[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2494472C1 - Pixel cell driver for oled display - Google Patents

Pixel cell driver for oled display Download PDF

Info

Publication number
RU2494472C1
RU2494472C1 RU2012105375/08A RU2012105375A RU2494472C1 RU 2494472 C1 RU2494472 C1 RU 2494472C1 RU 2012105375/08 A RU2012105375/08 A RU 2012105375/08A RU 2012105375 A RU2012105375 A RU 2012105375A RU 2494472 C1 RU2494472 C1 RU 2494472C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
bus
pixel cell
mos transistor
voltage
current
Prior art date
Application number
RU2012105375/08A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2012105375A (en
Inventor
Вячеслав Сергеевич Мочкин
Николай Николаевич Усов
Борис Афанасьевич Кондрацкий
Original Assignee
Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Микроэлектронной Аппаратуры "Прогресс" (Оао "Ниима "Прогресс")
Открытое Акционерное Общество "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Циклон" (Оао "Цнии "Циклон")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Микроэлектронной Аппаратуры "Прогресс" (Оао "Ниима "Прогресс"), Открытое Акционерное Общество "Центральный Научно-Исследовательский Институт "Циклон" (Оао "Цнии "Циклон") filed Critical Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Микроэлектронной Аппаратуры "Прогресс" (Оао "Ниима "Прогресс")
Priority to RU2012105375/08A priority Critical patent/RU2494472C1/en
Publication of RU2012105375A publication Critical patent/RU2012105375A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2494472C1 publication Critical patent/RU2494472C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

FIELD: information technology.
SUBSTANCE: device has a current source on a first MOS transistor connected to a first supply voltage line and an organic light-emitting diode (OLED), a capacitor which stores the current signal value, a signal voltage to capacitor voltage converter when programming the pixel cell, consisting of a second and a third MOS transistor, fourth and fifth switch MOS transistors. The second MOS transistor is connected to the signal voltage line and the second supply voltage line. The fourth and fifth switch MOS transistors are connected to a line for enabling the recording of the signal voltage to the pixel cell during programming thereof.
EFFECT: high operating speed, contrast, uniformity and stability of brightness of a microdisplay.
2 dwg

Description

Изобретение относится к микроэлектронным устройствам визуализации изображений, а именно - к микродисплеям, более конкретно - к сверхбольшим интегральным схемам управления дисплеев с активными матрицами OLED (матрицами светоизлучающих диодов на основе органических полупроводников), сформированными на общей кремниевой подложке со схемами драйверов пиксельных ячеек.The invention relates to microelectronic devices for image visualization, namely to microdisplays, and more particularly to ultra-large integrated circuits for controlling displays with active OLED arrays (light emitting diode arrays based on organic semiconductors) formed on a common silicon substrate with pixel cell driver circuits.

