[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

SU720996A3 - Устройство дл непрерывного осаждени слоев из газовой фазы - Google Patents

Устройство дл непрерывного осаждени слоев из газовой фазы Download PDF

Info

Publication number
SU720996A3
SU720996A3 SU2390247A SU2390247A SU720996A3 SU 720996 A3 SU720996 A3 SU 720996A3 SU 2390247 A SU2390247 A SU 2390247A SU 2390247 A SU2390247 A SU 2390247A SU 720996 A3 SU720996 A3 SU 720996A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
reactor
chambers
gas
deposition
joints
Prior art date
Application number
SU2390247A
Other languages
English (en)
Inventor
Норман Андерсон Роджер
Original Assignee
Тексас Инструментс Инкорпорейтед (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тексас Инструментс Инкорпорейтед (Фирма) filed Critical Тексас Инструментс Инкорпорейтед (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU720996A3 publication Critical patent/SU720996A3/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к устройствам дл  непрерывного осаждени  слоев из газовой фазы и может быть использовано в полупроводниковой и электронной технике.
В известных устройствах дл  осаждени  слоев подложку обычно помещают внутрь реактора, например колокола , и герметизируют с последующим проведением осаждени . В некоторых реакторах можно провести несколько операций путем пропускани  подложки через различные участки реактора. Однако, в этом случае, герметизаци  реакционной камеры нарушаетс , а газы, используемые в осаждении, перед открытием реактора должны быть удалены. Кроме того, если в процессе проводитс  несколько операций в той же камере, эту камеру перед каждой следующей операцией необходимо продувать или материалом , используемым в предьщущей операции, в результате чего процесс не может быть., непрерывным. Кроме того, расходуетс  врем  на промывку камв15ы, на открывание камеры дл  извлечени  обработанных подлжек и дл  закладки необработанных
подложек в камеру дл  повторени  процесса осаждени .
Известно устройство дл  непрерывного осаждени  слоев-из газовой фазы, содержащее горизонтальный реактор в виде соединенных между собой камер предварительного, нагрева, осаждени  слоев, охлаждени  и торцовых камер газового уплотнени . Внутри реакт.ора установлена подставка с подложкодержателем и подложками с возможностью перемещени  через камеры . Устройство снабжено нагрева- телём подложек и патрубками дл  ввода и вывода газов 1.
Устройство не обеспечивает полного разделени  газов между соседними камерами.
Целью изобретени   вл етс  улучшение газовой изол ции одной камеры от другой.
Дл  достижени  этой цели устройство снабжено стыковыми узлами, установленными между камерами, причем патрубки соединены с этими узлами.
Кроме того, подставка дл  подложкодержател  с подложками установлена по оси реактора и делит его на верхнюю и нижнюю части, а подложка расположена рабочей поверхностью вниз. Стыковые узль- имеют центральную камеру дл  ввода и вывода газов с в з KOCTHfcJM уплотнением по обе стороны от камеры. Стыковой узел моЯсат соде жать две или более камер, разделеннйх в зкойтным упл0тне нйем(. Устройство может содержать более одной камеры оса щенй , реактор выйбЛйей в видё к арцёвь труВГсоединенных стыковыми узпами.На фигЛ покйтэайо схематично Лред лагаемое устройство с воеьмикамерныМ реактором; на фиг.2 - подставка с по ложкЬдерЖсТелэЛ и подложками; на, фиг 3 - стыковый узел на входе в первую камеру реактора, поперечный разрез; на Фиг,4 - втбра  камерА реактора и два стыкбйых узла, соедин ющих ее с первой и третьей камерами, допереч ный разрез; на фиг. 5 - камера реактора и два стыковых узла , ссэедин гащих ее с и п той l wrV ilonepёчный разрёз1 на фиг б - шеста .