RU93547U1 - MATRIX X-RAY RECEIVER FOR SCANNING X-RAY APPARATUS - Google Patents
MATRIX X-RAY RECEIVER FOR SCANNING X-RAY APPARATUS Download PDFInfo
- Publication number
- RU93547U1 RU93547U1 RU2010101982/22U RU2010101982U RU93547U1 RU 93547 U1 RU93547 U1 RU 93547U1 RU 2010101982/22 U RU2010101982/22 U RU 2010101982/22U RU 2010101982 U RU2010101982 U RU 2010101982U RU 93547 U1 RU93547 U1 RU 93547U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystals
- matrix
- ray
- photodetector
- crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
1. Матричный рентгеновский приемник (МРП) для сканирующего рентгеновского аппарата, содержащий ряд соединенных в линейку плоских кристаллов, каждый из которых включает фотоприемную зону в виде матрицы фотоячеек, оптически связанных с входным сцинтилляционным слоем, отличающийся тем, что кристаллы выполнены в форме параллелограммов, соединенных в линейку своими боковыми сторонами, при этом ширина зазора между фотоприемными зонами соседних кристаллов не превышает значения, определяемого выражением ! d=H·ctg α, !где d - ширина зазора между фотоприемными зонами соседних кристаллов в строке, Н - высота столбца матрицы фотоячеек фотоприемной зоны кристалла, α - острый угол между основанием и боковой стороной параллелограмма. ! 2. Приемник по п.1, отличающийся тем, что количество фотоячеек в любом столбце МРП выполняют одинаковым. ! 3. Приемник по п.1, отличающийся тем, что в областях кристалла, свободных от фотоячеек, установлены схемы управления и считывания информации с данного кристалла. 1. A matrix X-ray detector (MCI) for a scanning X-ray apparatus, comprising a series of planar crystals connected in a line, each of which includes a photodetector in the form of a matrix of photocells optically coupled to an input scintillation layer, characterized in that the crystals are made in the form of parallelograms connected into the line with its sides, while the width of the gap between the photodetector zones of neighboring crystals does not exceed the value determined by the expression! d = H ! 2. The receiver according to claim 1, characterized in that the number of cells in any column of the MCI is the same. ! 3. The receiver according to claim 1, characterized in that in the areas of the crystal, free of photocells, control circuits and read information from this crystal are installed.
Description
Полезная модель относится к рентгенотехнике, в частности, к матричным рентгеновским приемникам (МРП), и предназначена для использования в медицинских сканирующих рентгеновских аппаратах с высоким пространственным разрешением, например, в маммографах, а также в промышленных интроскопах для получения изображений большого размера за счет использования составной матрицы.The utility model relates to X-ray technology, in particular, to matrix X-ray receivers (MRI), and is intended for use in medical scanning x-ray devices with high spatial resolution, for example, mammographs, as well as in industrial introscopes for obtaining large-size images through the use of composite matrices.
В настоящее время в медицинской диагностике широко используются цифровые рентгеновские аппараты, позволяющие производить прямую цифровую регистрацию и обработку рентгеновских изображений с последующим выводом на экран компьютера или твердый носитель.Currently, digital x-ray machines are widely used in medical diagnostics, allowing direct digital registration and processing of x-ray images with subsequent output to a computer screen or solid media.
Например, первичными рентгенологическими признаками онкологического заболевания молочной железы является наличие микрокальцинатов размером несколько десятков микрометров. Для получения рентгеновских изображений, позволяющих определять артефакты размером в 50 мкм, размеры элемента регистрирующей матрицы должны быть, по крайней мере, в два раза меньше, то есть 25 мкм. Поэтому основной задачей при получении снимков высокого разрешения и большого размера в маммографии является наличие приемлемых по цене матричных рентгеновских приемников с размером матрицы 240×300 мм и размером элемента разрешения порядка 20 мкм. Экспериментальные образцы матриц такого размера имеют очень низкий технологический выход годных приборов, а размеры элемента матрицы превышают 100 мкм. Себестоимость такой матрицы многократно превосходит цену существующих в настоящее время пленочных маммографов.For example, the primary radiological signs of breast cancer are the presence of microcalcifications several tens of micrometers in size. To obtain x-ray images that allow the determination of artifacts of 50 microns in size, the dimensions of the element of the recording matrix must be at least two times smaller, i.e. 25 microns. Therefore, the main task in obtaining high-resolution and large-size images in mammography is the availability of affordable matrix X-ray detectors with a matrix size of 240 × 300 mm and a resolution element size of about 20 μm. Experimental samples of matrices of this size have a very low technological yield of suitable devices, and the dimensions of the matrix element exceed 100 microns. The cost of such a matrix is many times higher than the price of currently available film mammographs.
