RU2689267C2 - Light emitting device and adaptive system of driving lights - Google Patents
Light emitting device and adaptive system of driving lights Download PDFInfo
- Publication number
- RU2689267C2 RU2689267C2 RU2015146923A RU2015146923A RU2689267C2 RU 2689267 C2 RU2689267 C2 RU 2689267C2 RU 2015146923 A RU2015146923 A RU 2015146923A RU 2015146923 A RU2015146923 A RU 2015146923A RU 2689267 C2 RU2689267 C2 RU 2689267C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- electrode
- emitting device
- emitting elements
- connection
- Prior art date
Links
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 95
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 84
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 60
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 206010033101 Otorrhoea Diseases 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 9
- -1 etc. Substances 0.000 description 9
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000052769 pathogen Species 0.000 description 2
- 230000001717 pathogenic effect Effects 0.000 description 2
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N bismuth tin Chemical compound [Sn].[Bi] JWVAUCBYEDDGAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Lighting Device Outwards From Vehicle And Optical Signal (AREA)
Abstract
Description
ПЕРЕКРЕСТНЫЕ ССЫЛКИ НА РОДСТВЕННЫЕ ЗАЯВКИCROSS REFERENCE TO RELATED APPLICATIONS
Данная заявка испрашивает приоритет согласно патентной заявке Японии № 2014-222249, поданной 31 октября 2014 года, и № 2015-187821, поданной 25 сентября 2015 года. Содержание патентных заявок Японии №№ 2014-222249 и 2015-187821 полностью включено в настоящую заявку посредством ссылки. This application claims priority according to Japanese Patent Application No. 2014-222249, filed on October 31, 2014, and No. 2015-187821, filed on September 25, 2015. The contents of Japanese patent applications No. 2014-222249 and 2015-187821 are fully incorporated into the present application by reference.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИBACKGROUND
Область техники, к которой относится изобретениеThe technical field to which the invention relates.
Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству и адаптивной системе фар дальнего света. The present invention relates to a light-emitting device and an adaptive high-beam headlamp system.
Предшествующий уровень техникиPrior art
Что касается светоизлучающего устройства со светоизлучающими диодами (LED) или другими подобными светоизлучающими элементами, то множество светоизлучающих элементов монтируют на изолированной подложке, на которой уже сформирована матричная схема соединений. В результате добиваются высокой яркости, и в последние годы такие устройства используются как автомобильные источники света и тому подобное. As for the light-emitting device with light-emitting diodes (LEDs) or other similar light-emitting elements, many light-emitting elements are mounted on an insulated substrate, on which the matrix wiring is already formed. As a result, achieve high brightness, and in recent years, such devices are used as automotive light sources and the like.
Однако в случае формирования матричной схемы соединений на подложке, особенно для того, чтобы индивидуально включать и выключать каждый из множества светоизлучающих элементов, требуется многослойная схема соединений, приводя к сложной конфигурации, что требует сложного процесса изготовления и повышенных производственных затрат. Также это приводит к увеличению размера подложки, препятствуя миниатюризации светоизлучающего устройства.However, in the case of forming a matrix connection scheme on a substrate, especially in order to individually turn on and off each of the plurality of light-emitting elements, a multi-layer connection scheme is required, leading to a complex configuration, which requires a complicated manufacturing process and increased production costs. It also leads to an increase in the size of the substrate, preventing the miniaturization of the light-emitting device.
В прошлом в качестве многослойной схемы соединений или монтажной платы с внутренним слоем был использован продукт зажатия, прикрепления, или присоединения иным способом тонко-пленочного шаблона схемы соединений к сырой пленке из оксида алюминия или другой подобной керамики с последующим обжигом, как например, в JP 2009-135535 A. Однако для источника света, в котором требуется высокая плотность монтажа для достижения высокой яркости, такой как для автомобильного источника света, ширина, шаг и тому подобные параметры шаблона схемы соединений необходимо микроминиатюризировать; а уменьшение размерной точности шаблона схемы соединений, вызванное усадкой, сопровождающей обжиг керамики, затрудняет проектирование схемы соединений матричной платы. In the past, the product of clamping, attaching, or otherwise attaching a thin-film template of a compound scheme to a raw film of aluminum oxide or other similar ceramics with subsequent calcination, as for example, in JP 2009, was used as a multilayer connection scheme or a circuit board with an inner layer. -135535 A. However, for a light source that requires high mounting density to achieve high brightness, such as for a car light source, the width, pitch, and similar parameters of the circuit pattern are neo microminiaturize; and a decrease in the dimensional accuracy of the pattern of the wiring diagram, caused by the shrinkage that accompanies the firing of ceramics, makes it difficult to design the wiring diagram of the matrix board.
Также, хотя и уже предложены различные виды матричных схем соединений для светоизлучающих устройств, например, в JP 2009-302542 A, необходимо сконструировать светоизлучающее устройство, которое бы соответствовало шаблону схемы соединений монтажной платы, чтобы адекватным образом гарантировать эффективность отдельных светоизлучающих элементов. Also, although various types of matrix wiring diagrams for light-emitting devices have already been proposed, for example, in JP 2009-302542 A, it is necessary to design a light-emitting device that matches the pattern of the wiring diagram of the circuit board to adequately guarantee the effectiveness of individual light-emitting elements.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF INVENTION
Целью настоящего изобретения является обеспечение светоизлучающего устройства и адаптивной системы фар дальнего света, с которыми возможно индивидуальное включение и выключение с полной реализацией эффективности светоизлучающих элементов.The aim of the present invention is to provide a light-emitting device and an adaptive high-beam headlamp system, with which individual switching on and off with the full realization of the efficiency of light-emitting elements is possible.
Светоизлучающее устройство согласно настоящему изобретению включает в себя: подложку, имеющую первую основную поверхность; множество первых схем соединений, которые сформированы на первой основной поверхности и простираются в первом направлении; множество вторых схем соединений, которые сформированы на первой основной поверхности, простираются во втором направлении и сегментированы в каждой второй схеме соединений; и множество светоизлучающих элементов, оснащенных первым электродом и вторым электродом, расположенными на одной и той же лицевой стороне полупроводниковой сложенной слоями структуры. Множество светоизлучающих элементов расположены вдоль второго направления, причем первый электрод подсоединен напротив первой схемы соединения, второй электрод имеет первую соединительную часть и вторую соединительную часть, которая связана с первой соединительной частью. Первая соединительная часть и вторая соединительная часть подсоединены напротив второй схемы соединений и шунтируют по меньшей мере два из сегментированных вторых схем соединений во втором направлении.A light emitting device according to the present invention includes: a substrate having a first major surface; a plurality of first wiring diagrams that are formed on the first major surface and extend in the first direction; a plurality of second connection diagrams that are formed on the first main surface extend in a second direction and segmented in each second connection diagram; and a plurality of light-emitting elements equipped with a first electrode and a second electrode located on the same front side of the semiconductor folded structure. A plurality of light-emitting elements are arranged along a second direction, the first electrode being connected opposite the first coupling circuit, the second electrode having a first connecting part and a second connecting part, which is connected to the first connecting part. The first connecting part and the second connecting part are connected opposite the second connection scheme and at least two of the segmented second connection schemes are shunted in the second direction.
Дополнительно, адаптивная система фар дальнего света включает в себя вышеупомянутое светоизлучающее устройство, бортовую камеру, которая распознает положение впереди идущего транспортного средства; и электронный блок управления, который определяет шаблон светораспределения и область, подлежащую затенению.Additionally, the adaptive high-beam headlamp system includes the aforementioned light-emitting device, an on-board camera that recognizes the position of the vehicle in front; and an electronic control unit that determines the light distribution pattern and the area to be shaded.
Настоящее изобретение может обеспечить светоизлучающее устройство, с которым достигается меньший размер с простой структурой и возможность индивидуального включения и выключения при достижении достаточной эффективности светоизлучающих элементов. The present invention can provide a light-emitting device, with which a smaller size is achieved with a simple structure and the possibility of individual switching on and off while achieving sufficient efficiency of the light-emitting elements.
Дополнительно, светоизлучающее устройство можно использовать для обеспечения высокоэффективной адаптивной системы фар дальнего света. Additionally, a light-emitting device can be used to provide a highly efficient adaptive high-beam headlamp system.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Фиг. 1А - упрощенный вид в плане подложки возбуждения в варианте осуществления раскрытого здесь светоизлучающего устройства;FIG. 1A is a simplified plan view of an excitation substrate in an embodiment of a light-emitting device disclosed herein;
фиг. 1В - упрощенный вид в плане подложки возбуждения по фиг. 1А, на которую вмонтированы светоизлучающие элементы;FIG. 1B is a simplified plan view of the drive substrate of FIG. 1A, onto which light-emitting elements are mounted;
фиг. 1С - упрощенный вид в плане светоизлучающего элемента, показывающий схему размещения электродов светоизлучающих элементов, установленных на подложке возбуждения по фиг. 1А;FIG. 1C is a simplified plan view of a light-emitting element showing the arrangement of the electrodes of the light-emitting elements mounted on the excitation substrate of FIG. 1A;
фиг. 1D - упрощенный вид в плане светоизлучающего элемента, показывающий другую схему размещения электродов светоизлучающих элементов, установленных на подложке возбуждения по фиг. 1А;FIG. 1D is a simplified plan view of a light-emitting element showing another arrangement of electrodes for light-emitting elements mounted on the excitation substrate of FIG. 1A;
фиг. 1Е - поперечное сечение по линии А-А’ на фиг. 1D; FIG. 1E is a cross section along the line A-A ’in FIG. 1D;
фиг. 1F - поперечное сечение по линии В-В’ на фиг. 1G; FIG. 1F is a cross section along the line B-B ’in FIG. 1G;
фиг. 1G - матричная схема, с использованием подложки возбуждения, на которой установлены светоизлучающие элементы;FIG. 1G is a matrix circuit using an excitation substrate on which light-emitting elements are mounted;
фиг. 2А - упрощенное поперечное сечение (вырез по линии А-А’ на фиг. 1А) этапов изготовления раскрытого здесь светоизлучающего устройства;FIG. 2A is a simplified cross section (cut along the line A-A ’in FIG. 1A) of the steps for manufacturing the light-emitting device disclosed herein;
фиг. 2В - упрощенное поперечное сечение этапов изготовления для светоизлучающего устройства согласно варианту осуществления настоящего изобретения;FIG. 2B is a simplified cross section of manufacturing steps for a light-emitting device according to an embodiment of the present invention;
фиг. 2С - упрощенное поперечное сечение этапов изготовления для светоизлучающего устройства согласно варианту осуществления настоящего изобретения;FIG. 2C is a simplified cross section of manufacturing steps for a light-emitting device according to an embodiment of the present invention;
фиг. 2D - упрощенный вид в плане светоизлучающего устройства по фиг. 2С;FIG. 2D is a simplified plan view of the light emitting device of FIG. 2C;
фиг. 3А - упрощенный вид в плане, показывающий пример подложки возбуждения согласно варианту осуществления настоящего изобретения;FIG. 3A is a simplified plan view showing an example of a drive substrate according to an embodiment of the present invention;
фиг. 3В - упрощенный вид в плане подложки возбуждения по фиг. 3А, на которой установлены светоизлучающие элементы;FIG. 3B is a simplified plan view of the drive substrate of FIG. 3A, on which light-emitting elements are mounted;
фиг. 4А - упрощенный вид в плане, показывающий пример подложки возбуждения согласно варианту осуществления настоящего изобретения;FIG. 4A is a simplified plan view showing an example of a field substrate according to an embodiment of the present invention;
фиг. 4В - упрощенный вид в плане подложки возбуждения по фиг. 4А, на которой установлены светоизлучающие элементы;FIG. 4B is a simplified plan view of the drive substrate of FIG. 4A, on which light-emitting elements are mounted;
фиг. 4С - упрощенный вид в плане светоизлучающего элемента, показывающий схему расположения электродов светоизлучающих элементов, установленных на подложке возбуждения по фиг. 4А.FIG. 4C is a simplified plan view of a light emitting element showing the arrangement of the electrodes of the light emitting elements mounted on the excitation substrate of FIG. 4a.
фиг. 5А - упрощенный вид в плане, показывающий пример подложки возбуждения согласно варианту осуществления настоящего изобретения;FIG. 5A is a simplified plan view showing an example of a field substrate according to an embodiment of the present invention;
фиг. 5В - упрощенный вид в плане подложки возбуждения по фиг. 5А, на которой установлены светоизлучающие элементы;FIG. 5B is a simplified plan view of the drive substrate of FIG. 5A, on which light-emitting elements are mounted;
фиг. 6А - блок-схема электрической конфигурации адаптивной системы фар дальнего света согласно варианту осуществления настоящего изобретения; иFIG. 6A is a block diagram of an electrical configuration of an adaptive high-beam headlamp system according to an embodiment of the present invention; and
фиг. 6В - блок-схема последовательности операций управления в адаптивной системе фар дальнего света согласно варианту осуществления настоящего изобретения. FIG. 6B is a flowchart of control operations in an adaptive high-beam headlamp according to an embodiment of the present invention.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯDETAILED DESCRIPTION OF EMBODIMENTS
Размеры и взаимосвязи компоновки компонентов на каждом из чертежей иногда показаны в увеличенном виде для облегчения объяснения. Дополнительно, в нижеследующем описании одинаковые обозначения или ссылочные позиции в принципе могут обозначать одинаковые или подобные компоненты, повторные описания которых соответственно опущены.The dimensions and interrelationships of the layout of the components in each of the drawings are sometimes shown in an enlarged view to facilitate explanation. Additionally, in the following description, the same designations or reference numerals may in principle refer to the same or similar components, the repeated descriptions of which are omitted accordingly.
