TH37725A3 - สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต - Google Patents
สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรตInfo
- Publication number
- TH37725A3 TH37725A3 TH9901001673A TH9901001673A TH37725A3 TH 37725 A3 TH37725 A3 TH 37725A3 TH 9901001673 A TH9901001673 A TH 9901001673A TH 9901001673 A TH9901001673 A TH 9901001673A TH 37725 A3 TH37725 A3 TH 37725A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- percent
- mixture
- mixture according
- weight
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (11/01/51) การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์ สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก การประดิษฐ์นี้ให้สารผสมที่เป็นสารละลายด่างในแอคเควียสที่มีประโยชน์ในอุตสาหกรรม ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ในการลอกหรือทำความสะอาดสับสเตรตที่เป็นเวเฟอร์สารกึ่งตัวนำโดยการ กำจัดกากวัสดุไวแสงหรือสิ่งปนเปื้อนที่ไม่ต้องการอื่นๆ ส่วนผสมนี้โดยทั่วไปจะประกอบด้วย (a) เบสที่ปราศจากไอออนของโลหะชนิดหนึ่งหรือมากกว่าในปริมาณเพียงพอที่จะทำให้ได้พีเอช ประมาณ 11 หรือมากกว่า (b) ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (แสดงเป็นเปอร์เซ็นต์ของ SiO2) (c) อาจมีตัวคีเลต หนึ่งหรือมากกว่าจากประมาณ 0.01เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (d) อาจมีตัวทำ ละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก (e) อาจมีตัวเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 50 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ (f) อาจมีสารลดแรงตึงผิวที่ละลายน้ำได้จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนัก
Claims (8)
1. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ซึ่งยังมีทรานส์(1,2-ไซโคลเฮกซิลีนไดไนตริโล) เททระอะซิติก แอซิด จากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของ สารผสม 4
2. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 34 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียม คือ ไฮดรอกซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนัก และ มีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 4
3. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 42 ในที่ซึ่งเบสที่ปราศจากไอออนของโลหะ คือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ไฮดรอกไซค์, ซิลิเกตที่ละลายน้ำได้และปราศจากไอออนของโลหะคือ เททระเมทิลแอมโมเนียม ซิลิเกต 4
4. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ในที่ซึ่งสารเพิ่มการกำจัดกากไทเทเนียมคือ ไฮดรอก ซิเอมีนในปริมาณจากประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 30 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม และ สารผสมยังมีสารลดแรงตึงผิวนอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจาก ประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์ โดยน้ำหนักของสารผสม 4
5. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ในที่ซึ่งตัวทำละลายอินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ คือ กลีเซอรอล 4
6. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 45 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม 4
7. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ในที่ซึ่งสารผสมยังมีกลีเซอรอลในรูปตัวทำละลาย อินทรีย์ร่วมที่ละลายน้ำได้ในปริมาณจากประมาณ 0.1 เปอร์เซ็นต์ ถึงประมาณ 80 เปอร์เซ็นต์โดย น้ำหนักของสารผสม 4
8. สารผสมตามข้อถือสิทธิข้อ 47 ในที่ซึ่งสารผสมยังประกอบรวมด้วยสารลดแรงตึงผิว นอนไอออนิก เอทอกซิเลเทด อะซิทิเลนิก ไดออลในปริมาณจากประมาณ 0.01 เปอร์เซ็นต์ ถึง ประมาณ 1 เปอร์เซ็นต์โดยน้ำหนักของสารผสม
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH37725A3 true TH37725A3 (th) | 2000-03-20 |
TH30235C3 TH30235C3 (th) | 2011-07-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4147320B2 (ja) | プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 | |
CN100442449C (zh) | 半导体工艺中后蚀刻残留物的去除 | |
JP6966570B2 (ja) | 化学機械研磨後配合物及び使用方法 | |
EP1576072B1 (en) | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices | |
CA2330747A1 (en) | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates | |
US20090120457A1 (en) | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices | |
KR100746056B1 (ko) | 기판표면 세정액 및 세정방법 | |
JP4522408B2 (ja) | マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物 | |
CN100515928C (zh) | 包含氧化和络合化合物的组合物 | |
JP5886946B2 (ja) | 銅、タングステンおよび多孔質低κ誘電体に対する増強された相溶性を有する半水溶性ポリマー除去組成物 | |
WO2002094462A1 (fr) | Procede de nettoyage de la surface d'un substrat | |
JP2008198994A (ja) | 半導体基材用洗浄剤 | |
KR20040041019A (ko) | 반도체 기판용 세정액 | |
CN103975052A (zh) | 具有铜/唑类聚合物抑制作用的微电子衬底清洁组合物 | |
CN102482627B (zh) | 太阳能电池用洗洁液混合物 | |
US7521408B2 (en) | Semiconductor cleaning solution | |
EP1544284A1 (en) | Composition and method for treating a semiconductor substrate | |
JP2006505132A (ja) | 半導体の表面処理およびそれに使用される混合物 | |
CN102575201B (zh) | 用于制造平面显示器的基板的清洗液组合物 | |
TH30235C3 (th) | สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต | |
TH37725A3 (th) | สารผสมที่เป็นด่างซึ่งประกอบด้วยซิลิเกตสำหรับการทำความสะอาดไมโครอิเล็กทรอนิกส์สับสเตรต | |
JP2001345303A (ja) | 基板表面処理方法 | |
KR20010042461A (ko) | 감광성 내식막 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거방법 | |
KR20060102244A (ko) | 반도체소자 세정용 조성물 | |
US20230033363A1 (en) | Aqueous solutions containing amino carboxylic acid chelators |