RU2329298C2 - Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь - Google Patents
Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь Download PDFInfo
- Publication number
- RU2329298C2 RU2329298C2 RU2005117609/04A RU2005117609A RU2329298C2 RU 2329298 C2 RU2329298 C2 RU 2329298C2 RU 2005117609/04 A RU2005117609/04 A RU 2005117609/04A RU 2005117609 A RU2005117609 A RU 2005117609A RU 2329298 C2 RU2329298 C2 RU 2329298C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cleaning
- substrate
- cleaning solution
- semiconductor
- solution
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title abstract description 39
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- OWMVSZAMULFTJU-UHFFFAOYSA-N bis-tris Chemical compound OCCN(CCO)C(CO)(CO)CO OWMVSZAMULFTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 66
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 4
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 15
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 7
- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 6
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 acetic acid compounds Chemical class 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3,3-dimethyl-7-nitro-4h-isoquinolin-1-one Chemical group C1=C([N+]([O-])=O)C=C2C(=O)N(O)C(C)(C)CC2=C1 NEAQRZUHTPSBBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000004178 Anthoxanthum odoratum Species 0.000 description 1
- UBQYURCVBFRUQT-UHFFFAOYSA-N N-benzoyl-Ferrioxamine B Chemical compound CC(=O)N(O)CCCCCNC(=O)CCC(=O)N(O)CCCCCNC(=O)CCC(=O)N(O)CCCCCN UBQYURCVBFRUQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWQCIVKKSOKNN-UHFFFAOYSA-L Tiron Chemical compound [Na+].[Na+].OC1=CC(S([O-])(=O)=O)=CC(S([O-])(=O)=O)=C1O ISWQCIVKKSOKNN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940099217 desferal Drugs 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000008214 highly purified water Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical class [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3947—Liquid compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3245—Aminoacids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Настоящее изобретение касается композиции для обработки поверхности и способа обработки поверхности субстрата, используя эту композицию. Сущность изобретения: очищающий раствор содержит воду, перекись водорода, щелочное соединение и 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан в качестве хелатирующей добавки. Предпочтительно щелочное соединение выбрано из группы, состоящей из органического основания, аммиака, гидроксида аммония, гидроксида тетраметиламмония, более предпочтительно из группы, состоящей из аммиака и гидроксида аммония. Хелатирующая добавка содержится в количестве 1000-3000 ppm. Очищающие растворы используют для процессов обработки поверхности, включая очистку, травление, полировку, пленкообразование, для очистки субстратов, таких как полупроводник, металл, стекло, керамика, пластмасса, магнитный материал, сверхпроводники. Способ включает обработку полупроводникового(ых) субстрата(ов) очищающим раствором и высушивание указанного полупроводникового(ых) субстрата(ов) после промывки водой. Технический результат - повышение стабильности раствора при повышенной температуре и повышение степени очистки поверхностей. 3 н.п. ф-лы, 2 табл., 12 ил.
Description
Область технического применения
Настоящее изобретение касается композиции для обработки поверхности и способа обработки поверхности субстрата, используя эту композицию. Более предпочтительно настоящее изобретение относится к композиции для обработки поверхности, включающей жидкую среду в качестве основного компонента, которая предотвращает загрязнение поверхности субстрата металлическими примесями из композиции для обработки поверхности и стабильно обеспечивает чрезвычайно чистую поверхность субстрата, а также относится к способу для обработки поверхности субстрата, используя эту композицию.
Предпосылки к созданию изобретения
Кроме миниатюризации путем быстродействующей ультравысокой интеграции LSI (large-scale integration - интеграция высокого уровня) процесс мокрой очистки особенно необходим для улучшения его работы и снижения его стоимости. Существует значительная необходимость строгого контроля за загрязнением, потому что следовые примеси имеют вредные воздействия на свойства и могут сильно снизить эффективность устройств. Исследовалось много новых предложений по снижению стоимости процесса очищения, продолжительности обработки, повышению экологичности, снижению количества используемых химических веществ и по обработке отходов.
Стандартная последовательность мокрой очистки, которая широко использовалась, основана на RCA способе очистки (RCA Rev.31, стр.187, 1970 [1]). Стандартный RCA был разработан для удаления дисперсного материала, так же как органических и металлических примесей с кремниевых поверхностей. Химия, использованная в этой последовательности очистки, представляет собой комбинацию двух различных химизмов: SC-1 и SC-2 (Стандартная очистка 1 и 2). Первый этап очистки, SC-1 (также называемый АРМ), включает гидроксид аммония, перекись водорода и деионизированную воду (DI water). Частицы и остающиеся органические вещества удаляют окислительным растворением. На втором этапе, SC-2 (также называемом НРМ), используется смесь соляной кислоты, перекиси водорода и деионизированной воды для удаления любых остаточных металлов с поверхности полупроводника.
