RU2399119C2 - Способ получения электродов солнечных батарей и устройство для электрохимического осаждения - Google Patents
Способ получения электродов солнечных батарей и устройство для электрохимического осаждения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2399119C2 RU2399119C2 RU2008142611/28A RU2008142611A RU2399119C2 RU 2399119 C2 RU2399119 C2 RU 2399119C2 RU 2008142611/28 A RU2008142611/28 A RU 2008142611/28A RU 2008142611 A RU2008142611 A RU 2008142611A RU 2399119 C2 RU2399119 C2 RU 2399119C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- semiconductor wafer
- electrodes
- electrochemical deposition
- deposition
- Prior art date
Links
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 67
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 29
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 24
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052927 chalcanthite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- PGLIUCLTXOYQMV-UHFFFAOYSA-N Cetirizine hydrochloride Chemical compound Cl.Cl.C1CN(CCOCC(=O)O)CCN1C(C=1C=CC(Cl)=CC=1)C1=CC=CC=C1 PGLIUCLTXOYQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
- C25D7/126—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
- C25D5/611—Smooth layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Способ получения электродов солнечной батареи включает в себя следующие этапы: этап выполнения неглубокой диффузии на поверхности полупроводниковой пластины для образования р-n перехода после промывки и текстурирования полупроводниковой пластины; этап осаждения слоя пленки для пассивирования и противоотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины; этап образования канавок на указанной поверхности полупроводниковой пластины; этап выполнения глубокой диффузии после промывки канавок; этап выполнения процесса пассивирования на поверхности, которая противоположна указанной поверхности полупроводниковой пластины; этап выполнения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины и образования сплава полупроводниковой пластины с металлом после спекания; этап химического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины, указанной выше, в определенный период времени; и этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического осаждения для образования электродов солнечной батареи. Также предложен еще один вариант способа получения электродов солнечной батареи и устройство электрохимического осаждения для получения электродов солнечной батареи. Изобретение обеспечивает улучшение эффективности фотоэлектрического преобразования и снижение стоимости производства. 3. н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение относится к способу получения электродов солнечной батареи и устройства электрохимического осаждения. Конкретнее, данное изобретение относится к способу получения электродов для солнечной батареи и к устройству для электрохимического осаждения, что может улучшить фотоэлектрическое преобразование и снизить себестоимость. Время реакции этого способа коротко, и легко можно обработать получившуюся отработавшую жидкость.
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Солнечная батарея является устройством, которое способно преобразовывать энергию света в электроэнергию. В основном солнечная батарея может включать в себя полупроводниковую пленочную солнечную батарею, пластинчатая солнечная батарея может включать в себя монокристаллическую кремниевую солнечную батарею и поликристаллическую кремниевую солнечную батарею. Эффективность преобразования солнечной батареи для преобразования энергии солнечного света в электроэнергию является важной рабочей характеристики солнечной батареи. Поскольку чистота и качество кристалла монокристаллического кремния выше, чем у поликристаллического кремния, действенность солнечной батареи из монокристаллического кремния в основном выше, чем у поликристаллической кремниевой солнечной батареи.
Процесс массового производства кристаллической солнечной батареи, во-первых, заключается в том, что поврежденный слой поверхности кристаллического кремния удаляется, а потом процесс образования структуры производится для снижения отражательной способности поверхности кристаллического кремния, и потом производится диффузия для образования р-n перехода, и пленка нитрида кремния осаждается на поверхности эмиттера солнечной батареи для пассивирования и антиотражения, наконец, металлические электроды печатаются посредством трафаретной печати, после того как процесс спекания образован для положительного электрода и отрицательного электрода. Эффективность солнечной батареи, полученной данным способом, с использованием процесса трафаретной печати для образования электродов солнечной батареи составляет примерно 14-16%.
Хотя способ с использованием трафаретной печати для образования электродов солнечной батареи легок в производстве, для получения лучшего омического контакта электродов солнечной батареи и кристаллического кремния и для снижения контактного сопротивления теневая область трафарета электрода, напечатанная, является относительно малой, что составляет примерно 50 Ом. Такая компоновка солнечной батареи - это одна из причин того, почему так низка эффективность настоящей коммерческой солнечной батареи.
