RU2827317C1 - Device for washing and drying round semiconductor substrate and removing drops from its surface - Google Patents
Device for washing and drying round semiconductor substrate and removing drops from its surface Download PDFInfo
- Publication number
- RU2827317C1 RU2827317C1 RU2024105800A RU2024105800A RU2827317C1 RU 2827317 C1 RU2827317 C1 RU 2827317C1 RU 2024105800 A RU2024105800 A RU 2024105800A RU 2024105800 A RU2024105800 A RU 2024105800A RU 2827317 C1 RU2827317 C1 RU 2827317C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- carrier
- washing
- acute
- channel
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005406 washing Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 claims description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- -1 alkalis Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к устройствам очистки и сушки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых подложек, предназначена для использования в конструкции оборудования для индивидуальной химической обработки подложек и может быть использована в электронной промышленности для глубокой высококачественной очистки поверхности в производстве при изготовлении ИС, БИС и СБИС.The invention relates to devices for cleaning and drying the surface of products, primarily semiconductor substrates, and is intended for use in the design of equipment for individual chemical treatment of substrates and can be used in the electronics industry for deep, high-quality surface cleaning in production during the manufacture of integrated circuits, large-scale integrated circuits and large-scale integrated circuits.
Известен многоточечный держатель, используемый в способе и устройстве для сушки подложек, описанный в патенте US 5884640 A (Method and apparatus for drying substrates), 07.08.1997.A multi-point holder used in a method and apparatus for drying substrates is known, described in patent US 5884640 A (Method and apparatus for drying substrates), 07.08.1997.
Многоточечный держатель используется в процессе сушки подложки с эффектом Марангони для ее крепления в вертикальном положении в разных точках удержания, в то время как уровень поверхности жидкости понижен относительно подложки, так что остаточная жидкость стекает с поверхности подложки без пересечения понижающего уровня поверхности жидкости с точками удержания на подложке.The multi-point holder is used in the drying process of the Marangoni effect substrate to fix it in a vertical position at different holding points, while the liquid surface level is lowered relative to the substrate, so that the residual liquid flows off the substrate surface without crossing the lowered liquid surface level with the holding points on the substrate.
Известное устройство содержит:The known device contains:
- удерживающие поверхности для удержания подложки в различных точках;- holding surfaces for holding the substrate at various points;
- систему управления для приведения в действие и контроля работы удерживающих поверхностей и их положения удержания на подложке.- a control system for actuating and monitoring the operation of the holding surfaces and their holding position on the substrate.
Недостатком устройства является то, что фиксация подложки осуществляется на удерживающих поверхностях, что приводит к образованию разводов на подложке в точках соприкосновения этих поверхностей с подложкой.The disadvantage of the device is that the substrate is fixed on the holding surfaces, which leads to the formation of streaks on the substrate at the points of contact of these surfaces with the substrate.
Известно также устройство для крепления подложки, описанное в патенте US 2016201986 A1 (Substrate holder assembly, apparatus, and methods), 09.01.2015.A device for attaching a substrate is also known, described in patent US 2016201986 A1 (Substrate holder assembly, apparatus, and methods), 01/09/2015.
Устройство для удержания подложки сконфигурировано и приспособлено для удержания подложки в вертикальном положении во время ее очистки и сушки с эффектом Марангони. При этом для удаления жидкости вдоль нижнего края подложки в одном или нескольких местах создается вакуум.The device for holding the substrate is configured and adapted to hold the substrate in a vertical position during its cleaning and drying with the Marangoni effect. At the same time, a vacuum is created along the lower edge of the substrate in one or more places to remove liquid.
Данное устройство включает в себя:This device includes:
- раму, имеющую множество опор для контакта с подложкой, выполненных с возможностью контакта с подложкой и ее поддержки;- a frame having a plurality of supports for contact with the substrate, configured to contact the substrate and support it;
- один или несколько вакуумных портов, выполненных с возможностью подачи вакуума в одном или нескольких местах вдоль нижнего края подложки.- one or more vacuum ports configured to supply vacuum at one or more locations along the bottom edge of the substrate.
Недостатками известного устройства является сложность конструкции и увеличение стоимости аппаратуры.The disadvantages of the known device are the complexity of the design and the increased cost of the equipment.
Указанный недостаток обусловлен наличием системы управления удалением остаточной влаги, включающей в себя вакуумный насос, подвод трубопроводов и клапан включения и выключения вакуума.This drawback is due to the presence of a residual moisture removal control system, which includes a vacuum pump, pipeline supply and a vacuum on/off valve.