Это происходит теоретически, в то время как в течение очищающей обработки встречается много недостатков каждого RCA-этапа ([Handbook of semiconductor wafer cleaning technology (W.Kern, ред.), стр.3-56 (1993) [2]; Mat. Res. Soc. Symp. Proc., том 477 (1997) [3]; J. Electrochem. Soc., том 141 (10), стр.139 (1994) [4]). Большинство очищающих растворов показывает хорошую эффективность только к одному типу загрязнителя. Так что дальнейшая основная проблема приводит (часто) к повторным загрязнениям на кремниевых субстратах химическими веществами, указанными ниже. Hiratsuka и др. показали рН зависимость осаждения металлов на кремниевых субстратах. Особенно легко наносятся Fe, Zn и Al в виде гидроксидов в щелочных растворах (Ultra Clean Technology, том 3 (3), стр.258 (1993) [5]). Уменьшение неровности кремниевых поверхностей путем микромаскирования в водном перекисном растворе показывает другую проблему ([2]; J. Electrochem. Soc. 147 (2), стр.736, 2000 [6]).
Чтобы избежать этих проблем, использовали различные модификации очистки, изменяя реагенты для обработки, температуры и т.д. для увеличения технологического срока службы и эффективности ванны. Например, Heyns и др. предложил очищающий способ без аммиака или соляной кислоты (Mater. Res. Soc. Symp. Proc, стр.35 (1993) [7]). Различные подходы используют очистки, основанные на озоне и/или HF, с/без мегаакустики для улучшения очищающего технологического процесса: Европейские патенты № ЕР 0994505 А2 [8] и 0982765 А2 [9]; Solid State Technology (Июль), стр.109 (1995) [10]; J. Electrochem. Soc. 148 (3), стр.118 (2001) [11]; J. Electrochem. Soc. 148 (5), стр.241 (2001) [12]; Mat. Res. Soc. Symp. Proc. том 477, стр.35 (1997) [13].
Введение комплексообразующих или хелатирующих агентов могло бы упростить весь очищающий технологический процесс. Эффективность хелатирующих агентов в предотвращении осаждения металлов на кремниевых поверхностях в очищающих растворах показана во многих патентах и литературе, например, Европейские патенты № ЕР 1047121 А1 [14], ЕР 0496605 B1 [15], ЕР 0986096 А2 [16], ЕР 1091395 А1 [17], ЕР 931038418 [18], ЕР 652283 А1 [19], патенты США № US 5962384 [20], US 5290361 [21], US 5837667 [22], Японская патентная нерассмотренная публикация №50147284 [23]; J. Electrochem. Soc. 148 (6), стр.315 (2001) [24], Solid State Phenomena, тома 76-77, стр.119 (2001) [25]; Proc. Electrochem. Soc. 99-36, стр.114 (2000) [26], Solid State Phenomena, тома 65-66, стр.23 (1999) [27].
Описанные выше ссылки раскрывают использование многих комплексообразующих реагентов, таких как EDTA, CDTA (соединения уксусной кислоты), алканоламин (например, TEA), специфические соединения, фосфоновая кислота или гидроксамовые группы (например, Dequest 2060, cTRAMP, Desferal), гидроксиды алкиламмония (например, ТМАН) или фенолы (катехол, Tiron).
Лаборатории исследуют/делают попытку разработки хелатирующих агентов, способных к комплексованию многозарядных ионов металлов (например, Fe, Ca, Zn, Ni, Al) в очищающих растворах и действующих как стабилизатор для H2O2 и/или SC-1. Другой значительной целью хелатирующего агента должно быть снятие металлических загрязняющих примесей с кремниевых субстратов. Большинство добавок менее способно работать при сложных назначениях или не проявляют достаточной устойчивости комплекса в течение очищающей обработки. Поэтому многие комплексообразующие реагенты не применимы в промышленном процессе очистки. Например, EDTA не значительно активен в SC-1 растворе по сравнению с упомянутыми соединениями фосфоновой кислоты из-за его разложения при повышенной температуре обработки. АРМ растворы, содержащие группы фосфоновой кислоты, показывают меньшую эффективность в удалении Al с кремниевой поверхности. Также константа стабильности Al-хелатного (EDTA) комплекса при SC-1 обработке (рН 9-10) намного ниже, чем такая константа других металлов. Dequest 2060 и cTRAMP показывают хорошее комплексообразование, особенно для Fe (Zn и Cu), в течение 10-минутных этапов очищения. Saloniemi и др. (VTT Electronics) и США патенты US 5962384 [28] подтверждают хорошие результаты CDTA в подавлении Н2О2 разложения в разбавленном АРМ растворе и уменьшении осаждения металлов на Si-субстратах, кроме алюминия. Также хорошие результаты, используя, по крайней мере, два хелатирующих агента, в предотвращении осаждения металлов на Si-субстратах заявлены Morinaga и др. в патенте США US 6228823 B1 [29] и [3].