камера реактора и два стйковых узла, средин юцих ее с .; :й сёльм6й 1 ШерамйГпоп реч разрез; на фиг.7 - восьма  камера реактора и два стыковых уз1ла, один Hia которых соедин ет её сседьмой камёрбйр а другой обрй Эу;ёт в а; рД из реактора, поперечный разрез; на фиг 8 - Д|1аграмма давлени  газов по длине реактора; на фиг.9 - функциональна  Схема ортанов управлени  |5 егу и зу1ацйх поток газо в , вход щих в реактор; на фиг Л О - функцио нальиа  схема ввода и вывода газов из реактора, подсоединенного к схеме йравлейи , показанной на фиг.9; на фиг.11 - то же, -Другой в ариант. УСТРОЙСТВО (фигЛ) содержит реактор , имеющий восемь камер 1-8, сое дййённых стыками 9-17. Всостав этих восьми камер входит камера 1 азртно гб уплотнени , к амера 2 предваритель ного 11агрева, четыре камеры 3j-6 осаж дени , камера 7 охлаждени  камерй 8 .азотного уплотнени . Подачу газа . осущёствл ют по патрубкам 18 дл  дву различных процессов осакдени , газы MbifVT быть направлены в любую из четырех камер осаждени . КаМёры нагр вают посредством узла 19. - По оси реактора установлена подставка 20 (фиг. ётРбГкаверхнюго н ййжнювГ части. Пбдложкодержатель 21 имеетоткрытое со дна отверстие, в которое зак . ладывают подложку 22 и крышку 23, ° уклЖщлваемую поверх прдлржкй.,С ажДС1Й стороны подл&жк одёр атёЯ  выпол нёШ гГром ж5Ягочн ые эл ементы 24 . Под; лд:ккОДержатель и промежуточные элементы переминаютс  через реактор 1§К7 чт6, когда йака -лийсэ подложка останавливаетс  в камере, други е йрдложк й в реакторе также ЪказыЪагот С в камерах . Носитель раздел ет
,
д. л ., - , t реактор на верхнюю и нижнюю части. Осаждение происходит в нижней части, а в верхнюю камеру вводитс  защитный газ. Подложкодержатель 21 и проме .жуточные 24 перемещаютс  в реактор на подставке 20 через отверстие 25 в первом стыке. Отверстие 25 обеспечивает уплотнение реактора. В зкбстныёсвбйства газа внутри камер предотвращают вход атмосферы в камеры через входное отверстие реактора. ,:..-, . ... . ,. На фиг.3-7 показан более детальн6 реактор с п тью типами стыков, раздел ющих камеры. Стыки симметричньл относительно центрального стыка ЛЗ. Торцовые стыки 9 и 17 содержат два газовых уплотнени  {одно сверху, другое снизу). Стыки 10-16 с эдержат по четыре тазовых уплотнени  каждый. Стык 13 содержит восемь таких уплотнений . Стыки 9 и 17 предназначены дл  создани  в зкостного перепада давлени  межДу камерой с азотом и атмосферой . Перепад давлени , во-первых, обеспечивает демпфер против, крлебаний Давлени  в результате турбулентности комнатного воздуха, наиболее высокие колебани  давлени  комнатного воздуха составл ют 0,005 мм рт.ст., размеры стыка и скорость потока газов подбирают такими,чтобы обеспечить между азотным уплотнением и атмосферой перепад давлени  пор дка О,050 мм рт.ст.(эта величина выше колебаний давлени  комнатного воздуха, что эффективно вли ет на турбулентнрсть комнатного воздуха); во-вторых обес11ечив аете  Достаточно длинный, участок дл  данной выходной скорости с тёй7 чтобы встречную диффузию врздуха в азот до приемлемо низкого уровн . Диффузи , направленна  навстречу ламинарному потоку, выражаетс  в снижении концентрации диффундированных частиц, что  вл етс  отрицательной показательной функцией фактора изол ции, Определ емого как произведение объемной скорости потока и длины уплотнени , разделенное на произведение площади . попёрШчного сечени  и к;озффициент диффузий.. Если этот фактор равен, йапример, 20, то снижение концентрации (эффективна  изол ци ) составит 5/1Q. Размеры уплотнени  и скорости потока газа подбираютс  такими,чтобы фактор изол ции был достаточно высоким .; . ..,. ..., .,: . „,г . : V : Этоотноситс  КО всем другим в зKOCTHbiM уплотнени м,даже если стыкифизически более сложны и вход т в контакт с другими газами.Выходы из каждого стыка не должны блокироватьс ,чтобы они могли работать при давлении, близком к атмосферному, благодар  чему, на камеры йё вли ют измерени  в объемной скорости потока и температуры в смежной камере, Таким образом камеры изолируютс  одна от другой в зкостными уплотнени ми, а отдельные выходы могут быть объединены в общий выходной коллектор.
