[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

SU1388877A1 - Устройство дл адресации блоков пам ти - Google Patents

Устройство дл адресации блоков пам ти Download PDF

Info

Publication number
SU1388877A1
SU1388877A1 SU864119339A SU4119339A SU1388877A1 SU 1388877 A1 SU1388877 A1 SU 1388877A1 SU 864119339 A SU864119339 A SU 864119339A SU 4119339 A SU4119339 A SU 4119339A SU 1388877 A1 SU1388877 A1 SU 1388877A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
matrix
output
group
column
address
Prior art date
Application number
SU864119339A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Григорьевич Пархоменко
Владимир Юрьевич Лозбенев
Александр Петрович Купровский
Original Assignee
Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова filed Critical Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова
Priority to SU864119339A priority Critical patent/SU1388877A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1388877A1 publication Critical patent/SU1388877A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

со
00
оо 00 -а
Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано дл  адресации блоков пам ти в системе пам ти.
Целью изобретени   вл етс  упрощение устройства и повышение надеж ности его работы, за счет исключени  тактируемых элементов.
На фиг.1 представлена функциональна  схема устройства дл  случа  четырех блоков пам ти; на фиг.2 и 3 - примеры реализации первого и второго элементов комм тации.
Устройство дл  адресации блоков пам ти содержит переключатели 1-4., регистр 5 адреса, дешифратор 6 адреса , элементы ИЛИ 7-9, первый 10 и второй 11 элементы коммутации и имеет вход 12 адреса и вькоды 13-16 устройства.
Устройство работает следующим образом .
Элемент 10 коммутации (фиг.2) реализует логические функции , L Н, где G, Н, К, L - сигналы на первом, втором входах и первом, втором выходах соответственно. Элемент 11 коммутации (фиг.З) реализует ло- функции D ABC, Е ВС, F ВС, где А, С, Б.,, D, F - сигналы на первом, втором, третьем входах и первом, втором, третьем выходах соответственно .
Сразу же после подачи питани  начинаетс  сеанс распределени  пам ти в матрице элементов 10 и 11 коммутации в соответствии с сигналами переключателей 1-4. Сигнал высокого уровн  (ВУ) на выходе переключателей 1-4 соответствует состо нию Блок включен , сигнал низкого уровн  (НУ) - Блок выключен.
Предпотгожим, что на выходе переключател  1 присутствует сигнал НУ (первый блок пам ти выключен). Тогда в соответствии с функцией К GH элемента 10, расположенного в первой строке первого столбца, это делает невозможной коммутацию первого блока пам ти, а в соответствии с функцией L Н на втором выходе элемента 10 устанавливаетс  сигнал ВУ, который поступает на второй вход элемента 11 коммутации второй строки первого столбца. Предположи :-, что на выходе переключател  2 установлен сигнал ВУ (второй блок пам ти включен). Тогда
0
5
0
5
0
5
5
на выходе второго элемента И (в этом элементе коммутации) устанавливаетс  сигнал ВУ, который поступил на второй вход четвертого элемента И, подготавлива  его к включению. Одновременно с этим в соответствии с функцией F ВС на третьем выходе элемента 11 коммутации устанавливаетс  сигнал НУ, который делает невозможным возбуждение второго блока любым выходом дешифратора 6, кроме первого. В соответствии с функцией F ВС на втором выходе элемента 11 коммутации устанавливаетс  сигнал НУ, который делает невозможным возбуждение первым выходом депшфратора 6 любого блока, кроме второго.
г
Предположим, что на выходе переключател  3 установлен сигнал НУ. Это делает невозможным включение ни одного элемента коммутации в третьей строке. Если на выходе переключател  4 установлен сигнал ВУ, то это вызывает включение элемента коммутации четвертой строки второго столбца аналогично описанному. Процесс переключени  элементов коммутации протекает асинхронно, причем коммутаци  через включившиес  элементы коммутации выходов дешифратора 6 и выходов элементов 7-9 ИЛИ, подключенных к адресным схемам блоков пам ти, происходит сверху вниз и слева направо.
Таким образом, если на выходе какого-либо переключател  установлен НУ, то в этой строке матрицы на первых выходах всех элементов коммутации устанавливаютс  сигналы НУ и, следовательно, сигнал .НУ на выходе соответствующего элемента ИЖ, что делает невозможным возбуждение отключенного блока пам ти при любом адресе обращени . Если на выходе какого-либо переключател  установлен сигнал ВУ, то это вызывает включение в этой строке того элемента коммутации , который расположен в ближайшем к началу матрицы столбце, не содержащем включиввшхс  ранее элементов коммутации. В каждой строке и каждом столбце матрицы может быть включено не более одного элемента коммутации. После времени, необходимого на распространение сигналов по цеп м матрицы элементов 10 и 11, считаетс , что распределение пам ти в соответствии с положени ми переключателей
1-4 произошло и блоки пам ти доступны дл  обращени . Адрес обращени  с входа .12 поступает в регистр 5 и передаетс  на дешифратор 6. С j-ro выхода дешифратора 6 сигнал ВУ (в соответствии с адресом обращени ) поступает на первые входы всех элементов коммутации j-ro с голбца. При этом на первом выходе включившегос  элемента коммутации 1-й строки (т.е. того элемента, у которого во врем  сеанса распределени  пам ти на втором входе четвертого элемента И ус- тановилс  сигнал ВУ) устанавливает- с  сигнал ВУ, который поступает на один из входов i-ro элемента ИЛИ. С выхода i-ro элемента ИЛИ сигнал поступает в адресную схему i-ro блока пам ти, вызыва  его возбуждение. Так, если в регистр 5 поступит первый адрес, то в соответствии с произошедшей коммутацией через элемент ИЛИ 7 будет возбужден второй блок пам ти , если в регистр 5 поступит вто- рой адрес, то через элемент ИЛИ 9 будет возбужден четвертый блок пам ти и- так далее независимо от очередности прихода адресов обращени . Если i-й блок пам ти будет отключен в процессе работы, то перераспределени пам ти произойдет автоматически путем переключени  элементов 10 -и 11 матрицы.
Таким образом, адресу обращени  j всегда соответствует j-й блок пам ти из числа неотключенных и незан тых блоков пам ти.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Устройство дл  адресации блоков пам ти, содержащее группу переключателей , регистр адреса, дешифратор
    Q 5 0 5 О
    5
    0
    5
    адреса, группу элементов ИЛИ, причем информационный вход регистра адреса  вл етс  адресным входом устройства , выход регистра адреса соединен с входом дешифратора адреса, выходы элементов ИЛИ группы  вл ютс  выходами устройства, о т л и ч а ю- in; е е с   тем, что, с целью упрощени  устройства, в него введены две - группы элементов коммутации, образующие треугольную матрицу размерности п-п, причем элементы коммутации первой руппы расположены по главной диагонали матрицы, а элементы коммутации второй группы расположены под главной диагональю матрицы и образуют треугольную подматрицу элементов коммутации второй группы, i-й выход дешифратора адреса соединен с первыми входами элементов коммутации первой и второй групп i-ro столбца треугольной матрицы (i 1,...,п), выход j-ro переключател  группы соединен с вторым входом j-ro элемента коммутации (j 1,...,п) первого столбца треугольной матрицы, первый выход элемента коммутации первой группы первого столбца матрицы  вл етс  первым выходом устройства, первые выходы элементов коммутации первой и второй групп каждой строки матрицы, кроме первой, соединены с входами соответствующих элементов IiЛИ группы, второй -выход каждого элемента коммутации i-ro столбца k-й строки матрицы (k 1,...,п-1) соединен с третьим входом элемента коммутации i-ro столбца (и+1)-й строки матрицы, третий выход каждого из элементов коммутации второй группы i-ro столбца j-й строки матрицы соединен с вторым входом элемента коммутации (i + 1)-го столбца j-й строки матрицы .
    /
    L
    cfitjs.Z
    .-О
    С
SU864119339A 1986-09-16 1986-09-16 Устройство дл адресации блоков пам ти SU1388877A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864119339A SU1388877A1 (ru) 1986-09-16 1986-09-16 Устройство дл адресации блоков пам ти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU864119339A SU1388877A1 (ru) 1986-09-16 1986-09-16 Устройство дл адресации блоков пам ти

