SE506303C2 - Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningar - Google Patents
Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningarInfo
- Publication number
- SE506303C2 SE506303C2 SE9502138A SE9502138A SE506303C2 SE 506303 C2 SE506303 C2 SE 506303C2 SE 9502138 A SE9502138 A SE 9502138A SE 9502138 A SE9502138 A SE 9502138A SE 506303 C2 SE506303 C2 SE 506303C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- tunable
- microwave circuit
- dielectric
- circuit according
- superconducting
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 11
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000006463 Talin Human genes 0.000 description 1
- 108010083809 Talin Proteins 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
- H01P1/217—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a tuning element in resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/184—Strip line phase-shifters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/866—Wave transmission line, network, waveguide, or microwave storage device
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
506 303 10 15 20 25 30 35 2 ferroelektriska filmen. Dessutom är hanteringsförmàgan för mikrovågseffekt dålig bl a beroende pà den låga kvaliteten på den ferroelektriska filmen och det starkt ickelinjära uppträdandet (övertonsgenerering) för tunna HTS-strips.
Vidare har spegel(image)vågledare bestående av ett dielektrikum anordnat ovanpå ett metalliskt jordplan använts för millimeter och submillimeter-vàglängdsintegrerade kretsar, se t ex P. Bhartia och I.J. Bahl i "Millimeter Wave Engineering and Applications", J.
Wiley, 1984 och för anordningar i det optiska spektrat, jfr M.J.
Adams, "An Introduction to Optical Waveguides", J. Wiley, 1981.
Emellertid har mikrovàgskrets- (MIC) teknologi begränsats vid frekvenser under 3 implementeringen av denna integrerade GHz begränsats genom att dielektrika med en lág dielektricitetskonstant och låga förluster, tanö>10“, vilket leder till stora dimensioner på den dielektriska MIC:en.
Generellt har dielektriska material som används i mikrovågsteknologi haft en dielektrisk konstant pà 0-100, vilket bara skulle resultera i gigantiska anordningar vid frekvenser på omkring 1-2 GHz. I "High Temperature Superconducting Microwave av Z-Y Shen, På TMom resonatorn är anordnad mellan tunna högtemperatursupraledande 1994 visas dielektriska dielektriska Devices", Artech House, resonatorer baserade delta-moder. Den filmer som är deponerade på separata substrat anordnade mellan den tunna filmen och dielektrium. Även om ytresistansen och de associerade mikrovågsförlusterna för högtemperatur- supraledarmaterialen är extremt låga vid l-2 GHz, typiskt 10* Ohm, är det en brist med dessa anordningar att de inte har de önskvärda egenskaperna genom att dimensionerna pá de supraledande filmerna och det dielektriska substratet vid dessa frekvenser (t ex l-2 GHz) är stora och anordningarna är dyra att framställa. Dessutom kan de endast avstämmas mekaniskt och därför blir anordningarna klumpiga och ger upphov till komplexa problem i anslutning till vibrationer eller mikrofonier. 10 15 20 25 '30 35 506 303 REnoGöRsLsE FÖR UPPFINNINGEN Därför behövs avstämbara mikrovågsanordningar vilka monolitiskt integrerade mikrovågskretsar lätt och billigt kan framställas och genom vilka storleken ytterligare kan reduceras.
Speciellt behövs fullständigt integrerade anordningar såsom kretsar exempelvis för kompakta anordningar. Speciellt behövs monolitiskt integrerade mikrovågskretsar vilka kan framställas i en enda framställningskedja med standardteknologi för integrerade kretsar och som har exakta storlekar och dimensioner. Dessutom behövs integrerade mikrovågskretsar som har en hög prestanda. Speciellt behövs anordningar som inte kräver komplicerade sammansättninge- förfaranden alls. Dessutom behövs integrerade mikrovågskretsar som har en hög elektrisk prestanda. Speciellt behövs monolitiskt integrerade mikrovágskretsar för användning inom frekvensbandet på ungefärligen l-2 GHz. I den samtidigt inlämnade patentansökan “Avstämbara mikrovågsanordningar" av samma sökanden och inlämnad pà samma dag och som är inkorporerad häri, beskrivs avstämbara genom mikrovágsanordningar .
Därför anges en monolitiskt integrerad mikrovågskrets vilken består av ett dielektriskt material och en supraledande anordning. vilken är så anordnad i förhållande till det dielektriska materialet att åtminstone ett gränssnitt bildas mellan det supraledande materialet och det dielektriska materialet som är ett làgförlust icke-linjärt bulkmaterial och där dielektrikat och/eller det supraledande dielektrisk Frekvensavstämningen erhålles genom styrning av utbredningen av materialet har en variabel konstant . ytplasmavågor hos mikrovàgssignalerna längs gränssnittet eller gränssnitten. Den supraledande anordningen omfattar speciellt ett högtemperatursupraledande material YBCO; exempelvis YBa,Cu3O,, TlßazcaCuzo, Ba(Bi,Pb)O,. Ytterligare exempel på HTS material z-Y Shen i "High Temperature Superconducting Microwave Devices" . Det dielektriska materialet kan exempelvis vara SrTi03 som har liknande egenskaper. I en artikel av Krupka et al, IEEE Microwave Theory Techn., 1994, Vol 42, No 10, sid. 1886 hävdades att dielektriska såsom exempelvis anges av eller något annat 506 303 10 15 20 25 30 35 4 material med icke-linjära egenskaper, såsom exempelvis SrTi03, har en extremt hög dielektrisk konstant, E=3000-25000, vid temperaturen (77°K) för flytande kväve och därunder. Ytterligare exempel är exempelvis fasta lösningar av strontium- och bariumtitanater.