Стыки 10 (фиг,4) и 16 (фиг.7) имеют по два входа как сверху, так и снизу, и выход по центру. Они позвол ют вводить в смежные камеры разные, но совместимые газы. Газы должны быть совместимы, поскольку они .проход т в выход по центру. В зкостные уплотнени  предотвращают сообщени  между этим выходом и камерами.
Стык 11 (фиг,4) и стык 15 (фиг.6) . вл ютс  только выпускными стыками. Они выпускают основную часть потока из камеры предварительного нагрева и камеры первого осаждени  или из. камеры охлаждени  и камеры последнего осаждени . Стык 11 служит дл  выпуска газов из камер 2 и 3,а стык 15 дл  выпуска газов из камер 6 и 7.
Стык 12.(фиг.5) и стык 14 (фиг.6) аналогичны стыкам 10 и 16, за исключением того, что каждый имеет единственный вход сверху. Нижн   часть каждого этого стыка позвол ет осущесвл ть независимый выбор между двум  соседними камерами осаждени . Стык 12 обеспечивает раздел входов в камерах 3 и 4, а стык 14 - раздел входов в камеры 5 и 6.
Стык 13 (фиг,5) имеет особую конструкцию . Его назначением  вл етс  изол ци  выпускаемых газов во второй камере 4 осаждени  от выпускаемых газов в третьей камере 5 осаждени . Это позвол ет проводить процессы осаждени  в смежных камерах, когда газы несовместимы. Центральный вход предназначен дл  газа, который  вл етс  совместимым в обоих процессах осаждени . Левый выход стыка 13 направлен в коллектор, который  вл етс  общим дл  всех выходовс левой стороны реактора. Этот выход направлен в средства сжигани . Правый вы-, ход стыка 13 направлен в коллектор с правой стороны реактора, где он имеет свои средства сжигани .
Правильным подбором размеров уплотнений и объемов впускаемых пото ков можно регулировать давление во всей системе.
Давление в системе измер ют емкосным мансметром, который может быть установлен в любой части этой системы , он сообщаетс  с атмосферным давлением (фиг.2),
Давление газа в каждой камере обе печивает изолированность камер. Пунктирными лини ми отмечено давлени газа в верхней части камеры, а сплошными лини ми - различные давлени  по всему реактору в нижней части каждой Кс1меры. Горизонтальный участок давлений соответствует схеме
устройства непосредственно под графиком давлений. Относительно большие изменени  давлени  имеют место на газовых уплотнени х в.стыках. Внутри камер происход т очень небольшие изменени  давлени . Давление всей системы регулируют соответствующим подбором зазоров в стыках и скоростей потоков газов. Можно заметить, что давление, в азотных уплотнени х выше атмосферного, что исключает вход в реактор окружающей среды снаружи камеры. Устройство выполнено с каналами 26.
Камеры 2-6 нагреваютс  посредством узла 19, который включает в
5 себ  кварцевые лампы (нагреватели) 27 и средства 28 дл  вод ного охлаждени  и 29 дл  воздушного. На каждой стороне стыков ГО-15 выполнены каналы 30 охлаждени , через
0 которые может направл тьс  охлаждающий воздух дл  удалени  тепла из стыков. Сами камеры выполнены из кварцевой трубки, котора  соедин ет стыки. Эти трубки уплотнены силиконовым каучуком 31, предотвращаю5 щим утечку газа из стыков в охлаждающие к ана:лы 30 и в наружную атмосферу .
Система подачи газа дл  реактора показана на фиг.9. Устройство имеет
0 две газопроводные системы I и П, которые можно подвести к любой из четырех камер дл  осаждени  посредством клапанов 32-34. В нерабочем положении газопроводна  система 1
5 подведена к двум центральным камерам осаждени  через трубопроводы 35 и 36.