Для того чтобы снизить теневую область солнечной батареи и улучшить сопротивление эмиттера, S.Wenhem изобрел 20 лет назад структуру солнечной батареи, которая называется скрытым контактом. Указанная структура солнечной батареи разработана с целью устранения недостатков процесса печати обыкновенного трафарета. В конструкции структуры скрытой контактной батареи плоский контактный электрод заменен электродом со штриховым контактом для снижения теневой области. Такая конструкция структуры не только обеспечивает контактную область электродов и солнечной батареи, но и уменьшает ширину каждого электрода от 150 мкм до 30 мкм, кроме того, она снижает теневую область электродов солнечной батареи с обычных 5% до ниже 3%.
Между тем, структура батареи скрытого контакта позволяет производить селективно-диффузионную солнечную батарею. В конструкции батареи со скрытым контактом сопротивление эмиттерного листка в основном контролируется до сопротивления ниже 10 Ом. После того как сопротивление эмиттерного листка улучшено, ток в солнечной батарее намного повысится, и поэтому эффективность фотоэлектрического преобразования солнечной батареи улучшается. Эффективность батареи со скрытым контактом при массовом производстве обычно находится выше 17,5%.
Данный электрод с батареей со вскрытым контактом при массовом производстве получается способом химического осаждения меди. Процесс химического осаждения меди - это относительно медленный химический процесс, для которого требуется приблизительно 10 часов для получения требуемой толщины медных электродов. Чтобы предотвратить проблемы с напряжением и адсорбцией, вызванные чрезмерно быстрой скоростью осаждения, скорость осаждения меди в основном устанавливается на 2 мкм и ниже в час. Другая причина установления скорости осаждения меди с относительно небольшой скоростью состоит в предупреждении замыкания у верхней стороны штриха, вызываемого осаждением меди.
Другая сложность с изготовлением электродов с батареей со скрытым контактом при использовании способа химического осаждения меди состоит в том, что срок годности раствора для химического осаждения меди короток, причем раствор нельзя больше использовать после использования в нескольких порциях. Следовательно, выпускается большое количество отработавшей жидкости при получении способа массового производства химического осаждения. Поскольку органика, которая трудна для процесса, содержится в выпущенной отработавшей воде, процесс с использованием химического осаждения меди повышает стоимость производства.
Кроме того, раствор для химического осаждения меди относительно нестабильный, и легко происходило самоосаждение меди, что влияет на нормальное производство. Кроме того, контроль состояния процесса химического осаждения меди также является очень строгим. Например, требование по температурному контролю раствора для химического осаждения меди очень строгое. Чтобы уменьшить возможность самоосаждения меди, требуется не только воздушный барботаж, но и фильтрация во время процесса химического осаждения меди. Для поддержания стабильности концентрации раствора также требуется добавление дополнительного раствора. Добавление дополнительного раствора нужно строго контролировать. Если дополнительный раствор добавлен в слишком большом количестве, может произойти самоосаждение меди, тогда как если дополнительный раствор добавляется в слишком малом количестве, то можно уменьшить скорость осаждения меди.
Кроме того, большинство рабочих процессов химического осаждения меди осуществляют при температуре, которая выше комнатной температуры, например выше 50 градусов, и, таким образом, для такого процесса требуется большое количество подаваемой энергии, и стоимость производства еще более увеличивается. Из-за длительного времени реакции энергопотребление весьма значительно.
Нужно срочно преодолеть проблему того, как исключить недостатки описанной выше обычной технологии при улучшении эффективного фотоэлектрического преобразования.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Данное изобретение создано для решения вышеописанных проблем. Один аспект данного изобретения состоит в создании способа изготовления электродов солнечной батареи и устройства для электрохимического осаждения, что может не только улучшить омический контакт между электродами солнечной батареи и кристаллического кремния, но также повысить силу адсорбции электродов солнечной батареи и кристаллического кремния, снизить последовательное сопротивление солнечной батареи и улучшить эффективность преобразования солнечной батареи.
Другой аспект данного изобретения состоит в создании способа электрохимического осаждения и устройства для получения электродов солнечной батареи, которое применяется для производства электродов батареи со скрытым контактом, и этот способ может значительно сократить время и стоимость производства электродов и улучшить эффективность производства.
Другой аспект данного изобретения состоит в обеспечении способа получения электродов солнечной батареи и устройства электрохимического осаждения, что может сильно уменьшить стоимость производства электродов батареи со скрытым контактом.
