SU115380A1 - The method of obtaining by sublimation in vacuum of high-resistance thin-layer resistances - Google Patents
The method of obtaining by sublimation in vacuum of high-resistance thin-layer resistancesInfo
- Publication number
- SU115380A1 SU115380A1 SU589411A SU589411A SU115380A1 SU 115380 A1 SU115380 A1 SU 115380A1 SU 589411 A SU589411 A SU 589411A SU 589411 A SU589411 A SU 589411A SU 115380 A1 SU115380 A1 SU 115380A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- obtaining
- sublimation
- vacuum
- metal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
Один из известных способов получени ВЫСОКООМНЫХ тонкослойных сопротивлений заключаетс в нанесении токопровод щего сло на достаточно развитую шероховатую поверхность , которую обычно нолучают путем травлени поверхности керамического основани .One of the known methods for producing HIGHLY IMPORTANT thin layer resistances is to apply a conductive layer on a sufficiently developed rough surface, which is usually obtained by etching the surface of a ceramic base.
Известно также образование шероховатой поверхности пленки и последующего ее прокаливани , обеспечивающего получение окисленного металлического сло с высокоразвитой поверхностью.It is also known to form a rough surface of the film and its subsequent calcination, providing an oxidized metal layer with a highly developed surface.
Особенность предлагаемого способа получени ВЫСОКООМНЫХ тонкослойных сопротивлений заключаетс в совмещении операций образовани указанного окисленного металлического сло и нанесени токопровод щей пленки, что упрощает технологию изготовлени и повыщает качество издели .The peculiarity of the proposed method of obtaining HIGH-IMPORTANT thin-layer resistances consists in combining the formation of the said oxidized metal layer and the deposition of a conductive film, which simplifies the manufacturing technology and improves the quality of the product.
Дл осуществлени предлагаемого способа в качестве материала сопротивлени используют жаростойкий металл или сплав, допускающий прокаливание при температуре 700-800° (например платину или ее сплавы, нихром и р д других снлавов ) с добавкой значительно более легко испар ющегос металла (например алюмини , цинка, кадми ).For the implementation of the proposed method, a heat-resistant metal or alloy capable of being calcined at a temperature of 700-800 ° (for example, platinum or its alloys, nichrome and a number of other metals) with the addition of a much more volatile metal (for example, aluminum cadmium).
Совмещенный метод получени развитого рельефа поверхности основани (предварительным испарением легко испар ющегос металла и окислением его конденсированной пленки) и нанесени испарением провод щего высокоомного сло может быть выполнен двум формально различными приемами: испарением механической смеси порощков , например алюмини и высокоомного металла или сплава, провод щую пленку которых желают получить, или испарением порощка предварительно приготовлен ного сплава алюмини и того ж высокоомного металла или сплава, провод щую пленку которого хот т получнть.The combined method of obtaining a developed relief of the base surface (by preliminary evaporation of an easily evaporating metal and oxidation of its condensed film) and deposition of a conductive high-resistance layer by evaporation can be performed by two formally different methods: the film of which they want to get, or by evaporation the powder of a previously prepared aluminum alloy and that high-resistance metal or alloy, Whole film you want to get.
Как в том, так и в другом спуча х , общее испарение ведут комбинированным способом. Сначала жаростойкий металл с дсбгвкой более легко испар ющегос мег лла нагревают до температуры, обеспечивающей возгонку только легко испар ющейс добавки, а затем-доAs in that, and in another case, general evaporation is carried out in a combined way. At first, a heat-resistant metal with a ssgvvka of more easily volatile megl is heated to a temperature that only sublimates an easily evaporated additive, and then to
более высокой температуры, при которой происходит испарение оставшейс части сплава. Затем, напйсепный на основание комбинированный слой прокаливают при температуре около 100°, при которйй металл промежуточного сло (например алюминий) окисл етс , а сопротивление провод идего сло повышаетс .higher temperature at which evaporation of the remaining part of the alloy occurs. Then, the combined layer run flat onto the base is calcined at a temperature of about 100 °, at which the metal of the intermediate layer (for example aluminum) is oxidized, and the resistance of the wire going to the layer rises.