Попытка изготовления сборной конструкции из матриц малых размеров приводит к тому, что в сборной матрице присутствуют нечувствительные зоны в зазорах между соседними кристаллами, в итоге информация на этих участках изображения теряется.An attempt to manufacture a prefabricated structure from small-sized matrices leads to the fact that insensitive zones are present in the prefabricated matrix in the gaps between adjacent crystals, as a result, information in these image areas is lost.
Это связано с тем, что невозможно разместить фотоприемные зоны электронных схем вплотную к краю полупроводникового кристалла, т.к. минимальные технологические поля на краях кристалла, обеспечивающие работоспособность матриц после резки полупроводниковых шайб, составляют несколько сотен микрометров.This is due to the fact that it is impossible to place the photodetector zones of electronic circuits close to the edge of the semiconductor crystal, because the minimum technological fields at the edges of the crystal, ensuring the performance of the matrices after cutting semiconductor washers, amount to several hundred micrometers.
Известен матричный рентгеновский приемник, содержащий единый сцинтилляционный слой, оптически связанный посредством волоконно-оптических пластин (ВОП) с разнесенными в разные стороны фотоприемными кристаллами, расположенными в два ряда (см. техническое описание FOS (Fiber Optic Plate with Scintillator) for Digital X-ray Imaging, Hamamatsu Photonics, стр.19-20, www.procon-x-ray.de/downloads/FOS.pdf).Known matrix X-ray detector containing a single scintillation layer, optically coupled through fiber optic plates (FOP) with spaced apart photodetector crystals arranged in two rows (see technical description FOS (Fiber Optic Plate with Scintillator) for Digital X-ray Imaging, Hamamatsu Photonics, pp. 19-20, www.procon-x-ray.de/downloads/FOS.pdf).
Благодаря разнесению кристаллов друг от друга в направлении, перпендикулярном оси входной плоскости, технологические поля кристаллов не мешают их размещению в сборке, т.е. сделана попытка устранения зазоров в рентгеновском приемнике.Due to the spacing of the crystals from each other in the direction perpendicular to the axis of the input plane, the technological fields of the crystals do not interfere with their placement in the assembly, i.e. an attempt was made to eliminate gaps in the x-ray receiver.
Однако, данная конструкция применима лишь для приемников с разрешением, не превышающим 200 мкм, а, следовательно, непригодна для получения рентгеновских снимков с высоким пространственным разрешением порядка 20 пар линий на мм. Для исключения зазоров, допуски на отклонение оптоволокна от параллельности к граням соседних модулей ВОП должны быть меньше размера элемента матрицы. Боковые грани модулей ВОП должны быть строго перпендикулярны входной плоскости, а оптоволокна строго параллельны этим граням. Чем меньше элемент детектора, тем строже эти допуски. Между тем известно, что процесс изготовления ВОП не дает желаемой степени контроля над параллельностью оптических волокон в шайбе. Так, например, общая спецификация Hamamatsu на ВОП указывает параметр «Gross Distortion» (отклонение волокна) до 100 мкм, тем самым на стыке двух ВОП возможно появление нечувствительной зоны размером до 200 мкм.However, this design is applicable only for receivers with a resolution not exceeding 200 microns, and, therefore, unsuitable for obtaining x-ray images with a high spatial resolution of about 20 pairs of lines per mm. To avoid gaps, tolerances for deviation of the optical fiber from parallelism to the faces of adjacent VOP modules should be less than the size of the matrix element. The side faces of the FOP modules must be strictly perpendicular to the input plane, and the optical fibers must be strictly parallel to these faces. The smaller the detector element, the stricter these tolerances. Meanwhile, it is known that the manufacturing process of VOP does not give the desired degree of control over the parallelism of the optical fibers in the washer. So, for example, the general Hamamatsu specification for GPs indicates a “Gross Distortion” parameter (fiber deflection) of up to 100 microns, thus an insensitive zone up to 200 microns in size may appear at the junction of two GPs.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению, является взятый в качестве прототипа многоканальный приемник рентгеновского излучения для сканирующего рентгеновского аппарата, описанный в патенте SU №1808215, кл. G01T 1/20, 1991 г., (вариант исполнения приведен на фиг.2), состоящий из n состыкованных в линейку боковыми торцами плоских прямоугольных полупроводниковых кристаллов, каждый из которых включает фотоприемную зону в виде матрицы фотоячеек, оптически связанных посредством ВОП со сцинтилляционным преобразователем рентгеновского излучения.Closest to the claimed technical solution is a multi-channel X-ray detector for scanning x-ray apparatus, taken as a prototype, described in patent SU No. 1808215, class. G01T 1/20, 1991, (the embodiment is shown in FIG. 2), consisting of n flat rectangular semiconductor crystals stacked into a ruler by the side ends, each of which includes a photodetector zone in the form of a matrix of photocells optically coupled via a fiber optic scintillation transducer x-ray radiation.