Совокупность признаков, наиболее близкая к совокупности существенных признаков заявляемого технического решения, присуща известному устройству, описанному в патенте RU 2510098 C1 «Способ и устройство отмывки и сушки подложек» H01L 21/306, 27.07.2012, принятому за прототип.The set of features closest to the set of essential features of the claimed technical solution is inherent in the known device described in patent RU 2510098 C1 “Method and device for washing and drying substrates” H01L 21/306, 27.07.2012, adopted as a prototype.
На фиг. 1-2. представлен вид устройства-прототипа, удерживающего подложку.Fig. 1-2 shows a view of a prototype device holding a substrate.
Устройство-прототип содержит ванну отмывки подложек, включающую необходимое оборудование, а именно магистраль подачи и слива деионизованной воды, две трубки, установленные по обе стороны обрабатываемой подложки в зоне выхода ее из деионизованной воды в камеру сушки, каждая из которых содержит ряд отверстий для подачи органического растворителя на границу раздела уровня деионизованной воды ванны отмывки и воздушной среды камеры сушки, связанной магистралью подачи паров органического растворителя, а также мегазвуковой излучатель, установленный неподвижно на стенке ванны. Кроме этого, прикрепленный к механизму вертикального перемещения носитель подложки с остроугольными выступами с выемками для удержания подложки, каждый из которых имеет канал, создающий разрежение в зоне контактов подложки и носителя, имеющий диаметр больше толщины обрабатываемой подложки, но меньше основания выступов, переходящий в канал большего диаметра. Носитель подложки, прикрепленный к механизму вертикального перемещения, предназначен для отмывки и сушки прямоугольных подложек с эффектом Марангони, например, таких как стеклянные подложки для жидкокристаллических экранов.The prototype device comprises a substrate wash bath including the necessary equipment, namely a supply and drain line for deionized water, two tubes installed on both sides of the processed substrate in the area of its exit from the deionized water into the drying chamber, each of which contains a number of openings for feeding an organic solvent to the interface between the level of the deionized water of the wash bath and the air environment of the drying chamber, connected by a supply line for the vapors of the organic solvent, as well as a megasonic emitter mounted motionless on the wall of the bath. In addition, a substrate carrier with acute-angled protrusions with recesses for holding the substrate, each of which has a channel creating a vacuum in the contact area of the substrate and the carrier, having a diameter greater than the thickness of the processed substrate, but less than the base of the protrusions, passing into a channel of a larger diameter. The substrate carrier attached to the vertical movement mechanism is designed for washing and drying rectangular substrates with Marangoni effect, such as glass substrates for liquid crystal displays.
Две планки 17, 18 с остроугольными выступами 2, в выемки 3 которых нижним 15 и боковым 16 торцами установлена подложка 6, каждый остроугольный выступ 2 в свою очередь содержит канал меньшего диаметра 4, создающий разряжение, диаметром больше толщины обрабатываемой подложки, но меньше основания выступов, которые в свою очередь переходят в каналы большего диаметра 5, держатель 19 в форме угольника.Two
Устройство-прототип работает следующим образом (фиг. 3-4):The prototype device operates as follows (Fig. 3-4):
Обрабатываемую подложку 6, устанавливают нижним 15 и боковым 16 торцами на выемки 3 в каждом остроугольном выступе 2 планок 17, 18. Планки 17 и 18 установлены на держателе 19 в форме угольника.The
Подложку, установленную на устройство-прототип при помощи механизма вертикального перемещения 9 опускают в ванну 8 отмывки деионизованной водой до полного погружения подложки 6, затем медленно поднимают подложку 6 из воды в камеру сушки, а в момент выхода подложки из воды подают пары органического растворителя на границу раздела уровня деионизованной воды ванны 8 и воздушной среды камеры, и сушат. Каналы меньшего диаметра 4, предусмотренные в остроугольных выступах 2 планок 17, 18, переходящие в каналы большего диаметра 5, создают разряжение в зоне контактов подложки и носителя за счет перепада давления в них при подъеме подложки 6, способствующее удалению оставшейся воды из зон контактов.The substrate installed on the prototype device by means of the
Недостатком устройства-прототипа является конструкция, не позволяющая устанавливать круглую подложку.The disadvantage of the prototype device is its design, which does not allow the installation of a round substrate.
Указанный недостаток обусловлен тем, что в случае установки круглой подложки на устройство не все остроугольные выступы будут соприкасаться с краем подложки, следовательно, круглая подложка будет закреплена ненадежно и может быть повреждена во время обработки.This drawback is due to the fact that when a round substrate is installed on the device, not all of the sharp-angled protrusions will touch the edge of the substrate, therefore, the round substrate will not be securely fixed and may be damaged during processing.