Speciellt omfattar anordningen en vågledaranordning.
Generellt kan sägas att den starkt negativa dielektriska konstanten för det högtemperatursupraledande materialet är en förutsättning för existensen av ytplasmavågor. Det faktum att högtemperatur- supraledande material har en kraftigt negativ dielektrisk konstant uppmärksammades först i en publikation av K.K. Mei och G. Liang i "Electromagnetics of superconductors" IEEE Trans. Microwave Theory Techn. 1991 Vol 39, No 9. Avstämningsmedel tillhandahålles för styrning av utbredningen av ytplasmavågorna eller ytplasmonerna.
I ett speciellt utföringsexempel omfattar den eller de integrerade mikrovågskretsen/-kretsarna en dielektrisk rygg(“ridge")vågledare och speciellt kan en supraledande film vara anordnad på den sida av biten av dielektriskt material som är motsatt den sida på vilken en rygg är bildad och således bilda en spegelryggvågledare. Den supraledande filmen, speciellt den högtemperatursupraledande filmen, i vågledaren kan agera som en kanal för elektromagnetiska vågor som har en frekvens på omkring l-2 GHz. Givetvis kan den vara lämplig för Generellt kan band("strip")vågledare användas såsom upphöjd "strip"vàgledare och "strip"belastad vågledare. andra frekvenser. också andra I ett speciellt fördelaktigt utföringsexempel av uppfinningen är dimensionerna på vågledaren sådana att den endast understöder utbredning av den fundamentala transversella magnetiska moden TM, för den elektromagnetiska vågen medan alla transversella elektriska moder TE förhindras från att utbreda sig. Genom att ytplasmavågorna, dvs de understödda moderna, som propagerar längs styra gränssnittet eller gränssnitten, kan fashastigheten för vågorna avstämmas.
I ett annat utföringsexempel av uppfinningen är en första 10 15 20 25 :so 35 5016 5 supraledande film anordnad på en sida av det dielektriska materialet vilket är försett med en rygg eller en ribba och bildar en planvågledare och en andra supraledande film är anordnad på den dielektriska ryggen och bildar således en parallellplansvàgledare.
Dimensionerna.pà parallellplansvágledaren är så valda att de endast understöder utbredningen av två fundamentala moder hos ytplasmavágorna, nämligen ïwg, TM1 längs gränssnitten mellan det dielektriska materialet och respektive supraledande film.
Ett annat utföringsexempel av uppfinningen avser en.paralle1lplans- resonator med ingàngs- och utgångskopplingar. Parallellplans- resonatorn kan vara rektangulär eller cirkulär men den kan också anta någon annan form. Sådana resonatorer beskrives också i den samtidigt inlämnade patentansökan som är inlämnad samma dag och av samma betecknad "Avstämbara mikrovàgsanordningar".
Ingàngs- och utgàngskopplingarna kan vardera bildas av en “image sökanden ridge"vágledare eller av en parallell vàgledare. Gap är anordnade mellan ingángs-/utgångs“image ridge"vàgledarna (eller parallell- plansvågledarna) och parallellplansresonatorn för styrning av kopplingen mellan dem. Parallellplansresonatorn kan vara en dubbelmodsresonator (multimodsresonator) och medel kan» vara anordnade för att åstadkomma koppling mellan degenererade moder hos mikrovàgor inuti resonatorn. Dessa kopplingsmedel kan_ vara anordnade på olika sätt såsom också beskrivet i den samtidigt inlämnade patentansökan som hänvisats till ovan. Ett exemepl pá kopplingsmedel kan vara en utskjutande del av den supraledande filmen som är anordnad pà en sida av den dielektriska resonatorn men det kan också bestå av en urtagning eller en utskuren portion, en inskärning eller liknande i den supraledande filmen som är anordnad på det dielektriska materialet i parallellplansresongâtorn. Även de anordningar som hänvisats till ovan kan vara försedda med en icke-supraledande metallfilm anordnad på den supraledande filmen, dvs på de yttre sidorna av den supraledande filmen: inte _mellan de supraledande filmerna och det dielektriska materialet. 303 ~5Û6 503 10 15 20 25 30 35 6 Avstämningen kan åstadkommas på olika sätt, exempelvis via optisk avstämning såsom bestrålning med ljus eller den kan vara temperaturstyrd i vilket fall medel är anordnade för att ändra temperaturen vid gränssnitten osv. Parallellplansresonatorn kan också avstämmas elektriskt biaseringsspänning till de supraledande filmerna för att förändra genom applicering av en DC- dielektricitetskonstanten hos det dielektriska materialet.
Generellt, när optiska medel används är det förändringen i den negativa dielektricitetskonstanten hos det supraledande materialet som möjliggör avstämningen av ytplasmamoderna medan när medel för att förändra förändringen i dielektricitetskonstanten för det dielektriska temperaturen vid gränssnittet används är det materialet eller förändringen i dielektricitetskonstanten för det högtemperatursupraledande materialet som användes, men det kan också vara en kombination av båda i det senare fallet. När en DC biaseringsspänning lägges på, möjliggör förändringen i dielektricitetskonstant för det avstämningen av fashastigheten för ytplasmavågorna. Avstämnings- dielektriska materialet medlen (optiska/temperatur/DC-biasering) kan också användas i vilken kombination som helst så långt de är tillämpliga, dvs för endast optisk/temperaturavstämning "image ridge"våg1edare är möjlig.
Dessutom anges metoder för avstämning av fashastigheten för mikrovågor i en integrerad mikrovågskrets som omfattar åtminstone en supraledande film anordnad på ett icke-linjärt dielektriskt bulkmaterial där utbredningen av ytplasmavågor längs gränssnitten som bildas mellan det dielektriska materialet och den eller de supraledande filmen/filmerna styres.