Благодаря применению ВОП, удается защитить кристаллы от деградации из-за воздействия прямого рентгеновского излучения. Кроме того, используя единую ВОП, можно устранить недостатки вышеприведенного аналога, в частности появление нечувствительных зон на стыках модулей ВОП.Thanks to the use of VOP, it is possible to protect crystals from degradation due to direct x-ray radiation. In addition, using a single GP, it is possible to eliminate the disadvantages of the above analogue, in particular the appearance of insensitive zones at the joints of the GP modules.
Основным недостатком известного решения является то, что технологические поля кристаллов мешают плотному примыканию их фотоприемных зон. Даже применение специальных мер не позволяет уменьшить технологические поля кристалла менее 200 мкм. Следовательно, на стыке двух кристаллов будет присутствовать нечувствительная зона размером 400 мкм. В этом же патенте (вариант исполнения на фиг.3) предпринята попытка применения ВОП с изменением масштаба изображения (фоконов) с целью создания дополнительного пространства для размещения полей кристаллов и устранения нечувствительных зон в изображении. Однако, при замене единой ВОП сборкой отдельных фоконов, возникает вышеупомянутая проблема неконтролируемости стыков между отдельными модулями ВОП.The main disadvantage of the known solution is that the technological fields of crystals interfere with the tight adjacency of their photodetector zones. Even the use of special measures does not allow to reduce the technological fields of the crystal less than 200 microns. Therefore, at the junction of the two crystals there will be an insensitive zone of 400 microns in size. In the same patent (the embodiment of FIG. 3), an attempt was made to use GPs with zooming (focons) in order to create additional space for placing crystal fields and eliminating insensitive zones in the image. However, when replacing a single VOP with an assembly of individual focons, the aforementioned problem of uncontrolled joints between individual VOP modules arises.
Задачей заявляемого технического решения является устранение указанного недостатка, а именно, устранение влияния торцевых зазоров при стыковке между собой плоских кристаллов с фотоячейками при создании МРП, пригодного для получения изображений большого размера на рентгеновских сканирующих аппаратах с высоким пространственным разрешением, например, для маммографии.The objective of the proposed technical solution is to eliminate this drawback, namely, to eliminate the influence of end gaps when docking flat crystals with photo cells when creating an MCI, suitable for obtaining large images on x-ray scanning devices with high spatial resolution, for example, for mammography.
Указанная задача в МРП для сканирующего рентгеновского аппарата, содержащем ряд соединенных в линейку плоских кристаллов, каждый из которых включает фотоприемную зону в виде матрицы фотоячеек, оптически связанных со входным сцинтилляционным слоем, решена тем, что кристаллы выполнены в форме параллелограммов, соединенных своими боковыми сторонами, при этом ширина зазора между фотоприемными зонами соседних кристаллов не превышает значения, определяемого выражениемThe indicated problem in the MCI for a scanning X-ray apparatus containing a series of plane crystals connected in a line, each of which includes a photodetector zone in the form of a matrix of photocells optically coupled to the input scintillation layer, is solved by the fact that the crystals are made in the form of parallelograms connected by their lateral sides, the width of the gap between the photodetector zones of neighboring crystals does not exceed the value determined by the expression
d=H·ctgα, (1)d = H ctgα, (1)
где d - ширина зазора между фотоприемными зонами соседних кристаллов в строке, Н - высота столбца матрицы фотоячеек фотоприемной зоны кристалла, α - острый угол между основанием и боковой стороной параллелограмма.where d is the width of the gap between the photodetector zones of neighboring crystals in a row, Н is the column height of the photocell matrix of the photodetector zone of the crystal, α is the acute angle between the base and the side of the parallelogram.
