TARIFNAME TERMAL GENLESME KATSAYISI UYUMLANDIRILMIS BILESENLER Teknik Alan Bulus; AlN (Alüminyum Nitrit) seramik kartin termal genlesme katsayisinin, WBG güç çipinin termal genlesme katsayisina (CTE-coefficient of thermal expansion) uyumlandirilmasi WBG güç çipinin thermal genlesme katsayisi uyusumlu AlN seramik karta direkt olarak baglanmasiyla olusturulan güç dönüsüm devresine iliskindir.Bu sayede yüksek frekansta operasyon yapma kabiliyetine sahip, kaliteli/ yüksek performanslir GaN' (Galyuni Nitrit) cihazlar ortaya çikartilabilmistir. Teknigin Bilinen Durumu Güç dönüsümr devreleri enerji besleme kaynagindan gelen enerjiyi, enerji tüketen sisteme uygun olan voltaj ve frekansta degistiren Cihazlardir. Anahtarlamali güç dönüsüm devresi giristen çikisa enerjiyi vurgulu (pulsed) olarak aktaracak sekilde çalismaktadir.VUrgular çevrim frekansi denilen Özel bir frekansta olusmaktadir. Bu frekans çogunlukla sabittir. Çevrim frekansi çogunlukla l kHz-SOOkHz arasindadir.Tüm dönüsüm devreleri bir kayip ile çalisir. Dönüsümde kaybedilen enerji isi olarak dagilir. Bu isinin sistemden uzaklastirilmasi sistem performansi açisindan önem arz eder Dönüsüm devresinin çalismasi sirasinda ortaya çikan isi güç dönüsüm devresinin sicakliginin artmasina sebep olmaktadir.Dönüsüm devresi üzerindeki yük degistikçe ardisik isitma ve sogutma çevrimleri ortaya çikmaktadir. GaN (Galyum Nitrit) cihazlarin ortaya çikmasi ile yüksek operasyon frekanslarina. erisilmesi mümkün olabilmektedir.Yüksek operasyon frekanslarinda çalisan güç dönüsüm devreleri daha küçük degerli indüktör ve siga kullandiklari içim› daha düsük hacimli olmakta ve daha yüksek enerji dönüsüm yogunlugu saglamaktadir. Yüksek operasyon frekanslarinda çalisan devrelerin. daha yüksek yogunlukta Olmasi, ayni zamanda, parazitik siga ve indüktanslarin azaltilmasini sagladigi için yüksek frekansta çalisabilen devreler yapabilmenin ön kosuludur. Yüksek enerji dönüsüm yogunlugu ayni zamanda yüksek enerji kayip yogunluguna yol açmakta ve bu da devre karti tasarimi zorlastirmaktadir.GaN cihazlarin yüksek operasyon frekanslarinda güç dönüsümü için kullanilmasi konusunda, devre karti açisindan düsünüldügünde problem devam etmektedir. Mevcut sistemlerde karsilasilan. bir diger ;teknik ;problem ise delaminasyondur. Termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis halde olmayan yapilar, yük yogunlugunun degismesi sebebiyle olusan, tekrar eden isitma ve sogutma çevrimleri sebebiyle delaminasyon ortaya çikabilmektedir.CNllOl sayili patent basvurusu bir veya daha fazla GaN (Galyum Nitrit) tabanli yariiletken kullanan bir güç dönüsüm devresinden bahsetmektedir. JPZOl3OOSSll (A) sayili patent basvurusu ise bir güç modülü ve güç dönüsüm devresinden bahsetmektedir. Basvuru konusu yapilanma bir güç dönüsüm devresinin performansini arttirmayi amaçlamaktadir. Bahsi geçen yapilanma yari iletken anahtar elemanlari ve diyotlari bulundurmaktadir. Diyotlar GaN (Galyum Nitrit) veya elmas yapidadir. Bulusun Çözümünü Amaçladigi Problemler Bulusun amaci; yüksek frekanskta operasyon yapma kabiliyetine sahip, kaliteli/ yüksek performansli GaN (Galyum Nitrit) Cihazlarin ortaya çikartilmasidir. Bu amaçla yüksek termal iletkenlige sahip, termal genlesme katsayisi (CTE-coefficient of thermal expansion) uyumlandirilmis AlN (Alüminyuni Nitrit) seramik kart kullanilmaktadir. Bulus konusu güç dönüsüm devresi dahilinde; AlN (Alüminyum Nitrit) seramik kartin, WBG güç çipine termal genlesme katsayisi (CTE-çoefficient of thermal expansion) uyumlandirilmis halde direkt olarak baglanmaktadir. Bu sayede güç dönüsün devresi dahilinde olusan güç kayiplari sebebiyle ortaya çikan isi kaynakli problemlerin ortadan kaldirilmasi ya da azaltilmasi amaçlanmaktadir. Seramik kartin, WBG güç çipi ile termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis halde direkt olarak baglanmasi delaminasyon problemlerinin de ortadan kaldirilmasina ya da azaltilmasina imkan vermektedir. Diger taraftan bulus konusu çözümüm kullanilmasi ile sistemin farkli güç yükleri altindar çalismasi sebebiyle olusan ardisik isitma ve soguma çevrimlerinin güç dönüsüm devresinin kullanim ömrü üzerine olusturdugu olumsuzluklar da azaltilabilecektir. AlN (Alüminyum Nitrit) seramik kartlarinin; yüksek isi iletkenligi ve kritik komponentlere termal genlesme katsayisi (CTE-coefficient of thermal expansion)uyumlandirilmis olmalari sebebiyle GaN (Galyum Nitrit) ve diger WBG (genis bant açikligi i Wide bandgap) tabanli yüksek frekansli yüksek yogunluklu güç dönüsüm devrelerinin olusturulmasi mümkün