Известен драйвер пиксельной ячейки дисплеев с активными матрицами OLED (G. Levy et. al. An 852×600 Pixel OLED-on-Silicon Color Microdisplay Using CMOS Subthreshol-Voltage-Scaling Current Drivers. IEEE J. Of Solid-State Circuits, vol.37, #12, Dec. 2002, pp. 1879-1889), содержащий источник тока на МОП транзисторе, задающем рабочий ток в светоизлучающий диод на основе органических полупроводников, МОП транзисторный ключ выборки из матрицы данной пиксельной ячейки и для программирования пиксельной ячейки, МОП транзисторный ключ ввода информации о текущем уровне яркости в виде напряжения на запоминающем конденсаторе, который подключен к затвору МОП транзистора источника тока. (Кроме того, в эту схему включены ключевой МОП транзистор отключения светоизлучающего диода на основе органических полупроводников в режиме программирования и ключевой МОП транзистор в диодном включении для ограничения до допустимого уровня напряжение на электрической схеме при отключении светоизлучающего диода на основе органических полупроводников.) Для достижения достаточно высокого быстродействия при программировании пиксельной ячейки ток из информационной шины в запоминающий конденсатор и в драйверный МОП транзистор в диодном включении существенно увеличен (например, в 100 раз). В рабочем состоянии ток через драйверный МОП транзистор соответственно во столько же раз уменьшается подачей запирающего напряжения смещения через запоминающий конденсатор на затвор МОП транзистора источника тока. Для этой цели в ячейку введена дополнительная шина масштабирования тока.The known pixel cell driver for OLED active matrix displays (G. Levy et. Al. An 852 × 600 Pixel OLED-on-Silicon Color Microdisplay Using CMOS Subthreshol-Voltage-Scaling Current Drivers. IEEE J. Of Solid-State Circuits, vol. 37, # 12, Dec. 2002, pp. 1879-1889), containing a current source on a MOS transistor that sets the operating current to a light emitting diode based on organic semiconductors, a MOS transistor switch for sampling from a matrix of a given pixel cell and for programming a pixel cell, MOS a transistor key for entering information about the current brightness level in the form of a voltage on a storage capacitor, which connected to the gate of the MOS transistor of the current source. (In addition, the key MOS transistor for switching off a light-emitting diode based on organic semiconductors in programming mode and the key MOS transistor in diode switching on to limit the voltage on the electric circuit when disconnecting a light-emitting diode based on organic semiconductors are included in this circuit). high speed when programming a pixel cell, the current from the information bus to the storage capacitor and to the driver MOS transistor to the diode m inclusion significantly increased (e.g., 100 times). In working condition, the current through the driver MOS transistor, respectively, is reduced by the same amount by supplying a bias locking voltage through a storage capacitor to the gate of the MOS transistor of the current source. For this purpose, an additional current scaling bus is introduced into the cell.

Основные причины необходимости введения масштабирования состоят в увеличении быстродействия драйвера и уменьшении влияния технологических разбросов параметров МОП транзисторов на разбросы по яркости пиксельных ячеек дисплея. При масштабировании тока используется экспоненциальная зависимость ток стока МОП транзистора в предпороговом режиме от напряжения на его затворе, что позволяет математическую операцию умножения на коэффициент масштабирования заменить на операцию сложения на затворе Моп транзистора источника тока напряжения программирования и напряжения смещения на дополнительной шине масштабирования тока. Коэффициент масштабирования постоянен для всей матрицы и не меняется в рабочем режиме. (G. Levy et. al. An 852×600 Pixel OLED-on-Silicon Color Microdisplay Using CMOS Subthreshol-Voltage-Scaling Current Drivers. IEEE J. Of Solid-State Circuits, vol.37, #12, Dec. 2002, pp.1879-1889).The main reasons for the need to introduce scaling are to increase the speed of the driver and reduce the influence of technological variation of the parameters of MOS transistors on the variation in brightness of the pixel cells of the display. When scaling the current, the exponential dependence of the drain current of the MOS transistor in the pre-threshold mode on the voltage at its gate is used, which allows the mathematical operation of multiplying by the scaling factor to be replaced by the addition operation of the programming voltage source and the bias voltage on the additional current scaling bus on the Mop gate of the transistor. The scaling factor is constant for the entire matrix and does not change in the operating mode. (G. Levy et. Al. An 852 × 600 Pixel OLED-on-Silicon Color Microdisplay Using CMOS Subthreshol-Voltage-Scaling Current Drivers. IEEE J. Of Solid-State Circuits, vol. 37, # 12, Dec. 2002, pp. 1879-1889).