KORTFATTAD FIGURBESKRIVNING Uppfinningen kommer i det följande att beskrivas ytterligare på ett icke-begränsande sätt under hänvisning till bifogade figurer i vilka: 10 15 20 25 _30 35 FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR FIGUR la lb 2a Zb 3a 506 303 7 illustrerar realdelen för den dielektriska konstantan för YBCO, illustrerar imaginärdelen för den dielektriska konstanten för YBCO, illustrerar den magnetiska fältdistributionenflii en spegelvàgledare som har ett normalt metalljordplan, illustrerar den magnetiska fältdistributionen för en 'spegelvàgledare som har en supraledare som jordplan, illustrerar den magnetiska fältdistributionen *i en parallellplansvágledare med ledande plan av en perfekt metall eller en normal metall, illustrerar den magnetiska fältdistributionen i en parallellplansvàgledare med supraledande plan, illustrerar en spegelryggvågledare, illustrerar en parallellplansvågledare, illustrerar en elektriskt styrbar parallellplans- vàgledare, illustrerar en integrerad dielektrisk krets-paral1ell- plansresonator med ingàngs/utgàngskopplingsryggvàglaare, dielektrisk krets parallellplans resonator med ingångs-/utgángsparallell- illustrerar en integrerad plansvàgledare, och illustrerar en avstämbar dubbelmodsparallellplans- r 880081201' . 506 303 10 15 20 25 30 35 8 DETALJERAD BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN Den dielektriska konstanten E för ett material kan delas upp i en realdel E' och en imaginärdel E". Figur la illustrerar variationen dielektriska konstanten för ett YBCO med frekvens. Figur lb illustrerar pà ett liknande sätt variationen för hos realdelen för den högtemperatursupraledande material. temperatur och imaginärdelen E" för ett högtemperatursupraledande material YBCO med temperatur och frekvens. Såsom kan ses ur figuren är den dielektriska konstanten för det högtemperatur-supraledande materialet negativ. De dielektriska materialen som användes i föreliggande uppfinning har å andra sidan en extremt hög positiv dielektricitetskonstant. Ytplasmavàgs- (ytplasmons-) utbredningen längs gränssnittet mellan det dielektriska materialet och ett supraledande material, speciellt ett högtemperatur-supraledande material, kan användas för avstämning. Ytplasmoner diskuteras exempelvis i M.J. Adams, "An Introduction to Optical Waveguides", John Wiley, 1981. Det faktum att dielektricitetskonstanten för högtemperatursupraledande material är negativ och har ett högt absolutvärde är viktigt eftersom om den inte vore negativ, skulle det inte finnas några ytplasmavågor. Figurerna 2a och 2b avser endast påvisa en jämförelse mellan den magnetiska fältfördelningen i en spegelvågledare om jordplanet är en normal metall respektive av en supraledare. Detta exempel ges av illustrativa skäl och användningen av ett icke-linjärt dielektrikum med hög dielektricitetskonstant såsom exempelvis SrTiO3 med en normal metall såsom Au, Ag, Cu för att bilda en spegelvågledare (eller en parallellplansvàgledare) för avstämbara dielektriska integrerade mikrovàgskretsar exempelvis för frekvensbandetzmellan cirka 1-2 GHz och temperaturen på 77 K (motsvarande exempelvis ett supraledande tillstånd för en högtemperatursupraledare) kan i praktiken endast finna en mycket begränsad användning. Detta är så eftersom förlusterna i de normala metallerna är mycket höga och dessutom är avstämningseffektiviteten mycket låg på grund av migrationen av laddningsbärare från metallen till det dielektriska materialet.
Detta diskuteras också i Dedyk A.I. Plotkina N.w., "The Dielectric Hysteresis of YBCO-SrTfl%-YBCO och Ter- Martirosyan L.T. 10 15 20 25 _30 35 506 303 9 structures at 4.2K", Ferroelectrics, 1993, Vol. 144 sidorna 77-81.
I fallet med högtemperatursupraledare med en arbetsfunktion som är högre än den för dielektrikat (t.ex. SrTi03), äger lingen laddningsbärarmigration rum över gränssnittet supraledare/ dielektrikum och avstämningseffektiviteten för dielektricitets- konstanten för det icke-linjära dielektrikat är hög. Dessutom är den extremt stora och negativa dielektricitetskonstanten för högtemperatursupraledaren en förutsättning för utbredningen av ytplasmavàgor längs dielektrikum/ supraledare. Ur figur 2a, 2b kan ses att i motsats till en enhetlig magnetfältsfördelning i den normala metallspegelledaren, figur 2a, är magnetfältsfördelningen i den supraledande spegelledaren med gränssnittet (gränssnitten) ytplasmavágor icke-enhetlig. Ur figur 2b kan ses att magnetfältet har ett maximum vid gränssnittet dielektrikat och avtar långsamt i dielektrikat. Således kan fältet sägas vara koncentrerat vid gränssnittet vilket implikerar att varje förändring i dielektricitetskonstant för det högtemparatur- en maximal Således är styrningen av fashastigheten för ytplasmavågorna mycket effektiv. skäl respektive 3b mellan den fältfördelningen mi en mellan supraledaren och supraledande materialet kommer att resultera i förändring i fashastighet för ytplasmavågorna.
Av liknande illustrerar figurerna 3a skillnaderna magnetiska parallellplansvàgledare när exempelvis ledande plan av' normal metall används och när supraledande plan användes. Skillnaden i förhållande till figurerna 2a och Zb kan pà ett förenklat sätt sägas vara att i figurerna 3a och 3b finns två gränssnitt istället för ett.