olabilecektir. Sistem bilesenlerini termal genlesme katsayisi (CTE- çoeffiçient of thermal expansion)uyumlandirilmis olmasi güvenilir termal çevrime ve GaN (Galyum Nitrit) cihazlarin sicaklik kapasitelerinin arttirilmasina imkan vermektedir. Bulus konusu yapilanmanin kullanilmasi yüksek güç yogunluguna sahip (düsürülmüs hacim), kablosuz güç iletimine imkan veren, yüksek verimlilige sahip ve çok daha kolay isi yönetimi ile isletilebilen güç dönüsüm devresinin olusturulmasina imkan verebilecektir. Sekillerin Açiklanmasi Sekil l. Güç çipinin üstünde aktif devre elemani konumlandirilabilen halinin sematik görünümü Sekil 2. Güç çipinin altinda aktif devre elemani konumlandirilabilen halinin sematik görünümü Sekil 3. Güç çipinin birincil materyal ve ikincil materyalden olusturuldugu uygulamamanin, birincil materyal seramik kart tarafinda halde sematik görünümü Sekil 4. Güç çipinin birincil materyal ve ikincil materyalden olusturuldugu 'uygulamamanin, ikincil inateryal seramik kart tarafinda halde sematik görünümü Sekil 5. Seramik kartin, çesitli sayida gömülü iletken tabaklari (8) içeren yiginlardan olusturuldugu uygulamanin sematik görünümü Sekil 6. Güç çipinin, çip asamasinda (Chip scale packaging) paketlendigi uygulamanin sematik görünümü Sekillerdeki Referanslarin Açiklamasi .Seramik kart .Birincil materyal .Ikincil materyal (DalmU'li-ßLHNI-l .Iletken tabakasi Bulusun Açiklanmasi Bulus konusu güç dönüsüm devresinin en temel halinde; AlN (Alüminyum Nitrit) seramik kartin (l) termal genisleme katsayisi, WBG (genis bant açikligi - Wide bandgap) güç çipinin termal genisleme katsayisina uyumlandirilmakta ve WBG güç çipi termal genisleme katsayisi uyumlandirilmis seramik karta direkt olarak baglanmaktadir. Güç çipinin (2) yüksek termal iletkenlige sahip olan AlN (Alüminyum Nitrit) seramik karta (l) direkt olarak bagli olmasi, WBG güç çipinden isinin verimli olarak uzaklastirilmasina imkan vermektedir. Ancak termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis halde olmayan yapilarda, tekrar eden isitma ve sogutma sebebiyle delaminasyon olusabilmektedir. Termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis olan seramik kart (1) delaminasyon problemine çözüm saglamakta ve bu sayede sistemin yüksek güç yogunluklarinda güvenilir çalismasi mümkün olabilmektedir. Bulusun tercih edilen uygulamalarindan birine göre termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis seramik kartin (1) aktif katmaninda kullanilan güç çipinin (2) GaN ve GaN'in AlN ve AlGaN, InGaN, InAlGaN'dan birisi olabilmektedir. Sekil 1 ve Sekil Z'ye göre WBG güç çipinin (2) aktif devre elemani bulunduran WBG yari-iletken katmaninin kristal GaN (Galyum Nitrat) ve/Veya AlGaN, InGaN, InAlGaN alasimlarindan biri oldugu veya bu bilesik ve alasimlarin çesitli sekillerde bir arada kullanildigi bir yapi oldugu durumdar WBG güç çipinin (2) termal genisleme katsayisi kullanilan WBG yari-iletken katman veya yapinin termal Bu durumda seramikr devre kartinin (l) termal genisleme katsayisi WBG güç çipinin (2) termal genisleme katsayisina ayarlanacaktir. Bu durum için seramik devre karti (1) seramik AlN yapisinda olabilecektir. Sekil 1 ve Sekil 2'de bahsedilen WBG güç çipinin (2) aktif katmaninin çogunlukla GaN oldugu bir durumda, seramik devre kartinin (l) termal genisleme katsayisi GaN termal genisleme katsayisina ayarlanacaktir. Bu durum için seramik devre karti (1) seramik AlN yapisinda olabilecektir. Sekil 3 ve Sekil 4 de bahsedilen birincil materyal (6) ve ikincil materyalden (7) olusan iki katmanli güç çipinin (2) WBG yari-iletken olan birincil materyalinin (6) kristal GaN ve/Veya AlGaN, InGaN, InAlGaN alasimlarindan biri oldugu veya bu bilesik ve alasimlarin çesitli sekillerde bir arada kullanildigi bir yapi oldugu durumda, ikincil materyalin (7) termal genisleme katsayisi kullanilan WBG yari-iletken katman veya yapinin termal genisleme katsayisi olacak sekilde ayarlanmis olacaktir. Bu durumda ikincil materyal (7) seramik AlN yapisinda olabilecektir. Bu durumda seramik devre kartinin (l) termal genisleme katsayisi da kullanilan WBG yari-iletken katman veya yapinin termal genisleme katsayisi olacak sekilde ayarlanmis olacaktir. Bu durumda seramik devre karti (1) seramik AlN yapisinda olabilecektir. Sekil 3 ve Sekil 4 de bahsedilen iki katmanli (6,7) güç çipinin (2) WBG yari-iletken olan birincil materyalinin (6) çogunluklai kristali GaN' yapisindar oldugur durumda, ikincil materyalin (7) termal genisleme katsayisi kullanilan GaN termal genisleme katsayisi olacak sekilde ayarlanmis olacaktir. Bu