Цели изобретения
Поэтому целью настоящего изобретения является улучшение устойчивости указанного выше очищающего раствора, содержащего водную перекись водорода и аммиак (АРМ), при нормальной температуре и особенно при повышенной температуре. Дальнейшая цель настоящего изобретения должна обеспечить очищающий раствор, который не содержит фосфатных соединений.
Еще одна цель изобретения - представить модифицированный способ очистки, который может эффективно использоваться как отдельный этап способа щелочной очистки для кремниевых поверхностей.
Описание изобретения
Настоящее изобретение касается очищающего раствора, который способен удалить и ингибировать загрязнение металлическим примесям на поверхности полупроводникового субстрата. Также изобретение касается очищающего раствора, который показывает ингибирующие свойства против появления новой металлической примеси на указанных поверхностях в течение очищающегося процесса.
В результате экспериментов разработаны способ и очищающая смесь для предотвращения осаждения примесей металлов на кремниевых поверхностях. В особенности было найдено, что добавление хелатирующего агента позволяет получить указанные очищающие смеси, не включающие фосфорсодержащие соединения.
Настоящее изобретение далее включает очищающий раствор, способный удалить примесь металла с поверхностей полупроводниковых субстратов.
Третья предпочтительная особенность настоящего изобретения - значительное улучшение устойчивости указанных выше очищающих растворов, содержащих водную перекись водорода и аммиак (АРМ).
Выбранные хелатирующие агенты могут быть добавлены к очищающему раствору непосредственно перед использованием, но предпочтительной целью настоящего изобретения является целостный очищающий раствор, который способен удалить примеси металлов, ингибировать осаждение новых загрязнений и стабилизировать очищающий раствор, используя оптимальные условия обработки и особенно хелатирующий агент.
Дополнительной целью настоящего изобретения является хелатирующий агент, используемый для захвата примесей металлов в очищающем растворе в виде устойчивых водных комплексов, которые не включают специфических групп, содержащих критические элементы, особенно фосфор.
В заключение настоящее изобретение обеспечивает очищающий раствор, содержащий водную перекись водорода, стабилизированную от разложения. Указанный очищающий раствор включает смесь аммиака, перекиси водорода, деионизированной воды и, по крайней мере, одного хелатирующего агента.
В дополнительном воплощении настоящего изобретения указанные комплексообразующие реагенты используются как соединения, предотвращающие осаждение металлов, и стабилизирующие соединения. Эти соединения представляют собой 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] и нитрилтрех-уксусную кислоту [NTA; CAS 139-13-9; Titrplex I]. Каждое из этих соединений может быть добавлено к очищающим композициям отдельно или в комбинации с другим соединением.
Приемлемая очищающая композиция может содержать эти комплексообразующие реагенты в количестве меньше чем 4000 ppm. Предпочтительно Bis Tris может быть добавлен в диапазоне 1000-3000 ppm и NTA в диапазоне 100-2000 ppm, наиболее предпочтительно Bis Tris добавляют в диапазоне меньше чем 2000 ppm и NTA в диапазоне меньше чем 500 ppm. Общая массовая концентрация указанных хелатирующих агентов предпочтительно должна быть меньше, чем 2000 ppm (0,2 мас.%), но в зависимости от случая может быть необходимо добавить больше или обеспечивать очищающий раствор в течение очищающего процесса дополнительным количеством хелатирующего агента.
В общем, очищающие растворы используют при повышенных температурах. Известные очищающие растворы эффективны при температурах выше, чем 60°С. Смеси настоящего изобретения предпочтительно могут использоваться и эффективны при температурах в диапазоне 20-80°С, особенно при нормальной комнатной температуре. Наиболее предпочтительно они используются при температурах в диапазоне 40-50°С. В зависимости от стадии способа смеси согласно изобретению могут быть приведены в контакт с очищаемыми поверхностями на время приблизительно от нескольких секунд до 60 минут, предпочтительно приблизительно от 15 секунд до 15 минут, наиболее предпочтительно приблизительно от 30 секунд до 6 минут.
Для того чтобы найти оптимизированную композицию для новых очищающих растворов, был проведен ряд экспериментов и была проверена очищающаяся способность хелатирующих агентов в SC-1 и SC-2 растворах.
Контроль разложения Н2О2, усиленного металлическими добавками, показывает эффективность хелатирующих агентов в очищающих растворах. Испытания на стабильность ванны были проведены в АРМ растворах, намеренно загрязненных различными целевыми металлами (Fe, Ca, Zn, Al, 5 ppb) с/без добавления хелатирующего агента (CA) (фиг.1).