Срабатывание клапана 33 обеспе0 чивает подачу газа через трубопровод 37, а срабатывание клапана 34 обеспечивает подачу газа через трубопровод 38, При срабатывании клапана 32 (без клапанов 33 и 34) газ из систе5 мы Г идет только в трубопровод 36. Из системы П газ идет в трубопровод 35, Дл  увеличени  количества камер осаждени  могут быть приведены в действие, как и раньше, клапаны 33 и (или) 34. При помощи клапанов
0 39-42 и 43-46 подвод т реакционные газы либо в систему 1, либо в систему И.
При работе используетс  следующа  четырехступенчата  последова5 тельность запуска.
На первой ступени приводитс  в действие клапан 47, при помощи которого азот подаетс  через все части реактора и газовой системы.
0 Клапаны 32-Г-42 и 43-46 привод тс  в действие от того же источника энергии , что и клапан 47.

Claims (5)

  1. На второй ступени вкл7ючают клапаны 48,49 и/или 50 (если они пред5 варительно установлены) в результате чего вод тс  вЬдОрод & kSSiepy осаж ни  и смежные с ней стыки,Если в си ме I в качестве газа-носител испол зуетс  од, то камера предварительного нагрейа и две верхние каме осаждени  содержат водород. Если водород используетс  в с.истёме И, то камера охлаждени  и последние две верхние камеры/ а также централ . на  проре э ь в выпуск ном етйК и т акже будут продуватьс  водородом. В это .врем  могут быть подключены охлаждающий вОэду И а тгакже нагреватели 27. На третьей с уйейи включаютклапаны 51-58, в результате чего обеспечиваетс  подвод определенного реакционного газаУ используемого в процессе осаждени . В этом врем  включаютс  в работу клапаны 59,60 и (или 61). Газы отводите .нёпосред ственно дл  сжигани , На четвертой степени реакционные Газы направл ютс  в поток газа-носи тел . В это врем  включают клапаны 6266 и 67-69 (это нормальна  последовательность запуска). . . На каждой ступени вьтолнёны соо ветствующие средства защитной блоки ровки. После запуска рэактораон ра ботает стабильно с перемещением носителей через разные периодические интервалы. На фиг.10 приведена функциональна СхёйЖ-рёакторау иллюстрирующа  различные направлени  потока газа в стыках. Всё стрелки, отход щие от ст ков, обозначают в;ь1Ходы газа из . Каналы дл впуска газа направлены на выход системы регулировани  (фиг.9). Все стыки, изображенные на фиг.10, летально показаны на фиг 3-7, Как отмечалось раньше, выпуск .ные каналы из каждой половины реак ,тора в йыпуск Hai сжигание. Следует бтйетйть, чтб распЬложение стыков (фиг.10) может использоватьс  с системой подачи газа (фиг. 9) и может йспбльзоватбс  дл -двухпроцессного реактора с индийидуальнь регулированием четьзрех камер осаждени . В зависимости от производи тельйости реактора стыки можно распо ложить иначе, чем это изображено на фиг.10. Можно добавить дополнительны стыки; как это показано, например, на фиг. 11. Здесь дл  впуска вместо выпуска используют стыки 11 (см.фиг в результате чего устран етс  лишний центральный выход между трубопровода ми 36 и 38 (фиг.10), если оба входа имеют то же самое строение и их (3кенность соответствует времени процесса осаждени  дл  данной пропускной способности. Возможны и другие варианты расположени  стыков, а также соответствующие модификации системы подачи газов в отличие от изображенных на фиг.9-11, При использовании устройства принимаетс  решение, какие осаждени  должны наноситьс  на подложку и в каких камерах. Клапаны в системе регулировани  устанавливают на желаемые скорости потоков, Благодар  эффективной изол ции различных камер потоком газов непрерывный последовательный р д подложек может перемещатьс  через реактор с обеспечением непрерывного процесса. Системы могут быть приспособлены к любому коли;чгеству или любым комбинаци м процессов химического парофазного осаждени , включа  осаждение эпитаксиального сло , поликристаллического кремни , окислов или металла путем подбора количества, пор дка и длины камер с использованием соответствующих газов , температур в камерах и времени дл  данного процесса. Устройство дл  непрерывного осаж- дени  обеспечивает эффективную изол цию различных камер, так что в смежных камерах можно использовать нёсовмеетймые газы и одновременно выполн ть различные процессы осаждени . Реактор может быть модифицирован изменением моделей с различными камерами и стыками. Эта гибкость обеспечивает реакционную камеру, в кото- . рой подложки могут непрерывно обрабатыватьс  при любом количестве процессов и комбинаций операций. Кажда  камера выполнена из кварца, ее можно сн ть дл  очистки и заменить, что предотвращает износ всего реактора . Формула изобретени  1,Устройство дл  непрерывного осаждени  слоев из. газовой фазы, содержащее горизонтальный реактор, имею1цйй соединенные , между собой камеры предварительного .нагрева, осаждени  слоев, охлаждени  и камеры газового уплотнени , подставку дл  подложкодёржател  с подложками, установленную внутри реактора с возможностью аксиального перемещени  через все камеры, Нагревали и патрубки дл  ввода и вывода газов, отличающее с   -тем, что, с целью улучшени  газовой изол ции одной камеры от другой, устройство снабжено СТЫКОВБГМИ узлами, установленными между йамерами, причем патрубки дл  ввода и вывода газов соединены с указанными стыковыми узлами.