durumda ikincil materyalin (7) seramik AlN yapisinda olabilecektir. Yine seramik devre kartinin (l) termal genisleme katsayisi da GaN termal genisleme katsayisina ayarlanacaktir. Bu durumda seramik devre karti (1) seramik AlN yapisinda olabilecektir. Sekillere göre seramik kart üzerinde güç dönüsüm devresinde gerekli olabilecek diger devre elemanlari da yer almaktadir.Sekillerde, bu devre elemanlarina örnek olarak pasif aygitlar (3), diyot yapisinda elemanlar (4) ve sürücü entegreler (5) verilebilmektedir. Sekil 1 bulusun tercih edilen uygulamalarindan birini göstermektedir. Bu uygulamaya göre güç çipi (2), üst yüzeyinde aktif katman bulundurmakta ve devre elemanlarinin kritik bölgeleri (örnegin diyotlar için p-n junction, transistorlar için kanal, vb) bu aktif katman içerisinde imal edilmektedir. Bu uygulamaya göre üstte konumlandirilan aktif katman substrat vasitasiyla ya da kablo bagi vasitasiyla güç çipi (2) ile iliskilendirilmektedir. Sekil 2 bulusun bir baska tercih edilen uygulamasini göstermektedir. Bu uygulamaya göre güç çipi (2), alt yüzeyinde aktif katman bulundurmaktadir. Güç çipinin (2) altta aktif katman bulundurmasi asagidaki sebeplerle avantajlidir: o Sogutucu elemanin (heatsink) WBG güç çipine (2) arkasindan direkt olarak baglanmasina imkan verir. Bu seramik PCB yalitiçi oldugu durumda mümkündür. 0 Aktif devre elemaninin bulundugu bölümden seramik bölüme dogru olan termal direnç azaltilmis olur.- Substrat için geçis deliklerine (vias) gerek ortadan kaldirilmis olur. Sekil 2'de tarif edilen uygulamaya göre aktif katmanda olarak transistor kullanilabilmektedir. Bu durumda transistor seramik karta (l) alttan direkt baglanabilir. Sekil 3 bulusun bir baska tercih edilen uygulamasini göstermektedir. Bu uygulamaya göre AlN seramik kartin (l) termal genisleme katsayisi yine güç çipinin (2) termal genisleme katsayisina uyumlandirilmakta ve WBG güç cipi termal genisleme katsayisi uyumlandirilmis seramik karta direkt olarak baglanmaktadir. Bu uygulamada WBG güç çipi (2); birincil materyal (6) ve ikincil materyalden (7) olusur. Tercihen birincil materyal (6) WBG yariiletken ve ikincil materyal (7) ise substrattir. Sekil 3'e göre güç çipi (2) üst bölümünde aktif devre elemanlari bulundurur. Bu yapilanmaya göre WBG yari iletken, substrat ve seramik kartin (l) termal genlesme katsayisi uyumlandirilmistir. Bu uygulama dahilinde; güç çipinin (2) yüksek termal iletkenlikte AlN seramik karta (l) direkt olarak baglanmasi WBG güç çipinden (2) isinin verimli olarak uzaklastirilabilmesine imkan verecektir. Ancak termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis halde olmayan yapilarda, tekrar eden isitma ve sogutma sebebiyle delaminasyon olusabilmektedir. Termal genlesme katsayisi uyumlandirilmis olan seramik kart (l) delaminasyon problemine çözüm saglamakta ve bu sayede sistemin yüksek güç yogunluklarinda güvenilir çalismasi mümkün olabilmektedir.Sekil 3'te bahsedilen uygulamaya göre ikincil materyal (7) üst yüzeyinde aktif katman bulundurur. Aktif devre elemani transistor olabilmektedir. Yine birincil materyal (6) ve ikincil materyal (7) arasinda geçis delikleri ya da kablo baglantilari olusturulabilmektedir. Sekil 4'te gösterilen uygulamada ise yine güç çipi (2); birincil nmteryal (6) ve ikincil nateryalden (7) olusur.Tercihen birincil materyal (6) WBG yari iletken ve ikincil materyal (7) ise substrattir. Bu uygulama dahilinde birincil materyal (6) seramik kart (l) tarafina konumlandirilmistir. Sekil 3'te verilen uygulamaya göre birincil materyal (6) ve ikincil materyalin(7) yerleri degistirilmistir. Bu uygulamaya göre aktif katman birincil materyalin (6) alt yüzeyine konumlandirilmistir. Bu yapilanmaya göre WBG yari iletken (7), substrat (6) ve seramik kartin (l) termal genlesme katsayisi uyumlandirilmistir. Güç çipinin (2) altta aktif katman bulundurmasi asagidaki sebeplerle avantajlidir: - Sogutucu elemanin WBG güç çipine (2) arkasindan direkt olarak baglanmasina imkan verir. Bu seramik PCB yalitici oldugu durumda mümkündür. 