В дальнейших экспериментах была проверена эффективность хелатирующих агентов для ингибирования осаждения металлов на кремниевые поверхности. Si-субстраты были предварительно очищены с помощью SC-1 и погружены в указанные выше загрязненные растворы. Загрязнение поверхности металлами на кремниевых субстратах было проанализировано с помощью Рентгеновской флуоресцентной спектроскопии полного отражения (Total Reflection X-Ray Fluorescence Spectroscopy - TXRF) (табл.1).
Кроме того, эффективность удаления хелатирующего агента с кремниевых поверхностей в SC-1 растворах была изучена с помощью TXRF. Si-субстраты были предварительно загрязнены (Fe, Ca, Zn, Al, 1012-1013 ат/см2) и далее погружены в SC-1 раствор, содержащий хелатирующий агент (табл.2).
Количество комплексообразующего реагента, который должен быть добавлен в качестве превентивного средства от осаждения металла, зависит от вида и количества металлических примесей, которые содержит жидкая среда и осаждение которых предотвращают. Также это зависит от уровня очищения, необходимого для поверхности субстрата. Общее количество, которое необходимо добавить в композицию обработки поверхности, в общем, находится в максимальном диапазоне до 2 мас.%, но обычно до 0,4 мас.%. Если описанное выше количество является слишком малым, то предполагаемый превентивный эффект осаждения металла настоящего изобретения едва ли достигается. С другой стороны, если описанное выше количество является слишком большим, тогда никакой дополнительный эффект не может быть достигнут и существует опасение, что комплексообразующий реагент как предотвращающее осаждение металла средство может быть нанесен на поверхность субстрата, что является нежелательным. Используя Bis Tris и NTA, последний случай никогда не встречался.
Примеры жидкой среды, используемой как основной компонент для композиции обработки поверхности настоящего изобретения, в основном включают высокоочищенную воду, электролизованную ионную воду, органический растворитель или водный раствор, содержащий кислоту, щелочь, окисляющий агент, восстанавливающий агент, поверхностно-активное вещество или подобные растворенные вещества, или смеси этих растворов. Особенно, когда щелочной водный раствор или разбавленный раствор фтористоводородной кислоты используется для очистки или травления полупроводникового субстрата, металлические примеси в растворе очень легко наносятся на поверхность субстрата, и поэтому в таких случаях предпочтительно использовать эти растворы, добавляя комплексообразующий реагент в соответствии с настоящим изобретением.
В настоящем изобретении щелочной водный раствор имеет значение рН выше, чем 7. Примеры щелочного компонента в этом водном растворе особенно не ограничены, но обычно включают аммиак. Также другие приемлемые примеры включают гидрокарбонат аммония или гидроксиды четвертичной аммонийной соли, такие как гидроксид тетраметиламмония (ТМАМ), и гидроксид триметил-2-гидроксиэтиламмония и т.п.. Эти соединения могут быть добавлены отдельно или в смеси двух или больше компонентов, и общая концентрация полного раствора композиции для обработки поверхности может регулироваться от 0,001 до 30 мас.%. Наиболее предпочтительно используют аммиак. Согласно изобретению его концентрацию предпочтительно регулируют в диапазоне от 0,01 до 10 мас.%, более предпочтительному в диапазоне от 0,1 до 8 мас.% и наиболее предпочтительно в диапазоне от 0,2 до 4 мас.%.
Также предпочтительно используют щелочную электролизованную ионную воду, полученную электролизом воды. Далее, к такому щелочному водному раствору добавляют перекись водорода в качестве окисляющего агента.
В очищающем этапе полупроводниковой пластинки, при очистке непокрытого кремния (не имеющего никакой оксидированной пленки), можно контролировать травление или придание неровности поверхности пластинки путем введения окислителя. В случае перекиси водорода концентрацию в основном регулируют в пределах диапазона концентраций от 0,01 до 30 мас.%. Когда используется окислитель, концентрацию окислителя предпочтительно регулируют от 0,1 мас.% до 25 мас.%. Если количество окислителя является слишком большим, комплексообразующий реагент будет разлагаться и устойчивость композиции для обработки поверхности будет становиться недостаточной. Особенно, когда перекись водорода используется как окислитель, концентрация перекиси водорода находится предпочтительно в диапазоне от 0,3 мас.% до 22 мас.%.
В предпочтительном обрабатывающем растворе соотношение очищающей смеси, состоящей из воды, перекиси водорода и аммиака, составляет от приблизительно 20:5:1 до приблизительно 200:1:1 (H2O:Н2О2:NH4OH).
Способ смешивания комплексообразующего реагента настоящего изобретения с композицией для обработки поверхности особенно не ограничен. Комплексообразующий реагент может быть смешан предварительно с одним или более компонентами из компонентов, составляющих композицию для обработки поверхности, и затем эти компоненты могут быть смешаны. Альтернативно, комплексообразующий реагент может быть смешан с раствором смеси, полученным после смешивания этих компонентов.
