[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

SU1437959A1 - Transistor inverter - Google Patents

Transistor inverter Download PDF

Info

Publication number
SU1437959A1
SU1437959A1 SU864118718A SU4118718A SU1437959A1 SU 1437959 A1 SU1437959 A1 SU 1437959A1 SU 864118718 A SU864118718 A SU 864118718A SU 4118718 A SU4118718 A SU 4118718A SU 1437959 A1 SU1437959 A1 SU 1437959A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
diode
current
circuit
bias source
Prior art date
Application number
SU864118718A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Васильевич Кашканов
Original Assignee
Волжское объединение по производству легковых автомобилей
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Волжское объединение по производству легковых автомобилей filed Critical Волжское объединение по производству легковых автомобилей
Priority to SU864118718A priority Critical patent/SU1437959A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU1437959A1 publication Critical patent/SU1437959A1/en

Links

Landscapes

  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к электро- .технике и м.б. использовано при проектнровании вторичных источников питани . Цель - упрощение схемы. Устр- во выполнено по мостовой схеме, каждое плечо которой образовано транзистором 1(2), зашунтированным обратным диодом 3(4). Цепь 12(20) защиты от перегрузок при переключении подключена между силовым выводом транзистора 1(2) и одним из выводов дополнительного источника смещени  15. В цепь 12(20) защиты от перегрузок при переключении вход т инерционный диод 13, нелинейный элемент, состо щий по меньшей мере из трех диодов 17,18,19, токоограничивающий резистор 14 и дополнительный источник смещени  15. На врем  восстановлени  запиракнцих свойств обратного диода 4 ток нагрузки ответвл етс  в цепь инерционного диода 13, что уменьшает перегрузки транзистора 1 при его выключении. 1 ил. S (ЛThe invention relates to electrical engineering and m. used in the design of secondary power sources. The goal is to simplify the scheme. The device is made according to a bridge circuit, each arm of which is formed by a transistor 1 (2), shunted by a reverse diode 3 (4). An overload protection circuit 12 (20) during a switch is connected between the power lead of transistor 1 (2) and one of the terminals of an additional bias source 15. An overrun diode 13, a nonlinear element consisting of at least three diodes 17,18,19, a current limiting resistor 14 and an additional bias source 15. During the restoration of the locking properties of the reverse diode 4, the load current branches into the circuit of the inertia diode 13, which reduces the overload of the transistor 1 when it is turned off NII. 1 il. S (l

Description

flfl

4four

САд Garden

слcl

соwith

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано при проектировании вторичных источников питани ,The invention relates to electrical engineering and can be used in the design of secondary power sources,

Цель - упрощение схемы.The goal is to simplify the scheme.

На чертеже приведена схема, по с- работу устройства,,The drawing shows a diagram of the device operation with-

Схема транзисторного инвертора имее га стоек, кажда  из которых состоит из двух последовательно включенных плеч и содержит транзисторы 1 и 2, параллельно которым в обратном направлении включены обратные диоды 3 и 4 соответственно . Транзисторы стойки соеди нены между собой с помощью дросселей 5 и 6 соответственно 5 к точке соеди- которых подключен выходной вывод дл  присоединени  нагрузки 7, Между разноименными силовыми электро- дами транзисторов 1 и 2 включена пос ледовательна  цепочка., состо ща  из отсекающего диода 8, включенног о встречно с источником питани  9, и разр дного резистора 10, зашунтиро- ванрюго конденсатором I1. Параллельно транзистору 1 подключена цепь 12 защиты от перегрузок при переключении , содержаща  инерционный диод 13, катод которого подключен к коллекто- ру транзистора I, а анод через токо- ограничиваюший резистор 14 соединен с положительным электродом источника смещени  15, образованного источником питани  блока управлени  16 тран- зистором , а отрицательный электрод источника 15 подключен к эмиттеру транзистора 1, при этом точка подключени  резистора 14 к аноду низкочастотного инерционного диода 13 соеди- нена с эмиттером транзистора 1 через три диода 17 - 19, включенных последовательно и согласно с основным источником питани  9. Аналогична  цепь 20 защиты от перегрузок и блок 21 уп равлеки  подключены к транзистору 2.The transistor inverter circuit has racks, each of which consists of two series-connected arms and contains transistors 1 and 2, in parallel to which reverse diodes 3 and 4 are connected in the opposite direction, respectively. The rack transistors are interconnected by means of chokes 5 and 6, respectively, 5 to the point of connecting which is connected to the output terminal for connecting the load 7, Between the opposite power electrodes of transistors 1 and 2, a series circuit is turned on. It is switched on oppositely with the power source 9, and the discharge resistor 10, a capacitor I1 bypass. Parallel to transistor 1, an overload protection circuit 12 is connected when switching, containing an inertial diode 13, the cathode of which is connected to the collector of transistor I, and the anode is connected via a current limiting resistor 14 to the positive bias source 15 of the transistor - by a sistor, and the negative electrode of the source 15 is connected to the emitter of the transistor 1, and the connection point of the resistor 14 to the anode of the low-frequency inertial diode 13 is connected to the emitter of the transistor 1 through When diode 17 - 19 connected in series and in accordance with the main power source 9. A similar circuit 20 and the overload protection unit 21 ravleki yn connected to the transistor 2.

