電極，「去除該格子狀」所形成之。 於此形態，前述第2遮光膜，係對應前述交叉點之其 中一個角落部所形成之同時，前述第1遮光膜及做爲和前 述第2遮光膜爲相同膜所形成，對應於去除前述交叉點中 之前述一個之角落部之三個角落部中之至少一個’將構成 更具備第3遮光膜亦可。 藉由此構造，所製作形成格子狀之第1遮光膜之交叉 -12- (10) 200426443 點，係於四個角落部中，去除對應前述第2遮光膜之角落 部，對應三個角落部中至少一個，而形成第3遮光膜。 因此，首先，起因於嵌入部之漏光，係假如即使出現 於予測外之處，可藉由第3遮光膜來防止當該漏光之產 生。

尙且，藉由相關第3遮光膜，前述開關元件，例如薄 膜電晶體等所形成之情況時，可防止光進入此半導體層 (活性層）之事態產生。因此，藉由相關事態之產生，將 可有效防止於半導體層內產生光漏電電流，及不使於畫像 上產生閃燦等現象。 再者，關於此般之光漏電電流之作用效果，係前述之 開關元件，係「對應於前述格子狀之交叉點所配置」之情 況時，將更有效果。於此情況，通過交叉點之角落部附近 之光源，對於半導體層可說將較易射入之。

於此形態，前述之第3遮光膜係包覆前述之嵌入部所 形成之構造亦可。 藉由此構造，嵌入部之漏光，換言之，於結果上可以 遮斷未形成畫素電極之部分所漏之光。 於本發明之第1或第2之光電裝置之其它形態，係更 具備對向前述基板所配置之對向基板，和密封於前述基板 及前述對向基板間之扭轉向列型液晶（TN液晶；Twisted Nematic )，而於前述之第2遮光膜之形成位置，係對應 於前述TN液晶之旋轉方向所設定之。 藉由此形態，按照TN液晶之旋轉方向，藉由設定第 -13- (11) 200426443

2遮光膜之形成位置，可更確實防止起因於嵌入部之漏光 產生。即，藉由本專利之發明者等之硏究，即使嵌入部之 形成位置爲相同之情況時，按照TN液晶之旋轉方向之不 同，可確認漏光產生之處不同。具體而言，如前述般，畫 素電極之平面之形狀若於長方形之情況時，於挾持該長方 形之一個短邊之二個角部嵌入之，形成前述之嵌入部後’ 係可確認挾持對向前述短邊之短邊之二個角部之任一方所 出現之前述漏光之必然性爲較高。但，此情況，例如，可 確定的是，前述TN液晶係左旋轉時，漏光係出現於前述 二個角部中之其中一方，而爲右旋轉時將出現在反方向。 如此一來，按照TN液晶之旋轉方向，則漏光之產生 處將改變之。但於本形態，因爲是按照此所形成之第2遮 光膜，故可確實防止當該漏光現象。

本發明之第1或第2之光電裝置之其它之形態，係前 述第1遮光膜係配置於前述資料線和前述畫素電極間，而 前述之第1遮光膜係爲固定電位。 藉由此形態，可防止資料線及畫素電極間產生電容結 合。因此，將未產生沿著資料線所產生之部分變色，將可 顯示更高品質之畫像。尙且，本形態，第1遮光係藉由以 此般之電容結合防止用之膜來進行功能之，故該第1遮光 膜和前述電容結合防止用之膜將各別形成等之情況相比， 當該光電裝置之構造或構造將可簡單化之同時，亦可圖求 成本之低價化。 再者’爲得到更有效果之相關作用效果，係第1遮光 -14- (12) 200426443 膜包覆資料般，並且，該第1遮光膜之寬度，係較該資料 線之寬度變成較爲大，則形成該第1遮光膜爲較優。如此 一來’資料線和畫素電極間之遮蔽將可較確實。

本發明之第1或第2之光電裝置之其它之形態，係於 前述基板上，電氣連接前述開關元件及前述畫素電極之畫 素電位電極、對向該畫素電位電極般所配置之固定電位電 極’及配置於前述畫素電位電極及前述固定電位電極間之 介電體膜所形成之積蓄電容。前述第1遮光膜，係於前述 固定電位電極，供給固定電位。 藉由此形態，首先藉由具備積蓄電容，於畫素電極可 使電位保持特性更加提昇之故，亦可提昇畫像之對比。

並且，藉由本形態，前述第1遮光膜，係爲了做爲供 給固定電位於構成前述積蓄電容之一邊之電極之固定電位 電極之配線而來進行功能之。因此，該第1遮光膜，和供 給固定電位於固定電位電極之配線，將各別形成等之情況 相比較，當該光電裝置之構造或構造將可簡單化之同時， 亦可圖求成本之低價化。 再者，具備於本形態之要件之第1遮光膜，係若配置 於資料線及畫素電極間時，當該第1遮光膜，係如前述 般，做爲電容結合防止用之膜來作用功能之，而該第1遮 光膜之高功能化，係變爲更爲增進，前述之構造簡單化， 成本低價化等之效果，係將可更有效率地發揮之。 本發明之第1或第2之光電裝置之其它之形態，係前 述第1遮光膜，係具有層積構造。 -15- (13) 200426443

藉由此形態，因爲第1遮光膜具有層積構造之故’該 第1遮光膜，和具有相同之膜所形成之第2遮光膜，或第 3遮光膜，將再得到具有相同層積構造之物來做爲構造 之。並且，該層積構造，係例如，由光反射材料及光吸收 材料所形成之二層構造的話，前述第1、第2、或第3遮 光膜，係將可具有更優越之遮光性能。因此，藉此，藉由 前述之第2遮光膜之防止漏光發生之作用效果，和藉由第 1遮光膜之畫素電極間之缺角部之遮光相關之作用效果 等，將可更有效果地享受到此成果。 尙且，以第1遮光膜做爲層積構造之情況時，考慮其 具體之構造上，係亦可考慮前述之遮光性能提昇之目的以 外之目的。例如，第1遮光膜，係做爲如前述般供給固定 電位於積蓄電容之固定電位電極之配線來功能之情況時， 該第1遮光膜係可望將低電阻化，故做爲當該層積構造之 一層，亦可使用較電氣電阻値較爲低之材料（例如，

鋁）。 再者，以前述之光反射材料做爲具體例，例如，做爲 光反射性能較優之鋁所形成之膜、前述光吸收材料之具體 例’例如，有光吸收性能較優之鈦，或氮化鈦所形成之膜 等。 本發明之電子機器，係爲解決上述之課題，具備前述 之本發明之光電裝置（但，包含各種形態）。 藉由本發明之電子機器，係因爲具備前述之本發明之 光電裝置，故將不會造成起因於反預傾斜角之畫質不佳， -16- (14) 200426443 和起因於畫素電極之嵌入部之漏光，將可實現較高品質之 畫像顯示之液晶電視、攜帶電話、電子手冊、文字處理 機、觀景型或螢幕直視型之錄影帶錄影機、工作站、電視 電話、POS端末、觸碰式面板等之各種電子機器。