  2. 2.Устройство по п,1, отличающеес  тем, что подставка дл  подложкодёржател  с подложками установлена по оси реактора и делит его на верхнюю и нижнюю части.
  3. 3.Устройство поп.1,отличающеес   тем, что стыковые узлы имеют центральную камеру дл  впуска или выпуска газов с в зкостным уплотнением по обе стороны от этой центральной камеры,
  4. 4.Устройство по п.З, о. т л и чаю1деес   тем, что стыковые узлы имеют две или более камер, разделенные в зкостным уплотнением.
  5. 5. Устройство по п,1, о т л ичающеес   тем, что реактор выполнен в виде кварцевых труб, соед;иненных стыковыми узлами.
    Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
    1. Патент США 3598082, кл,118-48, 10.08,71 (прототип).
    /7
    t8
    l/
    13
    I f
    . .-if/i;;: .
    .
    F
    tf
    dx
    23 2 4 /
    %
    ГГТ
    3
    ///777/7,
    Фиг 5 Щ
    720996 Tft /f /J Фиг. В ,
    ijr.riiritnir r-iir
    иг. fO в9 Т57 TV T4f Т T-f3 ys, V./ - III L ,,,
SU2390247A 1975-09-02 1976-08-24 Устройство дл непрерывного осаждени слоев из газовой фазы SU720996A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/609,879 US4048955A (en) 1975-09-02 1975-09-02 Continuous chemical vapor deposition reactor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU720996A3 true SU720996A3 (ru) 1980-03-08

Family

ID=24442723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2390247A SU720996A3 (ru) 1975-09-02 1976-08-24 Устройство дл непрерывного осаждени слоев из газовой фазы

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4048955A (ru)
JP (2) JPS5230794A (ru)
CA (1) CA1068582A (ru)
CH (1) CH626121A5 (ru)
DE (1) DE2639553A1 (ru)
FR (1) FR2322634A1 (ru)
GB (1) GB1561753A (ru)
NL (1) NL7609443A (ru)
SE (1) SE7609616L (ru)
SU (1) SU720996A3 (ru)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4048955A (en) * 1975-09-02 1977-09-20 Texas Instruments Incorporated Continuous chemical vapor deposition reactor
FI57975C (fi) * 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
US4389973A (en) * 1980-03-18 1983-06-28 Oy Lohja Ab Apparatus for performing growth of compound thin films
US4542711A (en) * 1981-03-16 1985-09-24 Sovonics Solar Systems Continuous system for depositing amorphous semiconductor material
US4462332A (en) * 1982-04-29 1984-07-31 Energy Conversion Devices, Inc. Magnetic gas gate
US4450786A (en) * 1982-08-13 1984-05-29 Energy Conversion Devices, Inc. Grooved gas gate
US4537795A (en) * 1982-09-16 1985-08-27 Sovonics Solar Systems Method for introducing sweep gases into a glow discharge deposition apparatus
IN161171B (ru) * 1982-09-16 1987-10-10 Energy Conversion Devices Inc
US4618508A (en) * 1983-03-21 1986-10-21 Commissariat A L'energie Atomique Process for producing composite layers
US4480585A (en) * 1983-06-23 1984-11-06 Energy Conversion Devices, Inc. External isolation module
JPS6024370A (ja) * 1983-07-19 1985-02-07 Mitaka Denshi Kagaku Kenkyusho:Kk 試料の連続加工装置
ATE75167T1 (de) * 1984-02-13 1992-05-15 Jerome J Schmitt Iii Verfahren und vorrichtung fuer gasstrahlniederschlag von leitfaehigen und dielektrischen duennen festfilmen und so hergestellte erzeugnisse.