0 Aktif devre elemaninin bulundugu bölümden seramik bölüme dogru olan termal direnç azaltilmis olur. Sekil 5'te tarif edilen uygulamaya göre de, AlN seramik kartin (l) termal genisleme katsayisi yine güç çipinin (2) termal genisleme katsayisina uyumlandirilmakta ve WBG güç çipi termal genisleme katsayisi uyumlandirilmis seramik karta direkt olarak baglanmaktadir. Bu uygulama da AlN seramik kart (l) en az iki tabakan olusacak sekilde çoklu iletken tabaklari (8) bulundurur.Burada her bir tabaka (8) yigin içinde birbirleri ile iliskilendirilecek sekilde desenlendirilmistir. Bu iletken tabakalari (8) tercihen metal yapidadir. Bulus çesitli sayida gömülü iletken tabaklari (8) içeren yiginlar ile isletilebilmektedir. Yine bu uygulamaya göre seramik kart (1) alt bölümünde iletken tabaka (8) bulundurabilir. Farkli yüzeylerde olusturulan iletken tabakalar (8) dikey geçis delikleri (vias) ile iliskilendirilebilir. Bahsi geçen bu dikey geçis deliklerinin matkap ucu ya da lazer kullanilarak açilmasi mümkündür. Geçis delikleri iletken metaller ya da baglanti katmanlari ile doldurulabilir. Çok katmanli iletken tabakalarin (8) olusturulmasi asagidaki sebeplerle önemlidir. - Komplike devreler için baglanabilirlik saglar. 0 Düsük indüktans ve yüksek akim kapasitesine sahip zemin ve güç yüzeyleri olusturulmasina imkan verir. 0 Parazitik baglanma sonucu olusan elektriksel sesin azaltilmasina imkan verir. Bu uygulama dahilinde tarif edilen yapinin bir seramik PCB içinde uygulanmasi maliyetlidir. Bulusun farkli uygulamalarina göre güç çipi (2) tek parça ya da çoklu yapida olusturulabilmektedir. Yine farkli yapilarda ve tiplerde olusturulan güç çiplerinin (2) bulus dahilinde kullanilmasi mümkün olabilecektir. Bulusun farkli uygulamalarina göre güç çipi (2); 0 Standart paketlerden birinde GaN transistör, 0 Çip boyutunda paketlenmis GaN transistör, - Standart paket içinde GaN entegre devre (IC), o Çip boyutunda paketlenmis GaN entegre devre (IC), - Standart paket içinde SiC (Silikon karbit) transistör, 0 Çip boyutunda paketlenmis SiC (Silikon karbit) transistor formunda olabilmektedir. Farkli tipte tek ve çok sayida güç çipi (2) ile isletilen uygulamalar dahilinde aktif devre elemani yine güç çipinin (2) üstüne konumludur. Yüksek hizli güç devreleri kompleks kontrol semalarina ihtiyaç duymalari sebebiyle farkli tipte sürücü entegre devreleri ile kullanilmaya ihtiyaç duyarlar. Bu yapilanma bu tip yüksek hizli güç devrelerinde isletilmek için kullanilabilir.Sekil 6 ise yine AlN seramik kartin (l) termal genisleme katsayisi yine güç çipinin (2) termal genisleme katsayisina uyumlandirilmakta ve WBG güç çipi termal genisleme katsayisi uyumlandirilmis seramik karta direkt olarak bagli oldugu bir uygulamadir. Yine bu uygulamada, farkli tipte tek ve çok sayida güç çipi (2) ile isletilebilmektedir. Bu uygulama dahilinde, aktif katman güç çipinin altina konumludur. AlN seramik kartin (l) termal genisleme katsayisi yine güç çipinin (2) termal genisleme katsayisina uyumlandirilmakta ve WBG güç cipi termal genisleme katsayisi uyumlandirilmis seramik karta direkt olarak baglanmaktadir. Bu uygulama dahilinde güç çipi (2) çip asamasinda paketli (Chip scale packaging) haldedir. Bu uygulama dahilinde çip asamasinda (bu kelimeyi bir daha düsünelim) paketleme termal genlesme katsayisi uyumlu pasivizasyon ile saglanmaktadir. Çip asamasinda paketleme prosesi asagidaki islem adimlarinin uygulamasi ile yapilmaktadir. 0 Seramik kart (l) üzerinde iletken tabakalarinin (8) olusturulmasi, o WBG güç çipinin (2) yüzeye çevrilmesi ve baglanmasi, 0 Güç çipinin (2) pasiflestirilmesi ve uçlarinin mühürlenmesi, 0 Diger elemanlarin (münferit cihazlar ve sürücüler) kaynaklanabilmesi için pencerelerin açilmasi. Çip boyutunda paketleme güç çipinin (2)direkt baglanmasini ve pasifizasyonunu içermektedir. Termal genlesme katsayisi uyumlu materyaller kullanilarak pasifizasyon yapilmasi sistemin termal çevrim kapasitesini arttirmaktadir. Farkli uygulamalari yukarida anlatilan bulus konusu yapilanmalar dahilinde pasif devre elemanlarinin kullanilmasi durumunda, pasif devre esemanlari; kaynaklanan münferit cihazlar ya da entegre edilmis pasif cihazlar olabilmektedir. Bulus konusu olan güç dönüsüm devresinin üretim yöntemine iliskin adimlar asagida sunulmustur. i AlN tabakalarinin tüm yüzeylerine bakirin lamine edilmesi, - Devre çizimine uygun bakir paterninin olusturulmasi, o Bakir lamine edilerek olusturulmus AlN tabakalarinin islem görmesi ya da kismen islem görmüs yesil AlN ile yiginlanmasi, o Atesleme (tercihen düsük sicaklikta / yaklasik , o Lazer delme ile geçis deliklerinin olusturulmasi, o Transistörlerin yüzüstü baglanmasi, o Uçlarinin AlN yesil macun ile kapatilmasi ve kürlenmesi (tercihenr lazer, isil ve plazmar muamelesi yapilabilir), 0 diger devre elemanlarinin baglanmasidir. TR TR DESCRIPTION COEFFICIENT OF THERMAL EXPANSION ADAPTIVE COMPONENTS Technical Field Invention; Adapting the thermal expansion coefficient of the AlN (Aluminum Nitride) ceramic card to the thermal expansion coefficient (CTE-coefficient of thermal