Светоизлучающее устройствоLight emitting device
Светоизлучающее устройство по данному варианту осуществления имеет подложку возбуждения, которая включает в себя подложку, имеющую первую основную поверхность, множество первых схем соединений, которые простираются в первом направлении, и множество вторых схем соединений, которые сформированы на первой основной поверхности, простираются во втором направлении и сегментированы на их схемах размещения, а также множество светоизлучающих элементов, которые смонтированы на этой подложке возбуждения и оснащены первым электродом и вторым электродом, расположенными на одной и той же лицевой стороне полупроводниковой сложенной слоями структуры.The light emitting device of this embodiment has an excitation substrate that includes a substrate having a first major surface, a plurality of first connection diagrams that extend in a first direction, and a plurality of second connection diagrams that are formed on the first primary surface, extend in a second direction and segmented on their layout, as well as a multitude of light-emitting elements that are mounted on this excitation substrate and equipped with a first electrode and a second e an electrode located on the same front side of a semiconductor structure folded in layers.
Подложка возбужденияExcitation substrate
Подложка Substrate
Подложка имеет первую основную поверхность. Предпочтительно, подложка также имеет вторую основную поверхность в качестве основной поверхности на противоположной стороне по отношению к первой основной поверхности. Первая основная поверхность и/или вторая основная поверхность предпочтительно должны быть плоскими. Предпочтительно, форма подложки представляет собой, например, прямоугольную плоскую плату.The substrate has a first major surface. Preferably, the substrate also has a second major surface as the major surface on the opposite side with respect to the first major surface. The first major surface and / or the second major surface should preferably be flat. Preferably, the shape of the substrate is, for example, a rectangular flat plate.
Толщина и размер подложки могут соответственно согласовываться в соответствии с размером, количеством и т.д. светоизлучающих элементов, подлежащих монтажу. Например, толщина подложки может составлять примерно от 0,05 до 10 мм, с предпочтением примерно от 0,1 до 1 мм. Например, размер может составлять примерно от 50×50 мм до 100×100 мм.The thickness and size of the substrate can be adjusted accordingly in accordance with the size, quantity, etc. light emitting elements to be mounted. For example, the thickness of the substrate may be from about 0.05 to 10 mm, with a preference from about 0.1 to 1 mm. For example, the size may be from about 50 × 50 mm to 100 × 100 mm.
Подложка может быть сформирована из материала с изолирующими свойствами, примеры таковых включают в себя окись алюминия, нитрид алюминия и другие подобные керамические подложки, стеклянные подложки, подложки из эпоксидного стеклопластика, подложки из бакелизованной бумаги, подложки на основе бумаги и эпоксидной смолы, подложки из стеклокомпозита, подложки из низкотемпературной керамики (LTCC), подложки из термопластичной смолы, подложки из термоактивной смолы и другой подобной смолы. Из них предпочтительной является керамическая подложка, причем подложка, выполненная из нитрида алюминия, более предпочтительна с точки зрения рассеяния тепла. Также предпочтительно, чтобы теплопроводность составляла по меньшей мере 170 Вт/м⋅К.The substrate can be formed from a material with insulating properties, examples of which include aluminum oxide, aluminum nitride and other similar ceramic substrates, glass substrates, epoxy-glass-reinforced plastic substrates, bakelized paper substrates, paper-based substrates and epoxy resins, glass composite substrates , low temperature ceramic substrates (LTCC), thermoplastic resin substrates, thermoactive resin substrates and other similar resins. Of these, a ceramic substrate is preferred, and a substrate made of aluminum nitride is more preferable from the point of view of heat dissipation. It is also preferable that the thermal conductivity is at least 170 W / m⋅K.
Предпочтительно, подложка имеет однослойную структуру, причем особенно предпочтительной является керамическая подложка с однослойной структурой. Однако в процессе изготовления могут быть сложены два или более слоев, и в конце концов интегрированы чтобы образовать подложку.Preferably, the substrate has a monolayer structure, with a ceramic substrate with a monolayer structure being particularly preferred. However, in the manufacturing process, two or more layers can be folded, and finally integrated to form the substrate.
При использовании керамической подложки, она может быть изготовлена методом совместного обжига, но предпочтение следует отдать методу пост-обжига, чтобы получить подложку с повышенной размерной точностью. Пост-обжиг является методом, при котором схема соединения формируются на керамической плате, которая уже была подвергнута обжигу. Когда схема соединений формируется пост-обжигом, может быть сформирован миниатюрный шаблон путем электролитического осаждения, напыления, вакуумного осаждения из паровой фазы или т.п., включая применение метода отслаивания с использованием шаблона маски, посредством технологии фотолитографии. When using a ceramic substrate, it can be made by the method of joint roasting, but preference should be given to the post-roasting method in order to obtain a substrate with a higher dimensional accuracy. Post-firing is a method in which a circuit is formed on a ceramic plate that has already been fired. When the circuit is formed by post-firing, a miniature pattern can be formed by electrolytic deposition, sputtering, vacuum vapor deposition, or the like, including applying the peeling method using a mask pattern using photolithography technology.
Первые схемы соединений и вторые схемы соединенийThe first wiring diagrams and the second wiring diagrams
Первые и вторые схемы соединений формируются на первой основной поверхности подложки.The first and second connection schemes are formed on the first main surface of the substrate.
Первые и вторые схемы соединений, например, электрически подсоединены к светоизлучающим элементам и внешнему источнику питания и используются для подачи напряжения от внешнего источника питания на светоизлучающие элементы. Как обсуждается ниже, первые схемы соединений подсоединены к первым электродам светоизлучающих элементов, а вторые схемы соединений подсоединены ко вторым электродам светоизлучающих элементов. Первые схемы соединений и вторые схемы соединений могут соответствовать либо аноду, либо катоду, но предпочтительно, первые схемы соединений соответствуют катоду, а вторые схемы соединений соответствуют аноду.The first and second wiring diagrams, for example, are electrically connected to the light-emitting elements and an external power source and are used to supply voltage from an external power source to the light-emitting elements. As discussed below, the first wiring diagrams are connected to the first electrodes of the light emitting elements, and the second wiring diagrams are connected to the second electrodes of the light emitting elements. The first wiring diagrams and the second wiring diagrams can correspond either to the anode or cathode, but preferably, the first wiring diagrams correspond to the cathode, and the second wiring diagrams correspond to the anode.
На первой основной поверхности подложки имеется множество независимых первых схем соединений, расположенных простирающимися в первом направлении. Здесь «первым направлением» может быть любое направление, например, им может быть направление, соответствующее оси x в двух измерениях (такое, как направление по прямой). Концепция простирания в первом электроде не ограничена простиранием по прямой (таким образом, как 11 на фиг. 1А и 21 на фиг 3А), а также охватывает простирание к первому направлению в ступенчатой форме (41 на фиг. 5А), кривой форме или их комбинации. Пока одна первая схема соединений простирается первом направлении первая схема соединений может частично разветвляться (разветвляться на две, на три (31 на фиг. 4А) и т.д.) или может иметь часть, которая частично разветвляется. Предпочтительно, чтобы разветвленные первые схемы соединений были смежными друг относительно друга и простирались по существу параллельно. On the first main surface of the substrate, there are a number of independent first connection schemes, extending in the first direction. Here the “first direction” can be any direction, for example, it can be the direction corresponding to the x axis in two dimensions (such as the direction in a straight line). The concept of a strike in the first electrode is not limited to a straight stroke (as 11 in Fig. 1A and 21 in Fig. 3A), but also encompasses a strike to the first direction in a step shape (41 in Fig. 5A), a curved shape, or a combination thereof . While one first connection diagram extends to the first direction, the first connection diagram may partially branch (split into two, into three (31 in FIG. 4A), etc.) or it may have a part that partially branches. Preferably, the branched first connection patterns are contiguous with each other and extend substantially parallel.
Вторые схемы соединений простираются во втором направлении на первой основной поверхности подложки, причем они сегментированы (таким образом, как 22x… на фиг. 3А), и предпочтительно множество этих вторых схем соединений расположены независимо друг от друга (таким образом, как 22x, 22y и 22z на фиг. 3А, 32x, 32y и 32z на фиг. 4А и 42x, 42y и 42z на фиг. 5А). Это второе направление здесь может быть любым направлением, пока оно пересекает первые схемы соединений, простирающиеся в первом направлении. Предпочтительно, чтобы угол этого пересечения был перпендикулярным направлением (таким как, направление столбцов, соответствующее оси y). Однако, используемый здесь термин «перпендикулярный» подразумевает возможность отклонения порядка ±10°. Также концепция расположения вдоль второго направления не ограничивается расположением по прямой линии, а также распространяется на расположение по ступенчатой линии, кривой или комбинации этих форм, когда такая линия простирается ко второму направлению. The second wiring diagrams extend in the second direction on the first major surface of the substrate, and they are segmented (thus, as 22x ... in Fig. 3A), and preferably a plurality of these second connection diagrams are located independently of each other (thus, as 22x, 22y and 22z in Fig. 3A, 32x, 32y and 32z in Fig. 4A and 42x, 42y and 42z in Fig. 5A). This second direction here can be any direction as long as it intersects the first connection diagrams extending in the first direction. Preferably, the angle of this intersection is perpendicular to the direction (such as the direction of the columns corresponding to the y axis). However, the term “perpendicular” as used here implies the possibility of deviation of the order of ± 10 °. Also, the concept of location along the second direction is not limited to location in a straight line, but also extends to location along a stepped line, curve, or a combination of these forms, when such a line extends to the second direction.
Используемый здесь термин «множество» означает, что множество вторых схем соединений расположено так, что они создают пары с множеством первых схем соединений. Также, когда вторые схемы соединений простираются вдоль второго направления, они обычно пересекают первые схемы соединений в одном или более местах, но в этих местах, соответствующих этим точкам пересечения, вторые схемы соединений расположены, не пересекаясь с первыми схемами соединений, но будучи отделенными от первых схем соединений. Другими словами, поскольку вторые схемы соединений сегментированы и расположены в местоположениях, соответствующих местам пересечения с первыми схемами соединений, это также может означать, что одна из вторых схем соединений, которая образует пару с одной из первых схем соединений, составлена множеством сегментированных частей (сегментированных участков вторых схем соединений). Пока одна из вторых схем соединений расположена вдоль второго направления, вторые схемы соединений могут быть расположены параллельно и смежно друг относительно друга, так чтобы соответствовать разветвлению на две (12 на фиг. 1А), разветвлением на три и т.д. Также они могут быть частями, которые частично разветвлены. The term “plurality” as used herein means that the plurality of second connection diagrams are arranged such that they create pairs with a plurality of first connection diagrams. Also, when the second connection diagrams extend along the second direction, they usually intersect the first connection diagrams in one or more places, but in these places corresponding to these intersection points, the second connection diagrams are located without intersecting the first connection diagrams, but being separated from the first connection diagrams. In other words, since the second wiring diagrams are segmented and located at locations corresponding to the intersection with the first wiring diagrams, this can also mean that one of the second wiring diagrams, which is paired with one of the first wiring diagrams, is composed of many segmented parts (segmented sections second connection diagrams). While one of the second connection diagrams is located along the second direction, the second connection diagrams can be arranged parallel and adjacent to each other so as to correspond to branching into two (12 in FIG. 1A), branching into three, etc. They may also be parts that are partially branched.
Предпочтительно, внешние периферии первых схем соединений и вторых схем соединений скомпонованы в регулярном шаблоне по направлениям столбца и ряда для создания, например, квадратной формы, прямоугольной формы, ромбовидной формы или т.п.Preferably, the outer periphery of the first wiring diagrams and the second wiring diagrams are arranged in a regular pattern along the directions of the column and row to create, for example, square, rectangular, diamond shape or the like.
Первые и вторые схемы соединений могут быть сформированы из материалов, которые проводят электричество, таких как однослойная пленка или сложенная слоями пленка из золота (Au), серебра (Ag), меди (Cu), вольфрама (W), никеля (Ni) или другого подобного металла или сплава. Толщина первых и вторых схем соединений может каждая иметь ту же самую толщину или может отличаться по толщине. Общая толщина первых схем соединений и вторых схем соединений составляет примерно, например, от 1 до 100 мкм.The first and second connection schemes can be formed from materials that conduct electricity, such as a single-layer film or a folded film of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), tungsten (W), nickel (Ni), or other similar metal or alloy. The thickness of the first and second connection diagrams may each be of the same thickness or may differ in thickness. The total thickness of the first wiring diagrams and the second wiring diagrams is approximately, for example, from 1 to 100 μm.
В случае формирования первых схем соединений и/или вторых схем соединений с помощью сложенной слоями пленки, первые схемы соединений и/или вторые схемы соединений могут иметь частично разные структуры в направлении толщины или в плоскости. Например, часть поверхности первых схем соединений или вторых схем соединений удаляется посредством лазерной подгонки, и экспонированная поверхность первых схем соединений или вторых схем соединений, полученная таким образом, может превратиться в оксид. Более конкретно, в случае когда формируются первые схемы соединений со сложенной слоями структурой TiW/Cu/Ni/Au, Au пленка может быть удалена с помощью лазерной подгонки, чтобы экспонировать Ni и экспонированная поверхность из Ni может окислиться.In the case of the formation of the first wiring diagrams and / or second wiring diagrams using folded films, the first wiring diagrams and / or the second wiring diagrams may have partially different structures in the thickness direction or in the plane. For example, a portion of the surface of the first wiring diagrams or second wiring diagrams is removed by laser fit, and the exposed surface of the first wiring diagrams or second wiring diagrams, thus obtained, can be converted to oxide. More specifically, in the case where the first connections are formed with a folded TiW / Cu / Ni / Au structure, the Au film can be removed by laser fitting to expose Ni and the exposed Ni surface can be oxidized.