Задача, на решение которой направлено предлагаемое устройство, является улучшение качества обработки круглой полупроводниковой подложки во время ее отмывки и сушки.The task that the proposed device is aimed at solving is to improve the quality of processing a round semiconductor substrate during its washing and drying.
Для решения поставленной задачи, в устройстве для отмывки и сушки полупроводниковой подложки и удаления капель с ее поверхности с эффектом Марангони, содержащем ванну для отмывки подложек и камеру сушки, а также прикрепленный к механизму вертикального перемещения носитель подложки с остроугольными выступами с выемками для удержания подложки, каждый из которых имеет канал, создающий разрежение в зоне контактов подложки и носителя, имеющий диаметр больше толщины обрабатываемой подложки, но меньше основания выступов, переходящий в канал большего диаметра, согласно изобретению, носитель представляет собой корпус для удержания подложки, верхняя поверхность которого выполнена вогнутой, а количество остроугольных выступов с каналами, по меньшей мере, равно пяти.In order to solve the stated problem, in a device for washing and drying a semiconductor substrate and removing drops from its surface with the Marangoni effect, containing a bath for washing substrates and a drying chamber, as well as a substrate carrier attached to a vertical movement mechanism with acute-angled protrusions with recesses for holding the substrate, each of which has a channel that creates a vacuum in the contact zone of the substrate and the carrier, having a diameter greater than the thickness of the processed substrate, but less than the base of the protrusions, passing into a channel of a larger diameter, according to the invention, the carrier is a housing for holding the substrate, the upper surface of which is made concave, and the number of acute-angled protrusions with channels is at least equal to five.
Предлагаемое устройство решает проблему удаления остаточных капель с данной подложки без образования разводов, а также без образования загрязнений или остатков жидкости на подложке.The proposed device solves the problem of removing residual drops from this substrate without forming streaks, as well as without forming contaminants or liquid residues on the substrate.
При очистке и сушке полупроводниковых подложек с использованием эффекта Марангони подложка опускается механизмом вертикального перемещения в ванну с деионизованной водой, на поверхности которой создается зона, например, из смеси паров изопропанола и азота. Деионизованная вода откачивается из ванны с определенной скоростью, а подложка находится неподвижно на корпусе носителя. По мере убывания воды подложка проходит через границу раздела фаз вертикально, т.е. перпендикулярно поверхности жидкости, границе раздела газовой среды (паров изопропанола с азотом) с деионизованной водой. В связи с разницей поверхностного натяжения изопропанола и воды на поверхности воды создается поверхностный слой, состоящий из изопропанола, абсорбированного поверхностным слоем воды. Формирование такого слоя, определяемое силами поверхностного натяжения двух жидких сред изопропанола и воды, характеризуется эффектом Марангони. В месте выхода подложки из жидкости формируется мениск, при этом в верхней части мениска концентрация изопропанола, абсорбированного поверхностью воды, значительно больше, чем в нижней части мениска, благодаря чему коэффициент поверхностного натяжения в верхней части мениска резко отличается от коэффициента поверхностного натяжения в нижней части мениска, что и приводит к очистке поверхности подложки и ее сушке.When cleaning and drying semiconductor substrates using the Marangoni effect, the substrate is lowered by a vertical movement mechanism into a bath with deionized water, on the surface of which a zone is created, for example, from a mixture of isopropanol vapor and nitrogen. Deionized water is pumped out of the bath at a certain speed, and the substrate is stationary on the carrier body. As the water decreases, the substrate passes through the phase boundary vertically, i.e. perpendicular to the liquid surface, the boundary between the gas medium (isopropanol vapor with nitrogen) and deionized water. Due to the difference in the surface tension of isopropanol and water, a surface layer is created on the surface of the water, consisting of isopropanol absorbed by the surface layer of water. The formation of such a layer, determined by the surface tension forces of two liquid media, isopropanol and water, is characterized by the Marangoni effect. At the point where the substrate emerges from the liquid, a meniscus is formed, and in the upper part of the meniscus, the concentration of isopropanol absorbed by the water surface is significantly greater than in the lower part of the meniscus, due to which the surface tension coefficient in the upper part of the meniscus differs sharply from the surface tension coefficient in the lower part of the meniscus, which leads to the cleaning of the substrate surface and its drying.