US4798166A (en) * 1985-12-20 1989-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for continuously preparing a light receiving element for use in photoelectromotive force member or image-reading photosensor
US4852516A (en) * 1986-05-19 1989-08-01 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
US4941429A (en) * 1988-12-20 1990-07-17 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer carrier guide tracks
US5042423A (en) * 1988-12-20 1991-08-27 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer carrier design
US4908495A (en) * 1988-12-20 1990-03-13 Texas Instruments Incorporated Heating lamp assembly for ccvd reactors
US5052886A (en) * 1988-12-20 1991-10-01 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer orientation device
US5105762A (en) * 1988-12-20 1992-04-21 Texas Instruments Incorporated Support and seal structure for CCVD reactor
US5074736A (en) * 1988-12-20 1991-12-24 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer carrier design
US4949669A (en) * 1988-12-20 1990-08-21 Texas Instruments Incorporated Gas flow systems in CCVD reactors
EP0378815A3 (en) * 1988-12-20 1991-07-31 Texas Instruments Incorporated Continuous chemical vapour deposition system
JPH0659247B2 (ja) * 1989-08-23 1994-08-10 吉田工業株式会社 スライドファスナーの製造方法
JP3115134B2 (ja) * 1992-11-27 2000-12-04 松下電器産業株式会社 薄膜処理装置および薄膜処理方法
US5651868A (en) * 1994-10-26 1997-07-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for coating thin film data storage disks
US5563095A (en) * 1994-12-01 1996-10-08 Frey; Jeffrey Method for manufacturing semiconductor devices
US5997588A (en) * 1995-10-13 1999-12-07 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Semiconductor processing system with gas curtain
US5960158A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US5997963A (en) * 1998-05-05 1999-12-07 Ultratech Stepper, Inc. Microchamber
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6281141B1 (en) 1999-02-08 2001-08-28 Steag Rtp Systems, Inc. Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices
US6399510B1 (en) 2000-09-12 2002-06-04 Applied Materials, Inc. Bi-directional processing chamber and method for bi-directional processing of semiconductor substrates
US7368368B2 (en) 2004-08-18 2008-05-06 Cree, Inc. Multi-chamber MOCVD growth apparatus for high performance/high throughput
KR100664545B1 (ko) * 2005-03-08 2007-01-03 (주)씨엔티 탄소나노튜브 대량합성장치 및 대량합성방법
DE102005045582B3 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Gasphasenabscheidung unter Atmosphärendruck und deren Verwendung
RU2388690C2 (ru) * 2008-05-22 2010-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "Группа СТР" Способ получения поликристаллического кремния
US8034691B2 (en) * 2008-08-18 2011-10-11 Macronix International Co., Ltd. HDP-CVD process, filling-in process utilizing HDP-CVD, and HDP-CVD system
US8865259B2 (en) * 2010-04-26 2014-10-21 Singulus Mocvd Gmbh I.Gr. Method and system for inline chemical vapor deposition
DE102016101003A1 (de) 2016-01-21 2017-07-27 Aixtron Se CVD-Vorrichtung mit einem als Baugruppe aus dem Reaktorgehäuse entnehmbaren Prozesskammergehäuse

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL256300A (ru) * 1959-05-28 1900-01-01
US3314393A (en) * 1962-07-05 1967-04-18 Nippon Electric Co Vapor deposition device
US3240915A (en) * 1962-09-19 1966-03-15 Fostoria Corp Infra-red heater
US3294670A (en) * 1963-10-07 1966-12-27 Western Electric Co Apparatus for processing materials in a controlled atmosphere
US3473510A (en) * 1966-02-23 1969-10-21 Corning Glass Works Method and apparatus for the continuous doping of semiconductor materials
US3486237A (en) * 1967-09-29 1969-12-30 Bausch & Lomb Positioning tool for vacuum chamber workholder
US3523517A (en) * 1968-09-04 1970-08-11 Sloan Instr Corp Rotating workpiece holder
US3650042A (en) * 1969-05-19 1972-03-21 Ibm Gas barrier for interconnecting and isolating two atmospheres
ES378214A1 (es) * 1969-05-19 1973-01-01 Ibm Un sistema para tratar material, especialmente semiconduc- tor.