Еще один аспект данного изобретения состоит в создании способа получения электродов солнечной батареи и устройства для него, которые могут снизить количество выброса отработавшей жидкости в процессе производства. Отработавшая жидкость, вырабатываемая согласно способу, легко поддается обработке, и, таким образом этот способ является экологическим способом производства электродов солнечной батареи.
Для того чтобы достигнуть описанные выше цели и получить описанные выше преимущества, данное изобретение предусматривает способ производства электродов солнечной батареи, включающий в себя: этап выполнения неглубокой диффузии на одной поверхности полупроводниковой пластины для образования p-n перехода после очистки и текстурирования поверхностей полупроводниковой пластины; этап осаждения пленки для пассивирования и антиотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины; этап формирования штрихов на указанной поверхности полупроводниковой пластины; этап выполнения глубокой диффузии после очистки штрихов; этап выполнения процесса пассивирования для поверхности, которая противоположна указанной поверхности полупроводниковой пластины; этап выполнения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины, и образование сплава полупроводниковой пластины и метала после их спекания; этап выполнения химического осаждения металла или слава металла для полупроводниковой пластины, описанной выше, в течение определенного времени; этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического устройства осаждения для формирования электродов солнечной батареи.
Кроме того, данное изобретение предусматривает способ получения электродов солнечной батареи, включающий в себя: этап осуществления неглубокой диффузии на одной поверхности полупроводниковой пластины для образования р-n перехода после чистки и текстурирования поверхностей полупроводниковой пластины; этап осаждения слоя пленки для пассивирования и антиотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины; этап исключения пассивирования и пленки антиотражения в обнаруженном положении, где основные решетки и вспомогательные решетки размещены на указанной поверхности полупроводниковой пластины; этап промывки обнаруженного участка основной решетки и вспомогательной решетки и затем выполнение глубокой диффузии; этап выполнения процесса пассивирования поверхности, которая противоположна указанной поверхности полупроводниковой пластины; этап выполнения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины и образование сплава полупроводниковой пластины и металла после их спекания; и этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического осаждения для образования электродов солнечной батареи.
Данное изобретение, кроме того, предусматривает устройство для электрохимическое осаждения для получения электродов солнечной батареи, в котором в отношении способа производства солнечной батареи устройство используется на этапе электрохимического осаждения металла или сплава металла для образования электродов солнечной батареи, а устройство включает в себя гальванический элемент для раствора, где содержится раствор электролита; по меньшей мере, один из электродов металла или сплава металла в растворе электролита; блок электропитания для выдачи электроэнергии; и полупроводниковую пластину, расположенную параллельно электродам металла или сплава металла.
От принципа обычной химической металлизации отличается процесс образования электродов данного изобретения, являющийся электрохимическим процессом, то есть образование металлических электродов приводится в действие электроэнергией. Ионы металла в растворе электролита, активизированные электрическим потенциалом, передвигаются к отрицательному электроду, и электроны, захватываются поверхностями отрицательного электрода, т.е. поверхностями полупроводниковой пластины для генерирования атомов металла. При активизации электрическим потенциалом металл у положительного электрода непрерывно теряет электроны и образуются ионы металла, которые растворяются непрерывно в растворе электролита для поддержания стабильности концентрации ионов металла в растворе электролита.
Благодаря тому что принцип химического осаждения металла и электрохимического осаждения металла фундаментально различен, скорость образования электродов этого изобретения, а именно скорость электрохимического осаждения металла, намного больше скорости химического осаждения металла. Важным преимуществом данного изобретения является то, что время образования электродов уменьшается от приблизительно 10 часов для химического осаждения металла до не более 1 часа. В основном образование электродов можно завершить более чем через 10 минут.
Другое преимущество данного изобретения в том, что потому, что процесс электрохимического осаждения металла проще, чем процесс химического осаждения металла, то объем работы шире, и, таким образом, электрохимическое осаждение металла особенно пригодно для промышленного производства. Например, температура, требующаяся при электрохимическом осаждении металла, невысока, и в основном электрохимическим осаждением металла можно управлять при комнатной температуре, таким образом, оно не только удобно для контроля за производством, но также экономит на стоимости нагревания. Состав раствора электролита, используемого в процессе электрохимического осаждения, также очень прост, и соответственно раствор электролита можно использовать неоднократно в течение долгого времени.