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1388877A1 true SU1388877A1 (ru) 1988-04-15

Family

ID=21257265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU864119339A SU1388877A1 (ru) 1986-09-16 1986-09-16 Устройство дл адресации блоков пам ти

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1388877A1 (ru)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7681057B2 (en) 2001-09-28 2010-03-16 Lexar Media, Inc. Power management of non-volatile memory systems
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7734862B2 (en) 2000-07-21 2010-06-08 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7743290B2 (en) 2004-08-27 2010-06-22 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7774576B2 (en) 1995-07-31 2010-08-10 Lexar Media, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US7865659B2 (en) 2004-04-30 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Removable storage device
US7908426B2 (en) 1995-07-31 2011-03-15 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US7917709B2 (en) 2001-09-28 2011-03-29 Lexar Media, Inc. Memory system for data storage and retrieval
US7944762B2 (en) 2001-09-28 2011-05-17 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory control
US7949822B2 (en) 2004-08-27 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Storage capacity status
US8078797B2 (en) 1995-07-31 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US8166488B2 (en) 2002-02-22 2012-04-24 Micron Technology, Inc. Methods of directly accessing a mass storage data device
US8171203B2 (en) 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US8386695B2 (en) 2001-09-28 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for writing data to non-volatile memory

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 999058, кл. G 06 F 13/06, 1983. Авторское свидетельство СССР № 102Д926, кл. G .06 F 13/00, 1983. Авторское свидетельство СССР № 1198565, кл. Г- 11 С 8/00, 1985. *