expansion) of the WBG power chip is related to the power conversion circuit created by directly connecting the WBG power chip to the thermal expansion coefficient-compatible AlN ceramic card. In this way, high frequency operation Quality/high performance GaN (Galyuni Nitride) devices capable of making State of the Art Power conversion circuits are devices that change the energy coming from the energy supply source at the voltage and frequency appropriate to the energy consuming system. The switching power conversion circuit works in a way that transfers the energy from the input to the output in a pulsed manner. The pulses occur at a special frequency called the cycle frequency. This frequency is mostly constant. The conversion frequency is mostly between 1 kHz-50kHz. All conversion circuits operate with a loss. The energy lost in the transformation is dissipated as heat. Removing this heat from the system is important for system performance. The heat generated during the operation of the conversion circuit causes the temperature of the power conversion circuit to increase. As the load on the conversion circuit changes, successive heating and cooling cycles occur. High operating frequencies with the emergence of GaN (Gallium Nitride) devices. Power conversion circuits operating at high operating frequencies use smaller value inductors and heaters, have lower volumes, and provide higher energy conversion density. Circuits operating at high operating frequencies. Having a higher density is also a prerequisite for making circuits that can operate at high frequencies, as it reduces parasitic capacitance and inductances. High energy conversion density also leads to high energy loss density, which makes circuit board design difficult. The problem of using GaN devices for power conversion at high operating frequencies continues when considered from the circuit board perspective. encountered in existing systems. Another technical problem is delamination. In structures whose thermal expansion coefficient is not harmonized, delamination may occur due to repeated heating and cooling cycles caused by the change of load density. Patent application number CNllOl mentions a power conversion circuit using one or more GaN (Gallium Nitride) based semiconductors. The patent application numbered JPZOl3OOSSll (A) mentions a power module and power conversion circuit. The embodiment subject to the application aims to increase the performance of a power conversion circuit. The mentioned embodiment contains semiconductor switch elements and diodes. Diodes are made of GaN (Gallium Nitride) or diamond structure. Problems the Invention Aims to Solve The purpose of the invention is; It is the creation of quality/high performance GaN (Gallium Nitride) Devices that are capable of operating at high frequencies. For this purpose, AlN (Aluminum Nitride) ceramic card, which has high thermal conductivity and is compatible with the coefficient of thermal expansion (CTE) is used. Within the power conversion circuit of the invention; The AlN (Aluminum Nitride) ceramic card is directly connected to the WBG power chip with its coefficient of thermal expansion (CTE) matched. In this way, it is aimed to eliminate or reduce heat-related problems that arise due to power losses occurring within the power return circuit. Direct connection of the ceramic card with the WBG power chip in harmony with its thermal expansion coefficient also allows eliminating or reducing delamination problems. On the other hand, by using the solution of the invention, the negative effects on the lifespan of the power conversion circuit caused by consecutive heating and cooling cycles caused by the system operating under different power loads can be reduced. AlN (Aluminum Nitride) ceramic cards; It will be possible to create GaN (Gallium Nitride) and other WBG (wide bandgap) based high frequency high density power conversion circuits due to their high thermal conductivity and CTE (coefficient of thermal expansion) adaptation to critical components. Adapting the system components to the coefficient of thermal expansion (CTE) allows reliable thermal cycling and increasing the temperature capacity of GaN (Gallium Nitride) devices. The use of the inventive structure may enable the creation of a power conversion circuit that has high power density (reduced volume), allows wireless power transmission, has high efficiency and can be operated with much easier heat management. Explanation of Figures Figure l. Schematic view of the state