本發明之投射型顯示裝置，係爲解決上述之課題，具 備前述本發明之光電裝置（但，包含各種形態），和光 源，和於前述光電裝置，導引從該光源所發出之投射光之 光學系統，和投射從前述光電裝置所射出之投射光之投射 光學系統。

藉由本發明之投射型顯示裝置，係因爲具備前述之本 發明之光電裝置，故將不會造成起因於反預傾斜角之畫質 不佳，和起因於畫素電極之嵌入部之漏光，將可實現較高 品質之畫像顯示之投射型顯示裝置。特別是，關於本發明 之投射型顯示裝置之，做爲前述光源大多可以利用比較強 有力性之物，此情況，將因爲起因於畫素電極之嵌入部之 漏光程度係變爲較深刻之故（例如，該漏光係變得較明亮 等），故具備前述之本發明之光電裝置，係變爲較爲有 利。 本發明之作用及其它之優點係將由以下之實施方法中 再加以說明之。 【實施方式】 以下，關於本發明之實施形態將參照附圖說明之。以 下之實施形態，係液晶裝置適明於本發明之光電裝置之 -17- (15) 200426443 物。 〔光電裝置之整體構造〕

首先，關於本發明之光電裝置之實施形態之整體構 造，將參照圖1及圖2來說明之。在此，圖1係τ f τ陣 列基板於其上所形成之各構成要素，同時由對向基板側所 視之光電裝置之平面圖。圖2係圖1之H-H’之剖面圖。 在此，係爲光電裝置之其中一例。以驅動電路內藏型之 TFT主動矩陣驅動方式之液晶裝置爲例子說明之。 於圖1及圖2，係相關本實施形態之光電裝置，係 T F T陣列基板1 0和對向基板2 0係對向配置。T F T陣列基 板1 〇和對向基板20之間密封液晶層5 0。而TFT陣列基 板1 〇和對向基板20，係藉由位於畫像顯示領域1 〇a之周 圍之密封領域所設置之密封材5 2相互黏著。

密封材5 2係爲貼合兩基板，例如係由紫外線硬化樹 脂、熱硬化樹脂等所構成之。於製造過程塗佈於TFT陣 列基板1 〇上之後，藉由紫外線照射、加熱等使其硬化 之。尙且，密封材52中，係爲了以TFT陣列基板和對向 基板20之間之間隔（基板間之間隙）做爲特定値之玻璃 光纖或玻璃束子等之間隙材所散布之。即，本實施形態之 光電裝置，係適合做爲投影機之光閥用之小型並且進行擴 大顯示之。 密封材5 2係並行配置於密封領域之內側，並規定畫 像顯示領域l〇a之邊緣領域之遮光性之邊緣遮光膜53， -18- (16) 200426443 係設置於對向基板2 0。但是，此般之邊緣遮光膜5 3之一 部分或全部，係做爲內藏第1遮光膜設置於TFT基板10 內側亦可。再者，於本實施形態中，位於前述之畫像顯示 領域1 〇a之周邊之周邊領域係存在之。換言之，於本實施 形態，特別是由TFT陣列基板1 〇之中心來看，相較邊緣 遮光膜5 3較遠，係做爲周邊領域來規定之

周邊領域中，於密封材5 2係配置於密封領域之外側 之領域，資料線驅動電路1 〇 1及外部電路連接端子1 02係 沿著TFT陣列基板1 0之一邊所設置。尙且，掃描線驅動 電路1 04係沿著接鄰此一邊之二邊，並且，可由前述邊緣 遮光膜53所覆蓋來設置之。並且，爲了連繫如此般設置 於畫像顯示領域1 〇a之兩側之二個掃描線驅動電路1 04 間，沿著TFT陣列基板10之剩餘之另一邊，並且，能被 前述邊緣遮光膜53所覆蓋來設置複數之配線105。

尙且，於對向基板20之四個角部，配置做爲兩個基 板間之上下導通端子來進行功能之上下導通材1 06。另一 方面，於TFT陣列基板1 0於對向於此等之角部之領域， 設置導通端子。藉此，TF T陣列基板1 0和對向基板2 0之 間可採取電氣之導通。 於圖2，於TFT陣列基板1 0上，於畫素開關用之 TFT及掃描線、資料線等之配線形成後之畫素電極 9a 上，形成配向膜。另一方面，於對向基板2 0，除了對向 電極21之外，於格子狀或條紋狀之第丨遮光膜2 3，甚至 於更上層部分形成配向膜。尙且，液晶層5 0，係例如由 -19- (17) 200426443 混合一種或數種類之扭轉向列型液晶之液晶所形成，於此 等之一對之配向膜間，採取特定之配向狀態。

再者，於圖1及圖2所示之TFT陣列基板1 〇上，加 上此等之資料線驅動電路1 0 1 '掃描線驅動電路1 〇 4等， 形成爲了檢查供給畫像信號線上之畫像信號後，供給資料 線之供給電路、於複數之資料線，於畫像信號先行特定之 電壓準位之預先充電信號、製造途中及出貨時之當該電氣 光學裝置之品質、缺點等之檢查電路亦可。 〔畫素部之構造〕 於以下，關於於本發明之實施形態之光電裝置之畫素 部之構造，將參照由圖3到圖6來說明之。在此，圖3係 於構成光電裝置之畫像顯示領域之矩陣狀形成複數之畫素 之各種元件、配線等之等效電路。圖4及圖5，係資料 線、掃描線、畫素電極等所形成之TFT陣列基板之相接 鄰之複數之畫素群之平面圖。再者，圖4及圖5係各分成 後述之層積構造中之下層部分（圖4)和上層部分（圖 5 )所圖示之。 並且，圖6係圖4及圖5重疊時之A-A’剖面圖。再 者，於圖6係各層·各部材爲了於圖面上可辨視程度之大 小之故，隨該各層·各部材縮尺使之不同。 (畫素部之電路構造） 於圖3，於構成於本實施形態之光電裝置之畫像顯示 -20- (18) 200426443 領域之矩陣狀所形成之複數畫素，形成爲了開關控制各畫 素電極9a和當該畫素電極9a之TFT30。畫像信號供給資 料線6a係當該TFT 30之源極所電氣連接時。寫入資料線 6 a之畫像信號S 1、S 2.....S η係按照此順序依次供給亦 可，並相接隣之複數之資料線6a之間，隨每個群組來供 給亦可。

尙且，於TFT3 0之閘極電極3 a係電氣性所連接，於 特定之時序，掃描線1 1 a及閘極電極3 a脈衝性的依照線 之順序依次施加掃描信號G1、G2.....Gm所構成之。 畫素電極9a係電氣連接TFT30之汲極。開關元件之 TFT30將僅於一定期間藉由此開關關閉，由資料線6a所 供給之畫像信號 S 1、S 2.....S η於特定之時序下寫入 之。 經由畫素電極9a寫入做爲電氣光學物質之一例之液 晶之特定準位畫像信號 S 1、S 2.....S η，係和形成對向