Figur 4 illustrerar ett första utföringsexempel av uppfinningen som omfattar en làgförlust, liten spegelrygg- (ribb) vágledare 10. Ett en-kristallint icke-linjärt bulkdielektrikum 1 är försett mad en rygg 2 på den övre sidan. Ryggen 2 kan exempelvis bildas medlhjälp av fotolitografi eller med vilken annan lämplig teknik som helst som är känd i sig. En första supraledande film 3 är anordnad på det dielektriska materialet 1 och bildar således ett supraledande jordplan. Spegelryggvágledaren 10 kan sägas agera som en kanal för 5Û6_ 303 10 15 20 25 30 10 elektromagnetiska vågor i ett frekvensband på ungefärligen 1-2 GHz.
Dimensionerna för spegelryggvågledaren 10 är valda på ett sådant sätt att alla vågor av TE-typ stoppas medan endast den fundamentala TM-moden understödjes. Denna TM-mod är en ytplasmavåg (ytplasmon) som propagerar längs gränssnittet mellan den supraledande filmen 3, speciellt en högtemperatursupraledande film såsom exempelvis YBCO och det dielektrikat 1, t ex SrTiO, Dimensionerna är så valda att tjockleken h för ryggvàgledaren är icke-linjära mindre än halva våglängden i dielektrikat Å, Generellt är A >\=° 9' V Sdiel där AO avser våglängden i fria rymden. För att ge ett förenklat exempel därpå, är dielektricitetskonstanten för SrTi03ungefärligen 2000 vid 77[°K].
Om frekvensen fo antas vara ungefärligen l GHz, är Å? ungefärligen 30 cm. Då kommer Å? att vara 30/J(2000), dvs ungefärligen 0,75 cm.
Tjockleken bör vara mindre än 0,75 cm/2, dvs 3,75 mm. I enlighet med ett fördelaktigt utföringsexempel är tjockleken omkring 0,5 mm för att endast bära TMÛ-moden.
Fashastigheten för vågorna kan avstämmas genom belysning av spegelryggvàgledaren 10 med ljus ifrån en optisk källa ll. De optiska medlen ll är så anordnade att gränssnittet dielektriskt material/supraledare bestràlas. Eftersom det dielektriska materialet är transparent, kan medlen vara anordnade väsentligen var som helst (här t ex ovanför) varifrån dielektrikat utsätts för förändras (ej Alternativt kan temperaturen bestrålningen. illustrerat i figuren). Temperaturförändringarna kan åstadkommas på vilket lämpligt sätt som helst som är känt i sig.
Avstämning av fashastigheten för ytplasmavågorna uppnås genom att 10 15 20 25 _30 35 506 393 ll förändra den negativa dielektriska konstanten för det supraledande optisk belysning och/eller förändring av gränssnittet supraledare/dielektrikum för spegelvàgledaren 10. Om speciellt en högtemperatursupraledare användes, vilken har en mycket hög arbetsfunktion i jämförelse med dielektrikat, kommer det inte att uppstå några problem med migration av laddningsbärare in i det dielektriska materialet.
Detta bidrar till att ge avstämningen en mycket hög prestanda. materialet via temperaturen vid I figur 5 illustreras en parallellplansvågledare 20. På ytan av det icke-linjära dielektriska bulkmaterialet är en rygg 2 anordnad. En första supraledande film 3 är anordnad som bildar ett första plan på ett dielektriskt material 1 och en andra supraledande film 4 är anordnad ovanför den dielektriska ryggen 2 och bildar ett andra plan för parallellplansvågledaren 20. Parallellplansvågledaren 20 understöder två fundamentala ytplasmavàgor Twg och TM; 'vilka utbreder sig längs gränssnitten mellan de dielektriska materialet 1,2 och respektive supraledande film 3,4. Avstämning kan«exempelvis åstadkommas via optisk belysning, och/eller genom att förändring av temperaturen för anordningen såsom beskrivits ovan avseende spegelryggvágledaren. Dessutom kan elektrisk avstämning användas genom vilken den dielektriska konstanten för det dielektriska materialet kan avstämmas och därigenom kan fashastigheten för plasmavágorna avstämmas. Detta kommer också att beskrivas ytterligare under hänvisning till figur 6. ändras eller Optisk avstämning producerar en förändring i den dielektriska konstanten för det supraledande materialet medan användning av temperaturen för avstämning producerar en förändring 1 den dielektriska konstanten för supraledaren och/eller dielektrikat.
Via elektrisk avstämning produceras en förändring im det dielektriska dielektriska konstant. -Dessa avstämningsmetoder kan användas separat eller i vilken kombination materialets som helst. 506 303 10 15 20 25 30 35 12 I figur 6 som illustrerar en parallellplansvågledare 20' som liknar parallellplansvågledaren 20 i figur 5 med den modifikationen att en första 5 och en andra 6 normal icke-supraledande film är anordnade på de supraledande filmerna 3, 4. De normalt ledande filmerna 5, 6 kan ha som ändamål att skydda de supraledande filmerna 3,4. Dessutom kan de tjäna som kontakter för DC-biasering vilket illustreras i denna figur. Två ledare 15, 16 är anordnade för att ansluta till exempelvis en spänningskälla för DC-biasering av vågledaren. Skyddsfilmerna 5,6 kan också bidra till att åstadkomma en hög kvalitetsfaktor (Q-faktor) temperaturen TC (den kritiska temperaturen innebär den temperatur också över den kritiska under vilken materialet är supraledande, men också för att åstadkomma ett långvarigt kemiskt skydd av den supraledande filmen.