Такой драйвер имеет следующие недостатки:Such a driver has the following disadvantages:

- недостаточный динамический диапазон рабочих сигналов (в микродисплее это ограничивает его контрастность, например, порядка 100:1) из-за сравнительно небольшого диапазона рабочих токов источника тока на МОП транзисторе в предпороговом режиме;- insufficient dynamic range of working signals (in the microdisplay this limits its contrast, for example, of the order of 100: 1) due to the relatively small range of working currents of the current source on the MOS transistor in the pre-threshold mode;

- высокий уровень шумов (по отношению к номинальному уровню сигнала), большая температурная и временная нестабильность токовых характеристик источника тока на МОП транзисторе и разброс яркости по экрану дисплея (в микродисплее это проявляется в неравномерной яркости по экрану и мерцанию изображения, а также в требующей корректировки меняющейся яркости во время эксплуатации и изменении температуры);- high noise level (relative to the nominal signal level), large temperature and temporal instability of the current characteristics of the current source on the MOS transistor and the brightness spread across the display screen (in the microdisplay this is manifested in uneven brightness across the screen and flickering of the image, as well as in requiring adjustment changing brightness during operation and temperature changes);

- наличие дополнительных элементов (в ячейке - дополнительной шины, по которой передается масштабирующее напряжение смещения, вне матрицы -схемы управления масштабированием).- the presence of additional elements (in the cell, an additional bus, along which the scaling bias voltage is transmitted, outside the matrix, the scaling control circuit).

Известен драйвер пиксельной ячейки OLED дисплея (патент США №2007/0273622 A1, опубл. 29.11.07), наиболее близкий к предлагаемому и содержащий для светоизлучающего диода на основе органических полупроводников источник тока на первом МОП транзисторе (Т4 на чертеже 2), подключенном к первой шине источника напряжения питания (VDD на чертеже 2), и к светоизлучающему диоду на основе органических полупроводников и подключенном затвором к первой обкладке конденсатора (С на чертеже 2), запоминающего текущее значение сигнала, вторая обкладка которого подключена к первой шине источника напряжения питания. Второй МОП транзистор (Т3 на чертеже 2), преобразующий при программировании пиксельной ячейки сигнальный входной ток в напряжение на конденсаторе С и подключенный истоком к источнику напряжения питания, затвором подключен к первой обкладке конденсатора С, вторая обкладка которого подключена к источнику напряжения питания. Кроме того, драйвер содержит первый ключевой МОП транзистор (Т1 на чертеже 2), соединяющий шину программируемого сигнального тока (Data) со стоком Т3, и содержащей второй ключевой МОП транзистор (Т2 на чертеже 2), соединяющий сток второго МОП транзистора (Т3 на чертеже 2) с первой обкладкой конденсатора С, затворы первого и второго ключевых МОП транзисторов соединены с шиной выборки пиксельной ячейки (Scan) при ее программировании. В отличие от электрической схемы драйвера пиксельной ячейки вышеприведенного аналога, для достижения требуемого при программировании достаточно высокого быстродействия масштабирование токов возможно лишь за счет увеличения размеров второго МОП транзистора, тогда коэффициент масштабирования будет равен отношению W/L второго к W/L первого МОП транзисторов, где W- ширина, L - длина канала. Чтобы получить достаточно большой коэффициент масштабирования (например, 100:1) размеры второго МОП транзистора становятся столь велики, что он может, не поместится в габаритах пиксельной ячейки, а при малом коэффициенте масштабирования для полноформатных микродисплеев невозможно достигнуть достаточного быстродействия.A known pixel cell driver for an OLED display (US patent No. 2007/0273622 A1, publ. 11.29.07) is closest to the proposed one and contains a current source for a light-emitting diode based on organic semiconductors on a first MOS transistor (T4 in Figure 2) connected to the first bus of the power supply voltage (VDD in Figure 2), and to a light emitting diode based on organic semiconductors and connected by a gate to the first capacitor plate (C in Figure 2), which stores the current value of the signal, the second plate of which is connected to ervoy bus supply voltage. The second MOS transistor (T3 in Figure 2), which converts the signal input current to the voltage on the capacitor C when programming the pixel cell, is connected by the source to the power supply source, and the gate is connected to the first capacitor plate C, the second plate of which is connected to the power supply source. In addition, the driver includes a first MOSFET transistor (T1 in Figure 2) connecting the programmable signal current bus (Data) to the T3 drain, and containing a second MOSFET transistor (T2 in Figure 2) connecting the drain of the second MOS transistor (T3 in the drawing 2) with the first lining of the capacitor C, the gates of the first and second key MOS transistors are connected to the sampling bus of the pixel cell (Scan) during its programming. Unlike the electrical circuit of the pixel cell driver of the analogue above, to achieve the required high programming speed when programming, current scaling is possible only by increasing the size of the second MOS transistor, then the scaling factor will be equal to the ratio W / L of the second to W / L of the first MOS transistors, W is the width, L is the length of the channel. To obtain a sufficiently large scaling factor (for example, 100: 1), the dimensions of the second MOS transistor become so large that it may not fit in the dimensions of a pixel cell, and with a small scaling factor for full-format microdisplays it is impossible to achieve sufficient speed.