基板之對向電極之間，保持一定期間。液晶，係藉由所施 加之電壓準位，藉由分子集合之配向，調變光，可顯示灰 階。若爲正常白顯示之情況時，按照於各畫素之單位所施 加之電壓，相對射入光之透過率將減少，而若爲正常黑模 式之情況時，按照於各畫素單位所施加之電壓，相對射入 光之透過率將增加。整體而言，由光電裝置係射出按照畫 像信號所擁有之對比之光。 在此，所維持之畫像信號爲防止漏電，故附加畫素電 極9 a和對向電極之間所形成之液晶電容相並列之積蓄電 -21 - (19) 200426443 量7 0。此積蓄電容7 0係和掃描線1 1 a相並列所設置，包 含固定電位側電容電極，同時包含固定於定電位之電容電 極 300 ° 〔畫素部之具體構造〕

以下，關於藉由上述之資料線6 a、掃描線1 1 a及閘 極電極3a、TFT30等實現上述般之電路動作之光電裝置 之具體之構造，將參照圖4到圖6來說明之。

首先，於圖5，畫素電極9 a，係於T F T陣列基板1 0 上，複數設置於矩陣狀（藉由實線來顯示輪廓），各沿著 畫素電極9a之縱橫邊界，設置資料線6a及掃描線1 1 a。 資料線6a係如後述般，由包含鋁膜等之層積構造所形 成。掃描線1 1 a係於對向於半導體層1 a中圖中右上之斜 線領域所示之通道領域1 a’之閘極電極3 a，經由接觸孔 12cv所電氣性連接。並該閘極電極3a係包含該掃描線 1 1 a之形態。即，閘極電極3 a和資料線6 a之交叉之處， 係於通道領域la’設置包含於掃描線1 la之閘極電極3a所 對向配置之畫素開關用之TFT30。藉此，TFT30 (除閘極 電極）係以於閘極電極3 a和掃描線1 1 a之間之形態存 在。 接著，光電裝置，係如圖4及圖5之A_A’線剖面圖 和圖6所示般，例如，由石英基板、玻璃基板、矽基板所 形成之TFT陣列基板1 0及和此對向配置之。例如，具備 由玻璃基板和石英基板所形成之對向基板2 0。 -22- (20) 200426443

於TFT陣列基板10之一側，如圖6所示，設置前述 之畫素電極9 a，並於此上方，設置所施行硏磨處理等之 特定之配向處理之配向膜1 6。畫像電極9a係例如，由 ITO膜等之透明導電性膜所形成之。另一方面，於對向基 板20之一側，其整體設置對向電極2 1，於其下方，設置 所施行硏磨處理等之特定之配向處理之配向膜22。對向 電極2 1，係和上述之畫素電極9a相同，例如由ITO膜等 之透明導電性膜所形成之。 如此般之對向配置之TFT陣列基板1 0及對向基板20 之間，藉由於前述之密封材5 2 (參考圖1及圖2 )所包圍 之空間，密封入液晶等之光電物質，形成液晶層5 0。液 晶層50，係由畫素電極9a之電場所未施加之狀態下，藉 由配向膜1 6及22採取特定之配向狀態。

另一方面，於TFT陣列基板10上，前述之畫素電極 9a及配向膜1 6之外，包含此等之各種構造係具備成爲層 積構造。此層積構造，係如圖6所示，由下依次，爲包含 掃描線11a之第1層、包含閘極電極3a之第2層、包含 積蓄電容70之第3層、包含資料線6a之第4層、包含電 容配線400 (於本發明相當於「第1遮光膜」之其中一 例）之第5層、包含前述之畫素電極9a及配向膜1 6等之 第6層（最上層）所形成。尙且，於第1層及第2層之 間，設置基底絕緣膜12，而於第2層及第3層之間，設 置第1層間絕緣膜41，而於第3層及第4層之間，設置 第2層間絕緣膜42，而於第4層及第5層之間，設置第3 -23- (21) (21)200426443 層間絕緣膜4 3，而於第5層及第6層之間，設置第4層 間絕緣膜4 4。可防止前述之各元件間之短路。尙且，於 此等之各種之絕緣膜1 2、41、4 2、4 3及4 4，例如，也設 置TFTSO之半導層la中之高濃度源極領域ld及資料線 6a電氣連接之接觸孔等。於下述，將依下往上依次說明 關於此等之各要素。再者，前述中由第1層到第3層中， 做爲下層部分如圖4所示，由第4層到第6層做爲上層部 分如圖5所示。 (層積構造·第1層之構造-掃描線等—） 首先’於弟1層’例如，1^、（：1*、\\/、丁&、]\4〇等高 融點金屬中之至少包含一個。設置層積此等之金屬單體、 合金、金屬矽化合物、聚金屬矽化合物之物或由導電性多 晶矽等所形成之掃描線1 1 a。此掃描線i i a係平面視之， 沿著圖4之X方向，所圖案化條紋狀。更仔細視之，條 紋狀之掃描線1 1 a，係具備延伸於沿著圖4之γ方向之本 線部’和延伸於延伸存在資料線6 a或掃描線之圖4之γ 方向之突出部。再者，由接隣掃描線〗丨a延伸突出部，係 未相互連接，因此，該掃描線1 1 a係形成一條一條切斷之 形態。 (層積構造·第2層之構造一 TFT等—） 接著’做爲第2層，設置包含閘極電極3a之 TFT30。TFT30 係如圖 6 所示，具有 LDD( Lightly Doped (22) 200426443

Drain )之構造。做爲此構成要素，係上述之閘極電極 3 a，例如，具備藉由由多晶矽膜所形成之閘極電極3 a之 電場所形成之通道之半導體層la之通道領域ia，、和包含 絕緣閘極電極3 a和半導體層1 a之閘極絕緣膜之絕緣膜 2、於半導層1 a之低濃度源極領域丨b及低濃度汲極領域 1 c及高濃度源極領域1 d及高濃度汲極領域〗e。

尙且，於本實施形態，於此第2層，形成做爲和上述 之閘極電極 3a爲相同膜之中繼電極 719。此中繼電極 7 1 9，係平面視之，如圖4所示，位於延伸存在各畫素電 極9a之X方向之一邊之略中央般，形成島狀。中繼電極 71 9和閘極電極3 a係做爲相同膜所形成之，後者，例 如，由導電性多晶矽膜等所形成之情況時，前者亦由導電 性多晶矽膜所形成。

再者’上述之TFT30係如圖6所示，具有LDD構 造，但於低濃度源極領域1 b及低濃度汲極領域1 c係具有 未進行雜質投入之偏移構造亦可，以閘極電極3 a做爲光 罩’於局濃度投入雜質，形成自我整合之高濃度源極領域 及高濃度之汲極領域之自我配置型之TFT亦可。 (層積構造·第1層及第2層間之構造一基底絕緣膜一） 於上述說明之掃描線1 1 a之上，和TF T3 0之下，例 如，設置由矽氧化膜等所形成基底絕緣膜1 2。基底絕緣 膜1 2係除了由掃描線1 1 a層間絕緣TFT3 0之功能之外， 藉由形成整體之TFT陣列基板1〇，具有防止於TFT陣列 -25- (23) 200426443 基板1 〇之表面硏磨時之粗糙，及洗淨後殘存之污垢等造 成畫素開關用之TFT30之特性變化之功能。

