SU1599877A1

SU1599877A1 - Device for modeling operation of solid-state device

Info

Publication number: SU1599877A1
Application number: SU884620433A
Authority: SU
Inventors: Марат Садыкович Валитов; Ирина Ивановна Пестрякова; Виктор Дмитриевич Андреев; Евгений Александрович Баранов; Виктор Викторович Каширин
Original assignee: Московский институт радиотехники, электроники и автоматики; Предприятие П/Я В-8670
Priority date: 1988-12-14
Filing date: 1988-12-14
Publication date: 1990-10-15

Abstract

Изобретение относитс к аналоговой вычислительной технике, а именно к исследовани м радиоэлектронной аппаратуры, в состав которой вход т стабилитроны. Цель изобретени - расширение класса решаемых задач за счет моделировани работы полупроводникового прибора в услови х повышенной температуры и технологического разброса напр жени стабилизации. Достигают возможность моделировани работы стабилитрона при воздействии температуры и технологическом разбросе параметров за счет того, что два усилительных транзистора имеют различную проводимость. В устройство ввод т второй переменный резистор, образующий с первым переменным резистором делитель, включенный в базовую цепь первого усилительного транзистора, эмиттер которого, второй вывод первого переменного резистора, коллектор второго усилительного транзистора и катод запирающего диода объединены, второй вывод второго переменного резистора, эмиттер второго усилительного транзистора и анод запирающего диода также объединены, коллектор первого усилительного транзистора подключен к базе второго усилительного транзистора. 2 ил.The invention relates to analog computing, in particular to studies of electronic equipment, which includes zener diodes. The purpose of the invention is to expand the class of tasks to be solved by simulating the operation of a semiconductor device under conditions of elevated temperature and technological variation in the voltage of stabilization. Achieve the ability to simulate the work of the Zener diode when exposed to temperature and technological variation of parameters due to the fact that two amplifying transistors have different conductivity. A second variable resistor is inserted into the device, forming with the first variable resistor a divider included in the base circuit of the first amplifying transistor, whose emitter, the second terminal of the first variable resistor, the collector of the second amplifying transistor and the cathode of the blocking diode, the second terminal of the second variable resistor the amplifier transistor and the anode of the blocking diode are also combined; the collector of the first amplifier transistor is connected to the base of the second amplifier transistor. 2 Il.

Description

Изобретение относитс к аналоговой вычислительной технике, а именно к области исследовани радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), в состав которой вход т стабилитроны .The invention relates to analog computing, namely to the field of research of electronic equipment (REA), which includes zener diodes.

Цель изобретени - расширение класса решаемых задач за счет моделировани работы полупроводникового прибора в услови х повышенной температуры и технологического разброса напр жени с та били з ации.The purpose of the invention is to expand the class of tasks to be solved by simulating the operation of a semiconductor device under conditions of high temperature and technological variation of voltage from a test.

На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 - вольт-амперные характеристики (ВАХ) стабилизатораFIG. 1 shows a diagram of the device; in fig. 2 - current-voltage characteristics (VAC) of the stabilizer

и устройства, имитирующего воздействи температуры.and a temperature simulator.

Устройство дл моделировани работы полупроводникового прибора содержит первый 1 и второй 2 усилительные - транзисторы, первый 3 и второй 4 переменные резисторы, образуюп ие делитель напр жени , запираюР1Ий диод 5.A device for simulating the operation of a semiconductor device contains the first 1 and second 2 amplifying - transistors, the first 3 and second 4 variable resistors, forming a voltage divider, locking the P1 diode 5.

Устройство работает следующим ббразом.The device works as follows.

Регулировка напр жени стабилизации осуществл етс переменным резистором 3, а величина напр жени стабилизации определ етс соотношениемThe stabilization voltage is controlled by a variable resistor 3, and the magnitude of the stabilization voltage is determined by the ratio

СПSP

со with

0000

315998774315998774

ноюоталов резисторов 3 и 4. При умень- ности) по параметрам UNoyotals of resistors 3 and 4. When decreasing) by parameters U

шении величины сопротивлени резистора А увеличиваемс ток через транзистор 1, который, в свою очередь, вл етс базовым током транзистора 2, при этом выходное сопротивление транзистора 2 также уменьшаетс , что соответствует меньшему значению напр жени стабилизации устройства, ВАХ модели стабилитрона в пр мом направлении определ етс диодом 5,By increasing the resistance value of resistor A, the current through transistor 1 increases, which in turn is the base current of transistor 2, while the output resistance of transistor 2 also decreases, which corresponds to a lower value of the device stabilization voltage, the current-voltage characteristic of the Zener diode in the forward direction is determined diode 5,

С помощью модели стабилитрона можно устанавливать напр жение стабилизации от 0,7 до 15 В.Using the Zener diode model, the stabilization voltage can be set from 0.7 to 15 V.