Такой драйвер имеет следующие недостатки:Such a driver has the following disadvantages:

- для полноформатных микродисплеев недостижимо достаточного высокое быстродействие при программировании пиксельной ячейки (из-за необходимости достижения достаточного коэффициента масштабирования, например равного 100);- for full-format microdisplays, unattainable high speed when programming a pixel cell (due to the need to achieve a sufficient scaling factor, for example equal to 100);

- введение масштабирования тока приводит к соответственному увеличению энергопотребления схем, программирующих пиксельные ячейки микродисплея;- the introduction of current scaling leads to a corresponding increase in energy consumption of circuits programming pixel microdisplay cells;

- из-за существенно различных размеров первого и второго МОП транзисторов существенно увеличивается погрешность преобразования входного (программирующего) тока в рабочий ток.- due to the significantly different sizes of the first and second MOS transistors, the error in converting the input (programming) current to the operating current increases significantly.

Предлагаемым изобретением решается задача достижения достаточного быстродействия при программировании пиксельных ячеек без необходимости масштабирования тока при программировании пиксельной ячейки и уменьшения погрешности преобразования и энергопотребления схем, программирующих пиксельные ячейки.The present invention solves the problem of achieving sufficient performance when programming pixel cells without the need to scale the current when programming a pixel cell and reduce the error of conversion and power consumption of schemes programming pixel cells.

Для достижения этого технического результата в драйвер пиксельной ячейки OLED дисплея, содержащий для светоизлучающего диода на основе органических полупроводников источник тока на первом МОП транзисторе, подключенном к первой шине источника напряжения питания и к светоизлучающему диоду на основе органических полупроводников и подключенном затвором к первой обкладке конденсатора, запоминающего текущее значение сигнала, вторая обкладка которого подключена к первой шине источника напряжения питания, дополнительно введен преобразователь напряжения сигнала в напряжение на конденсаторе при программировании пиксельной ячейки (записи информации в нее), который состоит из второго и третьего МОП транзисторов и который подключен через ключевые четвертый и пятый МОП транзисторы к первой обкладке конденсатора, второй МОП транзистор подключен затвором к шине напряжения сигнала и подключен ко второй шине источника напряжения питания, а через ключевой четвертый МОП транзистор к третьему МОП транзистору, который подключен к первой шине источника напряжения питания, а его затвор подключен к первой обкладке конденсатора, ключевой пятый МОП транзистор соединяет первую обкладку конденсатора с третьим МОП транзистором, затворы ключевых четвертого и пятого МОП транзисторов подключены к шине разрешения записи напряжения сигнала в пиксельную ячейку при ее программировании.To achieve this technical result, the pixel cell driver of the OLED display contains, for a light emitting diode based on organic semiconductors, a current source on the first MOS transistor connected to the first bus of the power supply voltage and to a light emitting diode based on organic semiconductors and connected to the first capacitor plate by a gate, which stores the current value of the signal, the second lining of which is connected to the first bus of the power supply, an additional converter the voltage of the signal to the voltage across the capacitor when programming the pixel cell (recording information in it), which consists of the second and third MOS transistors and which is connected through the key fourth and fifth MOS transistors to the first capacitor plate, the second MOS transistor is connected by a gate to the signal voltage bus and is connected to the second bus of the power supply voltage source, and through the key fourth MOS transistor to the third MOS transistor, which is connected to the first bus of the power voltage source, and its gate p is connected to the first plate of the capacitor, the key fifth MOS transistor connects the first plate of the capacitor to the third MOS transistor, the gates of the key fourth and fifth MOS transistors are connected to the bus write enable signal voltage to the pixel cell when it is programmed.