於此基底絕緣膜1 2，係於平面視之於半導體層1 a之 兩側，沿著後述之資料線6a，控堀沿著延伸存在之半導 層1 a之通道長之方向之溝狀之接觸孔1 2 cv。對應此接觸 孔1 2 c v，層積於此上方之閘極電極3 a係包含於下側所形 成凹狀部分。尙且，爲塡入此接觸孔12cv整體，藉由形 成閘極電極3 a，於該閘極電極3 a，延伸設置和此爲一體 所形成之側壁部3b。藉此，TFT30之半導體層la係如圖 4所示般，平面視之由一側方面所覆蓋之，至少可控制光 由此一部分之射入。

尙且，此側壁部3 b係形成爲儘可能塡滿前述接觸孔 1 2cv ’同時此下端係和前述之掃描線1 1 a所連接。在此， 掃描線1 1 a係如上述所形成條紋狀，故存在於某一行之閘 極電極3 a及掃描線1 1 a，係僅要著重於該行，則將經常 保持相同電位。 (層積構造·第3層間之構造一積蓄電容等—） 接續於前述之第2層，於第3層，係設置積蓄電容 °積蓄電容70，係做爲連接TFT30之高濃度汲極領域 le及晝素電極9a之畫素電位側電容電極之下部電極71， 和做爲固定電位側電容電極之電容電極3 0 0，係經由介電 體膜75藉由對向配置所形成。藉由此積蓄電容70，係於 畫素電極9a之電位保持特性將可顯著提高。尙且，關於 -26- (24) 200426443 本實施形態之積蓄電容70，係如圖4之平面圖所示，係 於畫素電極9a之形成領域，形成於未涵蓋於約爲對應之 光透過領域，（換言之，儘可能形成可收納於遮光領域 內），光電裝置整體之畫素開口率，係可保持較大，藉 此，可顯示更明亮之畫像。

於更詳細，下部電極7 1，係由包含金屬或合金之單 一層膜或多層膜所構成亦可。尙且，此下部電極7 1，係 做爲畫素電位側電容電極之功能之外，亦具有畫素電極 9a和TFT30之高濃度汲極領域le之中繼連接之功能。同 時，在此稱之中繼連接，係經由前述之中繼電極7 1 9來進 行之。

電容電極300係做爲積蓄電容70之固定電位側電容 電極來進行功能之。於本實施形態，爲了以電容電極3 0 0 做爲固定電位，將藉由謀求做爲固定電位之電容配線4 0 0 (後述之）之電氣連接來達成。尙且，電容電極300，係 Ti、Cr、W、Ta、Mo等高融點金屬中之至少包含一個， 設置層積此等之金屬單體、合金、金屬矽化合物、聚金屬 矽化合物之物，或較理想係由鎢金屬矽化合物所形成之。 藉此，電容電極3 0 0，係具有遮斷於T F T 3 0 0於上側射入 光之功能。 介電體膜75，係如圖6所示，例如膜厚5〜20nm左右 之比較薄之 HTO (High Temperature Oxide)膜、LTO (Low Temperature Oxide )膜等之氧化矽膜，或氮化矽膜 等所構成之。由增大積蓄電容70之觀點來看，若僅要膜 -27- (25) 200426443 具有十足的可靠度，則介電體膜75愈薄較好。 於本實施形態中’此介電體膜7 5，係如圖6所示， 下層具有氧化矽膜75a ’上層具有氮化矽膜75b之兩層構 造。上層之氮化矽膜7 5 b係較畫素電位側電容電極之下部 電極71較大之尺寸，或相同之尺寸來圖案化，形成可收 納於遮光領域（非開口領域）內。

再者，於本實施形態，介電體膜7 5，係具有兩層構 造，依情況，例如，氧化矽膜、氮化矽膜及氧化矽膜等三 層構造，或具有以上之層積構造之結構亦可。當然做爲單 層構造亦可。尙且，做爲使用材料除了氮化矽之外，使用 Al2〇3、Ta2〇5、Hf02 亦可。 (層積構造·第2及第3層間之構造一第1層間絕緣膜 一） 上述說明TFT30到閘極電極3a及中繼電極719之上 方，並且，積蓄電容70之下方，例如，NSG (非矽酸鹽 玻璃）、PSG (磷矽酸鹽玻璃）、BSG (硼矽酸鹽玻 璃）、BPSG (硼磷矽酸鹽玻璃）等之矽酸鹽玻璃膜、氮 化矽膜和氧化矽膜等，或較理想爲由N S G所形成之第1 層間絕緣膜4 1所形成之。 接著，於此第1層間絕緣膜41，TFT30之高濃度源 極領域1 d和後述之資料線6a電氣連接之接觸孔8 1，係 邊貫穿後述之第2層間絕緣膜42邊開孔。尙且，於第1 層間絕緣膜4 1，係TFT 3 0之高濃度汲極領域1 e，和構成 -28- (26) (26)200426443 積蓄電容70之下部電極71係電氣連接之接觸孔83係所 開孔之。甚至，於此第1層間絕緣膜41，係做爲構成積 蓄電容7 0之畫素電位側電容電極之下部電極7 1和中繼電 極7 1 9爲電氣連接之接觸孔8 8 1係所開孔之。甚至，於此 第1層間絕緣膜41，中繼電極71 9和後述之第2中繼電 極6a2爲電氣連接之接觸孔882，係一邊貫通後述第2層 間絕緣膜，一邊所開孔之。

(層積構造·第4層之構造一資料線一） 接續前述之第3層，於第4層，係設置資料線6a。 此資料線6a係如圖6所示，依下層往上依序，由鋁所形 成之層（參照於圖6之符號4 1 A )、具有由氮化鈦所形成 之層（參照於圖6之符號41 TN )，由氮化矽膜所形成之 (參照圖6之符號401 )之三層構造之膜所形成。氮化矽 膜，係爲了包覆其下層之銘層和氮化鈦層，將圖案化較大 之尺寸。 籲 尙且，於第4層，和資料線6a爲相同膜，形成電容 配線用中繼層6al及第2中繼電極6a2。此等，如圖5所 示，平面視之，並未具有和資料線6a連接之平面形狀， 將於各個之間形成切斷之圖案化。例如，於圖5中之最左 方之資料線6a，此正右方具有略矩形狀之電容配線用中 繼層6al，甚至較此右方之電容配線用中繼層6al擁有較 大之面積之略矩形狀之第2中繼電極6a2將形成之。 · 同時，此等之電容配線用中繼層6al及第2中繼電極 -29- (27) 200426443 6a2，係和資料線6a爲相同膜所形成之故，由下層往上依 次，具有由鋁所構成之層、由氮化鈦所構成之層、由電漿 氮化膜所構成之層之三層構造。， (層積構造·第3及第4層間之構造一第2層間絕緣膜 一）