in which the active circuit element can be positioned above the power chip. Figure 2. Schematic view of the state in which the active circuit element can be positioned under the power chip. Figure 3. Schematic view of the application in which the power chip is made up of primary material and secondary material, with the primary material on the ceramic card side. Figure 4. Primary material of the power chip Schematic view of the application, in which the application is made of material and secondary material, on the side of the secondary intermaterial ceramic card. Figure 5. Schematic view of the application, in which the ceramic card is composed of stacks containing various numbers of embedded conductive plates (8). Figure 6. The power chip is packaged at the chip stage (Chip scale packaging). schematic view of the application. Explanation of References in Figures. Ceramic card. Primary material . Secondary material (DalmU'li-ßLHNI-l. Conductor layer. Disclosure of the Invention In the most basic form of the power conversion circuit of the invention; the thermal expansion coefficient of the AlN (Aluminum Nitride) ceramic card (l) is the thermal expansion coefficient of the WBG (wide bandgap) power chip. It is adapted to the expansion coefficient and the WBG power chip is directly connected to the ceramic card whose thermal expansion coefficient is adapted. The fact that the power chip (2) is directly connected to the AlN (Aluminum Nitride) ceramic card (l), which has high thermal conductivity, allows heat to be removed efficiently from the WBG power chip. However, in structures whose thermal expansion coefficient is not adapted, delamination may occur due to repeated heating and cooling. The ceramic card (1), whose thermal expansion coefficient is adapted, provides a solution to the delamination problem and thus it is possible for the system to operate reliably at high power densities. It is one of the preferred applications of the invention. The thermal expansion coefficient of the power chip (2) used in the active layer of the ceramic card (1) is adapted according to one of the GaN and GaN can be one of AlN and AlGaN, InGaN, InAlGaN. According to Figure 1 and Figure Z, the WBG semiconductor layer containing the active circuit element of the WBG power chip (2) is one of crystal GaN (Gallium Nitrate) and/or AlGaN, InGaN, InAlGaN alloys, or these compounds and alloys are used together in various ways. In this case, the thermal expansion coefficient of the WBG semiconductor layer or structure used will be adjusted to the thermal expansion coefficient of the ceramic circuit board (l). For this case, the ceramic circuit board (1) may have a ceramic AlN structure. In a case where the active layer of the WBG power chip (2) mentioned in Figure 1 and Figure 2 is mostly GaN, the thermal expansion coefficient of the ceramic circuit board (l) will be adjusted to the GaN thermal expansion coefficient. For this case, the ceramic circuit board (1) may have a ceramic AlN structure. The WBG semiconductor primary material (6) of the two-layer power chip (2), consisting of the primary material (6) and secondary material (7) mentioned in Figure 3 and Figure 4, is crystal GaN and/or one of AlGaN, InGaN, InAlGaN alloys, or In case there is a structure where these compounds and alloys are used together in various ways, the thermal expansion coefficient of the secondary material (7) will be adjusted to be the thermal expansion coefficient of the WBG semiconductor layer or structure used. In this case, the secondary material (7) may have a ceramic AlN structure. In this case, the thermal expansion coefficient of the ceramic circuit board (l) will be adjusted to be the thermal expansion coefficient of the WBG semiconductor layer or structure used. In this case, the ceramic circuit board (1) may have a ceramic AlN structure. In the case where the primary material (6) of the two-layer (6,7) power chip (2) mentioned in Figure 3 and Figure 4, which is a WBG semiconductor, has mostly a GaN structure, the thermal expansion coefficient of the secondary material (7) is the GaN thermal expansion coefficient used. It will be set as follows. In this case, the secondary material (7) may have a ceramic AlN structure. Again, the thermal expansion coefficient of the ceramic circuit board (l) will be adjusted to the GaN thermal expansion coefficient. In this case, the ceramic circuit board (1) may have a ceramic AlN structure. According to the figures, there are also other circuit elements that