Металлические электроды, образованные в общем процессе химического осаждения, некристаллические, тогда как металлические электроды электрохимического осаждения кристаллические, следовательно, металлические электроды, образованные электрохимическим осаждением, имеют лучшую стабильность и проводимость, что напрямую влияет на то, что металлические электроды электрохимического осаждения могут снизить потери тока, вырабатываемого солнечной батареей на электродах, и улучшить эффективность преобразования солнечной батареи.
Поскольку химическая реакция электрохимического осаждения очень проста, например влияние электрохимического осаждения металла на величину рН раствора электролита и изменение состава раствора очень малы, и управление раствором также очень простое, процесс электрохимического осаждения по данному изобретению применим для промышленного производства. Важнее, что стоимость производства для способа образования электродов солнечной батареи данного изобретения очень низкая. И обработка отработавшей воды проще, чем при химическом осаждении металла. Для солнечной батареи, полученной посредством электрохимического процесса согласно данному изобретению, количество отработавшей жидкости очень небольшое, и обработку отработавшей жидкости производить легко.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 - это вид, схематически показывающий устройство электрохимического осаждения для производства электродов солнечной батареи согласно данному изобретению.
Фиг.2 - это вид, схематически показывающий структуру солнечной батареи со скрытым контактом, которая производится согласно данному изобретению.
Фиг.3 - это вид в поперечном сечении, показывающий структуру основной решетки батареи со скрытым контактом в первом варианте осуществления изобретения до электрохимического осаждения металла или металлического сплава.
Фиг.4 - это вид в поперечном сечении, показывающий структуру вспомогательных решеток батареи со скрытым контактом в первом варианте осуществления до электрохимического осаждения металла металлического сплава.
Фиг.5 - это вид, схематически показывающий процесс многоточечного контакта для обычной солнечной батареи во втором варианте осуществления данного изобретения.
Фиг.6 - это вид в поперечном сечении, показывающий процесс многоточечного контакта для основных решеток во втором варианте осуществления изобретения. Обозначения, принятые на сопроводительных чертежах:
10 - раствор электролита;
11 - электрод из металла или металлического сплава;
12 - полупроводниковая пластина;
13 - ванна для проработки электролита;
14 - блок электропитания;
15 - проводящий провод;
16 - проводящий провод;
17 - переключатель;
21 - лазерная канавка;
22 - эмиттер;
23 - задний электрод;
24 - вспомогательные решетки;
25 - основные решетки;
26 - солнечная батарея;
31 - отрицательный силовой электрод;
34 - антиотражающая пленка;
35 - контакт.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ПО ВОЗМОЖНЫМ ВАРИАНТАМ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Способ получения электродов солнечной батареи и устройство для него согласно данному изобретению будут описаны со ссылкой на сопроводительные чертежи.
Первый вариант осуществления изобретения
Неглубокая диффузия производится на листе 125×125 мм монокристаллического кремния после его промывки и текстурирования; сопротивление эмиттера 22, полученного неглубокой диффузией, устанавливается на 150 Ом; слой нитрида кремния осаждается на поверхности эмиттера 22 как пассивирующая и антиотражательная пленка 34. Канавки 21 образованы на поверхности эмиттера 22 с помощью лазера для образования основных решеток 25 и вспомогательных решеток 24, которые пересекаются друг с другом; глубокая диффузия производится в отношении основных решеток 25 и вспомогательных решеток 24 после их промывки, так чтобы сопротивление листа основных решеток 25 и вспомогательных решеток 24 понизились до 10 Ом; алюминий разбрызгивается на заднюю сторону эмиттера 22 и спекается с образованием заднего поля поверхности алюминия, заднего электрода 23; химическое осаждение с обогащением никелем производится в отношении кремниевого листа, на котором поле задней поверхности алюминия образовано после того, как указанный кремниевый лист промывается плавиковой кислотой, после чего промывается для образования сплава кремния и никеля; химическое осаждение металла или металлического сплава производится в отношении сплава кремния и никеля в течение 15 минут, так что сопротивление вспомогательных решеток составляет 3 Ом на сантиметр; и обработка с электрохимическим осаждением выполняется в отношении листа кремния для образования электродов солнечной батареи.
