[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

SU1582035A1 - Датчик давлени - Google Patents

Датчик давлени Download PDF

Info

Publication number
SU1582035A1
SU1582035A1 SU874274042A SU4274042A SU1582035A1 SU 1582035 A1 SU1582035 A1 SU 1582035A1 SU 874274042 A SU874274042 A SU 874274042A SU 4274042 A SU4274042 A SU 4274042A SU 1582035 A1 SU1582035 A1 SU 1582035A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
membrane
support
crystal
pressure
elastic
Prior art date
Application number
SU874274042A
Other languages
English (en)
Inventor
Валерий Викторович Иванов
Алексей Сергеевич Плешивцев
Александр Александрович Смирнов
Original Assignee
Организация П/Я В-8466
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я В-8466 filed Critical Организация П/Я В-8466
Priority to SU874274042A priority Critical patent/SU1582035A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1582035A1 publication Critical patent/SU1582035A1/ru

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике, а именно к полупроводниковым датчикам давлени . Целью изобретени   вл етс  повышение надежности. Датчик содержит мембрану 2, выполненную в полупроводниковом кристалле 1, который установлен на опоре 5. На мембране установлены тензоэлементы. При действии давлени  на мембрану 2 с тензоэлементов снимаетс  сигнал, пропорциональный давлению. Мембрана покрыта эластичным защитным покрытием, а кристалл 1 закреплен на опоре 5 с помощью эластичного материала. Мембрана 2 выполнена переменной толщины, ступенчатого профил , что повышает ее прочность при действии избыточного давлени . 1 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике, в частности' к полупроводниковым преобразователям давления, и предназначено для измерения давления, усилия, перемещения.
Целью изобретения является повышение надежности.
На чертеже изображен полупроводниковый датчик давления, общий вид, раз: рез,
Полупроводниковый датчик давления (содержит полупроводниковый кристалл i 1, имеющий мембрану 2, металлические выводы 3, присоединенные к контактным площадкам 4 кристаллами опору 5, к которой присоединен кристалл. Мембрана имеет ступенчатый профиль 6. На .поверхность кристалла нанесено эластичное полимерное покрытие 7. Опора 5 :имеет выступ 8, фиксирующий положение кристалла относительно опоры. Со;единение кристалла с опорой выполнено jиз эластичного полимерного материа.~а 8.
. Датчик давления работает следующим j образом.
На -полупроводниковый кристалл 1 , в объеме или на поверхности которого сформированы тензоэлементы, по одной из групп металлических выводов 3, присоединенным к контактным площадкам 4, подается электрическое напряжение. По другой труппе металлических выводов 3 снимается выходной сигнал, величина которого пропорциональна величине внешнего измеряемого давления, действующего на мембрану 2. Отрицательное влияние на стабильность выходного сигнала и точность показаний давления оказывают внутренние механические ’напряжения, возникающие в области соединения полупроводникового кристалла с опорой 5, а также адсорбция влаги, примесей, газов на поверхность кристалла, приводящих к возникновению поверхностных токов утечки и коррозии контактных площадок 4 и металлизированных, соединений. Кроме того, указанные Факторы уменьшают срок службы датчиков. Срок службы зависит также от прочности мембраны, которая, в свою очередь, связана с формой и геометрическими размерами мембраны.
В предлагаемой конструкции полупроводникового датчика давления мембрана 2 имеет ступенчатый профиль 6, обеспечивающий более плавный пе реход от мембраны к опорной части кристалла 1, что уменьшает концентрацию механических напряжений в области перехода, и таким образом повышает прочность конструкции.
Эластичное полимерное покрытие 7 обеспечивает защиту поверхности полупроводникового кристалла с тензоэлементами контактных площадок и металлизированных соединений от адсорбции влаги, примесей, газов в результате образования адгезионных связей с центрами адсорбции на поверхности, стабилизирует поверхностный заряд и стабилизирует неоднородность его применения, устраняет поверхностные токи утечки и коррозии в условиях эксплуатации датчиков. В качестве защитного материала применен кремний органический компаунд 159-167. После термического отвердения по механизму полиприсоединения компаунд образует тонкий эластичный слой материала, охраняющий эластичность до температуры минус 70”С, имеющий низкую концентрацию (10-4^) ионогенных примесей и связанный с поверхностью кристалла устойчивыми адгезионными связями. Соединение кристалла с опорой выполнено из эластичного полимерного герметйка (9), обеспечивающего высокую’герметичность. В качестве соединительного материала использованы кремнийорганические эластичные компаунды (модуль упругости 10-50 кг/см^), например типа 1 59-191 , 159-167, ВГО-1 , пластифицированные герметики типа эпоксикремнийорганической клей К400, обеспечивающий высокую герметичность соединения. .
Применение эластичных материалов позволяет не согласовывать коэффициенты линейного расширения склеивания деталей, таким образом, позволят использовать широкий круг материалов для конструирования элементов.