I figur 7 illustreras en integrerad parallellplansresonator 30 med ingångs- och utgångsspegelvågledare. På ett dielektriskt substrat l på vilket en supraledande film 3 är anordnad, är ett dielektriskt material 2' i form av en cirkulär skiva anordnad på den sida av det dielektriska materialet 1 som är motsatt den supraledande filmen 3. Den dielektriska cirkulära skiva 2' är täckt av en andra supraledande film 4' av väsentligen samma form för att bilda en cirkulär parallellplansresonator. Givetvis skulle det också ha kunnat vara en rektangulär parallellplansresonator; vidare skulle den kunna ha vilken lämplig form som helst. De supraledande filmerna 3,4' är vardera täckta av en normal metall-, icke- supraledande film 5,6' för skydd och också tjänande som ohmska kontakter osv. såsom diskuterats ovan. Den cirkulära dielektriska skivan 4' bildar en dielektrisk mesastruktur som kan vara fotolitografiskt etsad från det dielektriska bulkmaterialet 1 men den skulle också kunna vara formad genom vilken annan lämplig teknik som helst som är känd i sig. Spegelvàgledare 8,9 som omfattar dielektriska ryggar 2", 2" bildar in- och utgàngsvågledare till parallellplansresonatorn 7. Kopplingsgap 11,12 är anordnade mellan ingångs- och utgångsspegelvågledarna och parallellplans- resonatorn 7 för att koppla mikrovågssignaler in i och ut ur parallellplatsresonatorn 7 . 10 15 20 25 _30 35 _som helst av 5-06 3 0 3 13 I anordningen 30' i figur 8 består ingångs-/utgàngsvágledare 8', 9' av ett dielektriskt material 2" på vilket en supraledande film 4" är anordnad således bildande ingångs-/utgångsparallellplans- vågledare och på vilka filmer exempelvis icke-supraledande skyddsfilmer 6” kan vara anordnade. Applicering av ett externt DC fält till ingångs-/utgångsparallellplansvågledarna (ej visat i figur 8) ger en hög flexibilitet vad det gäller kopplingsproblem och är således fördelaktigt. Ledare 15,16 är anordnade. såsom beskrivits ovan avseende utföringsexemplet som illustrerades i figur 6 för att möjliggöra elektrisk avstämning av anordningen, dvs för att applicera en DC-biaseringsspänning.
Givetvis kan alternativt denna anordning istället för att avstämmas elektriskt, avstämmas avstämmas. optiskt och/eller temperatur-$tyras/ I figur 9 illustreras en integrerad mikrovågskrets i form av ett avstämbart tvåpolsfilter 40. Referensbeteckningarna är desamma som i figur 7 (och 8), där skillnader är att medel 13 är anordnade för att möjliggöra koppling mellan degenererade moder . för parallellplansresonatorn 7. Kopplingsmedlen består av att en del är utskuren i den supraledande filmen 4". Motsvarande utskärning har också gjorts i skyddsfilmen 6". Emellertid kan koppling mellan degenererade moder också åstadkommas via en utskjutande del eller ett urtagning i den supraledande filmen i förhållande till det dielektriska materialet 2". Koppling kan också åstadkommas på många andra sätt. Kopplingen moder för tvåpolsfiltret, eller ett multimodsfilter, diskuteras också i den mellan degenererade samtidigt inlämnade patentansökan "Avstämbara mikrovågsanordnigar“ såsom hänvisats till ovan. Också. i detta utföringsexempel är elektrisk avstämning illustrerad men det är också i detta fall möjligt att istället för elektrisk avstämning tillämpa optisk avstämning och/eller temperaturavstämning eller vilken kombination tvåpols- passbandsfilter kan ett multipols-passbandsfilter åstadkommas på slag av avstämning. Förutom ett 506 303 10 15 20 14 liknande sätt. Uppfinningen är inte begränsad till de illustrerade integreradelnikrovågskretsarna; ett fåtal exempel har endast visats av illustrativa skäl. fyrpolsfilter~ osv. Genom användning av' enkristall-dielektriska Exempelvis avser ett annat alternativ bulkmaterial av hög kvalitet, såsom exempelvis SrTi03 med en hög dielektrisk konstant och mycket låga dielektriska förluster tillsammans med högtemperatursupraledande filmer är det möjligt att uppnå betydande reduktioner vad det gäller förluster såväl som betydande kretsarna. storleksreduktioner för de integrerade mikrovågs- Speciellt är det möjligt att integrerade dielektriska kretsar för frekvensbandet cirka 1-2 GHz. göra monolitiska Det är bl a en fördel med uppfinningen att en fullständigt integrerad anordning eller en monolitiskt integrerad mikrovågskrets kan erhållas som är mycket mer kompakt än hitintills kända anordningar är. Det är också fördelaktigt att ett antal identiska en enda produktionskedja med anordningar kan framställas i användning av standardteknologi för integrerade kretsar. Dessutom kan storlekarna och dimensionerna bestämmas på ett exakt sätt och förbättrad. Dessutom behövs inga prestanda är påtagligt arbetskrävande monteringsprocesser.