Признаки, отличающие предлагаемый драйвер пиксельной ячейки OLED дисплея от наиболее близкого к нему известному по патенту США №2007/0273622 А1 (прототип), характеризуют наличие преобразователя напряжения сигнала в напряжение на конденсаторе при программировании пиксельной ячейки (записи информации в нее), который состоит из второго и третьего МОП транзисторов и который подключен через ключевые четвертый и пятый МОП транзисторы к первой обкладке конденсатора, второй МОП транзистор подключен затвором к шине напряжения сигнала и подключен ко второй шине источника напряжения питания, а через ключевой четвертый МОП транзистор к третьему МОП транзистору, который подключен к первой шине источника напряжения питания, а его затвор подключен к первой обкладке конденсатора, ключевой пятый МОП транзистор соединяет первую обкладку конденсатора с третьим МОП транзистором, затворы ключевых четвертого и пятого МОП транзисторов подключены к шине разрешения записи напряжения сигнала в пиксельную ячейку при ее программировании.The features distinguishing the proposed pixel cell driver of the OLED display from the closest known US patent No. 2007/0273622 A1 (prototype) characterize the presence of a signal to voltage converter on a capacitor when programming a pixel cell (recording information into it), which consists of the second and third MOS transistors and which is connected through the key fourth and fifth MOS transistors to the first capacitor plate, the second MOS transistor is connected by a gate to the signal voltage bus and connected to to the other side of the power supply bus, and through the fourth key MOSFET to the third MOS transistor, which is connected to the first bus of the power supply, and its gate is connected to the first capacitor plate, the fifth fifth MOSFET transistor connects the first capacitor plate to the third MOS transistor, the gates of the key the fourth and fifth MOS transistors are connected to the bus for recording the voltage of the signal in the pixel cell when it is programmed.