Claims (1)

  1. Формула изобретения
    Датчик давления, содержащий, выполненные за одно целое из полупроводникового кристалла мембрану и краевой элемент, соединенный с опорой, причем наружная поверхность мембраны выполнена плоской, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, в нем мембрана снабжена эластичным покрытием, нанесен5 ним на ее наружную поверхность, и выполнена с переменной по радиусу толщиной ступенчатого профиля, уменьшаю щейся к центру мембраны, причем краевой элемент скреплен с опорой с поу мощью эластичного герметика.
SU874274042A 1987-07-01 1987-07-01 Датчик давлени SU1582035A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874274042A SU1582035A1 (ru) 1987-07-01 1987-07-01 Датчик давлени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874274042A SU1582035A1 (ru) 1987-07-01 1987-07-01 Датчик давлени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1582035A1 true SU1582035A1 (ru) 1990-07-30

Family

ID=21315480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874274042A SU1582035A1 (ru) 1987-07-01 1987-07-01 Датчик давлени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1582035A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4404716A1 (de) * 1994-02-15 1995-08-17 Hottinger Messtechnik Baldwin Dehnungsmeßstreifen und Verfahren zur Herstellung eines Dehnungsmeßstreifens sowie Meßgrößenaufnehmer

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 85П39, кл. G 01 L 9/06, J981. Патент JP № 60-14010, кл. С 01 L 9/04, 1986. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4404716A1 (de) * 1994-02-15 1995-08-17 Hottinger Messtechnik Baldwin Dehnungsmeßstreifen und Verfahren zur Herstellung eines Dehnungsmeßstreifens sowie Meßgrößenaufnehmer
US5631622A (en) * 1994-02-15 1997-05-20 Hottinger Baldwin Messtechnik Gmbh Strain gage and measuring transducer and method of producing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4831492A (en) Capacitor construction for use in pressure transducers
US3697917A (en) Semiconductor strain gage pressure transducer
US7412894B2 (en) Pressure sensing device incorporating pressure sensing chip in resin case
US5587601A (en) Support structure for a semiconductor pressure transducer
AU758052B2 (en) Pressure sensor
US10768069B2 (en) Pressure measuring device for protection of pressure sensor from thermomechanical stress
JPH0264430A (ja) 半導体圧力変換装置
US4862317A (en) Capacitive pressure transducer
JPH0650268B2 (ja) 管内圧力変化検知変換器
US5264820A (en) Diaphragm mounting system for a pressure transducer
US7401521B2 (en) Pressure sensor with integrated structure
SU1582035A1 (ru) Датчик давлени
US5034848A (en) Low pressure sensor
US20090007680A1 (en) High pressure transducer having an H shaped cross-section
JP2504737B2 (ja) 圧力センサユニツト
JPH07101747B2 (ja) 半導体圧力センサ
US20060197407A1 (en) Construction of saw devices
US7559248B2 (en) High pressure transducer having an H shaped cross-section
RU44384U1 (ru) Полупроводниковый чувствительный элемент датчика давления
JPH085656A (ja) 加速度変換器
JPS60171429A (ja) 圧力電気変換器
JPH0325424Y2 (ru)
RU45526U1 (ru) Устройство для измерения давления
JPH03239938A (ja) 容量型圧力センサ
JPS6141252Y2 (ru)