Работа схемы происходит следуюащм образом.The operation of the circuit is as follows.

За исходное состо ние примем момент времени, когда открыт транзис- ТОО 1, Одна часть тока источника питани  блока управлени  через соответствующую схему коммутации протекает по переходу база - эмиттер транзистора 1 s а друга  часть протекает по цепи 15-14-13-1-15. При этом диод 13 смещен в пр мом направлении, а диоды 17 - 19 обесточены, т.к. потешдиал- точки соединени  резистора 14 с анодом диода 13 меньше суммарного пр мого падени  напр жени  на диодах 7 - 19. Ток нагрузки протекает по цепи 1-5-7. При запирании транзистора 1 ток нагрузки ответвл етс  в цепь 13-17-18-19-5-7 и через врем , необходимое дл  восстановлени  запирающих свойств, диод 13 выключаетс . Как следствие, мгновенна  мощность, вьщел юща с  в транзисторе 1, на этапе вь ключени  не достигает больпих значений, что защищает транзистор 1 от возможности вторичного пробо . После выключени  диода 13 ток нагрузки 7 переходит в цепь 4-11-8-5-7, при этом ток в дросселе 5 спадает до , а ток в дросселе 6 нарастает до величины тока нагрузки 7, после чего происходит разр д конденсатора П на разр дный резистор 10,For the initial state, we take the point in time when the transis-LLP 1 is open. One part of the power supply unit control unit current flows through the appropriate switching circuit through the base-emitter transition of the transistor 1 s and the other part flows through the circuit 15-14-13-1-15 . In this case, the diode 13 is shifted in the forward direction, and the diodes 17–19 are de-energized, since The connecting point of connection of the resistor 14 with the anode of diode 13 is less than the total direct voltage drop across the diodes 7 to 19. The load current flows through circuit 1-5-7. When the transistor 1 is locked, the load current is coupled to the circuit 13-17-18-19-5-7, and after the time required to restore the blocking properties, the diode 13 turns off. As a result, the instantaneous power that occurs in transistor 1 does not reach large values at the switching stage, which protects transistor 1 from the possibility of secondary breakdown. After turning off the diode 13, the load current 7 goes into the circuit 4-11-8-5-7, while the current in the inductor 5 drops to, and the current in the inductor 6 rises to the value of the load current 7, after which the capacitor P is discharged into the discharge bottom resistor 10,

Процесс включени  транзистора I выгл дит следующим образом.The process of turning on the transistor I is as follows.

При отпирании транзистора 1 напр жение основного источника питани  9 через транзистор 1 и смещенный в пр мом направлении обратный диод 4 прикладываетс  к дроссел м 5 и 6. Ток в дросселе 5 начина ет возрастать до величины тока нагрузки 7, а ток в дросселе 6 уменьщаетс  до нул , при Э , ом ток через транзистор 1, равный сумме тока, протекающего но депи 15- 14-13-1-15., и тока дроссел  5, достигает к этому моменту времени установившегос  значени , превышак1 цего ток нагрузки 7 на величи;- у тока цепи 15- 14-13-Ы5,When the transistor 1 is unlocked, the voltage of the main power source 9 through the transistor 1 and the reverse diode 4 biased in the forward direction is applied to the throttles m 5 and 6. The current in the inductor 5 begins to increase to the value of the load current 7, and the current in the choke 6 decreases to zero, at E, the current through the transistor 1, equal to the sum of the current flowing through the depy 15-14-13-1-15., and the current of the drossel 5, reaches by this time point of a steady-state value exceeding 1 the load current 7 by the value; - at current of a circuit 15-14-13-Ы5,

Таким образом, использоваиие источника питани  15 блока упранлени  16 транзистором 1 в качестве допол- 1-штельного источника смеиет и  инерционного диода 13 и введение защит- цепочек 12 и 20 позволило исключить коммутационные выбросы тока через транзисторы, снизив тем caNbiM в них динамические потери при одновременном .упрогаении схемы.Thus, using the power supply 15 of the control unit 16 by the transistor 1 as an additional 1-piece power source and the inertial diode 13 and the introduction of circuit protection 12 and 20 made it possible to exclude switching current surges through the transistors, reducing the dynamic losses in them while .progogenii schemes.

