SU895263A1

SU895263A1 - Генератор сверхвысоких частот

Info

Publication number: SU895263A1
Application number: SU792833875A
Authority: SU
Inventors: В.Е. Любченко; Е.И. Нефедов; И.М. Российский
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority date: 1979-10-31
Filing date: 1979-10-31
Publication date: 1986-05-23

Abstract

1. ГЕНЕРАТОР СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ, содержащий полупроводниковый диод, размещенньй внутри образованного первым и вторым зеркалами отйрыто го резонатора, о тличающий-. с тем, что, с целью .упрощени настройки и расширени диапазона рабочих частот, первое зеркало выполнено в виде двух сооснр расположенных проводников цилиндрической формы, присоединенных к торцам цилиндрического диэлектрического резонатора , внутри которого с возможностью продольного перемещени установлен на металлических штифтах полупроводниковьй диод, при этом первое зеркало размещено внутри тела вращени , образованного вторым зеркалом .

Description

2. Генератор по п.1, о т л и чающийс тем, что первое зеркало выполнено в форме усеченного конуса, ось которого совпадает 895263 с продольной осью второго зеркала, и установлено с возможностью продольного перемещени относительно второго зеркала.

Изобретение относитс к радиотехнике и может использоватьс дл генерировани колебаний миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов.

Известны генераторы сверхвысокочастотных (СВЧ) колебаний на полупроводниковых активных элементах (диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды (ЛПД), успещно работающие в диапазоне сантиметровых волн и в длинноволновой части миллиметрового диапазона Конструктивно они выполн ютс обыч .но с использованием волнового или ко .1аксиального резонаторов.

Однако по мере уменьшени рабочей длины волны и перехода в коротковолновую часть миллиметрового диапазона и субмшшиметрового диапазона параметры генераторов реако ухудшаютс из-за уменьшени добротности резонаторов и трудности согласовани их с полупроводниковыми злементают, сопротивление которых составл ет обычно 1-2 Ом.

Наиболее близким к предлагаемому вл етс генератор сверхвысоких частот , содержащий полупроводниковьй диод, размещенный внутри образованного первым и вторым зеркалами откри того резонатора.

Однако известный генератор имеет сложную настройку и недостаточный диапазон рабочих частот.

Цель изобретени - упрощение нас тройки и расширение диапазона рабочих частот.

Дл этого в .генератора сверхвысоких частот, содержащем полупроводниковый диод, размещенный внутри образованного первым и вторым зеркалам открытого резонатора, первое зеркало выполнено в виде двух соосно расположенных проводников цилиндрической формы, присоединенных к торцам диэле трического. резонатора, внутри которого с возможностью продольного перемещени установлен на металлических штифтах полупроводниковый диод, при этом первое зеркало размещено внутри тела вращени , образованного вторым

зеркалом, кроме того, первое зеркало выполнено в форме усеченного конуса, ось которого совпадает с продольной осью второго зеркала и установлено с возможностью продольного перемещени

относительно второго зеркала.

На фиг.1 изображен предлагаемый генератор первый варианту на фиг.2 то же, второй вариант.

Генератор сверхвысоких частот содержит полупроводниковый диод 1, первое и второе зеркала 2 и 3, цилиндрический диэлектрический резонатор 4, штифты 5 и диэлектрические шайбы 6. Устройство работает следуюшщ образом . Под действием приложенного к полупроводниковому диоду 1 внешнего посто нного напр жени в нем возникают колебани с длиной волны Л , которые возбуждают через диэлектрическую

стенку, вл ющуюс одновременно распределенным элементом св зи между высокодобротной областью С и низкодоб ,ротной областью А диэлектрического резонатора 4, всю св занную резонанс-

ную систему, включающую еще, кроме Диэлектрического резонатора 4, коаксиальный открытьй резонатор, образованньй первым и вторым зеркалами 2 и 3, работакнчую на колебани х шепчущрй галереи , возникаюш;их за счет вли ни полного внутреннего отражени на границе областей В и С. Радиус радиального диэлектрического резонатора 4 выбран равным (2-4) -л, а длина образующей из услови

K-in L lTQ + S-irp,

диэлектрическа проницаемость стенок диэлектрического резонатора 4i

Claims

1. ГЕНЕРАТОР СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ, содержащий полупроводниковый ^!диод, размещенный внутри образованно го первым и вторым зеркалами открытого резонатора, о тличающий-. с я тем, что, с целью .упрощения настройки и расширения диапазона рабочих частот, первое зеркало выполнено в виде двух соосно расположенных проводников цилиндрической формы, присоединенных к торцам ди-* линдрического диэлектрического резонатора, внутри которого с возможностью продольного перемещения установлен на металлических штифтах полупроводниковый диод, при этом первое зеркало размещено внутри тела вращения, образованного вторым зеркалом.

8952 оо.

>

Раг./

2. Генератор по п.1, о т л и чающийся тем, что первое зеркало выполнено в форме усеченного конуса, ось которого совпадает с продольной осью второго зеркала, и установлено с возможностью продоль· ного перемещения относительно второго зеркала.