[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2710296C1 - Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала - Google Patents

Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала Download PDF

Info

Publication number
RU2710296C1
RU2710296C1 RU2019131161A RU2019131161A RU2710296C1 RU 2710296 C1 RU2710296 C1 RU 2710296C1 RU 2019131161 A RU2019131161 A RU 2019131161A RU 2019131161 A RU2019131161 A RU 2019131161A RU 2710296 C1 RU2710296 C1 RU 2710296C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
input
effect transistors
input field
field
current output
Prior art date
Application number
RU2019131161A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Алексей Андреевич Жук
Анна Витальевна Бугакова
Илья Викторович Пахомов
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ)
Priority to RU2019131161A priority Critical patent/RU2710296C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2710296C1 publication Critical patent/RU2710296C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники. Технический результат: создание условий, при которых обеспечиваются более высокие значения коэффициента ослабления входных синфазных сигналов и коэффициента подавления помех по шинам питания. Для этого предложен дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала, который содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, первый (4) токовый выход устройства, первую (5) шину источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, второй (7) токовый выход устройства, третий (8) входной полевой транзистор, третий (9) токовый выход устройства, вторую (10) шину источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, четвертый (12) токовый выход устройства, первый (13) дополнительный полевой транзистор, первый (14) вспомогательный двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 12 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения, например, операционных усилителях (ОУ), компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п., в т.ч. работающих при низких температурах и воздействии радиации [1].
Известны схемы классических дифференциальных каскадов на комплементарных транзисторах [2-28], в т.ч. на комплементарных КМОП полевых транзисторах [3-28] и комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом (JFet) [2], которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем. В литературе по аналоговой микроэлектронике этот класс ДК имеет специальное обозначение – dual-input-stage [29].
Для работы при низких температурах и жестких ограничениях на уровень шумов перспективно использование JFet полевых транзисторов [30-32]. ДК данного класса активно применяются в структуре малошумящих аналоговых интерфейсов для обработки сигналов датчиков [33-35].
Ближайшим прототипом (фиг. 1) заявляемого устройства является дифференциальный каскад, описанный в патенте US 5.291.149, fig.4, 1994г., который содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, сток соединен с первым 4 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, а сток соединен со вторым 7 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, причем истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, сток соединен с третьим 9 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, а сток соединен с четвертым 12 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, причем истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом.
Существенный недостаток известного ДК фиг. 1 состоит в том, что статический режим его входных полевых транзисторов (ПТ) определяется двумя независимыми источниками опорного тока I1 (I2), которые, как правило, неидентичны из-за разных напряжений отсечки ПТ c p- и n-каналами. Это становится источником дополнительных погрешностей при усилении сигналов, ухудшает коэффициент ослабления входных синфазных сигналов ДК (Кос.сф), а также коэффициент подавления помех по шинам питания (Кпп). В прецизионных устройствах требования к этим параметрам иногда доминируют.
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых в ДК фиг. 1 обеспечиваются более высокие значения Кос.сф и Кпп, в т.ч. при отрицательных температурах (до -197̊С).
Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном каскаде фиг. 1, содержащем первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, сток соединен с первым 4 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, а сток соединен со вторым 7 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, причем истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, сток соединен с третьим 9 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, а сток соединен с четвертым 12 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, причем истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, предусмотрены новые элементы и связи – в схему введен первый 13 дополнительный полевой транзистор, затвор которого соединен с объединенными истоками первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов, сток подключен к объединенным истокам третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов, а исток связан с объединенными истоками первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов через первый 14 вспомогательный двухполюсник.