於上述說明積蓄電容70之上，和資料線6a之下，例 如，NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽 膜和氧化矽膜等，或較理想爲使用TEOS瓦斯之電漿CVD 法所形成之第2層間絕緣膜42所形成之。於此第2層間 絕緣膜42，TFT30之高濃度源極領域Id和後述之資料線 6a電氣連接之接觸孔8 1，係所開孔之同時前述電容配線 用中繼層6al和積蓄電容70之上部電極和電容電極300 電氣連接之接觸孔8 0 1所開孔之。甚至，於第2層間絕緣 膜42，係第2中繼電極6 a2和中繼電極719爲電氣連接 之前述之接觸孔所形成之。 (層積構造·第5層之構造-電容配線-） 接續前述之第4層，於第5層，係形成電容配線400 及第3中繼電極402。此電容配線400中，係平面視之， 如圖5所示，各延伸存在於圖中X方向及Y方向，形成 格子狀。關於此電容配線，關於圖6之層積構造之各層之 說明大槪結束後，將再另行敍述之。 -30- (28) 200426443 (層積構造·第4及第5層間之構造-第3層間絕緣膜 一）

於上述說明之資料線6a之上，和電容配線400之 下，例如，N S G、P S G、B S G、B P S G等之矽酸鹽玻璃膜、 氮化矽膜和氧化矽膜等，或較理想爲使用TEOS瓦斯之電 漿CVD法所形成之第3層間絕緣膜43所形成之。於此第 3層間絕緣膜43，前述之電容配線400和電容配線用中繼 層6al爲了電氣連接之接觸孔803，及第3中繼電極402 及弟2中繼電極6a2電氣連接之接觸孔804，係將各所開 孔之。 (層積構造·第6層及第5層和第6層間之構造-畫素電 極等一） 最後，於第6層，如上述之畫素電極9a形成矩陣 狀。於該畫素電極9a上形成配向膜1 6。（再者，於本實 施形態，畫素電極9a之平面形狀爲其特徵，關於此點， 將於後述） 。此畫素電極9a之下，NSG、PSG、BSG、 BPSG等之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜和氧化矽膜等，或較 理想由N S G所形成之第4層間絕緣膜44所形成之。於此 第4層間絕緣膜44，開孔電氣連接畫素電極9a及前述之 第3中繼電極402間之接觸孔89。畫素電極9a和TFT30 之間，係經由此接觸孔89及第3中繼層402和前述之接 觸孔804、第2中繼層6 a2、接觸孔882、中繼電極719、 接觸孔8 8 1、下部電極7 1及接觸孔8 3，所電氣連接之。 -31 - (29) 200426443 (電容配線構造及作用）

於下述，將說明於前述中設置於第5層之要素之關於 電容配線4 0 0之構造及作用’請參照至前述之各圖及圖7 及圖8來詳細說明之。在此’圖7係如圖5所示之各種要 素之中僅拔取出電容配線及畫素電極來描繪之平面圖。尙 且，圖8，係起因於畫素電極之嵌入部所產生漏光之形態 之平面圖。 首先，於說明電容配線400之構造之前，將說明關於 當該電容配線400之構造有相當深之關連之畫素電極9a 之平面形狀。

畫素電極9a係如圖5及圖7所示般具有嵌入部9 1。 關於本實施形態之嵌入部9 1係若存在當該嵌入部9 1之情 況時，或於當該嵌入部9 1存在畫素電極之情況時，係於 平面視之成爲長方形之畫素電極（圖7中，請參照於右上 端之畫素電極9a之虛線），於挾持當該長方形之短邊之 二個角部來嵌入所形成之。 於本實施形態，藉由此般之嵌入部9 1之存在，可防 止相互鄰接之反預傾斜角之相互作用。在此，所謂反預傾 斜角，例如，於第η領域期間內，圖3、圖5、圖7所示 隨各行（圖中X方向）之畫素電極9a正負相互驅動之同 時，於下個第n+1領域期間內，第奇數行之畫素電極9a 係爲負，第偶數行係爲正。藉由相關1 Η反轉驅動，因爲 液晶分子之配列狀態易產生雜亂之故，於特定之領域，出 -32- (30) 200426443 現和原本方向配列相反之液晶分子。此特定之領域，係爲 反預傾斜角。接著，前述之嵌入部9 1未存在之場合’係 相互鄰接之畫素電極9 a間之距離’例如’圖7中右上端 之畫素電極9a及此左隣之畫素電極9a間之距離，係因爲 變得比較狹窄（參照圖7之虛線）’所以此等之畫素電極 9a上，於產生之反預傾斜角間產生相互作用，例如，將 產生於橫線條殘留黑顯示之畫質不佳之情況。

但是，於本實施形態，藉由前述嵌入部9 1之存在， 因爲可拉遠相互鄰接畫素電極9 a，所以可防止反預傾斜 角間之相互作用，解決上述般之畫像上之不良之情況產 生。

尙且，於本實施形態，係藉由形成嵌入部91，得到 如上述般之作用效果之同時，和嵌入部9 1未存在之狀態 相比，可得到不遜色且亮度鮮明之畫像顯示之作用效果。 此爲係嵌入部9 1，如圖5所示，於有可能產生反預傾斜 角之可能之必要最小限度之領域設置之，僅於當該部分拉 遠畫素電極9a之間之距離，故具有做爲光透過域之意義 之畫素電極9a之面積將未需要再變狹窄。 再者，於本實施形態，具體舉例來說，畫素間距DD 係爲14〔μηι〕，去除畫素電極9a之圖中X方向之嵌入部 9 1之寬W 1，係爲1 1 · 0〜1 1 · 5〔 μ m〕之情況時，同圖中之 丰頁方向之寛 W2亦可設定爲12.0〜12.5〔 μηι〕左右。 (D D ’關於W 1及W 2，請參照圖7 )。同時，此情況， 於嵌入部9 1未存在之部分之相互鄰接之畫素電極9a間之 -33- (31) 200426443 距離，係DD-W2 = l ·5〜2.0〔 μπι〕（做爲=“W3”，參照圖 7)左右。於嵌入部存在之部分之同距離’係爲（DD-W1) /2 = 2.5〜3.0〔 μηι〕左右。滿足之此般之關係’係前述 之作用效果係做爲可發揮到最大限度之一例。 關於畫素電極9 a係如上述般對應於具備嵌入部9 1 ’ 於本實施形態，電容配線4 0 0係具備以下之構造。