BE760041A (fr) * 1970-01-02 1971-05-17 Ibm Procede et appareil de transfert de masse gazeuse
US3645545A (en) * 1970-07-30 1972-02-29 Ibm Entrance-exit atmospheric isolation device
US3658032A (en) * 1970-11-05 1972-04-25 Fairchild Camera Instr Co Reactor for the formation of material on a substrate
US3742904A (en) * 1971-06-03 1973-07-03 Motorola Inc Steam generator and gas insertion device
JPS4834798A (ru) * 1971-09-06 1973-05-22
DE2214291B2 (de) * 1972-03-24 1974-02-21 Karl C. Hartung Elektrowaerme, 7902 Blaubeuren Hohllanze zum Einblasen von Spülglas in einen Vakuummuffeldurchlaufofen
JPS5183777A (ja) * 1975-01-21 1976-07-22 Tokyo Shibaura Electric Co Kisoseichosochi
US4048955A (en) * 1975-09-02 1977-09-20 Texas Instruments Incorporated Continuous chemical vapor deposition reactor

Also Published As

Publication number Publication date
US4048955A (en) 1977-09-20
JPS61143578A (ja) 1986-07-01
CA1068582A (en) 1979-12-25
JPS6112993B2 (ru) 1986-04-11
DE2639553A1 (de) 1977-03-10
FR2322634B1 (ru) 1983-01-21
SE7609616L (sv) 1977-03-03
CH626121A5 (ru) 1981-10-30
GB1561753A (en) 1980-02-27
JPS5230794A (en) 1977-03-08
FR2322634A1 (fr) 1977-04-01
JPS641549B2 (ru) 1989-01-11
NL7609443A (nl) 1977-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU720996A3 (ru) Устройство дл непрерывного осаждени слоев из газовой фазы
US4430149A (en) Chemical vapor deposition of epitaxial silicon
US6740166B2 (en) Thin film deposition apparatus for semiconductor
US5250323A (en) Chemical vapor growth apparatus having an exhaust device including trap
US6600138B2 (en) Rapid thermal processing system for integrated circuits
EP0505249B1 (en) Apparatus for growing mixed compound semiconductor and growth method using the same
ATE350508T1 (de) Cvd-verfahren und -vorrichtung zum abscheiden von polysilizium
KR100622188B1 (ko) 원자층 증착 방법 및 수단
SE8200235L (sv) Forfarande och apparat for kemisk angavsettning av filmer pa kiselskivor
EP0164928A2 (en) Vertical hot wall CVD reactor
US4279669A (en) Method for epitaxial deposition
JPS5826658B2 (ja) 気相成長装置
JP7467506B2 (ja) 多孔質インレット
JPS59159980A (ja) 気相成長装置
JPS6010621A (ja) 減圧エピタキシヤル成長装置
JPH0316120A (ja) 化学気相成長装置及びそのガスヘッド
JP2004247692A (ja) 炭化珪素膜の成膜装置
KR100481794B1 (ko) 에이엘디 프로세스 모듈의 가스공급시스템
JPS6423524A (en) Method and equipment for vertical-type low-pressure vapor growth
JPS63297563A (ja) 被膜形成方法および処理装置
KR20030085917A (ko) 에이엘디 프로세스 모듈의 밸브시스템
JP2004095940A (ja) 半導体装置の製造方法
KR0117107Y1 (ko) 저압 화학 기상 증착장치
JP2004104034A (ja) 半導体製造装置
KR20050000718A (ko) 원자층 증착 장비 및 상기 장비를 이용한 박막 증착 방법