Благодаря указанной форме кристаллов, можно уменьшить влияние зазоров между чувствительными зонами на стыке кристаллов на качество получаемого изображения частично или полностью за счет того, что в формировании интегрального элемента изображения, получаемого из столбца матрицы, всегда участвуют фотоячейки одного либо двух смежных кристаллов.Due to the indicated shape of the crystals, it is possible to reduce the influence of gaps between the sensitive zones at the junction of the crystals on the quality of the resulting image partially or completely due to the fact that photo cells of one or two adjacent crystals always participate in the formation of the integral image element obtained from the matrix column.
Для полного устранения влияния зазоров между чувствительными зонами на стыке кристаллов на качество изображения, количество фотоячеек в любом столбце МРП должно быть одинаковым. При этом часть площади кристалла, свободная от фотоячеек, может быть использована под схемы управления и считывания информации с данного кристалла.To completely eliminate the effect of gaps between the sensitive zones at the junction of the crystals on image quality, the number of photo cells in any column of the MCI should be the same. At the same time, a part of the crystal area free of photocells can be used for control and reading information from a given crystal.
На фиг.1-6 представлены рисунки, поясняющие суть заявляемого технического решения.Figure 1-6 presents drawings explaining the essence of the proposed technical solution.
На фиг.1 представлен рисунок, показывающий одну из возможностей получения рентгеновского изображения исследуемого объекта при помощи заявляемого МРП, где: 1 - рентгеновский источник; 2 - коллиматор; 3 - П-образная сканирующая рама; 4 - объект исследования, установленный на рентгенопрозрачный стол 5; 6а и 6б - соседние кристаллы МРП, 7 - сцинтилляционный слой (люминофор); 8 - фоточувствительные зоны кристаллов 6; 9 - элемент исследуемого объекта, соответствующий одному элементу рентгеновского изображения; 10 - столбец матрицы, по которому происходит ВЗН - суммирование (формирование интегрального элемента изображения столбца путем временной задержки с накоплением).Figure 1 presents a figure showing one of the possibilities of obtaining x-ray images of the investigated object using the inventive MCI, where: 1 - x-ray source; 2 - collimator; 3 - U-shaped scanning frame; 4 - an object of study mounted on an x-ray transparent table 5; 6a and 6b are adjacent crystals of MCI, 7 is a scintillation layer (phosphor); 8 - photosensitive zones of crystals 6; 9 - element of the investigated object corresponding to one element of the x-ray image; 10 - matrix column, according to which the WZN - summation occurs (the formation of the integral image element of the column by time delay with accumulation).
На фиг.2 представлен рисунок, поясняющий потерю информации в прототипе в ВЗН - суммированном сигнале из-за наличия нечувствительных зон на краях кристаллов в области стыковки, где: 6а и 6б - соседние кристаллы МРП; 11 - единичная фотоячейка кристалла; 12 - столбцы ВЗН - суммирования, проходящие через чувствительные зоны кристаллов; 13 - столбцы ВЗН - суммирования, проходящие через нечувствительные зоны кристаллов, в которых происходит потеря информации.Figure 2 presents a figure explaining the loss of information in the prototype in the WZN - summed signal due to the presence of insensitive zones at the edges of the crystals in the docking area, where: 6a and 6b are adjacent crystals of MCI; 11 - a single photocell of the crystal; 12 - columns WZN - summation passing through the sensitive zones of the crystals; 13 - columns WZN - summation passing through insensitive zones of crystals in which information is lost.
На фиг.3 представлен рисунок заявляемого МРП с уменьшением влияния нечувствительных зон в области состыковки кристаллов на ВЗН - суммированный сигнал, где: 14 - столбцы ВЗН - суммирования с частичной потерей информации; 15 - участки столбцов ВЗН - суммирования, на которых отсутствуют фотоячейки.Figure 3 presents a drawing of the inventive MCI with a decrease in the influence of insensitive zones in the area of coupling of crystals on the WZN - summed signal, where: 14 - columns WZN - summation with partial loss of information; 15 - sections of columns WZN - summation, in which there are no photo cells.