На чертеже фиг. 1 представлена схема ДК-прототипа по патенту US 5.291.149, fig.4, 1994г., а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого дифференциального каскада на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом в соответствии с п.1 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 3 показана схема заявляемого дифференциального каскада в соответствии с п.2 формулы изобретения.
На чертеже фиг. 4 приведен статический режим ДК фиг. 3 при t=-197ᵒC в среде LTSpice на моделях CJFet транзисторов ОАО «Интеграл» (г. Минск).
На чертеже фиг. 5 представлены проходные характеристики ДК фиг. 4 при температуре 27ᵒС, сопротивлениях резисторов R1=R2=10 кОм, напряжениях питания V1=V2=±5В для токовых выходов Out.1, Out.2, Out.3, Out.4 при входном напряжении V3=Uвх, изменяющимся в пределах -5÷5В.
На чертеже фиг. 6 показаны проходные характеристики ДК фиг. 4 при температуре -197ᵒС, сопротивлениях резисторов R1=R2=10 кОм, напряжениях питания V1=V2=±5В для токовых выходов Out.1, Out.2, Out.3, Out.4 при входном напряжении V3=Uвх, изменяющимся в пределах -5÷5В.
На чертеже фиг. 7 представлен статический режим ДК фиг. 2 в режиме измерения проводимости передачи входного синфазного сигнала uc при эквивалентном сопротивлении резистора R15(R1)=13,5 кОм, обеспечивающего идентичные статические токи стоков входных полевых транзисторов J1-J4 по 100 мкА при температуре 25ᵒС.
На чертеже фиг. 8 приведена частотная зависимость крутизны передачи входного синфазного сигнала (Sсф) дифференцильного каскада фиг. 7 со входов 1, 2 до первого 4 (Вых.i1) и второго 7 (Вых.i2) токовых выходов.
На чертеже фиг. 9 показана частотная зависимость крутизны передачи помех на шинах питания Sп (+), Sп (-) (синусоидальное напряжение с амплитудой 100 мВ на положительной и отрицательной шинах) в ДК фиг. 7 по первому 4 (Вых.i1) и второму 7 (Вых.i2) токовым выходам.
На чертеже фиг. 10 представлены статические токи в заявляемом ДК фиг. 2 в режиме измерения проводимостей передачи входного синфазного сигнала при температуре 25ᵒС.
На чертеже фиг. 11 приведена частотная зависимость крутизны передачи Sсф входного синфазного сигнала ДК фиг. 10 для первого 4 (Вых.i1) и второго 7 (Вых.i2) токовых выходов при статических токах входных полевых транзисторов по 100 мкА, идентичных токам ПТ в схеме фиг. 7.
На чертеже фиг. 12 показана частотная зависимость крутизны передачи помех по шинам питания Sп (+), Sп (-) с амплитудой 100 мВ в ДК фиг. 10 для первого 4 (Вых.i1) и второго 7 (Вых.i2) токовых выходов.
Дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала фиг. 2 содержит первый 1 и второй 2 входы устройства, первый 3 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, сток соединен с первым 4 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, второй 6 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, а сток соединен со вторым 7 токовым выходом устройства, согласованным с первой 5 шиной источника питания, причем истоки первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий 8 входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым 1 входом устройства, сток соединен с третьим 9 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, четвертый 11 входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым 2 входом устройства, а сток соединен с четвертым 12 токовым выходом устройства, согласованным со второй 10 шиной источника питания, причем истоки третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов связаны друг с другом. В схему введен первый 13 дополнительный полевой транзистор, затвор которого соединен с объединенными истоками первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов, сток подключен к объединенным истокам третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов, а исток связан с объединенными истоками первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов через первый 14 вспомогательный двухполюсник.
Резистор 15 в схеме фиг. 2 соответствует эквивалентному сопротивлению между истоками транзисторов 3 и (6) и 8 (11). Его введение необходимо для оценки эффективности предлагаемого схемотехнического решения по величине реализуемых Кос.сф и Кпп.
Кроме этого, на чертеже фиг. 2 двухполюсники 16, 17, 18 и 19 моделируют свойства нагрузки ДК. В практических аналоговых микросхемах в качестве таких нагрузок используются входы токовых зеркал, обеспечивающих дальнейшее преобразование токовых сигналов по выходам 4, 7, 9, 12.
На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, в схему введен второй 20 дополнительный полевой транзистор, затвор которого соединен с объединенными истоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов, сток подключен к объединенным истокам первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов, а исток связан с объединенными истоками третьего 8 и четвертого 11 входных полевых транзисторов через второй 21 вспомогательный двухполюсник.
Рассмотрим работу ДУ фиг. 2 с учетом результатов сравнительного компьютерного моделирования, представленных на чертежах фиг. 8, фиг. 9, фиг. 11 и фиг. 12.
Компьютерное моделирование проходной характеристики ДК фиг. 4 в среде LTspice при комнатной (фиг. 5) и криогенной (фиг. 8) температурах показывает, что рассматриваемое схемотехнические решение обеспечивает преобразование входного синфазного напряжения ДК uc в токи выходов ДК (Out.1, Out.2, Out.3, Out.4) в диапазоне Vin=±1В. Это достаточно для многих применений.
Коэффициент ослабления входного синфазного сигнала ДК фиг.2 для первого 4 выхода (Вых.i1) определяется по формуле
Figure 00000001
(1)