В случае SC-1 очистки обработку поверхности проводят с помощью композиции (аммиак + перекись водорода + вода + предотвращающее осаждение металла средство), но когда композиция обработки поверхности используется в течение длительного времени, аммиак испаряется и предотвращающее осаждение металла средство постепенно разлагается, таким образом понижая эффект предотвращающего осаждение металла средства. Поэтому, когда испаряемое количество аммиака добавляют, такое добавление проводят предпочтительно с помощью водного раствора аммиака, содержащего предотвращающее осаждение металла средство в количестве от 10-7 до 5 мас.%, предпочтительно от 10-6 до 1 мас.%. Композицию обработки поверхности настоящего изобретения используют для процессов обработки поверхности, включая очистку, травление, полировку, пленкообразование и т.п., для субстратов, таких как полупроводник, металл, стекло, керамика, пластмасса, магнитный материал, сверхпроводник и т.п., загрязнение металлической примесью которых становится неприемлемым. Настоящее изобретение предпочтительно применяется особенно к очистке или травлению полупроводникового субстрата, поверхность которого должна быть очень чистой. Среди операций по очистке полупроводникового субстрата, когда настоящее изобретение применяется особенно к щелочной очистке с очищающим раствором, включающим (аммиак, перекись водорода и воду), проблема указанного способа очистки, то есть проблема осаждения металлической примеси на субстрате, может быть решена, и этой очисткой может быть удовлетворительно обеспечена очень чистая поверхность субстрата без загрязнения частицами, органическими материалами и металлами.
Причина, по которой композиция для обработки поверхности настоящего изобретения достигает очень удовлетворительного эффекта предотвращения осаждения металлических примесей, не выяснена до сих пор.
Когда композиция обработки поверхности настоящего изобретения применяется как очищающий раствор для очистки субстрата, используют способ приведения очищающего раствора непосредственно в контакт с субстратом. Примеры такого способа очищения включают погружающий тип очищения, в котором субстрат опускают в очищающий раствор в очищающем резервуаре, распыляющий тип очищения, в котором очищающий раствор распыляют на субстрат, вращающий тип очищения, в котором очищающий раствор капают на субстрат, вращающийся на высокой скорости, и т.п.. В настоящем изобретении, среди указанных выше способов очистки, это зависит от цели, которой способ соответствует и поэтому используется; но способ очистки погружающего типа является предпочтительным. Очистку проводят в течение соответствующего времени, предпочтительно от некоторых секунд до 15 минут. Если время очистки слишком короткое, очищающий эффект оказывается неудовлетворительным. С другой стороны, если время очищения слишком долгое, это бессмысленно, так как производительность становится недостаточной, а очищающий эффект дальше не повышается.
Как уже упоминалось, предпочтительно, чтобы очистка могла проводиться при обыкновенной температуре, но она может быть проведена при повышенной температуре, чтобы улучшить очищающий эффект. Также чистка может быть проведена в комбинации с очищающим способом, использующим физическую силу. Примеры очищающего способа, использующего физическую силу, включают ультразвуковую очистку, механическую очистку, использующую очищающую щетку и т.п.
В настоящем изобретении в получении композиции для обработки поверхности комплексообразующий реагент иногда может становиться источником металлической примеси. Обыкновенный реагент для комплексообразующего реагента может содержать металлические примеси, такие как Fe, в количестве от нескольких до нескольких тысяч ppm. Эти металлические примеси могут присутствовать как устойчивые комплексы с комплексообразующим реагентом на начальной стадии, но когда комплексообразующий реагент используют как раствор для обработки поверхности в течение длительного времени, комплексообразующий реагент может разлагаться и металлы могут высвобождаться и осаждаться на поверхности субстрата. Поэтому осуществляют долгосрочные эксперименты, используя очищающие растворы согласно настоящему изобретению, чтобы оценить осаждение металлов, таких как Fe, al, Ca или Al.
Эти эксперименты показали, что эффект, предотвращающий осаждение металлов на поверхность субстрата, поддерживался даже после того, как раствор для обработки поверхности оставили стоять при повышенной температуре в течение длительного времени, тогда как обычные композиции вели к увеличенному количеству осаждения металла в течение этих экспериментов.
Промышленное применение
Композиция для обработки поверхности настоящего изобретения, содержащая специфические комплексообразующие реагенты, а именно Bis Tris и/или NTA, как превентивные средства от осаждения металла, предохраняет поверхность субстрата от загрязнения металлическими примесями, такими как Fe, Al, Zn и Са, из композиции для обработки поверхности, и стабильно обеспечивает чрезвычайно чистую поверхность субстрата. Дополнительно, прибавление этих Bis Tris и/или NTA определенно увеличивает продолжительность работы композиции для обработки поверхности.