may be required in the power conversion circuit on the ceramic card. In the figures, examples of these circuit elements can be given as passive devices (3), diode-structured elements (4) and driver integrated circuits (5). Figure 1 shows one of the preferred embodiments of the invention. According to this application, the power chip (2) has an active layer on its upper surface and the critical areas of the circuit elements (e.g. p-n junction for diodes, channel for transistors, etc.) are manufactured in this active layer. According to this application, the active layer positioned on top is associated with the power chip (2) via the substrate or via a cable tie. Figure 2 shows another preferred embodiment of the invention. According to this application, the power chip (2) has an active layer on its lower surface. It is advantageous for the power chip (2) to have an active layer at the bottom for the following reasons: o It allows the heatsink to be directly connected to the WBG power chip (2) from behind. This is possible when the ceramic PCB is insulating. 0 Thermal resistance from the section where the active circuit element is located to the ceramic section is reduced. - The need for vias for the substrate is eliminated. According to the application described in Figure 2, transistors can be used in the active layer. In this case, the transistor can be connected directly to the ceramic card (l) from below. Figure 3 shows another preferred embodiment of the invention. According to this application, the thermal expansion coefficient of the AlN ceramic card (1) is adapted to the thermal expansion coefficient of the power chip (2) and the WBG power chip is directly connected to the ceramic card whose thermal expansion coefficient is adapted. In this application, WBG power chip (2); It consists of primary material (6) and secondary material (7). Preferably, the primary material (6) is the WBG semiconductor and the secondary material (7) is the substrate. According to Figure 3, the power chip (2) contains active circuit elements in its upper part. According to this structure, the thermal expansion coefficient of the WBG semiconductor, substrate and ceramic card (l) are harmonized. Within this application; Directly connecting the power chip (2) to the AlN ceramic card (l) with high thermal conductivity will allow heat to be removed efficiently from the WBG power chip (2). However, in structures whose coefficient of thermal expansion is not adapted, delamination may occur due to repeated heating and cooling. The ceramic card (l), whose coefficient of thermal expansion is adapted, provides a solution to the delamination problem, and thus the reliable operation of the system at high power densities is possible. According to the application mentioned in Figure 3, the secondary material (7) has an active layer on its upper surface. The active circuit element can be a transistor. Again, through holes or cable connections can be created between the primary material (6) and the secondary material (7). In the application shown in Figure 4, the power chip (2); It consists of primary material (6) and secondary material (7). Preferably, the primary material (6) is the WBG semiconductor and the secondary material (7) is the substrate. Within this application, the primary material (6) is positioned on the side of the ceramic card (1). According to the application given in Figure 3, the locations of the primary material (6) and secondary material (7) have been changed. According to this application, the active layer is positioned on the lower surface of the primary material (6). According to this structure, the thermal expansion coefficient of the WBG semiconductor (7), substrate (6) and ceramic card (1) are harmonized. It is advantageous for the power chip (2) to have an active layer at the bottom for the following reasons: - It allows the cooling element to be directly connected to the WBG power chip (2) from behind. This is possible when the ceramic PCB is insulating. 