Ширину и интервалы для первых и вторых схем соединений можно соответствующим образом регулировать, для получения размера, количества, плотности, яркости и т.д. светоизлучающих элементов, монтируемых на подложке возбуждения. Например, предпочтительно, ширина первых схем соединений составляет, примерно, по меньшей мере от одной пятой до менее половины длины одной стороны светоизлучающего элемента. В случае, когда две или более первых схем соединений компонуются для каждого светоизлучающего элемента, их скомбинированная ширина может находиться примерно в этом диапазоне. Предпочтительно, ширина вторых схем соединений больше одной пятой, но не больше примерно половины длины одной стороны светоизлучающего элемента. В случае, когда две или более вторых схем соединений скомпоновано для каждого светоизлучающего элемента, их скомбинированная ширина моет находиться примерно в этом диапазоне. Особенно предпочтительно, чтобы вторые схемы соединений были шире, чем первые схемы соединений. Здесь термин «шире» означает, что длина вторых схем соединений в первом направлении (М на фиг. 1А) или в случае, когда вторые схемы соединений разветвляются, скомбинированная ширина ветвей (N1+N2 на фиг. 1А) больше, чем длина первых схем соединений во втором направлении (Q на фиг. 1А). Это также означает, что в случае когда первые схемы соединений разветвляются, ширина вторых схем соединений (М на фиг. 4А) больше, чем скомбинированная длина ветвей первых схем соединений во втором направлении (P1+P2+P3 на фиг. 4А).The width and spacing for the first and second connection diagrams can be adjusted accordingly to obtain size, quantity, density, brightness, etc. light emitting elements mounted on an excitation substrate. For example, preferably, the width of the first wiring diagrams is approximately at least from one fifth to less than half the length of one side of the light emitting element. In the case where two or more first wiring diagrams are arranged for each light-emitting element, their combined width may be approximately in this range. Preferably, the width of the second wiring diagrams is more than one-fifth, but not more than about half the length of one side of the light-emitting element. In the case when two or more second connection diagrams are arranged for each light-emitting element, their combined width can be approximately in this range. Particularly preferably, the second connection schemes are wider than the first connection schemes. Here, the term “wider” means that the length of the second connection diagrams in the first direction (M in FIG. 1A) or in the case when the second connection diagrams branch out, the combined width of the branches (N1 + N2 in FIG. 1A) is greater than the length of the first schemes connections in the second direction (Q in FIG. 1A). This also means that in the case when the first connection schemes branch, the width of the second connection schemes (M in FIG. 4A) is greater than the combined length of the branches of the first connection schemes in the second direction (P1 + P2 + P3 in FIG. 4A).
Выполнение вторых схем соединений с шириной, превышающей ширину первых схем соединений, позволяет эффективно отводить тепло более широкими вторыми схемами соединений, создаваемое в светоизлучающем слое во время излучения. То есть, область в светоизлучающем элементе (обсуждаемом ниже), в которой имеется второй проводящий слой, подсоединенный через второй электрод, представляет собой область, в которой имеется светоизлучающий слой, и в котором во время излучения генерируется тепло. Таким образом, когда это тепло отводится сначала вторым проводящим слоем, затем вторым электродом, а затем вторыми схемами соединений, можно обеспечить более эффективное рассеяние тепла, если вторые схемы соединений более широкие. Performing the second connection diagrams with a width exceeding the width of the first connection diagrams makes it possible to efficiently remove heat from the wider second connection diagrams created in the light-emitting layer during radiation. That is, the area in the light-emitting element (discussed below), in which there is a second conductive layer connected through the second electrode, is an area in which there is a light-emitting layer, and in which heat is generated during radiation. Thus, when this heat is removed first by the second conductive layer, then by the second electrode, and then by the second connection diagrams, it is possible to provide more efficient heat dissipation if the second connection diagrams are broader.
Первые схемы соединений и вторые схемы соединений расположены отдельно друг от друга на первой основной поверхности подложки. Другими словами, они не расположены трехмерно, а вместо этого предпочтительно сформированы тем же самым слоем. Поэтому, предпочтительно, и те и те формируются из одного и того же металлического материала, а именно, одним слоем или сложенным слоями слоем из того же металла или сплава. Например, они предпочтительно формируются в одно и то же время металлическими слоями одного и того же состава, с использованием шаблона маски. The first wiring diagrams and the second wiring diagrams are located separately from each other on the first main surface of the substrate. In other words, they are not arranged three-dimensionally, but instead are preferably formed by the same layer. Therefore, it is preferable that both of them are formed from the same metal material, namely, one layer or a folded layer of the same metal or alloy. For example, they are preferably formed at the same time by metallic layers of the same composition, using a mask pattern.
Первая основная поверхность подложки может дополнительно включать в себя электроды с плоской контактной площадкой для соединения с электронными частями, такими как соединители, схемы маршрутизации для ведения вышеупомянутых первых схем соединений и вторых схем соединений в направлении конца подложки. С такими схемами маршрутизации и т.д. может быть создано, например, электрическое соединение с внешним источником питания через соединители и другие подобные электронные части, смонтированные на подложке. Предпочтительно, электроды с плоской контактной площадкой формируются шире, чем схемы маршрутизации.The first major surface of the substrate may further include flat-pad electrodes for connecting to electronic parts, such as connectors, routing circuits for guiding the aforementioned first wiring diagrams and second wiring diagrams towards the end of the substrate. With such routing schemes, etc. for example, an electrical connection can be made to an external power source via connectors and other similar electronic parts mounted on the substrate. Preferably, electrodes with a flat contact pad are formed wider than the routing circuit.
При использовании подложки возбуждения сконфигурированной таким образом, матричная схема соединений может быть сформирована в однослойной структуре на однослойной подложке. Таким образом, множество светоизлучающих элементов можно смонтировать с высокой плотностью, варьируя ширину, длину, интервалы и т.д. схем соединений по желанию. В особенности, поскольку нет необходимости формирования так называемой матричной схемы соединений с мультислойной структурой, она может быть выполнена более тонкой и меньшего размера. Также, поскольку этапы, включенные в процесс изготовления подложки возбуждения, чрезвычайно просты, это помогает не только предотвратить увеличение производственных затрат, но также избежать усадки подложки, что дает возможность получить подложку возбуждения с высокой точностью. Кроме того, поскольку используется однослойная структура, даже в том случае, когда светоизлучающие элементы размещены с высокой плотностью, тепло, обусловленное генерацией тепла светоизлучающими элементами, не будет задерживаться внутри подложки, а вместо этого будет быстро выпускаться через переднюю и заднюю стороны подложки, так что рассеяние тепла даже улучшается.When using an excitation substrate configured in this way, the matrix connection scheme can be formed in a single-layer structure on a single-layer substrate. Thus, many light-emitting elements can be mounted with high density, varying the width, length, spacing, etc. connection diagrams as desired. In particular, since there is no need to form a so-called matrix connection scheme with a multi-layer structure, it can be made thinner and smaller. Also, since the steps involved in the manufacturing process of the excitation substrate are extremely simple, it helps not only to prevent an increase in production costs, but also to avoid shrinking the substrate, which makes it possible to obtain an excitation substrate with high accuracy. In addition, since a single-layer structure is used, even when light-emitting elements are placed with high density, heat due to heat generation by the light-emitting elements will not be retained inside the substrate, but instead will be quickly released through the front and back sides of the substrate, so that heat dissipation is even improving.
Также при использовании указанной подложки возбуждения, особенно поскольку каждая из вторых схем соединений сегментирована первыми схемами соединениями, в этом состоянии множество вторых схем соединений электрически не соединены друг с другом. Однако, как обсуждается ниже, в случае, когда светоизлучающие элементы смонтированы так, чтобы они шунтировали сегментированные вторые схемы соединений, эти сегментированные схемы соединений могут быть связаны друг с другом. Таким образом, множество электрически соединенных вторых схем соединений расположены попарно с первыми схемами соединений. В результате можно получить подложку возбуждения, в которой можно обеспечить независимое управление возбуждением каждого из множества светоизлучающих элементов.Also, when using the specified excitation substrate, especially since each of the second connection circuits is segmented by the first connection circuits, in this state the plurality of second connection circuits are not electrically connected to each other. However, as discussed below, in the case where the light-emitting elements are mounted so that they shunt the segmented second wiring diagrams, these segmented wiring diagrams can be interconnected. Thus, a plurality of electrically connected second circuit diagrams are arranged in pairs with the first circuit diagrams. As a result, an excitation substrate can be obtained in which it is possible to provide independent control of the excitation of each of the plurality of light-emitting elements.
Светоизлучающие элементыLight emitting elements
В качестве светоизлучающих элементов предпочтительно использовать светоизлучающие диоды. Светоизлучающие элементы имеют, например, полупроводниковую сложенную слоями структуру, включающую в себя первый проводящий слой, светоизлучающий слой и второй проводящий слой, сформированные посредством любого из различных полупроводников, таких как InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN и других подобных нитридных полупроводников, компаундных полупроводников III-V групп, компаундных полупроводников II-VI групп и т.д., на подложке; а также формируются первый электрод и второй электрод. Примеры подложки светоизлучающих элементов включают в себя сапфировые подложки и другие подобные изолирующие подложки, а также подложки из SiC, кремния, GaN, GaAs и другие подобные проводящие подложки. Однако, в конце концов, светоизлучающие элементы не обязательно должны иметь указанные подложки, то есть подложка может быть удалена после сложения слоями полупроводникового слоя.As light-emitting elements, it is preferable to use light-emitting diodes. Light-emitting elements have, for example, a semiconductor layered structure comprising a first conductive layer, a light-emitting layer and a second conductive layer, formed by any of various semiconductors such as InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN and other similar nitride semiconductors , compound semiconductors of III-V groups, compound semiconductors of II-VI groups, etc., on a substrate; and also the first electrode and the second electrode are formed. Examples of the substrate of light-emitting elements include sapphire substrates and other similar insulating substrates, as well as substrates of SiC, silicon, GaN, GaAs and other similar conductive substrates. However, in the end, the light-emitting elements do not have to have these substrates, that is, the substrate can be removed after being added together by layers of a semiconductor layer.
Первый электрод и второй электродThe first electrode and the second electrode
Первый электрод и второй электрод соединены с первым проводящим слоем и вторым проводящим слоем соответственно, но обычно предпочтительно, чтобы в случае соединения первого электрода на первом проводящем слое, экспонированном путем удаления части второго проводящего слоя и светоизлучающего слоя, наложенного слоем поверх первого проводящего слоя, второй электрод подсоединяется на втором слое полупроводника проводящего типа, причем первый электрод и второй электрод располагаются на одной и той же лицевой стороне сложенной слоями структуры. Первый проводящий слой предпочтительно n-типа, а второй проводящий слой p-типа.The first electrode and the second electrode are connected to the first conductive layer and the second conductive layer, respectively, but it is usually preferable that, in the case of connecting the first electrode to the first conductive layer exposed by removing part of the second conductive layer and the light-emitting layer laid over the first conductive layer, the second The electrode is connected on the second layer of a conductive type semiconductor, the first electrode and the second electrode being located on the same front side of the folded pattern tours. The first conductive layer is preferably n-type, and the second conductive layer is p-type.
Первый электрод и второй электрод обычно расположены внутри светоизлучающих элементов на виде в плане. Положение и размер первого и второго электродов предпочтительно регулируется из соображений обеспечения надежного соединения с первым соединением и вторым соединением подложки возбуждения. The first electrode and the second electrode are usually located inside the light-emitting elements in plan view. The position and size of the first and second electrodes is preferably adjusted in order to ensure a reliable connection with the first connection and the second connection of the excitation substrate.
Например, первый электрод предпочтительно расположен в центральной части светоизлучающего элемента, а второй электрод расположен таким образом, чтобы он окружал первый электрод. Первая схема соединений, подсоединенная к первому электроду, расположена, охватывая с двух сторон сегментированную вторую схему соединений, так что первый электрод предпочтительно имеет ширину, такую же или меньшую ширины первой схемы соединения. Множество первых электродов также может располагаться на поверхности второго проводящего слоя.For example, the first electrode is preferably located in the central part of the light-emitting element, and the second electrode is positioned so that it surrounds the first electrode. The first wiring diagram, connected to the first electrode, is located covering the segmented second wiring diagram from two sides, so that the first electrode preferably has a width that is the same or smaller than the width of the first wiring diagram. A plurality of first electrodes may also be located on the surface of the second conductive layer.
Второй электрод обычно имеет широкоохватный электрод, покрывающий фактически всю поверхность второго проводящего слоя, чтобы ток равномерно распределялся в плоскости до второго проводящего слоя, и электрод с плоской контактной площадкой, чья верхняя поверхность является соединительным участком для подсоединения второй схемы соединений, и формируется на широкоохватном электроде. Широкоохватный электрод предпочтительно является омическим электродом, который может обеспечить хорошее электрическое соединение со вторым проводящим слоем. Широкоохватный электрод обычно формируется на всей поверхности полупроводниковой сложенной слоями структуры, отличной от области, где сформирован первый электрод, так что вся поверхность, отличная от участка, где сформирован электрод с плоской контактной площадкой, предпочтительно покрывается изолирующей защитной пленкой или т.п. Предпочтительно, чтобы было множество соединительных участков, таких как первый соединительный участок и второй соединительный участок и возможно наличие дополнительно одной или нескольких других соединительных участков. Эти соединительные участки электрически связаны с широкоохватным электродом. Ширина первого соединительного участка и второго соединительного участка второго электрода предпочтительно соответствует ширине второй схемы соединений. Эти участки могут все иметь одинаковую ширину, но могут иметь разную ширину. The second electrode usually has a wide-area electrode covering virtually the entire surface of the second conductive layer so that the current is evenly distributed in the plane to the second conductive layer, and an electrode with a flat contact pad, whose upper surface is the connecting section for connecting the second wiring, . The wide electrode is preferably an ohmic electrode that can provide a good electrical connection to the second conductive layer. A wide electrode is usually formed over the entire surface of a semiconductor layer with a folded structure different from the area where the first electrode is formed, so that the entire surface other than the area where the electrode with the flat contact pad is formed is preferably covered with an insulating protective film or the like. Preferably, there are a plurality of connecting portions, such as a first connecting portion and a second connecting portion, and there may be additionally one or more other connecting portions. These connecting portions are electrically connected to the wide electrode. The width of the first connecting portion and the second connecting portion of the second electrode preferably corresponds to the width of the second wiring diagram. These sections may all have the same width, but may have different widths.
Поскольку, таким образом, второй электрод соединен с множеством вторых схем соединений взаимосвязанными соединительными участками, сегментированные вторые схемы соединений могут быть связаны вторым электродом светоизлучающих элементов, так что шаблон схемы соединений может быть сделан боле миниатюрным, и матричная схема соединений могут быть выполнены с помощью простого шаблона, то есть, без использования мультислойной схемы соединений подложки схемы соединений. Вдобавок, ток может проходить через сегментированную вторую схему соединений, используя второй электрод, вдобавок к внутренней части полупроводниковой сложенной слоями структуры, так что может быть уменьшено проводящее сопротивление при подаче тока. Это позволяет уменьшить тепло, генерируемое во время свечения светоизлучающего элемента, в результате чего может быть повышена надежность светоизлучающего устройства.Since, thus, the second electrode is connected to a plurality of second connection circuits by interconnected connecting portions, the segmented second connection circuits can be connected by the second electrode of the light-emitting elements, so that the connection diagram pattern can be made more miniature and the matrix connection diagram can be made template, that is, without the use of a multi-layer connection scheme of the substrate of the connection scheme. In addition, the current can flow through the segmented second wiring diagram using the second electrode, in addition to the inside of the semiconductor structure folded in layers, so that the conductive resistance can be reduced when the current is applied. This makes it possible to reduce the heat generated during the illumination of the light-emitting element, as a result of which the reliability of the light-emitting device can be improved.
Второй электрод может иметь область, противолежащую первой схеме соединений при монтаже светоизлучающих элементов на подложку возбуждения. В этом случае может быть зазор, такой что второй электрод и первый электрод не будут контактировать. В качестве альтернативы, как обсуждалось выше, на поверхности первой схемы соединений в области напротив второго электрода или на поверхности второго электрода в области напротив первой схемы соединений может быть сформирована изолирующая защитная пленка. Это надежно предотвращает короткое замыкание. The second electrode may have an area opposite the first wiring diagram when mounting the light-emitting elements on the excitation substrate. In this case there may be a gap, such that the second electrode and the first electrode will not contact. Alternatively, as discussed above, an insulating protective film can be formed on the surface of the first circuit in the region opposite the second electrode or on the surface of the second electrode in the region opposite the first circuit. This reliably prevents short circuits.
Примеры изолирующей защитной пленки включают в себя оксиды, нитриды и фториды кремния, алюминия, ниобия, циркония, титана и т.п., либо в виде однослойной пленки, либо мультислойной пленки. Толщина пленки может регулироваться, если это необходимо.Examples of an insulating protective film include oxides, nitrides, and fluorides of silicon, aluminum, niobium, zirconium, titanium, and the like, either as a single-layer film or a multi-layer film. Film thickness can be adjusted if necessary.
Первый электрод и второй электрод могут быть сформированы, например, из алюминия, серебра, золота, платины, палладия, родия, никеля, вольфрама, молибдена, хрома, титана или другого подобного металла или их сплава, либо ITO или другого подобного оксидного проводящего материала, либо в виде однослойной пленки, либо мультислойной пленки. Толщина пленки может быть любой, которая используется в данной области.The first electrode and the second electrode can be formed, for example, from aluminum, silver, gold, platinum, palladium, rhodium, nickel, tungsten, molybdenum, chromium, titanium or another similar metal or their alloy, or ITO or other similar oxide conducting material, either in the form of a single-layer film or a multi-layer film. The thickness of the film can be any that is used in this area.
Широкоохватный электрод также выполняет функцию отражательного слоя, который отражает свет, излучаемый светоизлучающим слоем в направлении поверхности выводящей свет. Таким образом, этот широкоохватный электрод предпочтительно формируется таким образом, чтобы он имел хорошую отражательную способность для длины волны, по меньшей мере, света, излучаемого светоизлучающим слоем. Широкоохватный электрод предпочтительно представляет собой, например, однослойную пленку, состоящей из серебра или серебряного сплава с высокой оптической отражательной способностью. Широкоохватный электрод также может представлять собой мультислойную пленку с пленкой, состоящей из никеля или титана или т.п., в которой вышеупомянутая пленка из серебра или серебряного сплава является самым нижним слоем.The wide electrode also acts as a reflective layer, which reflects the light emitted by the light-emitting layer in the direction of the surface that produces the light. Thus, this wide electrode is preferably formed in such a way that it has a good reflectivity for a wavelength of at least light emitted by a light-emitting layer. The wide electrode is preferably, for example, a single-layer film consisting of silver or silver alloy with high optical reflectivity. The wide electrode can also be a multilayer film with a film consisting of nickel or titanium or the like, in which the aforementioned silver or silver alloy film is the bottommost layer.
При использовании серебра в качестве широкоохватного электрода предпочтительно обеспечить покрывающий электрод, который будет покрывать широкоохватный электрод. Покрывающий электрод рассеивает ток по всей поверхности второго проводящего слоя точно так же, как широкоохватный электрод. Вдобавок, покрывающий электрод покрывает верхнюю и боковые поверхности широкоохватного электрода, экранирует электрод и предотвращает контакт между широкоохватным электродом и вторым электродом. Таким образом, покрывающий электрод функционирует как барьерный слой для предотвращения миграции материала широкоохватного электрода и, в особенности, серебра. Покрывающий электрод может быть сформирован, например, из одного или нескольких металлов, выбранных из группы, куда входят титан, золото, вольфрам, алюминий, медь и т.д., либо сплава из этих металлов. Покрывающий электрод может представлять собой однослойную пленку или мультислойную пленку. Более конкретно, покрывающий электрод может представлять собой однослойную пленку из сплава Al-Cu, сплава Al-Cu-Si или т.п., либо мультислойную пленку, которая включает в себя такую пленку. Как широкоохватный электрод, так и покрывающий электрод может быть сформирован посредством напыления, осаждения из паровой фазы или т.п.When using silver as a wide-spread electrode, it is preferable to provide a covering electrode that will cover the wide-spread electrode. The covering electrode dissipates current over the entire surface of the second conductive layer in the same way as a wide-spread electrode. In addition, the cover electrode covers the top and side surfaces of the wide-spread electrode, shields the electrode and prevents contact between the wide-spread electrode and the second electrode. Thus, the coating electrode functions as a barrier layer to prevent migration of the material of the wide-spread electrode and, in particular, silver. The coating electrode may be formed, for example, from one or more metals selected from the group comprising titanium, gold, tungsten, aluminum, copper, etc., or an alloy of these metals. The covering electrode may be a single layer film or a multilayer film. More specifically, the coating electrode may be a single-layer film of Al-Cu alloy, Al-Cu-Si alloy or the like, or a multi-layer film that includes such a film. Both the wide-spread electrode and the covering electrode can be formed by sputtering, vapor deposition, or the like.
Поверхности первого электрода и второго электрода обычно не находятся на одном уровне, поскольку первый электрод и второй электрод подсоединены к разным поверхностям на разном уровне в полупроводниковом слое. Однако предпочтительно, чтобы в случае, когда толщина первого электрода и второго электрода регулируется, или столбиковый электрод, проводящая однослойная пленка или сложенная слоями пленка либо т.п. расположены на первом электроде и втором электроде, так что упомянутые две поверхности формируются по существу на одной высоте, то есть, так, что их поверхности находятся на одной и той же высоте. Подобная конфигурация делает более надежным монтаж подложки возбуждения светоизлучающего устройства, без коротких замыканий.The surfaces of the first electrode and the second electrode are usually not at the same level, since the first electrode and the second electrode are connected to different surfaces at different levels in the semiconductor layer. However, it is preferable that in the case where the thickness of the first electrode and the second electrode is adjustable, or a bar electrode, a conductive single-layer film or a folded film or the like. located on the first electrode and the second electrode, so that these two surfaces are formed essentially at the same height, that is, so that their surfaces are at the same height. Such a configuration makes it more reliable to mount the excitation substrate of a light-emitting device without short circuits.
Светоизлучающие элементы обычно могут монтироваться лицевой стороной вверх, когда изолированная сторона подложки светоизлучающих элементов скрепляется с подложкой возбуждения, но предпочтение следует отдать монтажу методом перевернутого кристалла. При таком монтаже предпочтительно использовать скрепляющий компонент, выбранный из следующего списка: припой на основе олова-висмута, олова-меди, олова-серебра, золота-олова или т.п., проводящая паста из серебра, золота, палладия или т.п., столбиковый вывод (печатный столбиковый вывод, штыревой столбиковый вывод, столбиковый вывод, сформированный электролитическим осаждением и т.п.), анизотропный проводник, металл с низкой точкой плавления или, например, иной подобный припой или т.п.Light-emitting elements can usually be mounted face-up when the insulated side of the substrate of the light-emitting elements is bonded to the excitation substrate, but preference should be given to mounting using an inverted-chip method. For this installation, it is preferable to use a bonding component selected from the following list: tin-bismuth, tin-copper, tin-silver, gold-tin solder, conductive silver, gold, palladium paste or the like. , a bushing (a printed bushing, a pin bushing, a bushing formed by electrolytic deposition, etc.), an anisotropic conductor, low melting point metal or, for example, other similar solder or the like
При монтаже светоизлучающих элементов методом перевернутого кристалла первый электрод и/или второй электрод предпочтительно соединяют с первой схемой соединений и/или второй схемой соединений через штыревой столбиковый вывод или через шариковый вывод из припоя. Особенно желательно, чтобы второй электрод был соединен со второй схемой соединений через штыревой столбиковый вывод. Поскольку второй электрод функционирует как металлический компонент, который шунтирует сегментированную вторую схему соединений, необходимо, чтобы он не был электрически соединен с первой схемой соединений, а был соединен со второй схемой соединений не менее, чем в двух точках. Соответственно, предпочтительно, чтобы это соединение выполнялось с помощью компонента, способного выдерживать постоянную высоту, без растекания, с тем чтобы не допустить контакта с первой схемой соединений, расположенной так, чтобы она сегментирует второй электрод. Используемый здесь термин «штыревой столбиковый вывод» означает, что на прижимном шарике имеется провод (штырь) конкретной длины (высоты), который впрессован в электрод. Обычно штыревой столбиковый вывод может быть сформирован устройством для скрепления проводов или устройством для скрепления столбиковых выводов. Светоизлучающие элементы, которые подсоединены таким образом, предпочтительно имеют вышеупомянутый скрепляющий компонент, установленный между электродом и схемой соединений для упрочнения скрепления. When mounting light-emitting elements using the inverted crystal method, the first electrode and / or the second electrode are preferably connected to the first connection circuit and / or the second connection circuit via a pin pin or a ball pin from the solder. It is especially desirable for the second electrode to be connected to the second circuit via a male pin. Since the second electrode functions as a metal component that shunts the segmented second circuit, it is necessary that it is not electrically connected to the first circuit, but connected to the second circuit not less than at two points. Accordingly, it is preferable that this connection is made using a component capable of withstanding a constant height, without spreading, in order to prevent contact with the first wiring diagram, which is positioned so that it segments the second electrode. The term "pin bar pin" as used here means that there is a wire (pin) of a specific length (height) on the pressure ball, which is pressed into the electrode. Typically, a pin barb terminal may be formed by a device for fastening wires or a device for fastening bar lines. The light-emitting elements that are connected in this way preferably have the aforementioned bonding component mounted between the electrode and the wiring diagram to strengthen the bonding.
Шариковый вывод из припоя предпочтительно имеет сердцевину и покрытие на внешней стороне сердцевины, точка плавления которого ниже точки плавления сердцевины. Сердцевина должна сохранять свою форму во время монтажа оплавлением припоя с использованием шарикового вывода из припоя. Более конкретно, предпочтительно, чтобы при использовании меди в качестве основной составляющей сердцевины, покрытие было выполнено из сплава, содержащего золото и по меньшей мере одно или более из: кремния, германия и/или олова. Также желательно иметь специальный подстилающий слой, окружающий сердцевину, с пленочным покрытием на основе олова. В качестве подстилающего слоя может быть использован никель, Ni-B, Ni-P или т.п. Здесь пленочное покрытие на основе олова может представлять собой однослойное пленочное покрытие из оловянного сплава или может представлять собой мультислойную пленку из олова и других составляющих сплавов или оловянного сплава. В этом случае мультислойная пленка из олова или других составляющих сплава или сплава олова, олова и других составляющих сплава или сплава олова плавятся на этапе оплавления припоя для формирования столбикового вывода шарика медной сердцевины поверх монтажа подложки возбуждения, который образует равномерный слой расплава.The solder ball lead preferably has a core and a coating on the outside of the core, the melting point of which is below the melting point of the core. The core must retain its shape during flashing of the solder using a ball pin from the solder. More specifically, it is preferable that when copper is used as the main component of the core, the coating is made of an alloy containing gold and at least one or more of: silicon, germanium and / or tin. It is also desirable to have a special underlying layer surrounding the core with a tin-based film coating. Nickel, Ni-B, Ni-P or the like can be used as the underlying layer. Here the tin-based coating film may be a single-layer tin alloy coating film, or it may be a multilayer film of tin and other constituent alloys or tin alloy. In this case, a multilayer film of tin or other components of the alloy or alloy of tin, tin and other components of the alloy or tin alloy melts at the stage of melting the solder to form a bar pin of the copper core ball over the mounting of the excitation substrate, which forms a uniform layer of melt.
Предпочтительно, чтобы сердцевина в качестве своей основной составляющей содержала медь (то есть, содержание меди составляло по меньшей мере 50% ее массы). В особенности, желательно использовать шариковый вывод из сплава меди с одной или несколькими составляющими: олово, фосфор, никель, золото, молибден или вольфрам, либо шариковый вывод с содержанием меди, составляющим по меньшей мере, 99% ее массы, что обеспечит превосходную теплопроводность и электропроводность.Preferably, the core contains copper as its main component (i.e., the copper content is at least 50% of its mass). In particular, it is desirable to use a ball pin from a copper alloy with one or several components: tin, phosphorus, nickel, gold, molybdenum or tungsten, or a ball pin with a copper content of at least 99% of its mass, which will provide excellent thermal conductivity and electrical conductivity.
Для предотвращения растекания скрепляющего компонента, как было описано выше, часть поверхности первой схемы соединений или второй схемы соединений предпочтительно удаляется посредством лазерной подгонки, и полученная таким образом экспонированная поверхность первой схемы соединений или второй схемы соединений преобразуется в оксид. Это позволяет стабилизировать положение и форму скрепляющего компонента даже в том случае, когда для скрепления схемы соединений и электрода используется столбиковый вывод или т.п.To prevent the bonding component from spreading, as described above, part of the surface of the first circuit or second circuit is preferably removed by laser fitting, and the exposed surface of the first circuit or second circuit is thus converted to oxide. This makes it possible to stabilize the position and shape of the fastening component even when a barbed pin or the like is used to secure the connection scheme and electrode.
При использовании раскрытого здесь светоизлучающего устройства светоизлучающие элементы монтируют поверх первой схемы соединений вышеупомянутой подложки возбуждения и поверх по меньшей мере двух из вторых схем соединений (двух или более, когда вторая схема соединений сегментирована), которые расположены отдельно друг от друга на любой стороне первой схемы соединений. Первый электрод светоизлучающих элементов присоединен на первой схеме соединений, а второй электрод на второй схеме соединений. Во втором направлении размещены предпочтительно два или более светоизлучающих элементов, но еще более предпочтительно, чтобы два или более элементов были размещены как в первом, так и во втором направлении. Таким образом, первая схема соединений и вторая схема соединений электрически соединены в матрице, например, в первом направлении и во втором направлении, либо в ряд во втором направлении путем размещения светоизлучающих элементов в местоположениях, соответствующих точкам их пересечения. Это позволяет независимо управлять возбуждением светоизлучающих элементов. Таким образом, в требуемых местах может быть обеспечено включение или выключение требуемого количества светоизлучающих элементов. Также можно контролировать величину тока для желаемых светоизлучающих элементов, и в светоизлучающем устройстве может быть обеспечена соответствующая контрастность. В особенности, как обсуждалось выше, при подсоединении второго электрода светоизлучающих элементов к двум или более сегментированным вторым схемам соединений ток может проходить через сегментированные вторые схемы соединений, используя второй электрод вдобавок к внутренней части полупроводниковой сложенной слоями структуры, так что проводящее сопротивление может быть ниже во время подачи тока.When using a light-emitting device disclosed herein, light-emitting elements are mounted over the first connection scheme of the above-mentioned excitation substrate and over at least two of the second connection schemes (two or more, when the second connection scheme is segmented) that are located separately from each other on either side of the first connection scheme . The first electrode of the light-emitting elements is connected in the first circuit, and the second electrode in the second circuit. Preferably, two or more light-emitting elements are placed in the second direction, but even more preferably, two or more elements are placed in both the first and second direction. Thus, the first wiring diagram and the second wiring diagram are electrically connected in a matrix, for example, in the first direction and in the second direction, or in a row in the second direction by arranging the light-emitting elements in the locations corresponding to their intersection points. This allows you to independently control the excitation of light-emitting elements. In this way, the required number of light-emitting elements can be turned on or off at the required places. It is also possible to control the amount of current for the desired light-emitting elements, and an appropriate contrast can be provided in the light-emitting device. In particular, as discussed above, when the second electrode of the light-emitting elements is connected to two or more segmented second junction circuits, the current can flow through the segmented second junction circuits using the second electrode in addition to the inside of the semiconductor layered structure, so that the conductive resistance can be lower current supply time.
И поскольку можно получить светоизлучающее устройство, с помощью которого можно управлять включением и выключением светоизлучающих элементов по желанию, это можно эффективно использовать в адаптивной системе фар дальнего света в виде так называемой адаптивной фары дальнего света, как обсуждается ниже.And since a light-emitting device can be obtained, with which the light-emitting elements can be switched on and off as desired, this can be effectively used in an adaptive headlight system in the form of a so-called adaptive headlight, as discussed below.
Отражательный компонентReflective component
Предпочтительно каждый из светоизлучающих элементов, смонтированных на подложке возбуждения, имеет отражательный компонент, сформированный вокруг светоизлучающего элемента. Отражательные компоненты предпочтительно располагаются в контакте с боковыми поверхностями светоизлучающих элементов. Отражательные компоненты располагаются так, чтобы они окружали соединительные составляющие первого электрода и первой схемы соединений, второго электрода и второй схемы соединений между подложкой и светоизлучающими элементами. Отражательные компоненты могут быть расположены для каждого светоизлучающего элемента или для группы светоизлучающих элементов, но предпочтительно их интегрально сформированными в отношении всех светоизлучающих элементов. Это позволяет эффективно выводить свет, излучаемый светоизлучающими элементами со стороны поверхности, выводящей свет (верхние или нижние поверхности светоизлучающих элементов). Также это позволяет добиться четких границ яркости между областью излучения и областью, излучение из которой отсутствует, обеспечивая состояние излучения, которое дает лучшую видимость. Preferably, each of the light emitting elements mounted on the excitation substrate has a reflective component formed around the light emitting element. The reflective components are preferably arranged in contact with the side surfaces of the light-emitting elements. The reflective components are arranged so that they surround the connecting components of the first electrode and the first circuit, the second electrode, and the second circuit between the substrate and the light-emitting elements. The reflective components may be arranged for each light-emitting element or for a group of light-emitting elements, but preferably they are integrally formed with respect to all the light-emitting elements. This makes it possible to efficiently output the light emitted by the light-emitting elements from the side of the surface that outputs the light (upper or lower surfaces of the light-emitting elements). It also makes it possible to achieve clear boundaries of brightness between the radiation area and the area from which there is no radiation, providing a state of radiation that gives better visibility.
В качестве отражательного материала, из которого выполняется отражательный компонент, предпочтительно использовать материал, способный эффективно отражать свет, излучаемый светоизлучающими элементами, и т.д., но еще более предпочтительно использовать материал, способный отражать по меньшей мере 80%, а еще предпочтительней 90% пиковой длины волны этого света. Предпочтительно, чтобы это был изолирующий материал.As a reflective material from which the reflective component is made, it is preferable to use a material capable of effectively reflecting the light emitted by light-emitting elements, etc., but it is even more preferable to use a material capable of reflecting at least 80%, and more preferably 90% The peak wavelength of this light. Preferably, this is an insulating material.
Какие-либо конкретные ограничения на отражательный материал отсутствуют, но предпочтителен материал, способный отражать свет, такой как частицы SiO2, TiO2, ZrO2, BaSO4, MgO, ZnO и т.п. Эти материалы могут быть использованы самостоятельно или в комбинации с двумя или более типами. Эти материалы обычно используют в виде смеси с термоотверждающимися смолами, термопластичными смолами или т.п., специфические примеры которых включают в себя композиции эпоксидных смол, смеси силиконовых смол; эпоксидных смол, модифицированных силиконом, и другие подобные смеси модифицированных эпоксидных смол; композиции силиконовых смол, модифицированных эпоксидом, и другие смеси подобных модифицированных силиконовых смол; гибридные силиконовые смолы; смеси полиимидных смол и смеси модифицированных полиимидных смол; полифталамид (PPA); поликарбонатные смолы; полифениленсульфид (PPS), жидкокристаллические полимеры (LCP); ABS смолы; фенольные смолы; акриловые смолы; PBT смолы и другие подобные смолы.There are no specific limitations on the reflective material, but a material capable of reflecting light, such as particles of SiO 2 , TiO 2 , ZrO 2 , BaSO 4 , MgO, ZnO, etc., is preferable. These materials can be used alone or in combination with two or more types. These materials are usually used as a mixture with thermosetting resins, thermoplastic resins, or the like, specific examples of which include epoxy resin compositions, mixtures of silicone resins; silicone modified epoxy resins and other similar mixtures of modified epoxy resins; epoxy-modified silicone resin compositions and other mixtures of such modified silicone resins; hybrid silicone resins; mixtures of polyimide resins and mixtures of modified polyimide resins; polyphthalamide (PPA); polycarbonate resins; polyphenylene sulfide (PPS), liquid crystal polymers (LCP); ABS resin; phenolic resins; acrylic resins; PBT resins and other similar resins.
Толщина отражательного элемента предпочтительно составляет, например, от 1 до 100 мкм. Особенно предпочтительно, когда верхняя поверхность отражательного компонента не покрывает верхние поверхности светоизлучающих элементов, и сформирована так, что располагается либо фактически на уровне верхней поверхности светоизлучающих элементов или выше верхних поверхностей светоизлучающих элементов. Это предотвращает рассеяние сета светоизлучающих элементов в боковом направлении. Также отражательным элементом может блокироваться сильный свет, излучаемый из боковых поверхностей полупроводникового слоя, включающего в себя светоизлучающий слой, и может быть уменьшена цветовая неравномерность. Также предпочтительно, чтобы вышеупомянутый отражающий материал составлял по меньшей мере 40% от общей массы отражательного элемента для повышения отражательной способности. The thickness of the reflective element is preferably, for example, from 1 to 100 μm. Particularly preferably, when the upper surface of the reflective component does not cover the upper surfaces of the light-emitting elements, it is formed so that it is located either at the actual level of the upper surface of the light-emitting elements or above the upper surfaces of the light-emitting elements. This prevents scattering of the set of light-emitting elements in the lateral direction. Also, the reflective element can block strong light emitted from the side surfaces of the semiconductor layer including the light-emitting layer, and the color unevenness can be reduced. It is also preferable that the aforementioned reflective material comprises at least 40% of the total mass of the reflective element to increase the reflectivity.
Слой преобразования длины волныWavelength conversion layer
Слой преобразования длины волны преобразует свет от светоизлучающих элементов в другую длину волны, и предпочтительно располагается в светоизлучающем устройстве на стороне с поверхностью выводящей свет светоизлучающих элементов. В качестве слоя для преобразования длины волны могут быть использованы люминофорные или квантовые точки.The wavelength conversion layer converts the light from the light-emitting elements to another wavelength, and is preferably located in the light-emitting device on the side with the light-emitting elements producing light. Phosphor or quantum dots can be used as a layer for wavelength conversion.
Примерами люминофора, образующего слой люминофора в виде одного из слоев для преобразования длины волны, включают в себя люминофоры на основе нитридов или люминофоры на основе оксинитридов, активированные в основном лантаноидами, такими как европий или церий, и люминофоры на основе сиалона. Более конкретно,Examples of the phosphor forming the phosphor layer as one of the wavelength conversion layers include nitride-based phosphors or oxynitride-based phosphors, mainly activated by lanthanides, such as europium or cerium, and sialon-based phosphors. More specific,
(А) люминофоры на основе α- или β-сиалонов или различные люминофоры на основе силикатов нитридов щелочно-земельных металлов, которые активированы европием,(A) phosphors based on α- or β-sialons or various phosphors based on silicates of alkaline-earth metal nitrides, which are activated by europium,
(В) люминофоры на основе апатитов галогенов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе галогеносиликатов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе силикатов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе галогенов боратов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе алюминатов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе силикатов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе сульфидов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе тиогаллатов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе силикатов нитридов щелочно-земельных металлов, люминофоры на основе солей германата, которые активированы лантаноидами, такими как европий, или переходными металлами, такими как марганец, (B) phosphates based on alkaline earth metal apatites of halogens, phosphors based on alkaline earth metal halogen silicates, phosphors based on alkaline earth metal silicates, phosphors based on alkaline earth metal borates halogens, phosphors based on alkaline earth metal aluminates, phosphors based on silicates of alkaline-earth metals, phosphors based on sulfides of alkaline-earth metals, phosphors based on thiogallates of alkaline-earth metals, phosphors based on silicates Trid alkaline earth metal germanate phosphors are based on salts, which are activated lanthanide, such as europium, or transition metals such as manganese,
(С) люминофоры на основе алюминатов редко-земельных металлов, люминофоры на основе силикатов редко-земельных металлов, которые активированы лантаноидами, такими как церий, или(C) phosphates based on aluminates of rare earth metals, phosphors based on silicates of rare earth metals, which are activated by lanthanides, such as cerium, or
(D) органические вещества и органические комплексы, которые активируются лантаноидным элементом, таким как европий.(D) organic matter and organic complexes that are activated by a lanthanoid element, such as europium.
Примеры квантовой точки включают в себя наноразмерные высокодисперсные частицы полупроводниковых материалов, например, полупроводников из группы II-VI, группы III-V и группы IV-VI, в частности Cd-Se, CdSXSe1-X/ZnS типа «ядро-оболочка», GaP, InP, и GaAs. Кроме того, в эти примеры включены InP, InAs, InAsP, InGaP, ZnTe, ZnSeTe, ZnSnP и ZnSnP2.Examples of quantum dots include nanosized highly dispersed particles of semiconductor materials, for example, semiconductors from group II-VI, group III-V and group IV-VI, in particular Cd-Se, CdS X Se 1-X / ZnS, core-shell type , GaP, InP, and GaAs. In addition, InP, InAs, InAsP, InGaP, ZnTe, ZnSeTe, ZnSnP, and ZnSnP 2 are included in these examples.
Слой люминофора обычно располагается на верхних поверхностях светоизлучающих элементов, примерно в то же время, когда светоизлучающие элементы монтируют на подложке возбуждения, фактически того же размера и той же формы, как у светоизлучающих элементов или с несколько большим размером. The phosphor layer is usually located on the upper surfaces of the light-emitting elements, at about the same time that the light-emitting elements are mounted on an excitation substrate of substantially the same size and shape as the light-emitting elements or with a somewhat larger size.
Слой люминофора может быть сформирован посредством адгезивного скрепления, электроосаждения, электростатического нанесения покрытия, напыления, осаждения из паровой фазы, герметизации, фотолитографии, распыления или другого подобного метода. Адгезивное скрепление позволяет сформировать слой люминофора просто путем фиксации листа или пластины, которая равномерно включает в себя слой люминофора. Электроосаждение, электростатическое нанесение покрытия, напыление и осаждение из паровой фазы позволяют зафиксировать слой люминофора без использования связующего материала по всей подложке и светоизлучающим элементам. После фиксации слоя люминофора он может быть пропитан смолой или т.п., которая служит связующим материалом. Люминофор может быть избирательно зафиксирован путем использования люминофора, распределенного в светопроницаемом элементе при герметизации, фотолитографии или распылении. Здесь светопроницаемый элемент может быть сформирован из материала, способного передавать по меньшей мере 60%, предпочтительно по меньшей мере 70%, а еще более предпочтительно по меньшей мере 80% пиковой длины волны светоизлучающих элементов и может быть выбран, когда это необходимо из числа вышеупомянутых термопластических смол, термоотверждающихся смол и т.д. The phosphor layer can be formed by adhesive bonding, electroplating, electrostatic coating, spraying, vapor deposition, sealing, photolithography, sputtering, or another similar method. Adhesive bonding allows you to form a phosphor layer simply by fixing a sheet or plate that evenly includes the phosphor layer. Electrodeposition, electrostatic coating, sputtering and vapor deposition allow the phosphor layer to be fixed without using a binder material over the entire substrate and light-emitting elements. After fixing the phosphor layer, it can be impregnated with a resin or the like, which serves as a binder. The phosphor can be selectively fixed by using the phosphor distributed in the translucent element during sealing, photolithography or spraying. Here, the translucent element can be formed from a material capable of transmitting at least 60%, preferably at least 70%, and even more preferably at least 80% of the peak wavelength of the light-emitting elements and can be selected when necessary from among the above-mentioned thermoplastic resins, thermosetting resins, etc.
Толщину слоя люминофора можно регулировать в соответствии со способом изготовления, таким как условия и длительность нанесения частиц люминофора. Например, предпочтительно от 0,01 до 100 мкм. Предпочтительно, чтобы слой люминофора имел практически равномерную толщину.The thickness of the phosphor layer can be adjusted in accordance with the manufacturing method, such as the conditions and duration of the deposition of the phosphor particles. For example, preferably from 0.01 to 100 microns. Preferably, the phosphor layer has a substantially uniform thickness.
При формировании отражательного компонента так, как обсуждалось выше, также предпочтительно покрыть боковые поверхности слоя люминофора, как это делается с боковыми поверхностями светоизлучающих элементов. Это позволяет надежно выводить свет, излучаемый светоизлучающими элементами с поверхностей, выводящих свет, независимо от включения и выключения смежных светоизлучающих элементов. Предпочтительно покрыть все боковые поверхности слоя люминофора отражательным компонентом как в направлении толщины, так и вокруг снаружи. Это позволяет более эффективно добиться вышеупомянутых результатов.When forming the reflective component as discussed above, it is also preferable to cover the side surfaces of the phosphor layer, as is done with the side surfaces of the light-emitting elements. This allows you to reliably output the light emitted by light-emitting elements from surfaces that emit light, regardless of the switching on and off of adjacent light-emitting elements. It is preferable to cover all side surfaces of the phosphor layer with a reflective component both in the thickness direction and around the outside. This allows you to more effectively achieve the above results.
Кроме того, в соответствии со схемой размещения вышеупомянутых схем маршрутизации и т.д., могут быть смонтированы соединители или другие подобные электронные части. Также может быть смонтирован защитный элемент.In addition, in accordance with the layout of the above-mentioned routing schemes, etc., connectors or other similar electronic parts can be mounted. A protective element can also be mounted.
Адаптивная система фар дальнего света Adaptive High Beam Headlamp System
При использовании адаптивной системы фар дальнего света, при движении транспортного средства с включенными фарами дальнего света в том случае, когда имеется впереди идущее транспортное средство (например, транспортное средство на полосе встречного движения или впереди идущее транспортное средство на той же полосе), или перед транспортным средством появляется пешеход, бортовая камера распознает положение впереди идущего автомобиля или пешехода, уменьшает свет только в этом месте и поддерживает высокую яркость лучей в других местоположениях. Затененная область автоматически выделяется из области, освещенной фарами таким образом, чтобы она совпадала с местоположением впереди идущего транспортного средства или человека, что предотвращает ослепление светом водителя впереди идущего автомобиля или пешехода. С другой стороны, водитель данного транспортного средства всегда будет иметь поле видимости близкое к полю при езде с включенным дальним светом, так что водитель сможет легко видеть пешеходов, дорожные знаки, форму дороги на расстоянии и т.д., в результате чего обеспечивается более безопасное вождение.When using an adaptive high-beam headlamp system, when driving a vehicle with the high-beam headlights on when there is a vehicle in front (for example, a vehicle in the oncoming lane or a vehicle in the same lane), or in front of the vehicle means a pedestrian appears, the on-board camera recognizes the position of the vehicle in front or the pedestrian, reduces the light only in this place and maintains high brightness of the rays in other places eniyah. The shaded area is automatically distinguished from the area illuminated by the headlights so that it coincides with the location of the vehicle in front or the person, which prevents the driver from blinding the vehicle in front of the vehicle or pedestrian. On the other hand, the driver of this vehicle will always have a field of view close to the field when driving with a high beam, so that the driver can easily see pedestrians, road signs, the shape of a road from a distance, etc., resulting in a safer driving.
Данная система имеет вышеупомянутое светоизлучающее устройство, бортовую камеру, которая распознает положение впереди идущего транспортного средства или человека и т.д., и электронный блок управления, который определяет область подлежащую затенению, и шаблон светораспределения. При такой конфигурации светоизлучающее устройство выполняет роль адаптивной фары дальнего света, с помощью которой достигается управление затенением или освещением конкретного места путем включения и выключения отдельных светоизлучающих элементов в результате соответствующего действия бортовой камеры, электронного блока управления и т.д.This system has the aforementioned light-emitting device, an onboard camera that recognizes the position of the vehicle in front or the person, etc., and an electronic control unit that determines the area to be shaded, and the light distribution pattern. With this configuration, the light-emitting device performs the role of an adaptive high-beam headlamp, which is used to control the shading or illumination of a specific place by turning on and off individual light-emitting elements as a result of the corresponding action of the onboard camera, electronic control unit, etc.
Таким образом, отпадает необходимость иметь приводной блок (ACT) для перемещения линз или шарнирного узла лампы или т.п., который требовался в устройствах традиционных автомобильных фар дальнего света и аналогичное управление можно обеспечить просто путем включения и выключения светоизлучающих элементов.Thus, there is no need to have a drive unit (ACT) for moving the lenses or the hinge lamp assembly or the like, which is required in devices of traditional automotive high beam headlights, and similar control can be achieved simply by turning the light-emitting elements on and off.
Светоизлучающее устройство обычно действует в виде пары адаптивных автомобильных фар дальнего света, расположенных с левой и правой стороны транспортного средства. Как обсуждалось выше, каждое светоизлучающее устройство оснащено множеством светоизлучающих элементов. Вдобавок к этим светоизлучающим элементам светоизлучающее устройство может также иметь проекционную линзу, отражательное зеркало, корпусы фар для их вмещения и т.д. A light emitting device typically acts as a pair of adaptive car headlights, located on the left and right side of the vehicle. As discussed above, each light-emitting device is equipped with a plurality of light-emitting elements. In addition to these light-emitting elements, the light-emitting device may also have a projection lens, a reflective mirror, headlight housings to accommodate them, etc.
Бортовая камера захватывает изображение того, что находится перед транспортным средством, и передает результаты в электронный блок управления. The on-board camera captures the image of what is in front of the vehicle and transmits the results to an electronic control unit.
Электронный блок управления обычно состоит из микропроцессора, который включает в себя центральный процессор (CPU), оперативное запоминающее устройство (RAM), постоянное запоминающее устройство (ROM) и/или устройство ввода/вывода (I/O) и т.д. Программы для выполнения управления светораспределением и т.д. хранятся в ROM. RAM используется в качестве рабочей области, когда CPU выполняет вычисления различного рода и т.д.An electronic control unit typically consists of a microprocessor that includes a central processing unit (CPU), random access memory (RAM), read-only memory (ROM) and / or input / output (I / O), etc. Programs for managing light distribution, etc. stored in ROM. RAM is used as a workspace when the CPU performs calculations of various kinds, etc.
Соединенный с бортовой камерой электронный блок управления обнаруживает впереди идущие транспортные средства (встречные транспортные средства, впереди идущие транспортные средства на той же полосе, пешеходов), а также другие объекты на дороге, линии деления проезжей части дороги и т.п., и вычисляет данные, необходимые для управления светораспределением, такие как атрибуты, положения и т.д. этих объектов. Электронный блок управления определяет шаблон светораспределения, подходящий для ситуации при вождении, на основе вычисленных данных. An electronic control unit connected to the onboard camera detects front-going vehicles (oncoming vehicles, vehicles in the same lane, pedestrians), as well as other objects on the road, carriageway dividing lines, etc., and calculates the data necessary to control the light distribution, such as attributes, positions, etc. these objects. The electronic control unit determines the light distribution pattern suitable for the driving situation based on the calculated data.
Затем электронный блок управления определяет объем управления для светоизлучающего устройства, необходимый для получения указанного шаблона светораспределения. Объем управления здесь это, например, положение, диапазон и т.д. затененной области, а детали управления для различных светоизлучающих элементов в светоизлучающем устройстве (независимо от того, включены ли они или выключены, включено ли питание и т.д.), определяют на основе объема управления.The electronic control unit then determines the amount of control for the light-emitting device necessary to obtain the specified light distribution pattern. The scope of control here is, for example, position, range, etc. the shaded area, and the control details for the various light-emitting elements in the light-emitting device (regardless of whether they are turned on or off, power on, etc.) are determined based on the amount of control.
Электронный блок управления обычно подсоединен к светоизлучающим устройствам через возбудитель. Таким образом, определенные детали управления посылаются возбудителем на светоизлучающие устройства, и специфичное переключение включено/выключено светоизлучающих элементов в светоизлучающем устройстве управляется.The electronic control unit is usually connected to light-emitting devices through a pathogen. Thus, certain control details are sent by the driver to the light-emitting device, and the specific on / off switching of the light-emitting elements in the light-emitting device is controlled.
Далее со ссылками на чертежи с использованием специфических терминов описываются раскрытые здесь варианты осуществления подложки возбуждения, светоизлучающего устройства и адаптивной системы фар дальнего света. Next, with reference to the drawings using specific terms, embodiments of the excitation substrate, a light-emitting device, and an adaptive high-beam headlamp system disclosed herein are described.
Вариант 1 осуществленияOption 1 implementation
Подложка возбужденияExcitation substrate
Как показано на фиг. 1А, подложка 10 возбуждения, используемая светоизлучающим устройством 90 в этом варианте осуществления имеет подложку 13, первые схемы 11 соединений (примеры компонентов первой схемы соединений) и вторые схемы 12 соединений (примеры компонентов второй схемы соединений).As shown in FIG. 1A, the
Подложка 13 сформирована в виде однослойной структуры, выполненной из нитрида алюминия. Ее размер составляет 10×10 мм, а толщина, например, составляет 0,5 мм.The
Первая схема 11 соединений и вторая схема 12 соединений сформированы в виде TiW/Cu/Ni/Au сложенной слоями структуры (начинающейся со стороны подложки 13) на первой основной поверхности 13а подложки 13. Пленки из TiW и меди сформированы каждая толщиной 0,1 мкм посредством напыления через маску на подложке 13, а пленки из никеля и золота сформированы на ее поверхности путем нанесения покрытия толщиной 1,27 мкм и 1,5 мкм соответственно. The
Когда первая основная поверхность 13а подложки 13 находится в плоскости xy, например, имеются четыре первых схемы 11 соединений, расположенные простирающимися в направлении оси x (как первое направление) как показано стрелкой. Например, ширина Q первой схемы 11 соединений составляет 100 мкм, а длина 3 мм. Интервал между соседними первыми схемами 11 соединений составляет 500 мкм. When the first
Вторые схемы 12 соединений располагаются в количестве, соответствующем четырем, для образования пар с четырьмя первыми схемами 11 соединений, вдоль оси y (как второе направление), как показано стрелкой. Вторые схемы 12 соединений, расположенные вдоль направления оси y, расположены отдельно друг от друга. Также одна вторая схема 12 соединений разветвляется на две со стороны другого конца. Таким образом, две вторых схемы 12 соединений располагаются смежно со стороны дальнего конца первых схем 11 соединений и между схемами 11 соединений. Ширина М второй схемы 12 соединений составляет 540 мкм, ширина N1 и N2 одной ветви второй схемы 12 соединений составляет 220 мкм, интервал между разветвленными смежными вторыми схемами 12 соединений составляет 100 мкм, а его длина составляет 480 мкм.The
Таким образом, вторые схемы 12 соединений сегментированы первыми схемами 11 соединений, и в указанном состоянии подложки 10 возбуждения вторые схемы 12 соединений не электрически не соединены друг с другом. Однако, сегментированные вторые схемы 12 соединений связаны в результате монтажа светоизлучающих элементов (обсуждается ниже), и тогда множество электрически соединенных вторых схем 12 соединений (здесь их четыре) располагаются таким образом, что образуют пары с первыми схемами 11 соединений. В результате получается подложка возбуждения, позволяющая возбуждать множество светоизлучающих элементов для управления независимо друг от друга. Thus, the
Первые схемы 11 соединений и вторые схемы 12 соединений подсоединены соответственно к схемам 11а и 12а маршрутизации со стороны другого конца (отличного от дальнего конца), причем схемы 11а и 12а маршрутизации простираются к электродам 11b и 12b с плоской контактной площадкой, используемым в качестве соединителей, расположенным на конце подложки 10 возбуждения. Сконфигурированная таким образом подложка 10 возбуждения позволяет сформировать матричные схемы соединений в однослойной структуре на однослойной подложке 13, так что множество светоизлучающих элементов может быть смонтировано с высокой плотностью посредством варьирования ширины, длины, интервалов и т.д. схем соединений, как это необходимо. В особенности, поскольку нет необходимости формирования матричных схем соединений из мультислойной структуры, ее толщина или размеры могут поддерживаться малыми. Также использование однослойной структуры означает, что, если даже светоизлучающие элементы расположены с высокой плотностью, тепло, сопровождающее излучение светоизлучающих элементов, не будет удерживаться внутри подложки, а может быстро выпускаться с передней и задней поверхностей, так что может быть обеспечено более эффективное рассеяние тепла.The
Поскольку этапы изготовления такой подложки возбуждения чрезвычайно просты, можно сдержать рост затрат на ее изготовление. Кроме того, можно избежать расширение и сжатие подложки и т.д., что позволяет получить подложку возбуждения с более точными размерами. Since the stages of manufacturing such an excitation substrate are extremely simple, it is possible to contain the growth of costs for its manufacture. In addition, the expansion and contraction of the substrate, etc., can be avoided, which makes it possible to obtain an excitation substrate with more accurate dimensions.
Светоизлучающее устройствоLight emitting device
Как показано на фигурах 2С и 2D, светоизлучающее устройство 90 в этом варианте осуществления сконфигурировано так, что на вышеупомянутой подложке 10 возбуждения смонтировано шестнадцать светоизлучающих элементов 14, как показано на фиг. 1В.As shown in Figures 2C and 2D, the
Как показано на фигурах 1D, 1E и 1F, например, каждый светоизлучающий элемент 14 содержит полупроводниковый сложенный слоями пластик SC, который включает в себя первый проводящий слой, светоизлучающий слой и второй проводящий слой на сапфировой подложке S, причем первый электрод 15 и вторые электроды 16 сформированы на одной и той же стороне указанного полупроводникового пластика сложенного слоями SC.As shown in Figures 1D, 1E and 1F, for example, each light-emitting
Как показано на фиг. 1С, первый электрод 15 и вторые электроды 16 расположены внутри светоизлучающего элемента 14 на виде в плане. Первый электрод 15 имеет круглую форму диаметром, составляющим примерно от одной четверти до одной трети одной стороны светоизлучающего элемента 14, например, и размещен в центре светоизлучающего элемента 14. Вторые электроды 16 размещены так, что они окружают первый электрод 15, внешняя форма которого примерно совпадает либо имеет чуть меньший размер, чем светоизлучающий элемент 14.As shown in FIG. 1C, the
Первый электрод 15 и вторые электроды 16 имеют разные положения на подсоединенном полупроводниковом слое, так что поверхность полупроводникового слоя, на которой сформированы эти электроды, ступенчатая в начале. Однако поверхности первого электрода 15 и вторых электродов 16 могут быть сформированы практически на одном уровне, то есть, сформированы так, чтобы они располагаются на одной и той же высоте, путем регулирования толщины проводящей однослойной пленки или сложенной слоями пленки, например, электрода, используемого для внешнего соединения, подсоединенного к первому электроду и вторым электродам, либо толщины первого электрода и вторых электродов.The
Когда указанные светоизлучающие элементы 14 смонтированы на подложке 10 возбуждения, светоизлучающие элементы 14 смонтированными лицевой стороной вверх. В этом варианте осуществления первый электрод 15 соединен с первой схемой 11 соединений через штыревой столбиковый вывод, выполненный из золота, а вторые электроды 16 соединены со второй схемой 12 соединений через штыревые столбиковые выводы, также выполненные из золота.When said light-emitting
В случае, когда вторые электроды 16 и вторые схемы 12 соединений 12 соединены с помощью AuSn или другим припойным материалом в качестве скрепляющего компонента, например, вместо использования штыревых столбиковых выводов, то припойный материал будет распространяться вдоль формы вторых электродов 16. Как показано на фигурах 1В и 1С, часть первой схемы соединений находится напротив вторых электродов 16 светоизлучающих элементов 14. Соответственно, при таком использовании скрепляющего компонента можно предотвратить короткое замыкание между первыми схемами 11 соединений и вторыми электродами путем формирования защитной пленки, состоящей, например, из SiO2, например, в области напротив вторых электродов 16 первой схемы 11 соединений. Когда в качестве скрепляющего компонента используется компонент, отличный от припоя, то есть, используется столбиковый вывод, как было описано выше, также предпочтительно сформировать защитную пленку в области напротив вторых электродов 16 первых схем 11 соединений. In the case where the
Более конкретно, как показано на фигурах 1D-1F, на поверхности вторых электродов 16 предпочтительно сформировать защитную пленку 19 так, чтобы экспонировать по меньшей мере две соединительные части или 16а и 16b (например, четыре соединительных составляющих 16а, 16b, 16с и 16d), а также экспонировать первый электрод 15.More specifically, as shown in Figures 1D-1F, on the surface of the
Светоизлучающий элемент 14 фиксируется скрепляющим компонентом, так что первый электрод 15, расположенный в центре, располагается в центре в направлении оси x двух вторых схем 12 соединений, расположенных отдельно дуг от друга на любой стороне первой схемы 11 соединений (при разветвлении, два на каждой стороне). Также светоизлучающий элемент фиксируется скрепляющим элементом так, что обе стороны вторых электродов 16, окружающие первый электрод 15, располагаются каждая на двух из вторых схем 12 соединений. Следовательно, вторые схемы 12 соединений электрически соединены в направлении y светоизлучающим элементом 14 во взаимно изолированных точках без пересечения.The
Соответственно, может быть обеспечено независимое управление возбуждением каждого из светоизлучающих элементов. В результате можно обеспечить включение или выключение светоизлучающих элементов в желаемых местах и в требуемом количестве. Также можно регулировать величину тока для соответствующих светоизлучающих элементов, и можно обеспечить контрастность в светоизлучающем устройстве.Accordingly, an independent control of the excitation of each of the light-emitting elements can be provided. As a result, the light-emitting elements can be turned on or off in the desired places and in the required amount. You can also adjust the amount of current for the respective light-emitting elements, and you can ensure the contrast in the light-emitting device.
Вдобавок, поскольку вторые электроды 16 подсоединены ко вторым соединениям 12, которые сегментированы множеством соединительных составляющих 16а-16d, ток может проходить через сегментированные вторые схемы соединений, используя второй электрод, так что проводящее сопротивление может быть ниже при подаче тока.In addition, since the
Слой люминофора обеспечен в виде слоя 17 преобразования длины волны для каждого из светоизлучающих элементов 14 на поверхности, противолежащей подложке 10 возбуждения. Слои 17 преобразования длины волны имеют фактически такие же размеры и форму, как светоизлучающие элементы 14. Слои 17 преобразования длины волны формируются из стекла, содержащего YAG, и имеют равномерную толщину по всей поверхности, которая составляет 100 мкм.The phosphor layer is provided in the form of a
Отражательный элемент 18 интегрально формируется на подложке 10 возбуждения, где смонтированы шестнадцать светоизлучающих элементов 14 таким образом, что отражательный элемент 18 находится в контакте с поверхностями внутренней стороны светоизлучающих элементов 14 и расположен между светоизлучающими элементами 14 и подложкой 10 возбуждения. The
Отражательный элемент 18 формируется из силиконовой смолы с 30% содержанием TiO2 по массе. Размер отражательного элемента 18 составляет 2,5×2,5 мм, а его толщина составляет примерно 0,25 мм.The
Отражательный элемент 18 также покрывает все боковые поверхности слоев 17 преобразования длины волны, а его верхняя поверхность совпадает с верхней поверхностью слоев преобразования длины волны. Следовательно свет светоизлучающих элементов может надежно выводиться с поверхности вывода света независимо от включения и выключения смежных светоизлучающих элементов.The
Как показано на фиг. 1G, светоизлучающее устройство 90, сконфигурированное вышеописанным образом, имеет завершенную матричную схему в результате монтажа светоизлучающих элементов, так что обеспечивается возможность свободного управления включением и выключением соответствующих светоизлучающих элементов в желаемом количестве. As shown in FIG. 1G, the light-emitting
Изготовление вышеупомянутого светоизлучающего устройства может быть изготовлено следующим образом.The manufacture of the aforementioned light-emitting device can be made as follows.
Сначала, как показано на фиг. 2А, выполняется подготовка подложки 10 возбуждения и светоизлучающих элементов 14. Светоизлучающие элементы 14 монтируются посредством штыревых столбиковых выводов в виде матрицы 4×4. Интервал между светоизлучающими элементами 14 составляет, например, 100 мкм. First, as shown in FIG. 2A, preparation of the
Затем, как показано на фиг. 2В, на светоизлучающие элементы 14 наносятся слои 17 преобразования длины волны. Слои 17 преобразования длины волны могут быть зафиксированы на светоизлучающих элементах 14, например, светопроницаемым адгезивным агентом.Then, as shown in FIG. 2B, the wavelength conversion layers 17 are applied to the light-emitting
После этого, как показано на фиг. 2С, 16 светоизлучающие элементы 14 интегрально покрываются отражательным компонентом 18. Отражательный компонент 18 формируется, например, путем прессования в верхней и нижней формах. Поверхности внутренней стороны светоизлучающих элементов 14 и между светоизлучающими элементами 14 и подложкой 13 покрываются отражательным компонентом 18, причем верхняя поверхность отражательного компонента 18 совпадает с верхней поверхностью слоев преобразования длины волны.After that, as shown in FIG. 2C, 16, the light-emitting
Модифицированный пример 1: подложка возбужденияModified Example 1: Excitation Substrate
Как показано на фиг. 3А, подложка 20 возбуждения в этом модифицированном примере имеет подложку 13, первые схемы 21 соединений и вторые схемы 22 соединений. Первые схемы 21 соединений и вторые схемы 22 соединений простираются в направлении оси x и в направлении оси y соответственно, так что светоизлучающие элементы располагаются в матрице 3×3. As shown in FIG. 3A, the
Первая схема 21 соединений расположена простирающейся по трем параллельным рядам в направлении оси x как обозначено первыми схемами 21x, 21y и 21z соединений.The
Вторая схема 22 соединений расположена в количестве соответствующем трем рядам для образования пар с тремя рядами первой схемы 21 соединений вдоль направлении оси y, как обозначено вторами схемами 22x, 22y и 22z соединений. Однако вторые схемы 22x, 22y и 22z соединений, расположенные вдоль направления оси y, две располагаются между первыми схемами 21 соединений, одна на дальнем конце первых схем 21 соединений, а другая на другом конце, причем все четыре отделены друг от друга. The
Ширина M второй схемы 22 соединений составляет 540 мкм, а длина 480 мкм. Ширина Q первой схемы 21 соединений 21 составляет 100 мкм. The width M of the
В остальном, эта конфигурация по существу совпадает с конфигурацией подложки возбуждения в варианте 1 осуществления.Otherwise, this configuration essentially coincides with the configuration of the excitation substrate in Embodiment 1.
Как показано на фиг. 3В светоизлучающие элементы 14 фиксируются скрепляющим компонентом на подложке 20 возбуждения, так что первый электрод, расположенный в центре, располагается в центре в направлении оси х двух вторых схем 22 возбуждения, расположенных раздельно друг от друга на каждой стороне первой схемы 21 соединения. Также они фиксируются скрепляющим компонентом так, что обе стороны вторых электродов расположенные вокруг первого электрода, располагаются каждая на двух из вторых схем 22 соединений.As shown in FIG. 3B, the light-emitting
Следовательно, первая схема 21 соединений и вторая схема 22 соединений электрически соединены друг с другом в состоянии низкого сопротивления в направлении оси х и направления у, посредством светоизлучающих элементов 14 в точках их пересечения, но отсоединены друг от друга. Таким образом, результат является по существу таким же как и варианте осуществления 1 подложки возбуждения.Therefore, the
Вариант осуществления 2An implementation option 2
Подложка возбужденияExcitation substrate
Как показано на фиг. 4А подложка 30 возбуждения в данном варианте осуществления имеет подложку 13, первую схему 31 соединений, и вторую схему 32 соединений. Первая схема 31 соединений и вторая схема 32 соединений расположены в направлении оси х и направлении оси у, так что светоизлучающие элементы располагаются в матрице 3*3.As shown in FIG. 4A, the
Первая схема 31 соединений расположена простирающейся в трех рядах в направлении оси х. Однако один ряд первой схемы 31 соединений разветвляется на три.The
Вторая схема 32 соединений располагается в количестве соответствующем трем рядам для формирования парс тремя рядами первой схемы 31 соединений вдоль направления оси у, как обозначено вторыми схемами 32х, 32у, 32z соединений. Однако, вторые схемы 32х, 32у, 32z расположенные вдоль направления оси у, располагаются две между первыми схемами 31 соединений, одна на дальнем конце первой схемы 31 соединений и одна на другом конце, причем все четыре из них отделены друг от друга.The
В остальном, эта конфигурация по существу совпадает с конфигурацией подложки возбуждения в варианте 1 осуществления. Светоизлучающие элементыOtherwise, this configuration essentially coincides with the configuration of the excitation substrate in Embodiment 1. Light emitting elements
При использовании светоизлучающего устройства по этому варианту осуществления, как показано на фиг. 4С, светоизлучающие элементы 24 таковы, что полупроводниковый сложенный слоями пластик SC, включающий в себя первый проводящий слой, светоизлучающий слой и второй проводящий слой, наложен на сапфировую подложку S, а первые электроды 15 и вторые электроды 16 сформированы на той же лицевой стороне, что и полупроводниковый сложенный слоями пластик SC.When using the light-emitting device of this embodiment, as shown in FIG. 4C, the
На виде в плане три электрода из числа первых электродов 15 расположены параллельно друг другу внутри светоизлучающих элементов 24 в соответствии с шаблоном первых схем соединений подложки возбуждения, обсужденной выше. Ширина первых электродов 15 составляет порядка 70 мкм, а длина составляет порядка 420 мкм. Над и под ними расположены четыре вторых электрода 16 параллельно электродам 15 в качестве соединительных составляющих 16а-16g.In the plan view, three electrodes from among the
В остальном эта конфигурация по существу совпадает с конфигурацией светоизлучающего устройства в варианте 1 осуществления.Otherwise, this configuration is essentially the same as the configuration of the light-emitting device in Embodiment 1.
Как показано на фиг. 4В, светоизлучающий элемент 14 фиксируется скрепляющим компонентом на подложке 30 возбуждения, так что первые электроды, расположенные по центру, находятся в центре в направлении оси x двух вторых схем 32 соединений, расположенных отдельно дуг от друга на любой стороне первого электрода 31. Он также фиксируется скрепляющим компонентом, так что обе стороны вторых электродов, окружающих первые электроды, расположены на двух вторых соединениях 32. As shown in FIG. 4B, the
Таким образом, первые схемы 31 соединений вторые схемы 32 соединений электрически соединены друг с другом в состоянии низкого сопротивления в направлении оси x и направлении оси y светоизлучающими элементами 14 в местах, где указанные соединения не пересекаются и отделены друг от друга. Таким образом, достигается по существу тот же эффект, что и в подложке возбуждения по варианту 1 осуществления. Thus, the
Модифицированный пример 2: подложка возбужденияModified example 2: substrate excitation
Как показано на фиг. 5А, подложка 40 возбуждения в этом модифицированном примере имеет подложку 13, первую схему 41 соединений и вторую схему 42 соединений. Первая схема 41 соединений и вторая схема 42 соединений расположены в направлении оси x (ступенчатым образом) и в направлении оси y соответственно, так что светоизлучающие элементы располагаются в матице 3×3. As shown in FIG. 5A, the
Первая схема 41 соединений располагается по трем ступенчатым рядам в направлении оси x. Количество размещенных вторых схем 42 соединений соответствует трем рядам для образования пар с тремя рядами первых схем 41 соединений в направлении оси y, как обозначено вторыми схемами 42x, 42y и 42z соединений. Однако два ряда второй схемы 42 соединений, расположенных в направлении оси y, располагаются между первой схемой 41 соединений: один на дальнем конце первой схемы 41 соединений, а другой на другом конце, причем все четыре отделены друг от друга. Три ряда второй схемы 42 соединений сдвинуты в направлении оси y в соответствии со ступенями первой схемы 41 соединений. В остальном, эта конфигурация по существу совпадает с конфигурацией подложки возбуждения в варианте 1 осуществления.The
Как показано на фиг. 5В, светоизлучающий элемент 14 фиксируется скрепляющим компонентом на подложке 40 возбуждения, так что первые электроды, расположенные по центру, располагаются в центре в направлении оси x двух вторых схем 42 соединений, размещенных отдельно дуг от друга на любой стороне первого электрода 41. Они также фиксируются скрепляющим компонентом, так что обе стороны вторых электродов, окружающих первые электроды, расположены на двух вторых схемах 22 соединений. As shown in FIG. 5B, the light-emitting
Таким образом, первая схема 41 соединений и вторая схема 42 соединений электрически соединены друг с другом в состоянии низкого сопротивления в направлении оси x и направлении оси y светоизлучающими элементами 14 в местах, где указанные соединения не пересекаются, и отделены друг от друга. Таким образом, достигается по существу тот же эффект, что и в подложке возбуждения по варианту 1 осуществления. Thus, the
Вариант осуществления 6: Адаптивная система фар дальнего светаAn implementation option 6: Adaptive headlamp beam system
Как показано на фиг. 6А, адаптивная система 50 фар дальнего света в этом варианте осуществления имеет светоизлучающее устройство по варианту 2 осуществления в виде адаптивных фар 51 дальнего света и кроме того имеет бортовую камеру 52, которая распознает местоположение транспортного средства, идущего впереди, а также электронный блок 54 управления, который определяет диаграмму светораспределения и область, подлежащую затенению. As shown in FIG. 6A, the adaptive high-
Светоизлучающие устройства функционируют как пара адаптивных автомобильных фар 51 дальнего света, расположенных с левой и правой стороны транспортного средства. Светоизлучающие устройства оснащены светоизлучающими элементами, а также проекционной линзой и корпусом фары для из размещения.Light-emitting devices function as a pair of adaptive
Бортовая камера 52 захватывает изображение того, что находится перед транспортным средством, и передает полученные результаты в электронный блок 54 управления через возбудитель 53. The on-
Электронный блок 54 управления обычно состоит из микропроцессора, который включает в себя центральный процессор (CPU), оперативное запоминающее устройство (RAM), постоянное запоминающее устройство (ROM) и/или устройство ввода/вывода (I/O) и т.д. Программы для выполнения управления распределением света и т.д. хранятся в ROM. RAM используется в качестве рабочей области, когда CPU выполняет вычисления различного рода и т.д.The
Последовательность операций управленияSequence of management operations
Сконфигурированная таким образом адаптивная система 50 фар дальнего света может выполнять управление так, как показано на фиг. 6В.An adaptive high-
Сначала бортовая камера 52 захватывает необходимые данные спереди транспортного средства (S10). Эти данные представляют собой изображение перед транспортным средством, скорость транспортного средства, расстояние между транспортными средствами, форму дороги, диаграмму светораспределения и т.д. Полученные данные пересылаются в электронный блок 54 управления.First, the on-
Электронный блок 54 управления выполняет обработку данных на основе полученных данных (S20). В результате обработки этих данных вычисляются атрибуты объекта, находящего впереди транспортного средства (светофор, уличные фонари и т.д.), атрибуты транспортных средств и т.д. (встречного транспортного средства, впереди идущего транспортного средства на данной полосе, пешехода) скорость транспортного средства, расстояние между транспортными средствами, яркость объекта, профиль дороги (ширина полосы, прямолинейный участок дороги) и т.д.The
Далее электронный блок 54 управления определяет на основе вычисленных данных (S30) подходящий шаблон светораспределения. Выбранный шаблон светораспределения представляет собой, например, шаблон распределения дальнего света, шаблон распределения сфокусированного света, используемый при движении транспортного средства с высокой скоростью, шаблон распределения рассеянного света, используемый при движении транспортного средства с низкой скоростью, шаблон распределения ближнего света, используемый при обнаружении встречного транспортного средства и т.д.Next, the
Электронный блок 54 управления определяет объемы управления, касающиеся того, включать или выключать те или иные светоизлучающие элементы в адаптивной фаре 51 дальнего света, и включено ли питание (S40).The
Электронный блок 54 управления преобразует определенные объемы управления в данные возбудителя и управляет возбуждением адаптивной фары 51 дальнего света через возбудитель S53 (S50). То есть, для реализации требуемого шаблона светораспределения индивидуально включаются или выключаются необходимое количество светоизлучающих элементов, находящихся в требуемых местах в адаптивной фаре 51 дальнего света.The
Эта последовательность этапов потока повторяется с определенными временными интервалами.This sequence of flow steps is repeated at specific time intervals.
С этой адаптивной системой фар дальнего света согласно данному варианту осуществления при движении транспортного средства с включенными фарами дальнего света, если имеется впереди идущее транспортное средство (например, транспортное средство на встречной полосе или впереди идущее транспортное средство на той же полосе), или если перед данным транспортным средством появляется пешеход, бортовая камера распознает положение впереди идущего автомобиля или пешехода, уменьшает свет только в этом месте, и поддерживает высокую яркость лучей в других местоположениях. То есть, затененная область автоматически выделяется из области, освещенной фарами, таким образом, чтобы она совпадала с местоположением впереди идущего транспортного средства или человека, что предотвращает ослепление светом водителя впереди идущего автомобиля или пешехода. С другой стороны, водитель данного транспортного средства всегда будет иметь поле видимости, близкое к полю при езде с включенным дальним светом, так что водитель сможет легко видеть пешеходов, дорожные указатели, форму дороги на расстоянии и т.д., в результате чего обеспечивается более безопасное вождение. With this adaptive high-beam headlamp system according to this embodiment, when the vehicle is moving with the high-beam headlights on, if there is a vehicle in front (for example, a vehicle in the opposite lane or a vehicle in the same lane), or if a pedestrian appears in the vehicle, the on-board camera recognizes the position of the vehicle in front or the pedestrian, reduces the light only in this place, and maintains the high brightness of the rays other locations. That is, the shaded area is automatically separated from the area illuminated by the headlights so that it coincides with the location of the vehicle in front of you or the person, which prevents the driver from blinding with the light of the vehicle in front of them or the pedestrian. On the other hand, the driver of this vehicle will always have a field of view close to the field when driving with a high beam, so that the driver can easily see pedestrians, road signs, the shape of the road from a distance, etc., resulting in more safe driving.
Промышленная применимостьIndustrial Applicability
Раскрытая здесь подложка возбуждения может быть использована для монтажа различных видов электрических элементов, таких как полупроводниковые элементы, светоизлучающие элементы и т.п. Также светоизлучающее устройство, в котором используется эта подложка для работы, включения и выключения и иного управления отдельными светоизлучающими элементами. Это светоизлучающее устройство может использоваться в адаптивной системе фар дальнего света, с помощью которой можно управлять шаблоном светораспределения и областью, подлежащей затенению, в блоках со светоизлучающими элементами. The excitation substrate disclosed herein may be used for mounting various types of electrical elements, such as semiconductor elements, light-emitting elements, and the like. There is also a light-emitting device in which this substrate is used to operate, turn on and off and otherwise control individual light-emitting elements. This light-emitting device can be used in an adaptive high-beam headlamp system, with which you can control the light distribution pattern and the area to be shaded in blocks with light-emitting elements.
Следует понимать, что, хотя настоящее изобретение было описано со ссылками на предпочтительные варианты его осуществления, специалисты в данной области техники могут предложить разные другие варианты осуществления и версии, не выходящие за рамки его объема и сущности, причем здесь предполагается, что такого рода другие варианты осуществления и версии изобретения должны охватываться нижеследующей формулой изобретения.It should be understood that, although the present invention has been described with reference to preferred embodiments thereof, specialists in the art can suggest various other embodiments and versions that are not beyond its scope and nature, and it is assumed here that such other options the implementation and version of the invention should be covered by the following claims.
Claims (32)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-222249 | 2014-10-31 | ||
JP2014222249 | 2014-10-31 | ||
JP2015187821A JP6547548B2 (en) | 2014-10-31 | 2015-09-25 | Light emitting device and variable light distribution headlamp system |
JP2015-187821 | 2015-09-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2015146923A RU2015146923A (en) | 2017-05-11 |
RU2015146923A3 RU2015146923A3 (en) | 2019-03-26 |
RU2689267C2 true RU2689267C2 (en) | 2019-05-24 |
Family
ID=56019817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015146923A RU2689267C2 (en) | 2014-10-31 | 2015-10-30 | Light emitting device and adaptive system of driving lights |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6547548B2 (en) |
RU (1) | RU2689267C2 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005043631A2 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
KR20090129868A (en) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 삼성전자주식회사 | Light emitting element, light emitting device, and fabricating method of the light emitting element |
RU2473152C1 (en) * | 2009-02-10 | 2013-01-20 | Нитиа Корпорейшн | Semiconductor light-emitting device |
RU2011135732A (en) * | 2009-01-27 | 2013-03-10 | Вишэй Электроник Гмбх | LIGHTING UNIT |
JP2013251144A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light-emitting module and luminaire |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62215289A (en) * | 1986-03-17 | 1987-09-21 | タキロン株式会社 | Dot matrix light emitting display body |
JP5326705B2 (en) * | 2009-03-17 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting device |
JP5333382B2 (en) * | 2010-08-27 | 2013-11-06 | 豊田合成株式会社 | Light emitting element |
JP5886584B2 (en) * | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | Semiconductor light emitting device |
JP2012169189A (en) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | Light-emitting module and vehicular lamp |
JP2012165016A (en) * | 2012-04-27 | 2012-08-30 | Sanyo Electric Co Ltd | Light-emitting device |
-
2015
- 2015-09-25 JP JP2015187821A patent/JP6547548B2/en active Active
- 2015-10-30 RU RU2015146923A patent/RU2689267C2/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005043631A2 (en) * | 2003-11-04 | 2005-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
KR20090129868A (en) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 삼성전자주식회사 | Light emitting element, light emitting device, and fabricating method of the light emitting element |
RU2011135732A (en) * | 2009-01-27 | 2013-03-10 | Вишэй Электроник Гмбх | LIGHTING UNIT |
RU2473152C1 (en) * | 2009-02-10 | 2013-01-20 | Нитиа Корпорейшн | Semiconductor light-emitting device |
JP2013251144A (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Light-emitting module and luminaire |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2015146923A3 (en) | 2019-03-26 |
JP2016091994A (en) | 2016-05-23 |
RU2015146923A (en) | 2017-05-11 |
JP6547548B2 (en) | 2019-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10468571B2 (en) | Light distribution method for adaptive driving beam headlamp system, and adaptive driving beam headlamp system | |
KR101314367B1 (en) | Optoelectronic headlight, method for production of an optoelectronic headlight, and a luminescence diode chip | |
JP4771179B2 (en) | Lighting device | |
CN101904005B (en) | Optoelectronic component and production method for optoelectronic component | |
CN109964323A (en) | Light emitting device package and light source equipment including the light emitting device package | |
JP2015226056A (en) | Light emitting element | |
WO2014122061A1 (en) | Optoelectronic lighting module, optoelectronic lighting device, and motor vehicle headlamp | |
JPWO2005091383A1 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
CN105103313A (en) | Light-emitting element package | |
US11094865B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device package | |
KR102271161B1 (en) | Light emitting module and lighting apparatus having thereof | |
CN110246834B (en) | Semiconductor light emitting device package | |
CN101276871B (en) | Photovoltaic element, backlight module apparatus and illumination device | |
US20140183575A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
EP3125311B1 (en) | Light emitting element and light emitting device having the same | |
US10136499B2 (en) | Light-emitting module and lighting apparatus provided with same | |
CN109114515A (en) | Base station, component installation module and moving body are installed | |
KR102261956B1 (en) | Light emitting module and light unit havig thereof | |
CN106410003A (en) | Light emitting element and light emitting device using the same | |
RU2689267C2 (en) | Light emitting device and adaptive system of driving lights | |
US12057537B2 (en) | Semiconductor device and light emitting element package including same | |
KR20160100349A (en) | Low and high beam led lamp | |
KR102251225B1 (en) | Light source module | |
KR20190022101A (en) | Light emitting device package and manufacture method, light source apparatus | |
US20190312085A1 (en) | Lighting and/or signalling device for a motor vehicle |