Особенно, когда настоящее изобретение применяется для щелочной очистки полупроводникового субстрата, представленной очисткой смесью "аммиак + перекись водорода + вода", это означает прибавление Bis Tris или NTA только одного или обоих в комбинации, как описано выше, традиционная проблема этой чистки решена, и этой очисткой может быть обеспечена очень чистая поверхность субстрата без загрязнения частицами, органическими материалами и металлами. Таким образом, традиционно используемая кислотная очистка, такая как очистка смесью "соляная кислота + перекись водорода + вода", проводимая после этой очистки, может быть опущена, и поэтому можно в значительной степени снизить стоимость очистки, стоимость чистого помещения, включая аппаратуру вытяжного вентилятора и т.п., таким образом, этот способ является в значительной степени предпочтительным в промышленном производстве полупроводниковых интегральных схем.
Далее, настоящее изобретение будет описано более подробно ссылкой на Примеры. Однако следует понимать, что настоящее изобретение не ограничено такими специфическими Примерами в пределах области предмета настоящего изобретения.
Примеры
Пример 1
Исследовали стабильность ванны SC-1 раствора, содержащего комплексант. Контроль разложения Н2О2, усиленного металлическими добавками, показывает эффективность хелатирующих агентов в очищающих растворах. Испытания на стабильность ванны проводили в SC-1 (АРМ) растворе с двумя различными объемными соотношениями (NH4ОН 28%/Н2O2 31%/DI-Н2О, 1-5-20 и 1-1-200). SC-1 очищающий раствор, намеренно загрязненный с помощью 5 ppb Fe или с помощью раствора многоэлементного стандарта (Fe+Zn+Са+Al, каждый элемент 5 ppb), использовали при температуре 70-75°С в течение приблизительно 60 минут. Начальная концентрация хелатирующего агента составляла 0,195 мас.% (фиг.1).
Результаты очищения различными очищающими растворами и сравнение качества очистки приведены на фиг.2-12.
Пример 2
В дальнейших экспериментах проверяли эффективность хелатирующих агентов ингибировать осаждение металлов на кремниевые поверхности. Si-субстраты предварительно очистили с помощью SC-1 (1-5-20, 70-75°С, 10 минут) и погрузили в указанные выше загрязненные растворы на 10 минут (1-5-20, 70-75°С). Загрязнение раствора, загрязненного различными количествами Fe (1-100 ppb), проводили без перемешивания. Кроме того, субстраты промывали деионизированной водой (5 минут) и далее высушили продуванием с помощью N2. Начальная концентрация хелатирующего агента составляла 0,195 мас.%. Загрязнение поверхности металлами на кремниевых субстратах проанализировали с помощью Рентгеновской флуоресцентной спектроскопии полного отражения (TXRF) (табл.1).
| Таблица 1 | |||||
| Эффективность Bis Tris ингибировать осаждение металлов на кремниевые поверхности | |||||
| Bis Tris | Fe в АРМ [ppb] | ||||
| [ppm] | 1 | 5 | 10 | 50 | 100 |
| Ссылка [0] | 2,8 | 20 | 35 | 44 | 36 |
| После АРМ, | 1,5 | 1 | <1 | 3 | 5 |
| [1950] | |||||
| Очищающий | 1,9 | 20 | 35 | 14 | 7 |
| фактор | |||||
| Поверхностная конц. [1012 ат/см2] по TXRF | |||||
Таблица 1: Исследование адсорбции Fe на поверхности кремния в АРМ (1-5-20), содержащем Bis Tris; 70-75°С, 10 минут. (Кривая сравнения: поверхностная конц. без Bis Tris).
Пример 3
Кроме того, эффективность удаления хелатирующего агента с кремниевых поверхностей в SC-1 растворе изучали с помощью TXRF. Si-субстраты предварительно загрязнили раствором, как в условиях SC-1 (1-5-20, 70-75°С, 10 минут), содержащим различные количества Fe (5 ppb, 50 ppb). Загрязненные субстраты далее погрузили в SC-1 раствор (1-5-20, 70-75°С, 10 минут), содержащий хелатирующий агент. Начальная концентрация хелатирующего агента составляла 0,195 мас.% (табл.2).
| Таблица 2 | ||||
| Концентрация Fe на кремниевых поверхностях в SC-1 | ||||
| Bis Tris [ppm] | Fe на Si-субстрате [1012 ат/см2] | |||
| 5 ppb в SC-1 | 50 ppb в SC-1 | |||
| перед SC-1 | после SC-1 | перед SC-1 | после SC-1 | |
| [1950] | ~14 | ~1 | ~27 | ~DL* |
| Фактор удаления | ~14 | ~27-54* | ||
| * DL, Предел определения (5×1011 ат/см2) | ||||
Таблица 2: Эффективность удаления хелатирующего Bis Tris; 70-75°С, 10 мин.