Claims (31)
1. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovågskrets omfattande ett dielektriskt (1,2;2',2") med en variabel dielektricitetskontant och en anordning (3:3,4;3,4',4”) så anordnad i förhållande till det dielektriska materialet att åtminstone ett gränssnitt bildas mellan det supraledande materialet och det dielektriska materialet, material supraledande k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att det dielektriska materialet (1,2;2',2") är ett lågförlust, icke-linjärt bulkmaterial och att fashastighetsavstämning för mikrovågor åstadkommes utbredningen av ytplasmavågor hos mikrovågorna längs gränssnittet(gränssnitten). genom styrning av
2. Avstämbar monolitisk mikrovàgskrets i enlighet med patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d att den supraledande anordningen (3;3,4;3,4',4") omfattar ett högtemperatursupraledande material med en negativ dielektricitetskonstant, t ex YBCO, vars dielektricitetskonstant är variabel. d ä r a v ,
3. Avståmbar mikrovågskrets i enlighet med patentkrav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , *W att den omfattar en vågledaranordning (10;20;20';30';40) och att den kan användas exempelvis för mikrovågor åtminstone inom ett frekvensområde på ungefärligen 1-2 GHz.
4. Avstämbar integrerad mikrovågskrets enligt något av'patentkraven 1-4, k ä n n e t e c k n a d att avstämningsmedel är anordnade för styrning av utbredningen av d ä r a v , ytplasmavågorna (ytplasmoner). 10 15 20 25 30 35 S06 303 16
5. Avstämbar monolitiskt mikrovàgskrets enligt patentkrav 1, integrerad k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att avstämning ástadkommes genom förändring av den negativa dielektricitetskonstanten för den anordningen via optiska (11) och/eller temperaturstyrande medel. högtemperatursupraledande
6. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovågskrets enligt patentkrav 4 eller 5, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att avstämning àstadkommes genom förändring av dielektricitetskonstanten hos det dielektriska materialet via temperaturstyrning och/eller elektriska medel.
7. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att den omfattar en dielektrisk ryggvàgledare (lO;8,9). mikrovágskrets enligt
8. Avstämbar monolitiskt patentkrav 7, integrerad k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att en supraledande film (3) är anordnad pà en sida av en bit av dielektriskt material (1) motsatt den sida på vilken en rygg (2) av dielektriskt material är anordnad och att den bildar en spegelryggvàgledare (10;8,9).
9. Avstämbar monolitiskt mikrovågskrets enligt patentkrav 7, integrerad k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att den supraledande filmen (3) är en högtemperatursupraledande film och att vågledaren agerar som en kanal för elektromagnetiska vågor som har en frekvens på ungefärligen 1-2 GHz. 10 15 20 25 30 35 5.66 303 17
10. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt patentkrav 8, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att dimensionerna på vågledaren (10) är sådana att endast den fundamentala (TMQ) hos den elektromagnetiska vågen understödjes. transversella magnetiska moden
11. ll. Avståmbar monolitiskt mikrovågskrets enligt patentkrav 10, k ä n n e-t e c k n a d d ä r a v , att alla transversella elektriska moder (TE) förhindras från att utbreda sig. integrerad
12. Avstämbar patentkrav 7, k ä n n e t e c k n a d _ att den supraledande anordningen omfattar en andra film (4) anordnad pá den sida av det dielektriska materialet (1) på vilken ryggen (2) är anordnad, förutom en första supraledande film (3). monolitiskt integrerad mikrovágskrets enligt d ä r a v ,
13. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt patentkrav 12, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att den består av en parallellplansvàgledare (20;20').
14. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt patentkrav 13, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att dimensionerna på parallellplansvágledaren (20;20') är sådana att endast utbredningen av tvà ytplasmavágor (TMO, TMI) längs gränssnitten understödjes.
15. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt något av patentkraven 1-6, k ä n n e t e o k n a d d ä r a v , 506 303 10 15 20 25 30 35 18 att den består av en parallellplansresonator (7) med ingångs- och utgángskopplingar (8,9;8',9').
16. Avstämbar monolitisk integrerad mirkovågskrets enligt patentkrav 15, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att ingángs- och utgångskopplingarna vardera består av en spegelryggvågledare (8,9).
17. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovågskrets enligt patentkrav 15, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att ingångs- och utgångskopplingarna vardera består av en parallellplansvågledare (8',9').
18. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovågskrets enligt något av patentkraven 15-17, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att ingångs-/utgångskopplingen styrs genom påläggandet av en spänning till, och/eller temperaturstyrande medel på ingångs-/utgångsvågledarna. och/eller användning av optiska
19. Avstämbar monolitiskt integrererad mikrovågskrets (40) enligt något av patentkraven 15-18, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att parallellplansresonatorn är en dubbelmodsresonator och att medel är anordnade för att åstadkomma koppling mellan degenererade mikrovågsmoder.
20. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovågskrets enligt patentkrav 19, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att kopplingsmedlen omfattar en utskjutande del av den supraledande filmen anordnad på en sida av resonatorns dielektrikum. 10 15 20 25 30 35 506 303 19 monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt
21. Avståmbar patentkrav 19, k ä n n e t e c k n a d att kopplingsmedlen består av en urtagning (13) i den supraledande anordnad på en sida av d ä r a v , filmen i parallellplansresonatorn parallellplansresonatorns dielektriska material.
22. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt något av patentkraven 15-21, > k ä n n e~t e c k n a d d ä r a v , att gap (l1,l2) är anordnade mellan ingångs-/utgångsvågledarna (8, 9; 8 ' , 9 ' ) och parallellplansresonatorn för styrning av kopplingen ingângs-/utgàngsvàgledare (8,9:8',9')v. och mellan vardera reSOflatOrn .
23. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att (en) icke-supraledande film(filmer) (6;6") är anordnad (e) pà den supraledande filmen(fi1merna).
24. Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt något av föregående patentkrav, d ä r a v , att en optisk anordning (ll) är anordnad för bestrálning av gränssnittet dielektrikum-supraledande film, där bestrålningen är av variabel intensitet. k ä n n e t e c k n a d
25. Avstämbvar monolitiskt integrerad mikrovàgskrets enligt något av patentkraven 1-24, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att avstämningen temperaturstyres och att medel är anordnade för att förändra åtminstone temperaturen vid gränssnittet(gränssnitten) mellan det dielektriska materialet och den(de) supraledande filmen(filmerna). 506 303 10 15 20 25 30 35 20
26. . Avstämbar monolitiskt integrerad mikrovågskrets (20 ' ;30;30 ' , 40) enligt något av patentkraven 12-25, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v , att den är elektriskt avstämbar.
27. Avstämbar integrerad mikrovågskrets enligt patentkrav 26, k ä n n e t e c k n a d att en yttre spänningskälla är anordnad för att mata en. DC- d ä r a v , biaseringsspänning till den supraledande filmen(filmerna) för att förändra dielektricitetskonstanten hos det dielektriska materialet.
28. Förfarande för avstämning av fashastigheten hos mikrovågor i frekvensområdet ungefärligen 1-2 GHz i en monolitiskt integrerad mikrovàgskrets, k ä n n e t e c k n a t att det innefattar styrning av utbredningen av ytplasmavågor längs gränssnittet(gränssnitten) mellan ett icke-linjärt dielektriskt d ä r a v , bulkmaterial på vilket åtminstone en supraledande film är anordnad.
29. Förfarande enligt patentkrav 28, k ä n n e t e c k n a t d ä r a v , att styrningen åstadkommes genom optisk bestrålning av gränsnitten med en varierande intensitet.
30. Förfarande enligt patentkrav 28 eller 29, k ä n n e t e c k n a t d ä r a v , att styrningen åstadkommes genom variation av temperaturen åtminstone vid gränssnittet mellan det dielektriska materialet och en supraledande film.
31. Förfarande för avstämning av fashastigheten för mikrovågor i frekvensområdet ungefärligen 1-2 GHz i en monolitiskt integrerad mikrovågskrets omfattande en parallellplansresonator (7) eller ett multimodsfilter där åtminstone en supraledande film, speciellt en högtemperatursupraledande filnl med en negativ' dielektricitets- 506 3-03 21 konstant, år'anordnad.pà.ett icke-linjärt dielektriskt bulkmatarial med en hög dielektricitetskonstant omfattande stegen att förhindra alla transversella elektriska moder frán att utbreda sig och avstämma den integrerade ndkrovàgskretsen åtminstone genmm att applicera en variabel DC biaseringsspänning till de supraladande filmerna.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9502138A SE506303C2 (sv) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningar |
| JP9502985A JPH11507787A (ja) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | 同調自在の装置に関連する配列と方法 |
| AU61434/96A AU6143496A (en) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Arrangement and method relating to tunable devices |
| PCT/SE1996/000769 WO1996042117A1 (en) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Arrangement and method relating to tunable devices |
| CA002224665A CA2224665C (en) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Arrangement and method relating to tunable devices |
| KR1019970709242A KR100362849B1 (ko) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | 동조가능한장치에관련된장치및방법 |
| EP96918970A EP0832506A1 (en) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | Arrangement and method relating to tunable devices |
| CN96195980A CN1192293A (zh) | 1995-06-13 | 1996-06-13 | 有关可调谐器件的结构和方法 |
| TW085110804A TW312857B (sv) | 1995-06-13 | 1996-09-04 | |
| US08/985,149 US6187717B1 (en) | 1995-06-13 | 1997-12-04 | Arrangement and method relating to tunable devices through the controlling of plasma surface waves |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE9502138A SE506303C2 (sv) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningar |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE9502138D0 SE9502138D0 (sv) | 1995-06-13 |
| SE9502138L SE9502138L (sv) | 1996-12-14 |
| SE506303C2 true SE506303C2 (sv) | 1997-12-01 |
Family
ID=20398594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE9502138A SE506303C2 (sv) | 1995-06-13 | 1995-06-13 | Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningar |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6187717B1 (sv) |
| EP (1) | EP0832506A1 (sv) |
| JP (1) | JPH11507787A (sv) |
| KR (1) | KR100362849B1 (sv) |
| CN (1) | CN1192293A (sv) |
| AU (1) | AU6143496A (sv) |
| CA (1) | CA2224665C (sv) |
| SE (1) | SE506303C2 (sv) |
| TW (1) | TW312857B (sv) |
| WO (1) | WO1996042117A1 (sv) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3475779B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2003-12-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置 |
| SE506313C2 (sv) | 1995-06-13 | 1997-12-01 | Ericsson Telefon Ab L M | Avstämbara mikrovågsanordningar |
| US6314309B1 (en) * | 1998-09-22 | 2001-11-06 | Illinois Superconductor Corp. | Dual operation mode all temperature filter using superconducting resonators |
| SE9901190L (sv) * | 1999-04-01 | 2000-10-02 | Ericsson Telefon Ab L M | Mikrovågsanordningar och förfarande relaterande därtill |
| KR100473871B1 (ko) * | 2000-11-13 | 2005-03-08 | 주식회사 엠에스솔루션 | 박막 필터 |
| SE519705C2 (sv) * | 2001-08-22 | 2003-04-01 | Ericsson Telefon Ab L M | En avstämbar ferroelektrisk resonatoranordning |
| WO2003052781A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-26 | Midwest Research Institute | Tunable circuit for tunable capacitor devices |