Дл комбинированного испарени рассматриваемых смесей пригодны далеко не все возможные пропорции между алюминием и высокоомныл металлом или сплавом. Избыточное количество легкоплавкого металла (алюмини , цинка или др.) приводит к столь мощному развитию рельефа поверхности, что на наход пцемс над ним провод щел слое могут образовыватьс треихины и разрывы. Электрическое сопротизление приобретает большое отрицательное значение, электрическа прочность пленки уменьшаетс (под электрической нагрузкой возникают большие необратимые изменени величины сопротивлени ). Хорошие результаты, с надежной воспроизводимостью электрических характеристик сло , могут быть получены при количестве алюмии в испар емом сплаве (или механической смеси ) не более 20% в том случае когдаFor the combined evaporation of the mixtures under consideration, far from all possible proportions between aluminum and high metal or alloy are suitable. Excessive amount of low-melting metal (aluminum, zinc, or others) leads to such a powerful development of the surface relief that, on the ground wire located above it, gaps and ruptures can form. The electrical resistance becomes very negative and the electrical strength of the film decreases (large irreversible changes in the resistance value occur under electrical load). Good results, with reliable reproducibility of the electrical characteristics of the layer, can be obtained when the amount of aluminum in the evaporated alloy (or mechanical mixture) is not more than 20% in the case when
удельный вес остальной части (высокоомного металла или сплава) составл ет приблизительно 5 г/см. Дл всех других возможных вариантов это соотношение должно быть подобрано опытным путем, в зависимости от удельного веса того или иного высокоомного металла или сплава.the weight of the remainder (high-resistance metal or alloy) is approximately 5 g / cm. For all other possible options, this ratio should be chosen experimentally, depending on the specific gravity of a high-resistance metal or alloy.
Предмет изобретени Subject invention
Способ получени возгонкой в вакууме тонкостенных сопротивлений, содержаших промежуточную дюжду токопровод ш;им слоем и изолируюшим основанием окисленную металлическую пленку с высокоразвитой поверхностью, отличающийс тем, что, с целью упрошени тех Юлогии и повышени качества изделий , жаростойкий металл или сплав с добавкой значительно более легко испар ющегос металла (например алюмини , цинка, кадми ) нагревают сперва до температуры, обеспечивающей возгонку только легкоиспар юшийс добавки, а затем - до более высокой температуры, после чего нанесеный на основание комбинированный слой прокаливают при повышенной температуре дл окислени металла промежуточной пленки .The method of sublimation of thin-walled resistances in vacuum, containing an intermediate wire conductor w; by their layer and insulating base, an oxidized metal film with a highly developed surface, which is much easier The evaporating metal (for example, aluminum, zinc, cadmium) is first heated to a temperature that only sub-additive can sublimate, and then to a higher temperature. urs and then applied onto the base layer composite is calcined at elevated temperature to oxidation of the intermediate metal film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU589411A SU115380A1 (en) | 1958-01-10 | 1958-01-10 | The method of obtaining by sublimation in vacuum of high-resistance thin-layer resistances |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU589411A SU115380A1 (en) | 1958-01-10 | 1958-01-10 | The method of obtaining by sublimation in vacuum of high-resistance thin-layer resistances |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU115380A1 true SU115380A1 (en) | 1958-11-30 |
Family
ID=48387678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU589411A SU115380A1 (en) | 1958-01-10 | 1958-01-10 | The method of obtaining by sublimation in vacuum of high-resistance thin-layer resistances |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU115380A1 (en) |
-
1958
- 1958-01-10 SU SU589411A patent/SU115380A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3037180A (en) | N-type semiconductors | |
JPS604557B2 (en) | Barium titanate-based positive characteristic porcelain heating element with numerous through holes | |
US2537671A (en) | Variable resistance device | |
JPS5932071B2 (en) | shot barrier diode | |
CA1103013A (en) | Silver compositions | |
SU115380A1 (en) | The method of obtaining by sublimation in vacuum of high-resistance thin-layer resistances | |
US2866878A (en) | Photoconducting devices | |
JPS5836482B2 (en) | resistance material | |
GB450393A (en) | Improvements in electrode systems with unsymmetrical conductivity | |
US3359466A (en) | Method of improving the electrical characteristics of thin film metalinsulator-metalstructures | |
US3360688A (en) | Thin film resistor composed of chromium and vanadium | |
US3356982A (en) | Metal film resistor for low range and linear temperature coefficient | |
SU103174A1 (en) | Electrical non-wired resistance | |
US2446467A (en) | Dry plate rectifier | |
US3468659A (en) | Semiconductor contact alloy | |
SU546021A1 (en) | Material for making thin film resistors | |
US2329038A (en) | Resistor | |
US3545967A (en) | Metal-semiconductor alloys for thin-film resistors | |
US3691433A (en) | Alloyed metal oxide capacitor | |
GB1043430A (en) | Radiation sensitive device | |
US2644915A (en) | Selenium rectifier and method of its production | |
US1950750A (en) | Resistance device | |
US3387999A (en) | Capacitor having dysprosium oxide dielectric | |
US2958936A (en) | Electrical semi-conductors and method of manufacture | |
US2881371A (en) | Power transmission |