где Ксф=R16Sсф – коэффициент преобразования входного синфазного сигнала ДК (uc=uc1=uc2) в напряжение на эквивалентном двухполюснике нагрузки 16;
Scф=iвых.1/uc – проводимость передачи входного синфазного сигнала uc по первому 4 токовому выходу;
Kd=R16(S3+S6) – дифференциальный коэффициент усиления по напряжению от дифференциального входа ДК (входы 1, 2) к первому 4 токовому выходу;
S3≈S6 – крутизна стоко-затворной характеристики первого 3 и второго 6 входных полевых транзисторов.
Из уравнения (1) можно получить
Figure 00000002
(2)
Похожие формулы можно получить и для коэффициентов подавления помех по шинам питания
Figure 00000003
(3)
Figure 00000004
(4)
Таким образом, для повышения помехоустойчивости ДК необходимо минимизировать схемотехническим путем проводимости передачи по входному синфазному сигналу (Sсф=0) и проводимости передачи помех по шинам питания (Sп (+)=0, Sп (-)=0).
Результаты сравнительного компьютерного моделирования схемы фиг. 2 с дополнительными элементами 13 и 14, которые введены в соответствии с п.1 формулы изобретения, а также без элементов 13 и 14 (только с резистором 15, обеспечивающим идентичный статический режим входных полевых транзисторов ДК по 100 мкА), представлены на чертежах фиг. 8 и фиг. 11. Их анализ показывает, что предлагаемое схемотехническое решение обеспечивает на низких частотах следующие проводимости передачи Sсф=376 пСм и Sп (+)=Sп (-)=900 пСм.
В то же время схема ДК-аналога дает Sсф *=48 нСм, Sп (+)*=Sп (-)*=128 нСм.
Таким образом, в заявляемом устройстве коэффициенты Кос.сф и Кпп улучшаются не менее чем на два порядка:
Figure 00000005
(5)
Figure 00000006
(6)
Figure 00000007
(7)
Следовательно, заявляемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известными схемотехническими решениями ДК класса dual-input-stage [2-28] по величине коэффициента ослабления входного синфазного сигнала и уровню подавления помех по шинам питания. Это позволяет рекомендовать рассмотренные схемы ДК для практического использования в прецизионных ОУ и построения малошумящих, низкотемпературных и радиационно-стойких аналоговых микросхем по техпроцессу CJFet ОАО «Интеграл» (г. Минск), а также комплементарному биполярно-полевому технологическому процессу АО «НПП «Пульсар» (г. Москва).
Библиографический список
1. Dvornikov O. V., Dziatlau V. L., Prokopenko N. N., Petrosiants K. O., Kozhukhov N. V. and Tchekhovski V. A. The accounting of the simultaneous exposure of the low temperatures and the penetrating radiation at the circuit simulation of the BiJFET analog interfaces of the sensors // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Astana, 2017, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2017.7998507
2. Патент US 5.291.149 fig. 4, 1994 г.
1. Патент US 4.377.789, fig. 1, 1983 г.
2. Патентная заявка US 2006/0125522, 2006 г.
3. Патент US 7.907.011, 2011
4. US 2008/0024217, fig. 1, 2008 г.
5. Патент EP 0318263,1989 г.
6. Патент US 5.907.259, fig. 1, 1999 г.
7. Патент US 7.408.410, 2008 г.
8. Патент US 6.628.168, fig.2, 2003 г.
9. Патентная заявка US 2009/0302895, 2009 г.
10. Патент US 5.714.906, fig. 4, 1998 г.
11. Патент US 2005/0285677, 2005 г.
12. Патент US 5.070.306, fig. 3, 1991 г.
13. Патент US 2010/001797, 2010 г.
14. Патент US 6.972.623, fig. 4, fig. 6, 2005 г.
15. Патент US 2008/0252374, 2008 г.
16. Патент US 7.586.373, 2009 г.
17. Патент US 2006/0215787, 2006 г.
18. Патент US 7.453.319, 2008 г.
19. Патент US 2004/0174216, fig. 2, 2004 г.
20. Патент US 7.215.200, fig. 6, 2007 г.
21. Патент US № 6.433.637, fig. 2, 2002 г.
22. Патент US № 6.392.485, 2002 г.
23. Патент US 5.963.085, fig. 3, 1999 г.
24. Патент US 6.788.143, 2004 г.
25. Патент US 4.390.850, 1983 г.
26. Патент US 6.696.894, fig. 1, 2004 г.
29. Prokopenko N. N., Butyrlagin N. V., Bugakova A. V. and Ignashin A. A.  Method for speeding the micropower CMOS operational amplifiers with dual-input-stages // 2017 24th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems (ICECS), Batumi, 2017, pp. 78-81.
30. Petrosyants K.O., Ismail-zade M.R., Sambursky L. M., Dvornikov O.V., Lvov B. G. and Kharitonov I. A. Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range // 2018 Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT), Moscow, 2018, pp. 1-5. DOI: 10.1109/MWENT.2018.8337212
31. Создание низкотемпературных аналоговых ИС для обработки импульсных сигналов датчиков. Часть 2 / О. Дворников, В. Чеховский, В. Дятлов, Н. Прокопенко // Современная электроника, 2015, № 5. С. 24-28
32. Dvornikov O.V., Prokopenko N.N., Butyrlagin N.V. and Pakhomov I.V. The differential and differential difference operational amplifiers of sensor systems based on bipolar-field technological process AGAMC // 2016 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Moscow, 2016, pp. 1-6. DOI: 10.1109/SIBCON.2016.7491792
33. Дворников О.В., Чеховский В.А., Дятлов В.Л., Прокопенко Н.Н. Малошумящий электронный модуль обработки сигналов лавинных фотодиодов // Приборы и методы измерений, № 2 (7), 2013, pp. 42-46.
34. Дворников О. Чеховский В., Дятлов В., Прокопенко Н. Применение структурных кристаллов для создания интерфейсов датчиков // Современная электроника. – 2014. – №. 1. – С. 32-37.
35. Dvornikov O. V., Bugakova A. V., Prokopenko N. N., Dziatlau V. L. and Pakhomov I. V. The microcircuits MH2XA010-02/03 for signal processing of optoelectronic sensors // 2017 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol, 2017, pp. 396-402. DOI: 10.1109/EDM.2017.7981781