首先，電容配線4 0 0係如圖5及圖7所示，各延伸存 在於圖中X方向及Y方向般，形成於格子狀。（再者， 於圖5及圖7，關於電容配線400之形成領域，施行斜 線）。關於延伸存在此電容配線400之中之圖Y方向之 部分，係若覆蓋資料線6a般，並且，相較於該資料線6a 形成更寛廣。尙且，關於延伸存在於圖中X方向之部 分，爲了確保形成第3中繼電極402之領域，於對應於各 畫素電極9a之其中一邊之中央附近，形成嵌入部。在 此，前述之第3中繼電極4 0 2係如圖6所示，和電容配線 4 0 0做爲相同膜所形成之。此第3中繼電極4 0 2係如圖6 所示，經由接觸孔804及89，具有中繼第2中繼電極6a2 及畫素電極9 a間之電氣之連結之功能。藉此，透過資料 線6 a所供給之畫像信號，係按照，接觸孔8 1、T F T 3 0、 接觸孔83、積蓄電容70、接觸孔881、中繼電極719、接 觸孔882、第2中繼電極6a2、接觸孔8〇4、第3中繼電 極4 02及接觸孔89之順序來供給畫素電極9a。再者，第 3中繼電極402及電容配線400係未平面連續所形成，係 爲兩者間係於圖案化切斷所形成之。 -34- (32) 200426443

甚至，圖5及圖7中，於各延伸存在XY方向之電容 配線4 0 0之交叉部分之角部，爲了埋入於該角落部，設置 四角形狀部4 1 0及三角形狀4 1 1。更加詳細的話，若著眼 於其中一個之交叉部位，將各自形成如對應於圖中右下之 角落部，四角形狀部4 1 0 (於本發明相當於「第2遮光 膜」之其中一例，和於圖中左上之角落部及右上之角落部 之各三角形狀4 1 1 (於本發明相當於「第3遮光膜」之一 例）。此等之四角形狀部4 1 0及三角形狀部4 1 1，係全都 以電容配線400做爲相同膜，並且由該電容配線400所延 伸設置來形成之。（換言之，做爲該電容配線400之其中 一部分來形成之）。尙且，前述之四角形狀部4 1 0係畫素 電極9a之嵌入部9 1，係於前述般，對應於挾持當該畫素 電極9a之平面之形狀之長方形狀之圖中下邊之二個角部 所形成後，對應於挾持對向於前述圖中下邊之圖中上邊之 二個角部之中之圖中方之物所形成之。另一方面，三角形 狀部4 1 1，係對應於所形成於畫素電極9a之嵌入部9 1之 形成位置來形成之同時，覆蓋於該嵌入部9 1之全部來形 成之。 再加上，上述之電容配線400及第3中繼電極402， 係具有由下層之鋁所形成之層，及於上層之氮化鈦所形成 之層所形成之二層構造。在此，由下層之鋁所形成之層， 係光反射能較優越，而由上層之氮化鈦所形成之層，係光 吸收能較優越之故，此等之電容配線400及第3中繼電極 4〇2，係做爲遮光膜來進行功能之。 -35- (33) (33)200426443 尙且，前述電容配線400，係由畫素電極9a所配置 之畫像顯示領域1 〇 0和延伸設置於此周圍之定電位源所電 氣性連接，做爲固定電位。接著，該電容配線400，係經 由接觸孔8 0 3，電氣連接電容配線用中繼層6 a 1，在此， 甚至經由接觸孔801電氣連接積蓄電容70之其中一方之 電極之電容電極3 0 0。此般之電容配線4 0 0 ’係具有供給 固定電位於電容電極300之功能。

〔光電裝置之作用效果〕 以上之構造之光電裝置，特別是藉由對應於畫素電極 9a之嵌入部9 1所形成之電容配線400中之四角形狀部 4 1 0及三角形狀部4 1 1，可得到以下之效果。 首先第一，藉由本實施形態之光電裝置，可防止起因 於畫素電極9a之嵌入部9 1之漏光之產生。此漏光，係如 圖8所示可觀察之。在此，圖8係設置嵌入部9 1於畫素 電極9a之情況時，所觀察到之漏光之形態之說明圖。如 此圖所示，形成於畫素電極9a之如圖5及圖7所示般之 嵌入部9 1後，雖此詳細之起因不明，但對應於各畫素電 極9a之圖中左上之部分，可確認產生比較強之漏光C。 因爲有此般之漏光C之存在，例如，即使想要全部用黑B 來做顯示，也無法使此目的達成（即，使畫質降低）（參 照圖8)。但是，於本實施形態，做爲電容配線400之一 部分，形成四角形狀部4 1 0。因此，藉由本實施形態，藉 由該四角形狀部4 1 0，可以遮住前述之相關漏光之行進。 -36- (34) 200426443 如此一來，藉由本實施形態，藉由於畫素電極9a形成嵌 入部9 1，可防止起因於反預傾斜角之畫質降低之同時， 亦藉由防止起因於該嵌入部9 1之漏光之產生，亦可防止 畫質之不佳。

尙且，於本實施形態，儘管可以得到此般之作用效 果，四角形狀部4 1 0，係僅覆蓋一個個畫素電極9a之圖 中左上角部來形成之。將未胡亂覆蓋於該四角形狀部4 1 0 具有做爲光透過領域之意義之畫素電極9a之形成領域之 涵蓋廣泛之面積，和過去相比，將不會 牲畫像之明亮 度。總之，藉由本實施形態，將可得到關於前述之防止漏 光之作用效果之同時，將可顯示較明亮之畫像顯示。

尙且，做爲相關於本實施形態之光電裝置之作用效果 之第二，做爲電容配線400之一部分，係加上前述四角形 狀部4 1 0，藉由形成三角形狀部4 1 1，則起因於嵌入部9 1 之漏光，係假如爲前述圖示所示之位置之外’則若出現爲 預測以外之位置的話，即可預先防止當該漏光之產生。尙 且，藉由相關三角形狀部41 1，亦可預先防止於TFT30之 半導體層1 a射入光之事態產生。因此，藉由本實施形 態，藉由產生相關之事態，可防止於半導體層1 a內產生 光漏電電流，及於畫像上產生閃爍等發生。特別是’於本 實施形態，TFT30係藉由對應於格子狀之電容配線400之 交叉部分所配置（參考圖4及圖5)，若無前述二角形狀 部4 1 1之情況時，由於通過當交叉部分之角落部附近之光 係射入半導體層1 a之可能性較大’所以則述之作用效果 -37- (35) 200426443 係將可得到效果。甚至，此三角形狀部4 1 1，係包覆畫素 電極9a之嵌入部9 1之全部所形成之故，可遮斷所漏於該 嵌入部9 1之光，換言之，結果上可以遮斷畫素電極9a所 未形成部分之漏光之進行。