После полного выхода подложки из воды, чтобы исключить капли воды, удерживающиеся в зоне контакта подложки с устройством, создаваемые за счет сил поверхностного натяжения, в корпусе устройства предусмотрены каналы. Подложка удерживается на корпусе носителя по нижней дуге с помощью пяти остроугольных выступов, имеющих каналы диаметром большим, чем толщина обрабатываемой подложки, но меньше основания выступов, которые в свою очередь переходят в каналы большего диаметра. Именно пять и более остроугольных выступов с каналами дают возможность полностью извлекать капли влаги, образующиеся в точке соприкосновения нижней дуги подложки с устройством. Эффект удаления капель заключается в свойстве возникновения разряжения в канале большего диаметра по мере удаления деионизованной воды. Таким образом капля воды, удерживаемая в зоне контакта подложки и устройства, откачивается из канала.After the substrate has completely exited the water, in order to eliminate water droplets retained in the contact area of the substrate with the device, created by surface tension forces, channels are provided in the device body. The substrate is retained on the carrier body along the lower arc with the help of five acute-angled protrusions having channels with a diameter greater than the thickness of the processed substrate, but smaller than the base of the protrusions, which in turn pass into channels of a larger diameter. It is five or more acute-angled protrusions with channels that make it possible to completely extract moisture droplets formed at the point of contact of the lower arc of the substrate with the device. The effect of removing droplets consists in the property of the occurrence of a vacuum in the channel of a larger diameter as deionized water is removed. Thus, a drop of water retained in the contact area of the substrate and the device is pumped out of the channel.
В качестве материала для изготовления заявляемого устройства предлагается полиацеталь или фторопласт, т.к. данные материалы не реагируют с любыми органическими и неорганическими веществами (кислотами, щелочами, спиртами) и не вносят дополнительных загрязнений в процесс отмывки и сушки. Литая конструкция корпуса носителя содержит по меньшей мере пять остроугольных выступов и не имеет швов, пор и заусенцев, что позволяет круглой полупроводниковой подложке надежно фиксироваться, минимально контактируя с корпусом носителя. Таким образом, помимо повышения качества обработки, минимизируется риск повреждения полупроводниковой подложки во время обработки.Polyacetal or fluoroplastic is proposed as a material for manufacturing the claimed device, since these materials do not react with any organic and inorganic substances (acids, alkalis, alcohols) and do not introduce additional contamination into the washing and drying process. The cast structure of the carrier body contains at least five acute-angled protrusions and has no seams, pores or burrs, which allows the round semiconductor substrate to be securely fixed, minimally contacting the carrier body. Thus, in addition to improving the quality of processing, the risk of damaging the semiconductor substrate during processing is minimized.
Сущность заявляемого устройства поясняется чертежами.The essence of the claimed device is explained by drawings.
На фиг. 5 - вид корпуса носителя, удерживающего подложку;Fig. 5 is a view of the carrier body holding the substrate;
На фиг. 6 - вид корпуса носителя в проекции;Fig. 6 is a projection view of the carrier body;
На фиг. 7 - обработка подложки в процессе сушки;Fig. 7 shows the processing of the substrate during the drying process;
На фиг. 8 - формирование капли в точке касания подложки и устройства;Fig. 8 shows the formation of a drop at the point of contact between the substrate and the device;
На фиг. 9 - отвод жидкости из канала при выходе подложки из ванны отмывки.Fig. 9 shows the removal of liquid from the channel when the substrate exits the cleaning bath.
На фиг. 5-9 приняты следующие обозначения:In Fig. 5-9 the following notations are used:
1 - корпус носителя (носитель);1 - carrier body (carrier);
2 - остроугольные выступы;2 - acute-angled protrusions;
3 - выемки для удержания подложки;3 - recesses for holding the substrate;
4 - каналы меньшего диаметра;4 - channels of smaller diameter;
5 - каналы большего диаметра;5 - larger diameter channels;
6 - подложка, удерживаемая устройством;6 - a substrate held by the device;
7 - капля в точке касания подложки и устройства;7 - drop at the point of contact between the substrate and the device;
8 - ванна;8 - bath;
9 - механизм вертикального перемещения;9 - vertical movement mechanism;
10 - заслонка;10 - damper;
11- канал подачи изопропилового спирта;11- isopropyl alcohol supply channel;
12- форсунки;12- nozzles;
13 - канал подачи деионизованной воды;13 - deionized water supply channel;
14 - канал откачки деионизованной воды;14 - channel for pumping out deionized water;
Предлагаемое устройство содержит (фиг.5, 6) литой корпус носителя 1, в верхней части которого находится пять остроугольных выступов 2 с выемками 3 для удержания подложки, в вершине каждого остроугольного выступа 2 предусмотрен канал меньшего диаметра 4, диаметр которого больше толщины обрабатываемой подложки 6, но меньше основания выступов 2. Далее каждый канал меньшего диаметра 4 переходит в канал большего диаметра 5 для создания разряжения в каждой точке касания подложки 6 и корпуса носителя 1.The proposed device contains (Fig. 5, 6) a
Заявляемое устройство работает следующим образом (фиг. 5-9).The claimed device operates as follows (Fig. 5-9).