Claims (2)

1. Дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала, содержащий первый (1) и второй (2) входы устройства, первый (3) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, сток соединен с первым (4) токовым выходом устройства, согласованным с первой (5) шиной источника питания, второй (6) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток соединен со вторым (7) токовым выходом устройства, согласованным с первой (5) шиной источника питания, причем истоки первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов связаны друг с другом, третий (8) входной полевой транзистор, затвор которого соединен с первым (1) входом устройства, сток соединен с третьим (9) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, четвертый (11) входной полевой транзистор, затвор которого соединен со вторым (2) входом устройства, а сток соединен с четвертым (12) токовым выходом устройства, согласованным со второй (10) шиной источника питания, причем истоки третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов связаны друг с другом, отличающийся тем, что в схему введен первый (13) дополнительный полевой транзистор, затвор которого соединен с объединенными истоками первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов, сток подключен к объединенным истокам третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов, а исток связан с объединенными истоками первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов через первый (14) вспомогательный двухполюсник.
2. Дифференциальный каскад на комплементарных JFET полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала по п. 1, отличающийся тем, что в схему введен второй (20) дополнительный полевой транзистор, затвор которого соединен с объединенными истоками третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов, сток подключен к объединенным истокам первого (3) и второго (6) входных полевых транзисторов, а исток связан с объединенными истоками третьего (8) и четвертого (11) входных полевых транзисторов через второй (21) вспомогательный двухполюсник.
RU2019131161A 2019-10-03 2019-10-03 Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала RU2710296C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019131161A RU2710296C1 (ru) 2019-10-03 2019-10-03 Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019131161A RU2710296C1 (ru) 2019-10-03 2019-10-03 Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2710296C1 true RU2710296C1 (ru) 2019-12-25

Family

ID=69023035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019131161A RU2710296C1 (ru) 2019-10-03 2019-10-03 Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2710296C1 (ru)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2736085C1 (ru) * 2020-06-09 2020-11-11 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Многоканальный преобразователь дифференциального напряжения в парафазные выходные токи на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2739213C1 (ru) * 2020-06-08 2020-12-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Широкополосный преобразователь «напряжение-ток» на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2741056C1 (ru) * 2020-09-01 2021-01-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
RU2746888C1 (ru) * 2020-10-20 2021-04-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с повышенной температурной стабильностью статического режима
RU2766861C1 (ru) * 2021-09-08 2022-03-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2770915C1 (ru) * 2021-10-06 2022-04-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Дифференциальный усилитель с повышенной крутизной на полевых транзисторах
RU2792710C1 (ru) * 2022-03-17 2023-03-23 Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" Многоканальный дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых и биполярных транзисторах