На фиг.4 представлен рисунок соединяемых кристаллов с указанием параметров, учитываемых при исключении нечувствительных зон, где: 6а и 6б - соседние кристаллы МРП, 8а и 8б - фотоприемные зоны кристаллов.Figure 4 presents a picture of the connected crystals with the parameters taken into account when excluding insensitive zones, where: 6a and 6b are the adjacent MCI crystals, 8a and 8b are the photodetector zones of the crystals.
На фиг.5 представлен рисунок, поясняющий принцип соединения в линейку кристаллов с одинаковым количеством фотоячеек в столбцах ВЗН - суммирования в любой точке МРП, где: 16 - одинаковые по количеству фотоячеек столбцы ВЗН - суммирования; 17 - высвобождаемая часть кристалла.Fig. 5 is a drawing explaining the principle of connecting into a line of crystals with the same number of photo cells in the columns of the WZN - summation at any point of the MCI, where: 16 - columns of the WZN - summation columns that are the same in the number of photo cells; 17 - released part of the crystal.
На фиг.6 представлен рисунок кристалла с высвобождаемой частью площади для установки схем опроса информации с кристалла.Figure 6 presents the pattern of the crystal with the released part of the area for installing the polling circuit information from the crystal.
Заявляемое устройство работает следующим образом. Излучение рентгеновского источника 1 формируется с помощью коллиматора 2 в плоский веерный пучок, которым сканируется объект исследования 4, находящийся на рентгенопрозрачном столе 5, путем перемещения П-образной рамы 3. Рентгеновское излучение, прошедшее через объект исследования 4, воспринимается МРП, состоящим из ряда кристаллов 6, фоточувствительные области которых оптически связаны с люминофором 7. На рисунке оптическая связь показана в виде непосредственного примыкания люминофора 7 к кристаллам 6. Фоточувствительные зоны 8 кристаллов 6 сформированы из фотоячеек 11, образующих многострочную матрицу из М строк, которая производит непрерывную серию регистрации изображений. Скорость перемещения выбирается такой, что за время одной регистрации, МРП смещается на расстояние, равное размеру h (см. фиг.4) единичной фотоячейки 11 в направлении перемещения, при этом каждый элемент 9 исследуемого объекта 4 регистрируется М раз в последовательные моменты времени с дальнейшим суммированием полученных с МРП изображений с учетом его перемещения. Такое суммирование известно как ВЗН - суммирование (см. техническое описание Characteristics and use of back-thinned TDI-CCD, Hamamatsu Photonics, стр.3, TDI Time Delay Integration mode, http://sales.hamamatsu.com/assets/applications/SSD/tdi-ccd_kmpd9004e01.pdf). По окончании каждой регистрации производится формирование в цифровом виде очередной строки интегральных элементов результирующего изображения на основе сигналов, считанных с фотоячеек МРП.The inventive device operates as follows. The radiation of the X-ray source 1 is formed using a collimator 2 into a flat fan beam, which scans the object of study 4, located on the X-ray transparent table 5, by moving the U-shaped frame 3. The X-ray radiation transmitted through the object of study 4, is perceived by MCI, consisting of a number of crystals 6, the photosensitive regions of which are optically coupled to the phosphor 7. In the figure, the optical connection is shown in the form of a direct adjacency of the phosphor 7 to the crystals 6. Photosensitive zones 8 of the crystal 6 formed from the photoelectric devices 11, forming a multi-line array of M rows, which produces a series of continuous image acquisition. The speed of movement is chosen such that during one registration, the MCI is shifted by a distance equal to the size h (see figure 4) of a single photo cell 11 in the direction of movement, with each element 9 of the investigated object 4 is recorded M times at successive times with further summation of the images obtained from the MCI taking into account its movement. This summation is known as WZN summation (see Technical Description Characteristics and use of back-thinned TDI-CCD, Hamamatsu Photonics, p. 3, TDI Time Delay Integration mode, http://sales.hamamatsats.com/assets/applications/ SSD / tdi-ccd_kmpd9004e01.pdf). At the end of each registration, the next line of integrated elements of the resulting image is digitally generated based on the signals read from the MCI photo cells.