Измерение ВАХ устройства осуществл етс с помощью прибору Л2-56. Регулировка устройства дл моделировани работы полупроводникового при- .бора под определенный тип стабилитрона осуществл етс прибором Л2-56 по. виду ВАХ. Напр жение стабилизации выставл етс путем изменени сопротив лени резистора 4 и получени необходимого соотношени номиналов сопротивлений резисторов 3 и 4, Динамическое сопротивление г устройства определ етс по крутизне (наклону) ВАХ.Measurement of the IVC of the device is carried out with the help of the device L2-56. The adjustment of the device for simulating the operation of a semiconductor device for a certain type of zener diode is performed by an L2-56 device. mind CVC. The stabilization voltage is set by varying the resistance of the resistor 4 and obtaining the necessary ratio of the resistance values of the resistors 3 and 4. The dynamic resistance g of the device is determined by the slope of the IV.

.После этого т:„ уточн етс по схеме. After this t: is specified according to the scheme

измерени снимаетс measurement is taken

Го на переменном токе иGo on alternating current and

зависимость гdependency g

f(l f (l

сг sg

устройства , котора должна соответствовать типовой зависимости. Одновременно осуществл етс контроль II ст ПО мощью цифрового вольтметра В7-27, Устройство дл , моделировани работы полупроводникового прибора, -например, дл моделировани стабилитронаdevice that must comply with a typical dependence. At the same time, the second-order software is monitored by a digital voltmeter B7-27, a device for simulating the operation of a semiconductor device, for example, for simulating a zener diode

5five

Устройство дл моделировани работы полупроводникового прибора, содержащее первый и второй усилительные транзисторы и первый переменный резистор, первый и второй выводы которого подключены соответ ственно к эмиттеру и базе первого усилительного транзистора, о т л и ч а ю 1ц е е с тем, что, с целью расширени класса решаемых задач за счет моделировани работы полуп водникового прибора в услови х пов шенной температуры и технологическ го разброса напр жени стабилизаци в него введены второй переменный р зистор и запирающий диод, причем первый вывод первого переменного резистора подключен к коллектору второго усилительного транзистора и к катоду запирающего диода и вл етс катодным выводом устройства второй вывод первого переменного рA device for simulating the operation of a semiconductor device, containing the first and second amplifying transistors and the first variable resistor, the first and second terminals of which are connected respectively to the emitter and base of the first amplifying transistor, so that The goal of expanding the class of tasks by simulating the operation of a semi-water device under conditions of increased temperature and technological variation of voltage is to stabilize a second variable resistor and a blocking diode, and he first terminal of the first variable resistor connected to the collector of the second amplifying transistor and to the cathode of blocking diode and is the cathode terminal device, the second terminal of the first variable p

2С133А позвол ет измен ть U Y (в Р ° зистора соединен с первым выводом2С133А allows to change U Y (in Р ° of the resistor it is connected to the first output

делах температурных уходов или технологических разбросов) при неизменном Га и измен ть г при неизвестном Ug . Данное свойства позвол ет использовать устройство дл определени коэффициентов чувствительности стабилитрона на выходные параметра РЭА (при -оценке их параметрической надежности ) по параметрам Ucases of temperature departures or technological variations) with unchanged hectares and change of g with unknown Ug. This property allows the device to be used to determine the sensitivity coefficients of the Zener diode on the output parameter of the electronic device (with an evaluation of their parametric reliability) using the parameters U

етem

иand

г независимо друг от друга.r independently of each other.

Устройство дл моделировани работы полупроводникового прибора может быть использовано при исследовании параметрической надежности РЭА дл A device for simulating the operation of a semiconductor device can be used to study the parametric reliability of REA for

00

5five

00

5 five

00

5five

имитации и иimitations and and

гд серийных стабилитронов с напр жением стабилизации от 0,6 до 15 В, а также дл исследовани работы стабистора. При использовании устройства дл имитации работы стабистора диод .5 необходимо исключить из схемы (U устанавливаетс от 0,7 до 2 в).dG serial zener diodes with a stabilization voltage of 0.6 to 15 V, as well as for the study of the operation of the stabistor. When using a device to simulate the operation of a stabilizer, a diode .5 must be excluded from the circuit (U is set from 0.7 to 2 volts).

Claims

Invention Formula

A device for simulating the operation of a semiconductor device containing the first and second amplifying transistors and the first variable resistor, the first and second terminals of which are connected respectively to the emitter and the base of the first amplifying transistor, which is the purpose of expanding the class of tasks by simulating the operation of a semiconductor device in conditions of high temperature and technological variation of the stabilization voltage, a second variable resistor and a blocking diode are introduced into it, the first terminal of the first variable resistor is connected to the collector of the second amplifying transistor and to the cathode of the blocking diode and is the cathodic terminal of the device; the second terminal of the first variable resistor is connected to the first terminal

45

The second variable resistor, the second terminal of which is connected to the emitter of the second amplifying transistor and to the anode of the blocking diode and is the anode terminal of the device, the collector of the first amplifying transistor is connected to the base of the second amplifying transistor.

five

sg

stailitron GS7 "7/1

-.--- "-g / sg ,;

Z J 5 6

stabilitron

2CWAII Device dm

my uliroVani

I. Segle nickname

-

(23456

fpiiz 2

Compiled by N. Korolev Tehred M. Didyk

FIG. one

i / rmoJucmSo for MoSffJupofanue

- UcT. AT

Corrector f. Kravtsov