Подложка 6 устанавливается в корпус носителя 1 и с помощью механизма вертикального перемещения 9 опускается в ванну 8, наполненную деионизованной водой (фиг. 7). Заслонка 10 ванны 8 закрывается и через канал 11 подаются пары изопропилового спирта, которые равномерно распыляются форсунками 12. Подача деионизованной воды через канал 13 прекращается, а через канал 14 начинается ее откачка. По мере уменьшения уровня воды внутренняя полость ванны 8 наполняется парами спирта, тем самым создавая в месте выхода подложки 6 из жидкости мениск, при этом в верхней части мениска концентрация изопропанола абсорбированного поверхностью воды значительно больше, чем в нижней части мениска, благодаря чему коэффициент поверхностного натяжения в верхней части мениска резко отличается от коэффициента поверхностного натяжения в нижней части мениска, что и приводит к очистке поверхности подложки 6 и ее сушке.The
Подложка 6 удерживается по верхней вогнутой части корпуса носителя 1 с помощью выемок 3 в пяти остроугольных выступах 2, имеющих каналы меньшего диаметра 4, переходящие в каналы большего диаметра 5 (фиг. 5). Эффект удаления капли (фиг. 8, 9) заключается в свойстве возникновения разряжения в каналах большого диаметра 5 по мере удаления деионизованной воды. Таким образом капля воды 7, удерживаемая в зоне контакта подложки 6 с корпусом носителя 1 откачивается из канала большего диаметра 5 и удаляется.The
Технический результат - улучшение качества обработки круглой полупроводниковой подложки.The technical result is an improvement in the quality of processing a round semiconductor substrate.
Claims (3)
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2827317C1 true RU2827317C1 (en) | 2024-09-24 |
Family
ID=
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5520744A (en) * | 1993-05-17 | 1996-05-28 | Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. | Device for rinsing and drying substrate |
US5884640A (en) * | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
US6001191A (en) * | 1995-12-07 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate washing method, substrate washing-drying method, substrate washing apparatus and substrate washing-drying apparatus |
US20080053485A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Takayuki Yanase | Method for cleaning and drying substrate |
RU2510098C1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-03-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" | Method and device to wash and dry substrates |
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5520744A (en) * | 1993-05-17 | 1996-05-28 | Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. | Device for rinsing and drying substrate |
US6001191A (en) * | 1995-12-07 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate washing method, substrate washing-drying method, substrate washing apparatus and substrate washing-drying apparatus |
US5884640A (en) * | 1997-08-07 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for drying substrates |
US20080053485A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Takayuki Yanase | Method for cleaning and drying substrate |
RU2510098C1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-03-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" | Method and device to wash and dry substrates |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6875289B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning systems and methods | |
US6383304B1 (en) | Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a movable side wall | |
US5878760A (en) | Ultra-low particle semiconductor cleaner | |
US6158446A (en) | Ultra-low particle semiconductor cleaner | |
US5571337A (en) | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer | |
JPH0243386A (en) | Treating device by liquid | |
JP3560962B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US5958146A (en) | Ultra-low particle semiconductor cleaner using heated fluids | |
KR100568103B1 (en) | Apparatus and method for cleaning semiconductor substrates | |
CN111095512A (en) | Method and device for cleaning semiconductor silicon wafer | |
KR100481309B1 (en) | Apparatus for drying semiconductor substrate | |
US6681499B2 (en) | Substrate drying method for use with a surface tension effect dryer with porous vessel walls | |
US20180333755A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
RU2827317C1 (en) | Device for washing and drying round semiconductor substrate and removing drops from its surface | |
KR20040079988A (en) | Capillary drying of substrates | |
KR20010049878A (en) | Wet processing apparatus | |
KR100746645B1 (en) | Supporter and apparatus for cleaning substrates with the supporter, and method for cleaning substrates | |
KR100672942B1 (en) | Apparatus and method for drying substrates used in manufacturing semiconductor devices | |
RU224491U1 (en) | Semiconductor substrate carrier | |
KR101000299B1 (en) | Apparatus for coating a substrate | |
JP3600746B2 (en) | Substrate processing equipment | |
KR102583262B1 (en) | Method for treating a substrate and an apparatus for treating a substrate | |
KR20100109021A (en) | Method for drying wafers | |
JP2000150455A (en) | Substrate processing device |