В формировании величины сигнала каждого интегрального элемента результирующего изображения участвуют все фотоячейки, находящиеся на столбце ВЗН - суммирования для соответствующего элемента 9 исследуемого объекта. Если на некотором столбце ВЗН - суммирования 14 часть фотоячеек отсутствует (см. фиг.3), то это приводит не к потере информации в данном интегральном элементе изображения, а лишь к пропорциональному отсутствующим ячейкам уменьшению полезного сигнала.In the formation of the signal value of each integral element of the resulting image, all the photo cells located on the WZN - summation column for the corresponding element 9 of the studied object are involved. If on some column of the WZN summation 14 some of the cells are missing (see FIG. 3), this does not lead to loss of information in this integral image element, but only to a decrease in the useful signal proportional to the missing cells.
В области стыка между кристаллами, столбцы ВЗН - суммирования 14 пересекают фотоячейки обоих смежных кристаллов 6а и 6б, а также межкристальный зазор 15. При этом в формировании интегрального сигнала для данного элемента изображения будут участвовать фотоячейки как левого 6а, так и правого 6б кристаллов. Размер участка 15, на котором отсутствуют фотоячейки, составляет: d·tg α и может быть сведен к минимуму за счет выбора геометрических параметров. Так, например, при высоте фотоприемной зоны Н=10 мм, угле α=45° и зазоре d=0.5 мм на столбце ВЗН - суммирования 14 участок 15, в котором отсутствуют фотоячейки, составляет всего 5% от полной высоты Н столбца фотоприемной зоны 12. При этом отношение сигнал-шум в районе стыка станет хуже лишь на (1-√0.95)≈2.5%, что визуально неразличимо на изображении.At the junction between the crystals, the WZN summation columns 14 intersect the photocells of both adjacent crystals 6a and 6b, as well as the intercrystal gap 15. In this case, the photocells of both the left 6a and right 6b crystals will participate in the formation of the integrated signal. The size of the plot 15, in which there are no photo cells, is: d · tg α and can be minimized by choosing geometric parameters. So, for example, with a photodetector zone height H = 10 mm, an angle α = 45 ° and a gap d = 0.5 mm on the WZN - summation column 14, section 15, in which there are no photocells, is only 5% of the total height H of the photodetector zone column 12 In this case, the signal-to-noise ratio at the interface will become worse only by (1-√0.95) ≈2.5%, which is visually indistinguishable in the image.
Максимальное значение величины зазора определяется как: d=H·ctg α. При зазоре, превышающем это значение, перекрытия фотоприемных зон 8 соседних кристаллов вдоль столбцов происходить не будет.The maximum value of the gap value is defined as: d = H · ctg α. When the gap exceeds this value, overlapping photodetector zones 8 of neighboring crystals along the columns will not occur.
В случаях, когда даже незначительное ухудшение сигнала в районе стыка недопустимо, возможно модифицировать форму фотоприемной зоны кристаллов так, чтобы для любого столбца ВЗН - суммирования 16 количество фотоячеек в нем стало одинаковым (см. фиг.5) При этом удается не только полностью выровнять уровень сигнала для каждого интегрального элемента результирующего изображения, но и использовать освободившуюся область 17 кристалла для размещения электронных схем обслуживания кристалла.In cases where even a slight deterioration of the signal at the junction area is unacceptable, it is possible to modify the shape of the photodetector zone of the crystals so that for any column of the WZN - summation 16 the number of photo cells in it becomes the same (see Fig. 5). signal for each integral element of the resulting image, but also use the freed region of the crystal 17 to accommodate electronic circuit servicing the crystal.
Пример. Для сканирующего маммографа был изготовлен опытный образец МРП со следующими характеристиками:Example. For the scanning mammograph was made a prototype MCI with the following characteristics:
- общий размер кристалла в форме параллелограмма - 25×10 мм;- the total crystal size in the form of a parallelogram is 25 × 10 mm;
- угол α=63°;- angle α = 63 °;
- шаг установки кристаллов в линейке - 20 мм;- the step of installing crystals in the line is 20 mm;
- зазор d=0,5 мм;- clearance d = 0.5 mm;
- количество кристаллов в линейке - 12 шт.;- the number of crystals in the line - 12 pcs .;
- количество строк МРП - 500 шт.;- the number of lines MCI - 500 pcs .;
- количество столбцов МРП - 12000 шт.;- the number of columns MCI - 12000 pcs .;
- размеры фотоячейки - 20×20 мкм;- sizes of the photocell - 20 × 20 microns;
- шаг фотоячеек - 20 мкм.- step of photocells - 20 microns.