0 The thermal resistance from the section where the active circuit element is located to the ceramic section is reduced. According to the application described in Figure 5, the thermal expansion coefficient of the AlN ceramic card (1) is adapted to the thermal expansion coefficient of the power chip (2) and the WBG power chip is directly connected to the ceramic card whose thermal expansion coefficient is adapted. In this application, the AlN ceramic card (1) contains multiple conductive plates (8) consisting of at least two layers. Here, each layer (8) is patterned to be associated with each other in the stack. These conductive layers (8) are preferably of metal structure. The invention can be operated with stacks containing various numbers of embedded conductor plates (8). Again, according to this application, the ceramic card (1) may contain a conductive layer (8) in its lower section. Conductive layers (8) formed on different surfaces can be associated with vertical through holes (vias). It is possible to open these vertical passage holes using a drill bit or laser. The through holes can be filled with conductive metals or connection layers. Creating multilayer conductive layers (8) is important for the following reasons. - Provides connectivity for complex circuits. 0 It allows the creation of ground and power surfaces with low inductance and high current capacity. 0 It allows reducing the electrical noise resulting from parasitic connection. The structure described in this application is costly to implement in a ceramic PCB. According to different applications of the invention, the power chip (2) can be formed in a single piece or in multiple structures. It will also be possible to use power chips (2) with different structures and types within the scope of the invention. According to different applications of the invention, power chip (2); 0 GaN transistor in one of the standard packages, 0 GaN transistor packaged in the chip size, - GaN integrated circuit (IC) in the standard package, o GaN integrated circuit (IC) packaged in the chip size, - SiC (Silicon carbide) transistor in the standard package, 0 in the chip size It can be in packaged SiC (Silicon carbide) transistor form. In applications operated with single or multiple power chips of different types (2), the active circuit element is also located on the power chip (2). High-speed power circuits need to be used with different types of driver integrated circuits because they require complex control schemes. This configuration can be used to operate in this type of high-speed power circuits. Figure 6 shows that the thermal expansion coefficient of the AlN ceramic card (l) is again adapted to the thermal expansion coefficient of the power chip (2), and the WBG power chip is directly connected to the ceramic card whose thermal expansion coefficient is adapted. is the application. Again, in this application, it can be operated with single or multiple power chips (2) of different types. In this implementation, the active layer is located below the power chip. The thermal expansion coefficient of the AlN ceramic card (1) is again adapted to the thermal expansion coefficient of the power chip (2), and the WBG power chip is directly connected to the ceramic card whose thermal expansion coefficient is adapted. In this application, the power chip (2) is packaged at the chip stage (Chip scale packaging). In this application, packaging at the chip stage (let's think about this word again) is provided by passivation compatible with the coefficient of thermal expansion. At the chip stage, the packaging process is carried out by applying the following process steps. 0 Forming the conductive layers (8) on the ceramic board (l), o Turning and connecting the WBG power chip (2) to the surface, 0 Passivating the power chip (2) and sealing its ends, 0 Opening the windows so that other elements (individual devices and drivers) can be welded . Chip-sized packaging includes direct connection and passivation of the power chip (2). Passivation using materials with compatible thermal expansion coefficient increases the thermal cycle capacity of the system. In case passive circuit elements are used within the embodiments of the invention whose different applications are explained above, passive circuit elements; These can be individual devices or integrated passive devices. The steps regarding the production method of the power conversion circuit, which is the subject of the invention, are presented below. i Lamination of copper on all surfaces of AlN layers, - Creating the copper pattern in accordance with the circuit drawing, o Processing the AlN layers created by laminating copper or stacking them with partially treated green AlN, o Ignition (preferably at low temperature / approximately, o Passage by laser drilling Creating holes, o Connecting the transistors face down, o Covering and curing the ends with AlN green paste (preferably laser, heat and plasma treatment can be done), 0 connecting other circuit elements.TR TR