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4079332A (en) * 1976-11-22 1978-03-14 Rockwell International Corporation High gain differential amplifier
SU1483601A1 (ru) * 1987-08-17 1989-05-30 Уральский политехнический институт им.С.М.Кирова Дифференциальный усилительный каскад
US5291149A (en) * 1992-03-30 1994-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Operational amplifier
US7330074B2 (en) * 2004-09-24 2008-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Differential amplifier with cascade control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4079332A (en) * 1976-11-22 1978-03-14 Rockwell International Corporation High gain differential amplifier
SU1483601A1 (ru) * 1987-08-17 1989-05-30 Уральский политехнический институт им.С.М.Кирова Дифференциальный усилительный каскад
US5291149A (en) * 1992-03-30 1994-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Operational amplifier
US7330074B2 (en) * 2004-09-24 2008-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Differential amplifier with cascade control

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2739213C1 (ru) * 2020-06-08 2020-12-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Широкополосный преобразователь «напряжение-ток» на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2736085C1 (ru) * 2020-06-09 2020-11-11 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Многоканальный преобразователь дифференциального напряжения в парафазные выходные токи на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2741056C1 (ru) * 2020-09-01 2021-01-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
RU2746888C1 (ru) * 2020-10-20 2021-04-21 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с повышенной температурной стабильностью статического режима
RU2766861C1 (ru) * 2021-09-08 2022-03-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Дифференциальный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2770915C1 (ru) * 2021-10-06 2022-04-25 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) Дифференциальный усилитель с повышенной крутизной на полевых транзисторах
RU2792710C1 (ru) * 2022-03-17 2023-03-23 Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО" Многоканальный дифференциальный усилитель на арсенид-галлиевых полевых и биполярных транзисторах
RU2822991C1 (ru) * 2024-02-28 2024-07-16 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Дифференциальный каскад класса АВ с токовыми выходами, согласованными с разными шинами источников питания

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2710296C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных jfet полевых транзисторах с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала
RU2624565C1 (ru) Инструментальный усилитель для работы при низких температурах
RU2688225C1 (ru) Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2365969C1 (ru) Токовое зеркало
RU2566963C1 (ru) Дифференциальный входной каскад быстродействующего операционного усилителя для кмоп-техпроцессов
RU2684489C1 (ru) Буферный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы при низких температурах
RU2712414C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом класса ав с изменяемым напряжением ограничения проходной характеристики
RU2710847C1 (ru) Дифференциальный каскад класса ав на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом для работы в условиях низких температур
Lin et al. Ripple suppression in capacitive-gain chopper instrumentation amplifier using amplifier slicing
RU2736412C1 (ru) Дифференциальный усилитель на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU2712416C1 (ru) Входной дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах для работы при низких температурах
RU2721943C1 (ru) Низкотемпературный входной каскад операционного усилителя с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2684473C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах
RU2687161C1 (ru) Буферный усилитель для работы при низких температурах
RU2732583C1 (ru) Низкотемпературный операционный усилитель с повышенным ослаблением входного синфазного сигнала на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2746888C1 (ru) Дифференциальный каскад на комплементарных полевых транзисторах с повышенной температурной стабильностью статического режима
RU2621286C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель для работы при низких температурах
RU2441316C1 (ru) Дифференциальный усилитель с малым напряжением питания
RU2710930C1 (ru) Дифференциальный усилитель на комплементарных полевых транзисторах с повышенной стабильностью статического режима
RU2724975C1 (ru) Преобразователь дифференциального входного напряжения с парафазными токовыми выходами на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
RU2740306C1 (ru) Дифференциальный каскад класса ав с нелинейным параллельным каналом
RU2319288C1 (ru) Дифференциальный усилитель с низковольтным питанием
RU2739213C1 (ru) Широкополосный преобразователь «напряжение-ток» на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
RU2710298C1 (ru) Неинвертирующий усилитель с токовым выходом для работы при низких температурах
RU2367996C1 (ru) Токовое зеркало