Claims (11)
1. Очищающий раствор для процессов обработки поверхности, в которых загрязнение металлической примесью становится неприемлемым, включающий щелочное соединение, перекись водорода, воду и 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] в качестве хелатирующей добавки.
2. Очищающий раствор по п.1, отличающийся тем, что щелочное соединение выбрано из группы, состоящей из органического основания, аммиака, гидроксида аммония, гидроксида тетраметиламмония.
3. Очищающий раствор по п.1, отличающийся тем, что щелочное соединение выбрано из группы, состоящей из аммиака и гидроксида аммония.
4. Очищающий раствор по одному из пп.1-3, отличающийся тем, что включает 2,2-бис-(гидроксиэтил)-(иминотрис)-(гидроксиметил)метан [Bis Tris] в количестве в диапазоне 1000-3000 ppm.
5. Способ очищения полупроводникового(ых) субстрата(ов), который включает обработку полупроводникового(ых) субстрата(ов) очищающим раствором по одному или более пп.1-4, и высушивание указанного полупроводникового(ых) субстрата(ов) после промывки водой.
6. Способ обработки по п.5, отличающийся тем, что обработку очищающим раствором выполняют при температуре в диапазоне 20-80°С.
7. Способ обработки по п.5, отличающийся тем, что обработку очищающим раствором выполняют при нормальной комнатной температуре.
8. Способ обработки по п.5, отличающийся тем, что очищающие растворы по пп.1-4 приводят в контакт с поверхностями, которые необходимо очистить, в течение времени от нескольких с до 60 мин.
9. Способ обработки по п.5, отличающийся тем, что очищающие растворы по пп.1-4 приводят в контакт с поверхностями, которые необходимо очистить, в течение времени от 15 с до 15 мин.
10. Способ обработки полупроводникового(ых) субстрата(ов) по одному из пп.5-9, отличающийся тем, что полупроводниковый(ые) субстрат(ы) погружают/опускают в очищающий раствор (очистка методом погружения).
11. Использование очищающих растворов по одному из пп.1-4 для процессов обработки поверхности, включая очистку, травление, полировку, пленкообразование, для очистки субстратов, таких как полупроводник, металл, стекло, керамика, пластмасса, магнитный материал, сверхпроводники.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP02024675 | 2002-11-05 | ||
| EP02024675.7 | 2002-11-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005117609A RU2005117609A (ru) | 2006-01-20 |
| RU2329298C2 true RU2329298C2 (ru) | 2008-07-20 |
Family
ID=32309312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005117609/04A RU2329298C2 (ru) | 2002-11-05 | 2003-10-10 | Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060025320A1 (ru) |
| EP (1) | EP1567633B1 (ru) |
| JP (1) | JP2006505132A (ru) |
| KR (1) | KR20050084939A (ru) |
| CN (1) | CN1711349B (ru) |
| AT (1) | ATE521692T1 (ru) |
| AU (1) | AU2003276094A1 (ru) |
| RU (1) | RU2329298C2 (ru) |
| TW (1) | TWI333975B (ru) |
| WO (1) | WO2004041989A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2486287C2 (ru) * | 2011-04-29 | 2013-06-27 | Антон Викторович Мантузов | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE376050T1 (de) * | 2003-06-27 | 2007-11-15 | Imec Inter Uni Micro Electr | Halbleiterreinigungslösung |
| US7323421B2 (en) * | 2004-06-16 | 2008-01-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Silicon wafer etching process and composition |
| DE602006014551D1 (de) * | 2006-10-31 | 2010-07-08 | Soitec Silicon On Insulator | Verfahren zur Charakterisierung von Defekten auf Silizium-Oberflächen, Ätzlösung für Silizium-Oberflächen und Verfahren zur Behandlung von Silizium-Oberflächen mit der Ätzlösung |
| EP2426705A4 (en) * | 2009-04-30 | 2012-09-26 | Lion Corp | METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ACID SOLUTION |
| JP5278492B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2013-09-04 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| RU2495512C2 (ru) * | 2011-11-23 | 2013-10-10 | Валерий Михайлович Рыков | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин |
| US20140054266A1 (en) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | Wiechang Jin | Compositions and methods for selective polishing of platinum and ruthenium materials |
| JP6646140B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2020-02-14 | 富士フイルム株式会社 | 組成物、組成物収容体、組成物の製造方法 |
| CN109075052B (zh) * | 2016-04-28 | 2024-08-20 | 富士胶片株式会社 | 组合物、组合物收容体及组合物的制造方法 |
| CN109075035B (zh) * | 2016-04-28 | 2023-06-13 | 富士胶片株式会社 | 处理液及处理液收容体 |
| CN116631848A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-08-22 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种改善硅抛光片表面金属和颗粒品质的硅片的清洗方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5209927A (en) * | 1985-01-23 | 1993-05-11 | Alcon Laboratories, Inc. | Ophthalmic solution |