На фиг.1 приведена принципиальная электрическая схема драйвера пиксельной ячейки OLED дисплея, содержащая: Д - светоизлучающий диод на основе органических полупроводников, МОПТ1 - МОП транзистор источника тока для светоизлучающего диода на основе органических полупроводников, К - конденсатор, запоминающий текущее значение сигнала, МОПТ2 и МОПТ3 - МОП транзисторы преобразователя напряжения сигнала в напряжение на конденсаторе при программировании пиксельной ячейки, МОПТ4 и МОПТ5 - ключевые МОП транзисторы, обеспечивающие запись информации в конденсатор К при программировании, Е11 и Е12 - первая шина источника напряжения питания МОП транзистора МОПТ1 и преобразователя напряжения сигнала, Е21 - вторая шина источника напряжения питания преобразователя напряжения сигнала, Е22 - вторая шина источника напряжения питания Д, Ш1 - шина напряжения сигнала, Ш2 - шина разрешения записи напряжения сигнала в пиксельную ячейку при ее программировании. При использовании МОП транзисторов одного типа проводимости канала (р- или n-типа) истоки МОПТ1 и МОПТ3 соединены с первой шиной источника напряжения питания, сток МОПТ2 - со второй шиной источника напряжения питания. В этом случае преобразователь напряжения сигнала на МОП транзисторах МОПТ2 и МОПТ3 работает как истоковый повторитель напряжения. Если типы проводимости канала МОП транзисторов МОПТ2 и МОПТ3 разные, то в этом случае преобразователь напряжения сигнала на МОП транзисторах МОПТ2 и МОПТ3 работает как усилитель напряжения сигнала.Figure 1 shows a circuit diagram of an OLED display pixel cell driver driver, comprising: D is a light emitting diode based on organic semiconductors, MOSF1 is a MOS current source transistor for a light emitting diode based on organic semiconductors, K is a capacitor storing the current signal value, MOSFET 2 and MOPT3 - MOS transistors of the voltage-to-voltage converter of a capacitor when programming a pixel cell; MOPT4 and MOSPT5 are key MOS transistors providing information recording in capacitor K when programming, E11 and E12 - the first bus of the power supply voltage of the MOS transistor MOSFET1 and the signal voltage converter, E21 - the second bus of the power supply voltage of the signal voltage converter, E22 - the second bus of the power supply voltage D, Ш1 - the signal voltage bus, Ш2 - a bus for permitting the recording of signal voltage into a pixel cell during its programming. When using MOSFETs of the same type of channel conductivity (p- or n-type), the sources of MOSFET 1 and MOSFET3 are connected to the first bus of the power supply source, the drain of MOSFET2 to the second bus of the power supply source. In this case, the signal voltage converter on the MOSFET MOSFET 2 and MOSFET 3 operates as a source voltage follower. If the types of channel conductivity of the MOSFET MOSFET 2 and MOSFET 3 are different, then in this case the signal voltage converter on the MOSFET MOSFET 2 and MOSFET 3 transistors works as a signal voltage amplifier.

На фиг.2 (прототип) приведена принципиальная электрическая схема драйвера пиксельной ячейки OLED дисплея прототипа содержащая: T1 - первый ключевой МОП транзистор, Т2 - второй ключевой МОП транзистор, Т3 - второй МОП транзистор, Т4 - первый МОП транзистор, С - конденсатор, VDD - источник напряжения питания. Data - шина программируемого тока, Scan - шина выборки пиксельной ячейки.Figure 2 (prototype) shows a circuit diagram of a driver of a pixel cell OLED display prototype containing: T1 - the first key MOS transistor, T2 - the second key MOS transistor, T3 - the second MOS transistor, T4 - the first MOS transistor, C - the capacitor, VDD - power supply source. Data - programmable current bus, Scan - pixel cell sampling bus.

Драйвер пиксельной ячейки OLED дисплея работает следующим образом. В режиме программирования ячейки (записи информации) на шину Ш2 подается управляющий импульс, открывающий ключевые МОП транзисторы МОПТ4 и МОПТ5, напряжение сигнала, поданное на шину Ш1 через преобразователь напряжения сигнала на МОП транзисторах МОПТ2 и МОПТ3 подается на конденсатор К. После окончания режима программирования ключевые МОП транзисторы МОПТ4 и МОПТ5 отсоединяют конденсатор К от преобразователя напряжения сигнала на МОП транзисторах МОПТ2 и МОПТ3 и на нем сохраняется заряд, соответствующий напряжению сигнала, в течение всего рабочего режима. Поскольку в пиксельную ячейку подается не ток как в прототипе, а напряжение сигнала (от низкоомного источника напряжения сигнала), то не требуется проводить масштабирование тока (вводить в пиксельную ячейку многократно увеличенный ток) для достижения требуемого быстродействия. При этом может быть использован весь диапазон рабочих токов МОП транзистора МОПТ1, а не только предпороговые токи стока, что позволяет значительно расширить динамический диапазон и коэффициент контрастности. Соответственно, уменьшается влияние внешних и собственных шумов, а также влияние разброса пороговых напряжений МОП транзисторов МОПТ1 и МОПТ3 на разброс яркости по полю дисплея.The pixel cell driver of an OLED display operates as follows. In the programming mode of the cell (recording information), a control pulse is supplied to the Ш2 bus, which opens the MOSFET 4 and MOPT5 key MOS transistors, the signal voltage supplied to the Ш1 bus through the signal voltage converter on the MOSFET 2 and MOSFET 3 transistors is supplied to the capacitor K. After the programming mode MOSFET transistors MOPT4 and MOPT5 disconnect the capacitor K from the signal voltage converter on the MOSFET transistors MOPT2 and MOPT3 and a charge corresponding to the signal voltage is stored on it throughout Static preparation mode. Since the signal voltage (from a low-resistance signal voltage source) is not supplied to the pixel cell, as in the prototype, it is not necessary to scale the current (to introduce a multiply increased current into the pixel cell) to achieve the required speed. In this case, the entire range of operating currents of the MOS transistor MOSFET1 can be used, and not only pre-threshold drain currents, which can significantly expand the dynamic range and contrast ratio. Accordingly, the influence of external and intrinsic noise is reduced, as well as the influence of the spread of threshold voltages of the MOS transistors MOSFET 1 and MOSFET 3 on the brightness spread across the display field.