再者，於上述，雖區別記載四角形狀部4 1 0 ’係爲對 應「漏光」所設置，而三角形狀部4 1 1，係爲防止對半導 體層1 a之射入光所設置。但這僅不過是爲了方便說明’ 並不相關於本發明之本質之事項。即，四角形狀部4 1 0 ’ 係的確和圖8之關係上，具有擔任防止起因於嵌入部9 1 之「漏光」。但該四角形狀部4 1 0，係如上述般之三角形 狀部41 1之功能（即，防止對於半導層1 a之光之射入） 可得到相同之結果。換言之，於此意義上，四角形狀部 4 1 0及三角形狀部4 1 1在功能上未有差異，但關於此點， 於本實施形態，以四角形狀部4 1 0及三角形狀部4 1 1做爲 名稱之同時，並以此等之具體之形狀來按照名字設置差異 處’但是這僅不過是爲了方便說明，於本發明並沒有特別 之意思。即，埋入電容配線400之交叉部分之角落部之形 狀’係三角形亦可四角形亦可，（即本發明中所稱之「第 2遮光膜」及「第3遮光膜」，如本實施之形態，亦各具 有不同之形狀亦可，若爲完全相同之形狀亦可，尙且，按 照其位置，即使爲「第3遮光膜」之中，但包不同之具體 形狀亦可。 做爲本實施形態之光電裝置之作用效果之第三，電容 配線400，係於TFT陣列基板1〇上之積層構造上，配置 -38 - (36) 200426443

於畫素電極9 a及資料線6 a間（參考圖6 )，但因爲做爲 固定電位，可防止於畫素電極9a及資料線6a間之電容結 合之產生。因此，藉由本實施形態’將未產生沿著資料線 6a之顏色變色，可顯示更高品質之畫像顯示。尙且’於 本實施形態，電容配線400係如前述，藉由鋁所形成之 膜，及由氮化鈦所形成之膜所構造，做爲遮光膜來進行功 能之，但於此一個要素合倂具有兩個功能的話，將該電容 配線4 0 0和該遮光膜將各別形成之情況相比較，則當該光 電裝置之構造或構成將簡單化，並可圖求成本之低廉化。

尙且，關於本實施形態之前述電容配線4 0 0，係爲了 供給固定電位於做爲構成前述積蓄電容70之其中一方之 電極之電容電極3 00之配線來進行功能之（參照圖6 )。 如此一來，相關於本實施形態之前述電容配線400，係防 止畫素電極9a及資料線6a間之電容結合，即合併擁有以 下三種功能：做爲密封層之功能供給往積蓄電容70之電 容電極300之固定電位之功能，及防止起因於前述嵌入部 9 1之「漏光」之三角形狀部4 1 0爲相同之膜所形成之遮 光膜之功能（當然，亦包含往TFT30之光之射入之功 能）。並且前述之光電裝置之構造或構成將簡單化，並可 圖求更有效果之實現成本之低廉化。 再者，於上述之實施形態，畫素電極9a，係去除所 形成格子狀之電容配線400之形成領域般，（於本發明之 用語來說，〔去除格子狀〕可來形成之。但是，如由圖5 及圖7所示之處可明確知道，於本實施形態，構成畫素電 -39- (37) 200426443 極9a之各邊，係和電容配線400之一部平面視之重疊相 合所形成之故，嚴格上來說並不能稱之爲「去除」，但在 「儘可能去除」之範疇之內。如此一來，於本發明中所稱 之爲「儘可能去除」，係電容配線400之一部分和畫素電 極9a之一部分相互重疊相合之情況亦包含在內。

尙且，於上述之實施形態，相應於挾持畫素電極9a 之圖中下邊之二個角部所形成之嵌入部9 1，爲電容配線 400之一部分之四角形狀部4 1 0，係於挾持對向於前述下 邊之圖中上邊之二個角部之中之圖中左方所形成之。但， 本發明係未限定於此形態而己。

首先，藉由本專利之發明者等之硏究，將參照圖8來 說明漏光C之產生位置，係按照所挾持於TFT陣列基板 1 〇及對向基板2 0間之液晶層5 0內之液晶分子之旋轉方 向，來確認受到之影響。即己說明之圖8之漏光C之產生 形態，係實際上，液晶層5 0內之液晶分子所觀察爲左旋 轉之情況時，而該液晶分子爲右旋轉之情況時，漏光，係 可確認爲產生於和圖8爲相反之位置（即，圖中各畫素之 右上）。因此，此情況時，如圖5及圖7所示之配置關 係，將無法有效得到防止藉由漏光產生之畫質不佳。在 此，於本發明，將各要順應前述之液晶分子之左旋餞及右 旋轉之不同，可變更四角形狀部之形成位置。例如，液晶 分子爲右旋轉之情況時，將於如前述之圖8爲相反位置產 生漏光之情況，例如，圖9所示之構成配置關係之光電裝 置亦可。 -40 - (38) 200426443

於此圖9，和圖7相對比，雖然嵌入部91 (及三角形 狀部411)之形成位置沒有不同，但畫素電極9a之嵌入 部9 2係如圖1 0所示，和圖5及圖7之情況不问時’右形 成於對應於挾持圖中上邊之二個角部的話，電容配線4 0 0 之四角形狀部43 0，係如當該圖所示，形成於對應於該電 容配線4 0 0之交叉部分之圖中左上之角落部之形態亦可。 同時，於圖1 〇，係伴隨著四角形狀部43 0之形成位置之 變更，三角形狀部4 3 1或，和圖7之對比將更爲明確，此 形成位置將無所改變。

甚至，形成畫素電極9a之「嵌入部」，係未僅限定 於如圖7到圖10所示之形態。例如，如圖1 1所示，僅於 挾持畫素電極9a之圖中下邊之二個角部之其中一方，採 用形成嵌入部93之形態亦可。即使爲此情況，藉由當該 嵌入部93之形成之相互鄰接畫素電極9a間之物理距離將 會變大之故，將可防止起因於反預傾斜角之畫素不佳。然 後，於相關之構造，若形成相關本實施形態之四角形狀部 4 1 0及三角形狀部4 1 1，將可確定可得到和前述略相同之 作用效果。再者，於圖1 1，四角形狀部4 1 0及三角形狀 部4 1 1，係形成於和圖7完全相同之位置，但是藉由「嵌 入部」之變更，「漏光」之形態亦有可能以別的形態來出 現。因此，此情況時，以當該四角形狀部4 1 0之形成位置 爲首，適當變更三角形狀部4 1 1之形成位置亦可。 除此之外，於本發明之中，以畫素電極之嵌入部及四 角形狀部之配置關係爲基本，將可想到上述以外之各種變 -41 - (39) 200426443 形形態，但是，本發明係爲如何之形態’基本上皆收納於 其範圍之內。 接著，關於以上述詳細說明之光電裝置做爲光閥來使 用之電子機器之其中一例之投射型彩色顯示裝置之實施形 態，係將說明關於其整體構造，特別是光學之構成。在 此，圖1 2，係投射型彩色顯示裝置之圖式之剖面圖。