о р м у л аabout rmu l and

обретени gaining

Транзисторный инвертор, выполненный по мостовой схеме, транзистор .-i каждого плеча которой зашунтирован обратным диодом и подключен к депи залщты от перегрузок при переключении , содержащей инерционный диод, катод КОТОРОГО подключен к первому силовому лектроду транзистора, аA transistor inverter, made by a bridge circuit, the transistor.-I of each arm of which is shunted by a reverse diode and connected to the terminal of overloads when switching, containing an inertial diode, the cathode is connected to the first power circuit of the transistor, and

3143795931437959

анод через токоограничивающий резне-ни  токоограничиваюшего резистора иthe anode through the current-limiting massacre nor the current-limiting resistor and

тор подсоединен к дополнительно гу ис-анода инерционного диода соединена сthe torus is connected to an additional gu is-anode of the inertial diode connected to

точнику смещени , блок управлени вторьм силовым электродом транзистотранзист-орами , отличающий-ра через введенный нелинейный злес   тем, что, с целью упрощени , в мент, выполненный в виде по крайнейto the displacement point, the control unit of the second power electrode of the transistor-transistors, which is distinguished through the input of a non-linear wavelength in that, for the purpose of simplification, in the cop, made in the form

качестве источника смещени  исполь-мере трех последовательно соединенныхas a source of displacement using three serially connected

зован источник питани  блока управле-диодов, включенных согласно с соотни  транзисторами, а точка соедине-ветствугопшм транзистором,The power supply of the control diode unit is included, which are connected according to the ratio by the transistors, and the junction point is a transistor,

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Транзисторный инвертор, выполненный по мостовой схеме, транзистор я каждого плеча которой зашунтирован обратным диодом и подключен к цепи защиты от перегрузок при переключении, содержащей инерционный диод, катод κοτοόογο подключен к первому силовому „лектроду транзистора, а анод через токоограничивающий резистор подсоединен к дополнительному источнику смещения, блок управления транзисторами, отличающийс я тем, что, с целью упрощения, в качестве источника смещения использован источник питания блока управления транзисторами, а точка соедине ния токоограничивающего резистора и анода инерционного диода соединена с вторым силовым электродом транзистора через введенный нелинейный элемент, выполненный в виде по крайней мере трех последовательно соединенных диодов, включенных согласно с соответствующим транзистором.A transistor inverter made according to a bridge circuit, a transistor on each arm of which is shunted by a reverse diode and connected to an overload protection circuit during switching, containing an inertial diode, the cathode κοτοόογο is connected to the first power transistor electrode, and the anode is connected to an additional bias source through a current-limiting resistor , a transistor control unit, characterized in that, for the sake of simplicity, the power source of the transistor control unit is used as a bias source, and the point c The connection of the current-limiting resistor and the anode of the inertial diode is connected to the second power electrode of the transistor through an inserted non-linear element made in the form of at least three series-connected diodes connected in accordance with the corresponding transistor.
SU864118718A 1986-06-17 1986-06-17 Transistor inverter SU1437959A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864118718A SU1437959A1 (en) 1986-06-17 1986-06-17 Transistor inverter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864118718A SU1437959A1 (en) 1986-06-17 1986-06-17 Transistor inverter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1437959A1 true SU1437959A1 (en) 1988-11-15

Family

ID=21257012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864118718A SU1437959A1 (en) 1986-06-17 1986-06-17 Transistor inverter

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1437959A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU183603U1 (en) * 2018-06-07 2018-09-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ) Device for limiting the current of power transistors in a voltage inverter

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Электронна техника в автоматике. Сб. под ред. Ю.И.Конева. М.: Сов. радио, 1980, с. 100-105. Авторское свидетельство СССР № 961079, кл. Н 02 М 7/537, 1981. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU183603U1 (en) * 2018-06-07 2018-09-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ) Device for limiting the current of power transistors in a voltage inverter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3193827B2 (en) Semiconductor power module and power converter
US4849873A (en) Active snubber for an inverter
SU1437959A1 (en) Transistor inverter
CN211530732U (en) Power supply positive and negative polarity reverse connection preventing circuit adopting PMOS (P-channel metal oxide semiconductor) tube
GB2130831A (en) Electronic switching apparatus
SU1081731A1 (en) Starting current limiter
SU1241385A1 (en) Transistor inverter
SU1529195A1 (en) Gate-type dc voltage stabilizer
CN212572418U (en) Full-bridge inverter circuit
SU888330A1 (en) Control pulse shaper
SU1557558A1 (en) Pulse voltage stabilizer with overvoltage protection
SU520631A1 (en) Device for forcing the active inductive load
CN211530744U (en) Adopt NMOS pipe's anti-reverse connection circuit of positive and negative polarity of power
SU1564601A1 (en) Pulsing dc voltage regulator
SU1372561A1 (en) Transistorized converter
EP0905873A2 (en) Controlled diode or body diode recovery circuit
SU1617423A1 (en) Overcurrent-protected continuous pulsed voltage stabilizer
SU1488915A1 (en) Device for overvoltage protection of m-phase inverter
SU989711A1 (en) Transistorized inverter
SU1647798A1 (en) Device for turning on thyristor
SU1529368A1 (en) Single-end voltage converter
SU1056387A1 (en) Controlled switch
SU1198600A1 (en) Electromagnetic contact device with latch
SU1026263A1 (en) Push-pull inverter
SU1714765A1 (en) Device for triac switching on