Предлагаемая электрическая схема светоизлучающей ячейки обеспечивает:The proposed electrical circuit of the light emitting cell provides:

- высокое быстродействие без необходимости масштабирования тока при программировании пиксельной ячейки (соответственно, без необходимости увеличения энергопотребления схем, программирующих пиксельные ячейки, и обеспечения масштабирования, например увеличением размеров соответствующих МОП транзисторов);- high speed without the need for scaling current when programming a pixel cell (respectively, without the need to increase the power consumption of circuits programming pixel cells, and ensure scaling, for example, by increasing the size of the corresponding MOS transistors);

- большую контрастность;- high contrast;

- однородность и стабильность яркости микродисплея.- uniformity and stability of the brightness of the microdisplay.

Claims (1)

Драйвер пиксельной ячейки OLED дисплея, содержащий для светоизлучающего диода на основе органических полупроводников источник тока на первом МОП-транзисторе, подключенном к первой шине источника напряжения питания и к светоизлучающему диоду на основе органических полупроводников и подключенном затвором к первой обкладке конденсатора, запоминающего текущее значение сигнала, вторая обкладка которого подключена к первой шине источника напряжения питания, отличающийся тем, что в него дополнительно введен преобразователь напряжения сигнала в напряжение на конденсаторе при программировании пиксельной ячейки (записи информации в нее), который состоит из второго и третьего МОП-транзисторов и который подключен через ключевые четвертый и пятый МОП-транзисторы к первой обкладке конденсатора, второй МОП-транзистор подключен затвором к шине напряжения сигнала и подключен ко второй шине источника напряжения питания, а через ключевой четвертый МОП-транзистор к третьему МОП-транзистору, который подключен к первой шине источника напряжения питания, а его затвор подключен к первой обкладке конденсатора, ключевой пятый МОП-транзистор соединяет первую обкладку конденсатора с третьим МОП-транзистором, затворы ключевых четвертого и пятого МОП-транзисторов подключены к шине разрешения записи напряжения сигнала в пиксельную ячейку при ее программировании. An OLED display pixel cell driver comprising a current source for a light emitting diode based on organic semiconductors on a first MOS transistor connected to a first bus of a power supply voltage source and a light emitting diode based on organic semiconductors and connected to a first capacitor plate storing the current signal value, the second lining of which is connected to the first bus of the power supply source, characterized in that a signal voltage converter is additionally introduced into it When the pixel cell is programmed (writing information to it), which consists of the second and third MOS transistors and which is connected through the key fourth and fifth MOS transistors to the first capacitor plate, the second MOS transistor is connected by a gate to the voltage bus signal and is connected to the second bus of the voltage source, and through the fourth key MOSFET to the third MOS transistor, which is connected to the first bus of the voltage source, and its gate is connected to the first the capacitor plate, the fifth key MOSFET connects the first capacitor plate to the third MOSFET, the gates of the key fourth and fifth MOSFETs are connected to the bus for recording the voltage of the signal in the pixel cell when programming it.
RU2012105375/08A 2012-02-15 2012-02-15 Pixel cell driver for oled display RU2494472C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012105375/08A RU2494472C1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Pixel cell driver for oled display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012105375/08A RU2494472C1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Pixel cell driver for oled display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012105375A RU2012105375A (en) 2013-08-20
RU2494472C1 true RU2494472C1 (en) 2013-09-27