Характеристики полученного изображения:Characteristics of the resulting image:
- размер изображения - 240×300 мм;- image size - 240 × 300 mm;
- пространственное разрешение - 18 пар линий/мм по всему полю изображения;- spatial resolution - 18 pairs of lines / mm throughout the image field;
- видимые стыки на изображении отсутствуют.- There are no visible joints in the image.
Таким образом, заявляемое устройство позволяет из однотипных плоских полупроводниковых кристаллов создавать сборные МРП для сканирующих рентгеновских аппаратов, в которых нечувствительные зоны на кристаллах не влияют на качество результирующего изображения, и с их помощью получать рентгеновские изображения больших размеров с высоким пространственным разрешением, например, для общей рентгенографии, маммографии или технической интроскопии.Thus, the claimed device allows one to create prefabricated MCIs for scanning X-ray machines from the same flat semiconductor crystals, in which the insensitive zones on the crystals do not affect the quality of the resulting image, and with their help obtain large x-ray images with high spatial resolution, for example, for general radiography, mammography, or technical introscopy.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010101982/22U RU93547U1 (en) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | MATRIX X-RAY RECEIVER FOR SCANNING X-RAY APPARATUS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010101982/22U RU93547U1 (en) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | MATRIX X-RAY RECEIVER FOR SCANNING X-RAY APPARATUS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU93547U1 true RU93547U1 (en) | 2010-04-27 |
Family
ID=42673165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010101982/22U RU93547U1 (en) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | MATRIX X-RAY RECEIVER FOR SCANNING X-RAY APPARATUS |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU93547U1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2653116C2 (en) * | 2013-03-13 | 2018-05-07 | Вега Эмерикас, Инк. | Fibers based segmented nuclear level meter |
RU190405U1 (en) * | 2018-11-12 | 2019-07-01 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | SYSTEM OF REGISTRATION OF SHADOW X-RAY IMAGES |
-
2010
- 2010-01-21 RU RU2010101982/22U patent/RU93547U1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2653116C2 (en) * | 2013-03-13 | 2018-05-07 | Вега Эмерикас, Инк. | Fibers based segmented nuclear level meter |
RU190405U1 (en) * | 2018-11-12 | 2019-07-01 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | SYSTEM OF REGISTRATION OF SHADOW X-RAY IMAGES |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2595795C2 (en) | Spectral image detector | |
US6847040B2 (en) | Sensor arrangement and method in digital X-ray imaging | |
CN102395877A (en) | Detector arrangement and x-ray tomography device for performing phase-contrast measurements and method for performing a phase-contrast measurement | |
CN108474861B (en) | Radiation imaging apparatus | |
US8525119B2 (en) | Detector array with pre-focused anti-scatter grid | |
US20120025086A1 (en) | Radiation detection device | |
US20090314947A1 (en) | Radiation Detector with Isolated Pixels Photosensitive Array for CT and Other Imaging Applications | |
US20170194375A1 (en) | Radiation detector assembly | |
CN103069302A (en) | Pixellated detector device | |
JP2015133408A (en) | radiation detector | |
RU93547U1 (en) | MATRIX X-RAY RECEIVER FOR SCANNING X-RAY APPARATUS | |
JP2010243394A (en) | Radiation detector and radiation imaging device | |
RU2403593C1 (en) | Matrix x-ray receiver for scanning x-ray apparatus | |
CN109891589B (en) | Detector for detecting a target object | |
JP5027832B2 (en) | Radiation detection module and radiation imaging apparatus | |
US20170194374A1 (en) | Radiation detector assembly | |
US7573042B2 (en) | Semiconductor detection module and radiation detection apparatus and radiological imaging apparatus using the semiconductor detection module | |
US20140319361A1 (en) | Radiation imaging apparatus, method of manufacturing the same, and radiation inspection apparatus | |
CN110477942B (en) | PET detector and medical imaging equipment | |
WO2008003351A1 (en) | Imaging system with tiled sensor chips having partially overlapping active areas | |
CN106501838A (en) | A kind of photoconduction of radiation detector and preparation method thereof, radiation detector | |
KR20170016948A (en) | Modular imaging detector asic | |
JP2851319B2 (en) | Radiation detector of radiation measurement device | |
JPS61226677A (en) | Two-dimensional radioactive ray detector | |
JP2007155562A (en) | Radiation image detection module and radiation image detection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MG11 | Anticipatory lapse of a utility model patent in case of granting an identical utility model |
Ref document number: 2010101981 Country of ref document: RU Effective date: 20101110 |