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8078797B2 (en) 1995-07-31 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US9026721B2 (en) 1995-07-31 2015-05-05 Micron Technology, Inc. Managing defective areas of memory
US8793430B2 (en) 1995-07-31 2014-07-29 Micron Technology, Inc. Electronic system having memory with a physical block having a sector storing data and indicating a move status of another sector of the physical block
US7774576B2 (en) 1995-07-31 2010-08-10 Lexar Media, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US8554985B2 (en) 1995-07-31 2013-10-08 Micron Technology, Inc. Memory block identified by group of logical block addresses, storage device with movable sectors, and methods
US7908426B2 (en) 1995-07-31 2011-03-15 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US8397019B2 (en) 1995-07-31 2013-03-12 Micron Technology, Inc. Memory for accessing multiple sectors of information substantially concurrently
US8171203B2 (en) 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US8032694B2 (en) 1995-07-31 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US7734862B2 (en) 2000-07-21 2010-06-08 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US8250294B2 (en) 2000-07-21 2012-08-21 Micron Technology, Inc. Block management for mass storage
US8019932B2 (en) 2000-07-21 2011-09-13 Micron Technology, Inc. Block management for mass storage
US7944762B2 (en) 2001-09-28 2011-05-17 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory control
US7917709B2 (en) 2001-09-28 2011-03-29 Lexar Media, Inc. Memory system for data storage and retrieval
US8135925B2 (en) 2001-09-28 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods of operating a memory system
US9489301B2 (en) 2001-09-28 2016-11-08 Micron Technology, Inc. Memory systems
US9032134B2 (en) 2001-09-28 2015-05-12 Micron Technology, Inc. Methods of operating a memory system that include outputting a data pattern from a sector allocation table to a host if a logical sector is indicated as being erased
US8694722B2 (en) 2001-09-28 2014-04-08 Micron Technology, Inc. Memory systems
US8208322B2 (en) 2001-09-28 2012-06-26 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory control
US7681057B2 (en) 2001-09-28 2010-03-16 Lexar Media, Inc. Power management of non-volatile memory systems
US8386695B2 (en) 2001-09-28 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for writing data to non-volatile memory
US9213606B2 (en) 2002-02-22 2015-12-15 Micron Technology, Inc. Image rescue
US8166488B2 (en) 2002-02-22 2012-04-24 Micron Technology, Inc. Methods of directly accessing a mass storage data device
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US8090886B2 (en) 2004-04-20 2012-01-03 Micron Technology, Inc. Direct secondary device interface by a host
US8316165B2 (en) 2004-04-20 2012-11-20 Micron Technology, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7865659B2 (en) 2004-04-30 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Removable storage device
US8612671B2 (en) 2004-04-30 2013-12-17 Micron Technology, Inc. Removable devices
US8151041B2 (en) 2004-04-30 2012-04-03 Micron Technology, Inc. Removable storage device
US9576154B2 (en) 2004-04-30 2017-02-21 Micron Technology, Inc. Methods of operating storage systems including using a key to determine whether a password can be changed
US10049207B2 (en) 2004-04-30 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Methods of operating storage systems including encrypting a key salt
US7743290B2 (en) 2004-08-27 2010-06-22 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7949822B2 (en) 2004-08-27 2011-05-24 Micron Technology, Inc. Storage capacity status
US8296545B2 (en) 2004-08-27 2012-10-23 Micron Technology, Inc. Storage capacity status

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU1388877A1 (ru) Устройство дл адресации блоков пам ти
US3803554A (en) Apparatus for addressing an electronic data storage
US4415973A (en) Array processor with stand-by for replacing failed section
KR940015956A (ko) 액정 장치 구동 회로
GB1409910A (en) Semiconductor data stores
JPH0525440B2 (ru)
KR960704264A (ko) 영역 및 범용 신호 루팅을 갖는 프로그램가능 논리 디바이스(programmable logic device with regional and universal signal routing)
JPS5840773B2 (ja) 並列アクセス記憶装置
CA2478573A1 (en) An apparatus for controlling access in a data processor
EP0315157A3 (en) Semiconductor memory system
RU2390859C2 (ru) Способы и устройство для считывания матрицы памяти полного сканирования
GB2091008A (en) A semiconductor memory
KR880000968A (ko) 반도체 기억장치
SU1573458A2 (ru) Устройство дл адресации
EP0319292B1 (en) Display device
KR100253687B1 (ko) 반도체 메모리
US5434823A (en) Output signal driver
US3750116A (en) Half good chip with low power dissipation
KR970000880B1 (ko) 반도체 메모리 장치
CA1169963A (en) Semiconductor memory decoder with nonselected row line hold down
EP0141464A2 (en) Digital code detector circuits
US5121355A (en) Integrated semiconductor memory and signal processor
US4740953A (en) Time division speech path switch
US4618946A (en) Dual page memory system having storage elements which are selectively swapped between the pages
SU1487051A1 (ru) Устройство для адресации бло.· ков памяти