於圖1 2，於本實施形態之投射型彩色顯示裝置之其 中一例之液晶投影機1 1 0 0，係準備三個包含驅動電路所 搭載於 TFT陣列基板之液晶裝置之液晶模組，做爲各 RGB用之光閥l〇〇R、100G、100B來使用之投影機來構成 之。於液晶投影機1 1 〇〇，係由金屬高燈源等之白色光源 之燈泡單元1 102所發射出投射光後，藉由三塊鏡片1 106 及二塊分色鏡片1108，分成對應於RGB之三原色之光成 分R、G及B，對應各色之光閥100R、100G、100B將所 各別引導之。此時，特別是，B光係爲了防止藉由較長之 光路之光損失，經由由射入透鏡1 122、中繼透鏡1 123及 射出透鏡1 124所形成之中繼透鏡1121所引導之。接著， 對應於藉由光閥l〇〇R、l〇〇G、100B所各調變之三原色之 光成分，係藉由分色稜鏡1 1 1 2再度結合之後，經由投射 透鏡1114做爲彩色畫像投射於螢幕1120。 本發明，係未限定於上述之實施形態，若不違反於由 請求之範圍及說明書全部所讀取發明之要旨，或想法之範 圍，皆可做適當之變更，即伴隨此般之變更之光電裝置及 電子機器及投射型顯示裝置，皆包含於本發明之技術範圍 -42- (40) 200426443 內。 【圖式簡單說明】 圖1係TFT陣列基板於其上所形成之各構成要素， 同時由對向基板側所視之光電裝置之平面圖。 圖2係圖1之Η - Η ’之剖面圖。

圖3係於構成光電裝置之畫像顯示領域之矩陣狀形成 複數之畫素之各種元件、配線等之等效電路。 圖4係資料線、掃描線、晝素電極等所形成之TFT 陣列基板之相接鄰之複數之畫素群之平面圖’僅顯示下層 部分（到圖6符號7 0 (積蓄電容）之下層部分）之構 造。

圖5係係資料線、掃描線、畫素電極等所形成之TFT 陣列基板之相接鄰之複數之畫素群之平面圖’僅顯示上層 部分（越過圖6符號70 (積蓄電容）之上層部分）之構 造。 圖6係圖4及圖5重疊時之A-A’剖面圖。 圖7係僅圖示圖5之中電容配線及畫素電極之平面 圖。 圖8係起因於畫素電極之嵌入部’表示爲產生漏光之 形態之說明圖。 圖9係和圖7相同主旨之圖示’表示爲電容配線之一 部分之四角形狀部之形成位置不同t ° 圖1 0係和圖7相同主旨之圖示’表示爲電容配線之 -43- (41) (41)200426443 一部分之四角形狀部及三角形狀部及畫素電極之嵌入部之 形成位置不同之圖示（和圖 7剛好是上下正爲相反的關 係）。 圖11係和圖7相同主旨之圖示，畫素電極之嵌入部 之形成位置不同之圖示。 圖1 2係相關本發明之實施形態之光電裝置，係做爲 光閥所使用投射型顯示裝置之槪略構造圖。

【符號之說明】 10··· TFT陣歹丨J基板 6a…資料線 3 a…掃描線 30.·· TFT 9 a…畫素電極 5 0…液晶層 91、92、93…嵌入部 _ 400…電容配線（第1遮光膜） 410、42 0、43 0…四角形狀部（第2遮光膜） 41 1、43 1…四角形狀部（第3遮光膜） 70…積蓄電容 3 00…電容電極 75···介電體膜 71…下部電極 、 -44 -

Claims (1)

1. (1) 200426443 拾、申請專利範圍

   1 · 一種光電裝置，其特徵係於基板上具備：延伸於 一定方向之資料線及延伸於交叉於該資料線方向之掃描 線，和藉由前述掃描線供給掃描信號之開關元件，和藉由 前述資料線，經由前述開關元件而供給畫像信號之畫素電 極，和嵌入該畫素電極一部份之嵌入部，和沿著前述資料 線及前述掃描線之至少一方所延伸之第1遮光膜，和與該 第1遮光膜做爲相同膜而形成，爲了防止起因於前述嵌入 部之漏光之第2遮光膜。

   2 · —種光電裝置，其特徵係於基板上具備：延伸於 一定方向之資料線及延伸於交叉於該資料線方向之掃描 線，和藉由前述掃描線供給掃描信號之開關元件，和藉由 前述資料線，經由前述開關元件而供給畫像信號之平面視 之，包含爲矩形狀之畫素電極，和嵌入於該畫素電極之前 述矩陣狀之角部之欣入部’和沿者目[]述資料線及前述掃描 線之至少一方所延伸之第1遮光膜，和與該第1遮光膜做 爲相同膜而形成，配置對應於前述畫素電極之前述矩形狀 之至少一個角部之第2遮光膜。 3. 如申請專利範圍第2項所記載之光電裝置，其 中，前述嵌入部，係爲了嵌入挾持前述矩形狀之某一邊之 2個角部中至少一方所形成； 前述第2遮光膜，係爲了對應於挾持對向前述某一邊 的邊之2個角部之任一方，所形成。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載 -45- (2) 200426443 之光電裝置，其中，前述第1遮光膜爲了沿著前述掃描線 及前述資料線之任一者，平面視之形成爲格子狀，且，前 述畫素電極爲了去除該格子狀而配列成矩陣狀； 前述第2遮光膜，係爲了對應於前述格子狀之各交叉 點之角落部，所形成。

   5 · 如申請專利範圍第4項所記載之光電裝置，其 中’前述第2遮光膜係對應於前述交叉點之一個角落部而 形成’同時，前述第1遮光膜及前述第2遮光膜係以相同 膜形成’爲了對應於去除前述交叉點中之前述一個角落部 之3個角落部中至少一個，更具備第3遮光膜。 6 · 如申請專利範圍第5項所記載之光電裝置，其 中’前述第3遮光膜，係爲了覆蓋前述嵌入部所形成。

   7. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載 之光電裝置，其中更具備對向配置於前述基板之對向基 板，和密封於前述基板及前述對向基板間之扭轉向列型液 晶（TN 液晶：Twisted Nematic); 前述第2遮光膜之形成位置，係因應於前述TN液晶 之旋轉方向而制定。 8 . 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載 之光電裝置，其中前述第1遮光膜，係配置於前述資料線 和前述畫素電極之間，前述第1遮光膜爲固定電位。 9. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載 之光電裝置，其中，於前述基板更具備：電氣性連接前述 開關元件及前述畫素電極之畫素電位電極，和爲了對向於 -46 - (3) 200426443 該畫素電位電極，所配置之固定電位電極，及由配置於前 述畫素電位電極及前述固定電位電極間之介電體膜所形成 之積蓄電容； 前述第1遮光膜，係於前述固定電位電極，供給固定 電位。 10. 如申請專利範圍第1項至第3項之任一項所記載 之光電裝置，其中，前述第1遮光膜具有層積構造。

   11. 一種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第 1項至第3項之任一項所記載之光電裝置。 12. 一種投射型顯示裝置，其特徵係具備：如申請專 利範圍第1項至第3項之任一項所記載之光電裝置，和光 源，和於前述光電裝置，導引從該光源所發出之投射光之 光學系統，和投射從前述光電裝置所射出之投射光之投射 光學系統。

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