| US7488294B2 (en) * | 2004-04-01 | 2009-02-10 | Torch William C | Biosensors, communicators, and controllers monitoring eye movement and methods for using them |
| US8280210B2 (en) * | 2009-07-07 | 2012-10-02 | Alcatel Lucent | Apparatus employing multiferroic materials for tunable permittivity or permeability |
| US12015185B2 (en) | 2021-03-03 | 2024-06-18 | International Business Machines Corporation | Quantum transducers with embedded optical resonators |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02128501A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 位相調整回路 |
| US5179074A (en) | 1991-01-24 | 1993-01-12 | Space Systems/Loral, Inc. | Hybrid dielectric resonator/high temperature superconductor filter |
| US5208213A (en) * | 1991-04-12 | 1993-05-04 | Hewlett-Packard Company | Variable superconducting delay line having means for independently controlling constant delay time or constant impedance |
| US5136268A (en) * | 1991-04-19 | 1992-08-04 | Space Systems/Loral, Inc. | Miniature dual mode planar filters |
| JPH04365201A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 位相調整機能付きマイクロ波回路 |
| JPH04368006A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導マイクロ波部品 |
| US5285067A (en) | 1992-03-05 | 1994-02-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microwave detection of a superconducting infrared sensor |
| WO1994013028A1 (en) | 1992-12-01 | 1994-06-09 | Superconducting Core Technologies, Inc. | Tunable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films |
| WO1994028592A1 (en) * | 1993-05-27 | 1994-12-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | High tc superconductor/ferroelectric tunable microwave circuits |
| JPH08125415A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Nec Corp | 可変型超伝導遅延線 |
| SE506313C2 (sv) | 1995-06-13 | 1997-12-01 | Ericsson Telefon Ab L M | Avstämbara mikrovågsanordningar |
-
1995
- 1995-06-13 SE SE9502138A patent/SE506303C2/sv not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-06-13 KR KR1019970709242A patent/KR100362849B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-13 CA CA002224665A patent/CA2224665C/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-13 CN CN96195980A patent/CN1192293A/zh active Pending
- 1996-06-13 EP EP96918970A patent/EP0832506A1/en not_active Withdrawn
- 1996-06-13 JP JP9502985A patent/JPH11507787A/ja not_active Ceased
- 1996-06-13 WO PCT/SE1996/000769 patent/WO1996042117A1/en not_active Application Discontinuation
- 1996-06-13 AU AU61434/96A patent/AU6143496A/en not_active Abandoned
- 1996-09-04 TW TW085110804A patent/TW312857B/zh active
-
1997
- 1997-12-04 US US08/985,149 patent/US6187717B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11507787A (ja) | 1999-07-06 |
| KR19990022775A (ko) | 1999-03-25 |
| AU6143496A (en) | 1997-01-09 |
| EP0832506A1 (en) | 1998-04-01 |
| SE9502138L (sv) | 1996-12-14 |
| TW312857B (sv) | 1997-08-11 |
| SE9502138D0 (sv) | 1995-06-13 |
| KR100362849B1 (ko) | 2003-04-26 |
| CN1192293A (zh) | 1998-09-02 |
| US6187717B1 (en) | 2001-02-13 |
| WO1996042117A1 (en) | 1996-12-27 |
| CA2224665C (en) | 2001-05-29 |
| CA2224665A1 (en) | 1996-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6463308B1 (en) | Tunable high Tc superconductive microwave devices | |
| JP4021844B2 (ja) | 同調可能な強誘電体共振器装置 | |
| Antoniades et al. | Compact linear lead/lag metamaterial phase shifters for broadband applications | |
| AU680866B2 (en) | Tunable microwave devices incorporating high temperature superconducting and ferroelectric films | |
| US6216020B1 (en) | Localized electrical fine tuning of passive microwave and radio frequency devices | |
| SE506303C2 (sv) | Anordning och förfarande avseende avstämbara anordningar | |
| RU2179356C2 (ru) | Переключаемый планарный высокочастотный резонатор (варианты) и фильтр | |
| US5543386A (en) | Joint device including superconductive probe-heads for capacitive microwave coupling | |
| US6114931A (en) | Superconducting arrangement with non-orthogonal degenerate resonator modes | |
| Sheng et al. | Coupled microstrip line microwave phase shifter using ferroelectric thin film varactors | |
| JPH05299712A (ja) | マイクロ波部品 | |
| Findikoglu et al. | Superconductor/nonlinear-dielectric bilayers for tunable and adaptive microwave devices | |
| JPH08125415A (ja) | 可変型超伝導遅延線 | |
| JP2002057506A (ja) | 超伝導フィルタ | |
| Subramanyam et al. | A ferroelectric tunable microstrip Lange coupler for K-band applications | |
| Subramanyam et al. | Performance of a K-band voltage-controlled Lange coupler using a ferroelectric tunable microstrip configuration | |
| JP2000502231A (ja) | 信号をフィルタリングする装置およびそれに関連する方法 | |
| Findikoglu et al. | Electrically tunable coplanar transmission line resonators using YBa {sub 2} Cu {sub 3} O {sub 7 {minus}{ital x}}/SrTiO {sub 3} bilayers | |
| Gomha et al. | Thin film ferroelectric compact branch-line coupler based on D-CRLH unit cell and YBCO HTS microstrip | |
| Gürel et al. | Resonant circular patch microstrip antenna with air gap | |
| McClelland | Frequency Doubling Oscillator and Mixer Circuit | |
| Ong et al. | Microwave tunable devices based on patterned ferroelectric thin film | |
| WO1997023013A1 (en) | Arrangements and method relating to switching/multiplexing | |
| Findikoglu et al. | Electrodynamic properties of coplanar waveguides made from high-temperature superconducting YBa {sub 2} Cu {sub 3} O {sub 7 {minus}{delta}} electrodes on nonlinear dielectric SrTiO {sub 3} substrates |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |