RU2657674C1 - METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE Mg(Fe1-XGaX)2O4/SI WITH STABLE INTERPHASE BOUNDARY - Google Patents
METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE Mg(Fe1-XGaX)2O4/SI WITH STABLE INTERPHASE BOUNDARY Download PDFInfo
- Publication number
- RU2657674C1 RU2657674C1 RU2017128782A RU2017128782A RU2657674C1 RU 2657674 C1 RU2657674 C1 RU 2657674C1 RU 2017128782 A RU2017128782 A RU 2017128782A RU 2017128782 A RU2017128782 A RU 2017128782A RU 2657674 C1 RU2657674 C1 RU 2657674C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- film
- gallium
- substrate
- layer
- stage
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 6
- 230000016507 interphase Effects 0.000 title description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 150000002680 magnesium Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- HZZOEADXZLYIHG-UHFFFAOYSA-N magnesiomagnesium Chemical class [Mg][Mg] HZZOEADXZLYIHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 66
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области создания пленок ферритов на подложках кремния для устройств магнитной микроэлектроники.The invention relates to the field of creating films of ferrite on silicon substrates for magnetic microelectronics devices.
Известно, что галлий-замещенный феррит магния состава Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, характеризуется полупроводниковой проводимостью (ширина запрещенной зоны ΔЕ=1.9 эВ), температурой Кюри 450 К, коэрцитивной силой ~ 0.02 Тл, величиной намагниченности насыщения ~ 28 А⋅м2⋅кг-1 [RU 2436859]. Эти свойства предопределяют перспективность создания пленок Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, на подложках кремния для применения в спинтронике. Основным требованием к таким структурам является стабильность межфазной границы пленка/подложка.It is known that gallium-substituted magnesium ferrite of the composition Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 , where x = 0.05 ÷ 0.25, is characterized by semiconductor conductivity (band gap ΔЕ = 1.9 eV), Curie temperature 450 K, coercive force ~ 0.02 T, with a saturation magnetization value of ~ 28 A⋅m 2 ⋅ kg -1 [RU 2436859]. These properties predetermine the promise of creating Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 films, where x = 0.05–0.25, on silicon substrates for use in spintronics. The main requirement for such structures is the stability of the film / substrate interface.
Известен способ получения наноразмерных пленок ферритов [RU 2532187], который включает изготовление мишени заданного состава, обработку монокристаллической подложки ионами аргона, распыление мишени на подложку с дальнейшим отжигом полученной пленки, при этом процесс распыления осуществляют на подогретую до температуры 700-750°С подложку титаната стронция.A known method of producing nanoscale films of ferrite [RU 2532187], which includes the manufacture of a target of a given composition, processing a single crystal substrate with argon ions, spraying the target onto a substrate with further annealing of the obtained film, the sputtering process is carried out on a titanate substrate heated to a temperature of 700-750 ° C. strontium.
Недостатком способа является разогрев подложки и пленки в процессе синтеза и кристаллизации пленки, который приводит к нарушению стабильности межфазных границ.The disadvantage of this method is the heating of the substrate and the film during the synthesis and crystallization of the film, which leads to a violation of the stability of the interfacial boundaries.
Известен способ получения пленок ферритграната состава Y3Fe5O12 на Si толщиной 300 нм с буферным слоем SiO2 толщиной 300 нм [Xin Guo, Ying Chen, Genshui Wang, Yuanyuan Zhang, Jun Ge, Xiaodong Tang, Freddy Ponchel, Denis Remiens, Xianlin Dong Growth and characterization of yttrium iron garnet films on Si substrates by Chemical Solution Deposition (CSD) technique // Journal of Alloys and Compounds 671 (2016) 234-237].A known method of producing films of ferrite garnet composition Y 3 Fe 5 O 12 on Si 300 nm thick with a 300 nm thick SiO 2 buffer layer [Xin Guo, Ying Chen, Genshui Wang, Yuanyuan Zhang, Jun Ge, Xiaodong Tang, Freddy Ponchel, Denis Remiens, Xianlin Dong Growth and characterization of yttrium iron garnet films on Si substrates by Chemical Solution Deposition (CSD) technique // Journal of Alloys and Compounds 671 (2016) 234-237].
Недостатком способа является то, что толщина слоя SiO2 составляющая 300 нм затрудняет передачу магнитных возбуждений от пленки Y3Fe5O12 в подложку кремния.A disadvantage of the method is that the layer thickness of SiO 2 is 300 nm makes it difficult to transfer the magnetic excitation of Y 3 Fe 5 O 12 film in the silicon substrate.
Известен способ получения поликристаллических пленок феррита состава CoCrFeO4 [Полякова К.П., Поляков В.В., Середкин В.А. Магнитооптические свойства поликристаллических пленок CoCrFeO4 // Письма в ЖТФ, 2011, т. 37, вып. 3]. Способ заключается в том, что процесс синтеза ведут как в режиме изотермического отжига при температурах 900-950 K, так и методом самораспространяющегося синтеза. В последнем случае пленочную структуру помещали на вольфрамовый нагреватель и нагревали со скоростью не менее 20 К/сек. до температуры начала самораспространяющегося синтеза, составляющей ~900 K.A known method for producing polycrystalline ferrite films of the composition CoCrFeO 4 [Polyakova KP, Polyakov VV, Seredkin VA Magnetooptical Properties of Polycrystalline CoCrFeO 4 Films // Journal of Physics and Technology, 2011, vol. 37, no. 3]. The method consists in the fact that the synthesis process is carried out both in the isothermal annealing mode at temperatures of 900-950 K, and by the method of self-propagating synthesis. In the latter case, the film structure was placed on a tungsten heater and heated at a speed of at least 20 K / s. up to the temperature of the onset of self-propagating synthesis of ~ 900 K.
Основным недостатком этого подхода является неизбежное формирование в гетероструктуре сквозных трещин, что ускоряет диффузионные процессы в пленке по границам зерен и приводит к нарушению межфазных границ.The main drawback of this approach is the inevitable formation of through cracks in the heterostructure, which accelerates diffusion processes in the film along grain boundaries and leads to violation of interphase boundaries.
Ближайшим техническим решением заявляемого изобретения являются гетероструктуры, состоящие из пленок Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 _ δ на подложках Si с буферными слоями либо SiO2, либо TiO2 [М.Н. Смирнова, А.А. Гераськин, А.И. Стогний, О.Л. Голикова, А.В. Беспалов, А.В. Труханов, М.А. Копьева, Э.Н. Береснев, В.А. Кецко Кристаллизация пленок Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4-δ на Si с буферными слоями SiO2 и ТiO2 // Журнал неорганической химии, 2014, том 59, №7, с. 993-997].The closest technical solution of the claimed invention are heterostructures consisting of films of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 _ δ on Si substrates with buffer layers of either SiO 2 or TiO 2 [M.N. Smirnova, A.A. Geraskin, A.I. Stogniy, O.L. Golikova, A.V. Bespalov, A.V. Trukhanov, M.A. Kopieva, E.N. Beresnev, V.A. Ketsko Crystallization of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4-δ films on Si with buffer layers of SiO 2 and TiO 2 // Journal of Inorganic Chemistry, 2014, Volume 59, No. 7, p. 993-997].
Основным недостатком является то, что относительно высокая температура термической обработки при 850 до 950°С, необходимая для кристаллизации пленки феррита, вызывает диффузионные процессы. Наблюдается нарушение сплошности межфазной границы пленка/ подложка с образованием примесных фаз.The main disadvantage is that the relatively high heat treatment temperature at 850 to 950 ° C, necessary for crystallization of the ferrite film, causes diffusion processes. There is a violation of the continuity of the film / substrate interface with the formation of impurity phases.
Вторым недостатком гетероструктур по прототипу является наличие между пленкой и подложкой буферного слоя, относительная толщина которого превышает 10 нм, что существенно затрудняет передачу магнитных возбуждений, например спина, от пленки шпинели Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 в подложку кремния.The second disadvantage of the heterostructures of the prototype is the presence of a buffer layer between the film and the substrate, the relative thickness of which exceeds 10 nm, which significantly complicates the transfer of magnetic excitations, for example, spin, from the Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 spinel film to the silicon substrate.
Также существенным недостатком является образование в пленках пустот и сквозных трещин, появляющихся в процессе высокотемпературной кристаллизации из-за рассогласования кристаллографических параметров пленки, подложки и буферного слоя.Another significant drawback is the formation of voids and through cracks in the films that appear during high-temperature crystallization due to the mismatch of the crystallographic parameters of the film, substrate, and buffer layer.
Задачей предлагаемого изобретения является создание гетероструктур, состоящих из подложки кремния с нанесенными на нее пленками состава Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25.The objective of the invention is the creation of heterostructures consisting of a silicon substrate with deposited films of the composition Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 , where x = 0.05 ÷ 0.25.
Изобретение направлено на обеспечение стабильности межфазной границы пленка/подложка за счет использования режима кристаллизации пленки Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, при относительно низких температурах нагрева подложки.The invention is aimed at ensuring the stability of the film / substrate interface by using the crystallization mode of the Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film, where x = 0.05 ÷ 0.25, at relatively low substrate heating temperatures.
Межфазную границу в пленочной гетероструктуре следует считать стабильной в том случае, если область контакта пленка/подложка характеризуется наноразмерной толщиной, отсутствием дефектов и нарушением сплошности. Дефекты, искажения и пустоты, приводящие к деградации свойств гетероструктуры, должны отсутствовать как в ее объеме, так и на поверхности пленки Mg(Fe1-xGax)2O4.The interfacial boundary in a film heterostructure should be considered stable if the film / substrate contact region is characterized by nanoscale thickness, absence of defects, and discontinuity. Defects, distortions, and voids leading to degradation of the properties of the heterostructure should be absent both in its volume and on the surface of the Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film.
Технический результат достигается тем, что предложен способ получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0.05÷0.25., включающий нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, отличающийся тем, что нанесение пленки проводят в 5 этапов: на 1-ом этапе на подложку Si ионно-лучевым методом наносят слой галлий-замещенного феррита магния толщиной от 10 до 20 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода с энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0.1 до 0.25 мА/см2; на 2-м этапе проводят кристаллизацию полученного слоя путем нагревания со скоростью 150°С/мин до температуры 700-720°С и выдерживанием в течение 2-3 мин с последующим охлаждением, на 3-м этапе кристаллическую пленку пучком ионов кислорода с энергией 300-400 эВ и плотностью тока пучка от 0.1 до 0.25 мА/см2 утончают до толщины 2-4 нм; на 4-м этапе на утонченный кристаллический слой галлий-замещенного феррита магния ионно-лучевым методом повторно наносят слой феррита того же состава, что и на первом этапе, до толщины пленки, не превышающей 80 нм, распыляя порошкообразную мишень галлий-замещенного феррита магния пучком ионов кислорода энергией от 1500 до 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов от 0.1 до 0.25 мА/см2; на 5-м этапе проводят повторную кристаллизацию пленки галлий-замещенного феррита магния на подложке монокристаллического кремния.The technical result is achieved by the fact that a method for producing a heterostructure of Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si with a stable film / substrate interface, where x = 0.05 ÷ 0.25., Including applying a gallium-film of single-crystal silicon on a semiconductor substrate, is proposed. substituted magnesium ferrite Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 , where x = 0.05 ÷ 0.25, characterized in that the film is applied in 5 steps: at the first step, a gallium layer is deposited on the Si substrate by the ion-beam method substituted magnesium ferrite with a thickness of 10 to 20 nm, sputtering a powdery target of gallium-substituted o magnesium ferrite with an oxygen ion beam with an energy of 1500 to 1600 eV and an ion beam current density of 0.1 to 0.25 mA / cm 2 ; at the 2nd stage, crystallization of the obtained layer is carried out by heating at a rate of 150 ° C / min to a temperature of 700-720 ° C and holding for 2-3 minutes, followed by cooling, at the 3rd stage, the crystalline film is a beam of oxygen ions with an energy of 300 -400 eV and a beam current density of 0.1 to 0.25 mA / cm 2 thin to a thickness of 2-4 nm; at the 4th stage, a layer of ferrite of the same composition as in the first stage is re-deposited onto the refined crystalline layer of gallium-substituted magnesium ferrite by the ion beam method to a film thickness not exceeding 80 nm, spraying a powdery target of gallium-substituted magnesium ferrite with a beam oxygen ions with an energy of 1500 to 1600 eV and an ion beam current density of 0.1 to 0.25 mA / cm 2 ; at the 5th stage, a gallium-substituted magnesium ferrite film is recrystallized on a single-crystal silicon substrate.
Толщину напыленного слоя Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, от 10 до 20 нм, на первом этапе формирования гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si выбирают из соображений, что при толщине слоя Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, меньше 10 нм магнитные свойства после кристаллизации пленки Mg(Fe1-xGax)2O4 практически не проявляются, а при толщине слоя более 20 нм необходимо увеличивать температуру кристаллизации пленки Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0.05÷0.25, что может приводить к нарушению межфазных границ.The thickness of the deposited layer of Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 , where x = 0.05 ÷ 0.25, from 10 to 20 nm, at the first stage of formation of the heterostructure Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si is selected from considerations that when the layer thickness of Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 , where x = 0.05 ÷ 0.25, less than 10 nm, the magnetic properties practically do not appear after crystallization of the Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film, and with a layer thickness of more than 20 nm, it is necessary to increase the crystallization temperature of the Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film, where x = 0.05 ÷ 0.25, which can lead to violation of the interphase boundaries.
Выбор температуры кристаллизации 700-720°С гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si, скорости 145-155°С/мин ее нагрева до указанной выше температуры, а также времени выдержки 2-3 мин на втором этапе процесса формирования Mg(Fe1-xGax)2O4/Si обусловлено тем обстоятельством, что указанные выше условия установлены экспериментально и являются оптимальными для кристаллизации пленки Mg(Fe1-xGax)2O4 при относительно низкой температуре нагрева подложки Si.The choice of crystallization temperature of 700-720 ° C heterostructure Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si, the speed of 145-155 ° C / min of heating to the above temperature, as well as the exposure time of 2-3 minutes at the second stage the formation of Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si is due to the fact that the above conditions are established experimentally and are optimal for crystallization of a Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film at a relatively low substrate heating temperature Si.
Значения толщины утончаемого слоя Mg(Fe1-xGax)2O4, где=0.05÷0.25, 2-4 нм на третьем этапе формирования Mg(Fe1-xGax)2O4/Si выбирают из соображений, что при толщине слоя меньше 2 нм происходит резкий рост электросопротивления, что отрицательно сказывается на достижении полупроводниковых характеристик, а также нарушается сплошность пленки на подложке кремния. При толщине слоя более 4 нм происходит релаксация внутренних упругих напряжений с образованием дефектов, что приводит к деградации свойств гетероструктуры.The thicknesses of the thinning layer Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 , where = 0.05 ÷ 0.25, 2-4 nm at the third stage of formation of Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si, are chosen from the considerations that when the layer thickness is less than 2 nm, a sharp increase in electrical resistance occurs, which adversely affects the achievement of semiconductor characteristics, and the film continuity on the silicon substrate is also violated. With a layer thickness of more than 4 nm, relaxation of internal elastic stresses occurs with the formation of defects, which leads to degradation of the properties of the heterostructure.
Ограничения на толщину гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si 80 нм на четвертом этапе процесса ее формирования обусловлены тем, что при толщине слоя больше 80 нм происходит образование дефектов в пленке и на межфазной границе вплоть до ее отслоения от подложки Si.The limitations on the thickness of the heterostructure of Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si 80 nm at the fourth stage of the process of its formation are due to the fact that, with a layer thickness of more than 80 nm, defects are formed in the film and at the interface until it is peeled off Si substrates.
Достижение технического результата иллюстрируется изображениями, полученными с помощью растрового (сканирующего) электронного микроскопа Helios NanoLab 600, который содержал модуль с фокусированным ионным пучком.The achievement of the technical result is illustrated by images obtained using a scanning (scanning) electron microscope Helios NanoLab 600, which contained a module with a focused ion beam.
Фиг. 1.FIG. one.
а - изображение поперечного среза гетероструктуры, состоящей из пленки Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 на подложке Si с барьерным слоем SiO2, полученной заявителем при воспроизведении прототипа;a is a cross-sectional image of a heterostructure consisting of a Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 film on a Si substrate with a SiO 2 barrier layer obtained by the applicant when reproducing the prototype;
б - изображение поперечного среза гетероструктуры Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4/Si, полученной заявителем.b - image of a cross section of the heterostructure Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 / Si, obtained by the applicant.
Фиг. 2.FIG. 2.
а - изображение поперечного среза гетероструктуры, состоящей из пленки Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 на подложке Si с барьерным слоем SiO2, полученной заявителем при воспроизведении прототипа;a is a cross-sectional image of a heterostructure consisting of a Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 film on a Si substrate with a SiO 2 barrier layer obtained by the applicant when reproducing the prototype;
б - изображение поперечного среза гетероструктуры Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4/Si, полученной заявителем.b - transverse slice image heterostructure Mg (Fe 0.75 Ga 0.25) 2 O 4 / Si, obtained by the applicant.
Фиг. 3.FIG. 3.
а - изображение поперечного среза гетероструктуры, состоящей из пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 на подложке Si с барьерным слоем SiO2 по прототипу;a is a cross-sectional image of a heterostructure consisting of a Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 film on a Si substrate with a SiO 2 barrier layer according to the prototype;
б - изображение поперечного среза гетероструктуры Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4/Si, полученной заявителем;b - image of a cross section of the heterostructure Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 / Si, obtained by the applicant;
в - изображение поверхности пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 в гетероструктуре по прототипу;in - image of the surface of the film of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 in the heterostructure of the prototype;
г - изображение поверхности пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 в гетероструктуре, полученной заявителем.g - image of the surface of the film Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 in the heterostructure obtained by the applicant.
Ниже приведены примеры способа изготовления пленки Mg(Fe1-xGax)2O4, где=0.05÷0.25, на подложке монокристаллического кремния. Примеры иллюстрируют, но не ограничивают предложенный способ.The following are examples of a method for manufacturing a Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film, where = 0.05 ÷ 0.25, on a single-crystal silicon substrate. The examples illustrate but do not limit the proposed method.
Пример 1. Формирование пленки Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 на подложке монокристаллического кремния проводилось следующим образом. На поверхность Si после ее очистки от посторонних примесей наносили пленку Mg(Fe0.95Ga0.05)2О4 из мишени, которая представляла собой диск состава Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4, диаметром 8 см, толщиной 4 мм, чистотой не хуже 99.98%.Example 1. The formation of a film of Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 on a substrate of single-crystal silicon was carried out as follows. After cleaning it from foreign impurities, a Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 film was deposited on the Si surface from the target, which was a disk of the composition Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 , 8 cm in diameter, 4 mm thick, not pure worse than 99.98%.
Распыление мишени производилось ионно-лучевым методом пучком ионов кислорода с энергией 1500 эВ и плотностью тока пучка ионов 0.1 мА/см2 в вакууме не хуже 0.2 Ра.The target was sprayed using the ion beam method with an oxygen ion beam with an energy of 1500 eV and an ion beam current density of 0.1 mA / cm 2 in vacuum no worse than 0.2 Ra.
При этом формирование пленки происходило в 5 этапов: первоначально на подложку Si наносили слой Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 толщиной 10 нм.The film was formed in 5 stages: initially, a layer of Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 with a thickness of 10 nm was deposited on the Si substrate.
На 2-м этапе проводили кристаллизацию слоя Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 на подложке кремния путем нагревания со скоростью 145°С/мин до температуры 720°С, выдержки в течение 3 мин и охлаждения, что приводило к получению кристаллической пленки Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4.At the 2nd stage, the Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 layer was crystallized on a silicon substrate by heating at a rate of 145 ° С / min to a temperature of 720 ° С, holding for 3 min, and cooling, which resulted in a crystalline film Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 .
На 3-м этапе пучком ионов кислорода с энергией 300 эВ кристаллический слой пленки утончали до толщины 2 нм.At the 3rd stage, a beam of oxygen ions with an energy of 300 eV, the crystalline layer of the film was thinned to a thickness of 2 nm.
На 4-м этапе повторно на слой Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 толщиной 2 нм наносили этот же слой Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 до толщины 78 нм.At the 4th stage, the same layer of Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 was deposited onto a Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 layer to a thickness of 78 nm.
На 5-м этапе повторно проводили кристаллизацию нанесенного слоя Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4 на подложке монокристаллического кремния.At the 5th stage, the deposited Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 layer was crystallized again on a single-crystal silicon substrate.
Получали гетероструктуру Mg(Fe0.95Ga0.05)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка (Фиг. 1б).A heterostructure of Mg (Fe 0.95 Ga 0.05 ) 2 O 4 / Si was obtained with a stable film / substrate interface (Fig. 1b).
Пример 2. Формирование пленки Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 на подложке монокристаллического кремния проводилось следующим образом. На поверхность Si после ее очистки от посторонних примесей наносили пленку Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 из мишени, состава Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 диаметром 8 см, толщиной 4 мм, чистотой не хуже 99.98%.Example 2. The formation of a film of Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 on a substrate of single-crystal silicon was carried out as follows. After cleaning it from foreign impurities, a Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 film was deposited on the Si surface from a target with the composition of Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 with a diameter of 8 cm, a thickness of 4 mm, and a purity of no worse than 99.98%.
Распыление мишени производилось ионно-лучевым методом пучком ионов кислорода с энергией 1600 эВ и плотностью тока пучка ионов 0.25 мА/см2 в вакууме не хуже 0.2 Ра.The target was sprayed using the ion beam method with an oxygen ion beam with an energy of 1600 eV and an ion beam current density of 0.25 mA / cm 2 in vacuum no worse than 0.2 Ra.
При этом формирование пленки происходило в 5 этапов: первоначально на подложку Si наносили слой Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 толщиной 20 нм.In this case, the film was formed in 5 stages: initially, a 20 nm thick Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 layer was deposited on the Si substrate.
На 2-м этапе проводили кристаллизацию слоя Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 на подложке кремния путем нагревания со скоростью 155°С/мин до температуры 700°С, выдержки в течение 2 мин и охлаждения, что приводило к получению кристаллической пленки Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4.At the 2nd stage, the Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 layer was crystallized on a silicon substrate by heating at a rate of 155 ° C / min to a temperature of 700 ° C, holding for 2 minutes, and cooling, which resulted in a crystalline film Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 .
На 3-м этапе пучком ионов кислорода с энергией 300 эВ кристаллический слой пленки утончали до толщины 4 нм.At the 3rd stage, a beam of oxygen ions with an energy of 300 eV crystallized the film layer to a thickness of 4 nm.
На 4-м этапе повторно на слой Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 толщиной 4 нм наносили этот же слой Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 до толщины 79 нм.At the 4th stage, the same Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 layer was deposited onto a Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 layer to a thickness of 79 nm.
На 5-м этапе повторно проводили кристаллизацию нанесенного слоя Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4 на подложке монокристаллического кремния.At the 5th stage, the deposited Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 layer was crystallized again on a single-crystal silicon substrate.
Получали гетероструктуру Mg(Fe0.75Ga0.25)2O4/Si, со стабильной межфазной границей пленка/подложка (Фиг. 26).A heterostructure of Mg (Fe 0.75 Ga 0.25 ) 2 O 4 / Si was obtained with a stable film / substrate interface (Fig. 26).
Пример 3 Формирование пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 на подложке монокристаллического кремния проводилось следующим образом. На поверхность Si после ее очистки ионно-лучевым методом от посторонних примесей наносили пленку Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 из мишени состава Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 диаметром 8 см, толщиной 4 мм, чистотой не хуже 99.98%.Example 3 The formation of a film of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 on a substrate of single-crystal silicon was carried out as follows. A Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 film from a target of the composition of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 with a diameter of 8 cm, a thickness of 4 mm, and a purity of no worse than 99.98 was deposited on the Si surface after its cleaning by the ion beam method from impurities %
Распыление мишени производилось ионно-лучевым методом пучком ионов кислорода с энергией 1550 эВ и плотностью тока пучка ионов 0.20 мА/см2 в вакууме не хуже 0.2 Ра.The target was sprayed using the ion beam method with an oxygen ion beam with an energy of 1550 eV and an ion beam current density of 0.20 mA / cm 2 in vacuum no worse than 0.2 Ra.
При этом формирование пленки происходило в 5 этапов: первоначально на подложку Si наносили слой Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 толщиной 15 нм.In this case, the film was formed in 5 stages: initially, a Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 layer with a thickness of 15 nm was deposited on the Si substrate.
На 2-м этапе проводили кристаллизацию слоя Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 на подложке кремния путем нагревания со скоростью 150°С/мин до температуры 710°С, выдержки в течение 2 мин и охлаждения, что приводило к получению кристаллической пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4. На 3-м этапе пучком ионов кислорода с энергией 300 эВ кристаллический слой пленки утончали до толщины 3 нм.At the 2nd stage, the Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 layer was crystallized on a silicon substrate by heating at a rate of 150 ° C / min to a temperature of 710 ° C, holding for 2 min, and cooling, which resulted in a crystalline film Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 . At the 3rd stage, a beam of oxygen ions with an energy of 300 eV, the crystalline layer of the film was thinned to a thickness of 3 nm.
На 4-м этапе повторно на слой Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 толщиной 3 нм наносили этот же слой Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 до толщины 80 нм.At the 4th stage, the same layer of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 was deposited onto a Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 layer to a thickness of 80 nm.
На 5-м этапе повторно проводили кристаллизацию нанесенного слоя MgFe1.8Ga0.2O4 на подложке монокристаллического кремния.At the 5th stage, the deposited MgFe 1.8 Ga 0.2 O 4 layer was again crystallized on a single-crystal silicon substrate.
Получали гетероструктуру Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4/Si, со стабильной межфазной границей пленка/подложка (Фиг. 3б).A heterostructure of Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 / Si was obtained with a stable film / substrate interface (Fig. 3b).
В полученной гетероструктуре также отсутствуют дефекты, искажения и пустоты на поверхности пленки Mg(Fe1-xGax)2О4, приводящие к деградации свойств гетероструктуры (Фиг. 3г).The resulting heterostructure also lacks defects, distortions, and voids on the surface of the Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 film, leading to degradation of the properties of the heterostructure (Fig. 3d).
Достижение технического результата следует из сравнения представленных изображений.The achievement of the technical result follows from a comparison of the presented images.
Как видно из Фиг. 1а, 2а и 3а на поперечном сечении гетероструктур, воспризведенных по прототипу и состоящих из пленки Mg(Fe1-xGax)2O4/Si, где х=0.05÷0.25, на подложке Si с буферным слоем SiO2, хорошо различимы искажения гексагональной формы и пустоты глубиной порядка 5 мкм. В заявляемой гетероструктуре Mg(Fe1-xGax)2O4/Si, при всех значениях х, Фиг. 1б, 2б и 3б. поперечное сечение характеризуется стабильностью межфазной границыAs can be seen from FIG. 1a, 2a, and 3a in the cross section of heterostructures taken up according to the prototype and consisting of a Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si film, where x = 0.05 ÷ 0.25, on a Si substrate with a SiO 2 buffer layer, are clearly distinguishable distortions of the hexagonal shape and void depth of about 5 microns. In the inventive heterostructure Mg (Fe 1-x Ga x ) 2 O 4 / Si, for all x values, FIG. 1b, 2b and 3b. the cross section is characterized by the stability of the interface
Кроме того, на Фиг. 3в отчетливо видны трещины на поверхности пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 по прототипу, обусловленные релаксацией упругих напряжений в результате кристаллизации. В то время как поверхность пленки Mg(Fe0.8Ga0.2)2O4 заявляемой гетероструктуры (Фиг. 3г), характеризуется гладкой поверхностью и отсутствием трещин.In addition, in FIG. 3c, cracks on the surface of the Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 film according to the prototype are clearly visible, due to relaxation of elastic stresses as a result of crystallization. While the surface of the Mg (Fe 0.8 Ga 0.2 ) 2 O 4 film of the inventive heterostructure (Fig. 3d) is characterized by a smooth surface and the absence of cracks.
Предлагаемое изобретение позволяет создавать гетероструктуры со стабильными межфазными границами пленка/подложка для устройств спинтроники.The present invention allows to create heterostructures with stable film / substrate interfaces for spintronics devices.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017128782A RU2657674C1 (en) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE Mg(Fe1-XGaX)2O4/SI WITH STABLE INTERPHASE BOUNDARY |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017128782A RU2657674C1 (en) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE Mg(Fe1-XGaX)2O4/SI WITH STABLE INTERPHASE BOUNDARY |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2657674C1 true RU2657674C1 (en) | 2018-06-14 |
Family
ID=62619938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017128782A RU2657674C1 (en) | 2017-08-14 | 2017-08-14 | METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE Mg(Fe1-XGaX)2O4/SI WITH STABLE INTERPHASE BOUNDARY |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2657674C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2007135977A (en) * | 2005-02-28 | 2009-04-10 | Эписпид С.А. (CH) | METHOD, INSTALLATION FOR EPITAXIAL GROWING OF SEMICONDUCTORS, DEVICE FOR GENERATION OF LOW-TEMPERATURE PLASMA OF HIGH DENSITY, EPITAXIAL LAYER OF METAL NITRIDE, EPITAXIAL HETEROLITERIDE DIETHLENE |
| EP1631986B1 (en) * | 2003-06-06 | 2011-08-10 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. | A method of preparation of an epitaxial substrate |
| RU2436859C2 (en) * | 2010-03-04 | 2011-12-20 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран) | Semi-conducting ferrimagnetic material |
| EP2284297B1 (en) * | 2000-06-28 | 2012-08-22 | Cree, Inc. | Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminium, indium, gallium) nitride ((AI, In,Ga)N) substrates for opto-electronic and electronic devices |
| EP2800128A1 (en) * | 2011-11-29 | 2014-11-05 | Tamura Corporation | Method for producing ga2o3 crystal film |
| RU2601903C2 (en) * | 2015-03-11 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Method for deposition of thin-film coatings on surface of semiconductor heteroepitaxial structures by magnetron sputtering |
| US20170167012A1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Off-axis magnetron sputtering with real-time reflection high energy electron diffraction analysis |
-
2017
- 2017-08-14 RU RU2017128782A patent/RU2657674C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2284297B1 (en) * | 2000-06-28 | 2012-08-22 | Cree, Inc. | Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminium, indium, gallium) nitride ((AI, In,Ga)N) substrates for opto-electronic and electronic devices |
| EP1631986B1 (en) * | 2003-06-06 | 2011-08-10 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. | A method of preparation of an epitaxial substrate |
| RU2007135977A (en) * | 2005-02-28 | 2009-04-10 | Эписпид С.А. (CH) | METHOD, INSTALLATION FOR EPITAXIAL GROWING OF SEMICONDUCTORS, DEVICE FOR GENERATION OF LOW-TEMPERATURE PLASMA OF HIGH DENSITY, EPITAXIAL LAYER OF METAL NITRIDE, EPITAXIAL HETEROLITERIDE DIETHLENE |
| RU2436859C2 (en) * | 2010-03-04 | 2011-12-20 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Общей И Неорганической Химии Им. Н.С. Курнакова Ран (Ионх Ран) | Semi-conducting ferrimagnetic material |
| EP2800128A1 (en) * | 2011-11-29 | 2014-11-05 | Tamura Corporation | Method for producing ga2o3 crystal film |
| RU2601903C2 (en) * | 2015-03-11 | 2016-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) | Method for deposition of thin-film coatings on surface of semiconductor heteroepitaxial structures by magnetron sputtering |
| US20170167012A1 (en) * | 2015-12-09 | 2017-06-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Off-axis magnetron sputtering with real-time reflection high energy electron diffraction analysis |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI709197B (en) | A method of manufacturing high resistivity semiconductor-on-insulator wafers with charge trapping layers | |
| KR100886620B1 (en) | Method for manufacturing compound material wafers and method for recycling a used donor substrate | |
| TWI610335B (en) | Laminated SOI wafer manufacturing method and bonded SOI wafer | |
| EP3351660B1 (en) | Manufacturing method of sic composite substrate | |
| JP5468528B2 (en) | SUBSTRATE FOR GROWING SINGLE CRYSTAL DIAMOND, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL DIAMOND SUBSTRATE | |
| TWI590298B (en) | Method of manufacturing a bonded SOI wafer | |
| WO2018006883A1 (en) | Method for preparing film bulk acoustic wave device by using film transfer technology | |
| WO2001017024A1 (en) | Fabrication method for pasted soi wafer and pasted soi wafer | |
| EP3352197B1 (en) | Method for producing a composite sic substrate | |
| KR101302426B1 (en) | Method for manufacturing compound material wafers and corresponding compound material wafer | |
| CN112585305A (en) | Method for manufacturing GaN laminated substrate | |
| RU2657674C1 (en) | METHOD FOR PRODUCING HETEROSTRUCTURE Mg(Fe1-XGaX)2O4/SI WITH STABLE INTERPHASE BOUNDARY | |
| US8303745B2 (en) | Process for transferring films | |
| JP2010525598A (en) | Manufacturing method of composite material wafer and corresponding composite material wafer | |
| JPWO2004070091A1 (en) | Magnetic garnet single crystal film forming substrate, manufacturing method thereof, optical element and manufacturing method thereof | |
| CN111477543A (en) | Method for bonding substrate wafer and single crystal piezoelectric wafer and composite single crystal piezoelectric wafer substrate | |
| TW201246370A (en) | Method for manufacturing soi wafer | |
| Xiao et al. | Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition | |
| JPH0451407A (en) | Manufacture of ferroelectric thin film | |
| EP3220414B1 (en) | Method for polycrystalline oxide thin-film transistor array substrate | |
| KR100883228B1 (en) | Magnesium oxide single crystal having controlled crystallinity and method for preparation thereof, and substrate using said single crystal | |
| CN101145512A (en) | Method of producing bonded wafer | |
| JPS62197395A (en) | Manufacture of structural epitaxial layer on substrate | |
| Lee et al. | Self-limiting behavior of the grain growth in lead zirconate titanate thin films | |
| SU1823932A3 (en) | Method for manufacturing high-temperature superconductive thin film based on yttrium |