| DE69231971T2 (de) * | 1991-01-24 | 2002-04-04 | Purex Co., Ltd. | Lösungen zur Oberflächenbehandlung von Halbleitern |
| US5885362A (en) * | 1995-07-27 | 1999-03-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Method for treating surface of substrate |
| TW416987B (en) * | 1996-06-05 | 2001-01-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | A composition for cleaning the semiconductor substrate surface |
| US5962384A (en) * | 1997-10-28 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning semiconductor devices |
| DE69941088D1 (de) * | 1998-05-18 | 2009-08-20 | Mallinckrodt Baker Inc | Alkalische, silikat enthaltende reinigungslösungen für mikroelektronische substrate |
| EP1091395A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-11 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | A cleaning solution for treating a semiconductor substrate |
| US7678836B2 (en) * | 1999-11-04 | 2010-03-16 | Fxs Ventures, Llc | Method for rendering a contact lens wettable |
| US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| FR2816528B3 (fr) * | 2000-11-14 | 2003-04-04 | Lionel Girardie | Procede de gravure selective du cuivre et de nettoyage par face et de la circonference d'un substrat |
| US6803353B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-10-12 | Atofina Chemicals, Inc. | Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents |
| US6911393B2 (en) * | 2002-12-02 | 2005-06-28 | Arkema Inc. | Composition and method for copper chemical mechanical planarization |
-
2003
- 2003-10-10 EP EP03810398A patent/EP1567633B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-10 CN CN200380102813.1A patent/CN1711349B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-10 KR KR1020057007933A patent/KR20050084939A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-10-10 AT AT03810398T patent/ATE521692T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-10-10 RU RU2005117609/04A patent/RU2329298C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-10-10 WO PCT/EP2003/011254 patent/WO2004041989A1/en active Application Filing
- 2003-10-10 AU AU2003276094A patent/AU2003276094A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-10 US US10/533,944 patent/US20060025320A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-10 JP JP2004548738A patent/JP2006505132A/ja active Pending
- 2003-10-31 TW TW092130535A patent/TWI333975B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2486287C2 (ru) * | 2011-04-29 | 2013-06-27 | Антон Викторович Мантузов | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE521692T1 (de) | 2011-09-15 |
| CN1711349A (zh) | 2005-12-21 |
| EP1567633B1 (en) | 2011-08-24 |
| TWI333975B (en) | 2010-12-01 |
| AU2003276094A1 (en) | 2004-06-07 |
| EP1567633A1 (en) | 2005-08-31 |
| US20060025320A1 (en) | 2006-02-02 |
| KR20050084939A (ko) | 2005-08-29 |
| JP2006505132A (ja) | 2006-02-09 |
| TW200416284A (en) | 2004-09-01 |
| WO2004041989A1 (en) | 2004-05-21 |
| CN1711349B (zh) | 2010-05-26 |
| RU2005117609A (ru) | 2006-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100205262B1 (ko) | 표면 처리액 및 세척 방법 | |
| EP0789071B1 (en) | Method for treating surface of substrate and surface treatment composition therefor | |
| KR100366623B1 (ko) | 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법 | |
| EP1342777B1 (en) | Substrate cleaning liquid media and cleaning method | |
| EP0665582A2 (en) | Surface treating agents and treating process for semiconductors | |
| EP1345848B1 (en) | Composition comprising an oxidizing and complexing compound | |
| RU2329298C2 (ru) | Обработка поверхности полупроводников и используемая при этом смесь | |
| KR20100100841A (ko) | 반도체 디바이스용 기판의 세정 방법 및 세정액 | |
| EP1648991B1 (en) | Semiconductor cleaning solution | |
| KR19980070759A (ko) | 표면처리 조성물 및 이를 이용한 기판의 표면처리 방법 | |
| EP1544284A1 (en) | Composition and method for treating a semiconductor substrate | |
| KR100433961B1 (ko) | 반도체 기판용 세정 수용액 | |
| JP3689871B2 (ja) | 半導体基板用アルカリ性洗浄液 | |
| JP3887846B2 (ja) | 高純度エチレンジアミンジオルトヒドロキシフェニル酢酸及びそれを用いた表面処理組成物 | |
| JP3422117B2 (ja) | 新規な表面処理方法及び処理剤 | |
| JPH11340182A (ja) | 半導体表面洗浄剤及び洗浄方法 | |
| KR100784938B1 (ko) | 반도체소자 세정용 조성물 | |
| JP3198878B2 (ja) | 表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法 | |
| JPH09298180A (ja) | シリコンウエハーの洗浄方法 | |
| EP1091395A1 (en) | A cleaning solution for treating a semiconductor substrate | |
| JPH10321590A (ja) | 表面処理方法及び処理剤 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20101011 |