Family

ID=49162584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012105375/08A RU2494472C1 (en) 2012-02-15 2012-02-15 Pixel cell driver for oled display

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2494472C1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2160933C2 (en) * 1992-11-03 2000-12-20 Юен Фунг Ю.Х.К.Ко., Лтд. Display unit
US20070236440A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Emagin Corporation OLED active matrix cell designed for optimal uniformity
US20070273622A1 (en) * 2006-05-29 2007-11-29 Himax Technologies Limited Amoled pixel unit
US20090231241A1 (en) * 2006-09-05 2009-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting display device
RU2438194C1 (en) * 2007-12-28 2011-12-27 Шарп Кабусики Кайся Storage capacitor line drive circuit and display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2160933C2 (en) * 1992-11-03 2000-12-20 Юен Фунг Ю.Х.К.Ко., Лтд. Display unit
US20070236440A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-11 Emagin Corporation OLED active matrix cell designed for optimal uniformity
US20070273622A1 (en) * 2006-05-29 2007-11-29 Himax Technologies Limited Amoled pixel unit
US20090231241A1 (en) * 2006-09-05 2009-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting display device
RU2438194C1 (en) * 2007-12-28 2011-12-27 Шарп Кабусики Кайся Storage capacitor line drive circuit and display device

Also Published As

Publication number Publication date
RU2012105375A (en) 2013-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109545145B (en) Pixel circuit, driving method thereof and display device
EP3279888B1 (en) Detection circuit, detection method and driving system
US8659519B2 (en) Pixel circuit with a writing period and a driving period, and driving method thereof
CN105575327B (en) A kind of image element circuit, its driving method and organic EL display panel
WO2016161866A1 (en) Pixel circuit, drive method therefor and display device
US10204560B2 (en) Emission-control circuit, display apparatus having the same, and driving method thereof
US11410600B2 (en) Pixel driving circuit and method, display apparatus
US9627455B2 (en) Touch display driving circuit, method thereof and display apparatus
CN103258501B (en) Pixel circuit and driving method thereof
US9318048B2 (en) Pixel circuit and display apparatus
US20090167644A1 (en) Resetting drive transistors in electronic displays
US10748489B2 (en) Pixel driving circuit and driving method thereof, and display apparatus
Wang et al. One gate diode-connected dual-gate a-IGZO TFT driven pixel circuit for active matrix organic light-emitting diode displays
WO2014172992A1 (en) Pixel unit circuit and compensating method therefor, and display apparatus
CN109584788A (en) Pixel-driving circuit, pixel unit and driving method, array substrate, display device
US10643531B2 (en) Control method for pixel circuit, control circuit for pixel circuit and display device
WO2016023311A1 (en) Pixel drive circuit, pixel drive method and display apparatus
US11043170B2 (en) Pixel circuit and driving method thereof, and display apparatus
US10460657B2 (en) EL display device and method for driving EL display device
WO2018196096A1 (en) Pixel driving circuit, display panel and pixel driving method
US20100060626A1 (en) Pixel circuit of active matrix organic light emitting diode
Liu et al. A new voltage driving scheme to suppress non-idealities of polycrystalline thin-film transistors for AMOLED displays
WO2020206857A1 (en) Pixel drive circuit and display panel
WO2020177258A1 (en) Pixel drive circuit and display panel
US20210217365A1 (en) Pixel unit circuit, driving method thereof, pixel circuit and display device