Устройство электрохимического осаждения, в котором кремний электрохимически осаждается, как показано на фиг.1, включает электролитическую ванну 13 (ванну для электролита), раствор электролита 10, электроды из металла или сплава металла 11, блок электропитания 14 и полупроводниковую пластину 12.
Полупроводниковая пластина 12 в варианте осуществления является листом кремния.
Электроды из металла или сплава металла 11 - это в основном пластины или другие телесные формы, такие как форма сетки. Чтобы достигнуть лучшего распределения электрического поля, область электродов из металла или сплава металла 11 в основном больше, чем полупроводниковая пластина 12. В основном два электрода из металла или сплава металла 11 должны быть параллельны друг другу, таким образом, получение относительно равномерного распределения электрического поля достигается для достижения более однородного осаждения металла. Электроды из металла или сплава металла 11 с обеих сторон селективно соединяются проводящим проводом 15 через переключатели 17.
Полупроводниковая пластина 12 расположена между двумя электродами из металла или сплава металла 11 и параллельна указанным двум электродам. Проводящий провод 16 соединяет отрицательный электрод блока 14 электропитания с полупроводниковой пластиной 12. Проводящий провод 15 соединяет положительный электрод блока электропитания 4 с электродами из металла или сплава металла 11 через переключатели 17. В условиях, когда переключатели 17 замкнуты, обе поверхности полупроводниковой пластины 12 и электроды из металла или сплава металла 11 вызывают разность электрического потенциала, в то время когда блок электропитания 14 выдает электроэнергию, и указанная разность электрического потенциала функционирует таким образом, что ионы металла в растворе электролита 10 постоянно осаждаются на полупроводниковую пластину 12, тогда как металл на электродах из металла или сплавах металла 11 постоянно ионизируется в растворе электролита 10, и таким образом получается солнечная батарея с электродами, образованными одновременно на обеих поверхностях полупроводниковой пластины 12.
Вообще металл или сплав металла могут быть медью, серебром или другим металлом или металлическим сплавом проводящего материала из металла или металлического сплава, которые могут быть получены путем омического контакта с полупроводниковой пластиной.
Блок электропитания 14 на фиг.1 может выдавать постоянный ток (ПТ) или импульсную мощность. Скорость электрохимического осаждения больше, чем скорость импульсной мощности с той же объемной плотностью тока, что и при использовании постоянного тока. Конечно, можно также использовать импульсную мощность, и преимущество использования импульсной мощности состоит в том, что полученные осаждением электроды являются относительно гладкими и плоскими, однако скорость осаждения малая. Конечно, для батареи со скрытым контактом преимущество импульсной мощности состоит в том, что она позволяет избежать перекрытия металла или сплава металла вверху лазерной канавки и в пространстве под лазерной канавкой. Конечно, если электроды солнечной батареи не осаждаются в лазерной канавке, относительно большого эффекта можно достичь с использованием постоянного тока.
Раствор электролита 10 может быть обычным раствором соли металла, например раствор халькантита. Преимущество использования раствора халькантита состоит в том, что химический состав очень простой и стоимость производства очень низка. Конечно, иногда очень полезна небольшая добавка для улучшения плоскостной структуры электродов с осаждением металла.
Ванна для электролита 13 обычно изготавливается на основе макромолекулярного полимера. Поскольку раствор электролита 10 - обычно слабая кислота, макромолекулярный полимер, такой как пластик и т.д., можно использовать как материал ванны электролита.
Объемная плотность тока для электродов, полученных электрохимическим осаждением металла в соответствии с данным изобретением, может меняться в зависимости от различных металлов. Например, объемную плотность тока можно установить на значении 1-5 ампер на квадратный дециметр, если металлом является медь. По мере увеличения объемной плотности тока увеличивается скорость электрохимического осаждения металла. Если объемная плотность тока слишком низка, скорость осаждения металла становится слишком малой. Если объемная плотность тока слишком высока, имеется относительно высокое напряжение в осажденной металлической пленке, поэтому возникает разница адсорбции. Между тем, объемная плотность тока в металлических электродах зависит также от структуры солнечной батареи. Например, во время образования электродов на скрытом контакте, как показано на фиг.2, слишком высокая скорость осаждения металла может вызвать перекрытие вверху лазерной канавки и пространства под лазерной канавкой.
Температуру электрохимического осаждения металла в данном устройстве можно менять в зависимости от разных металлов. Например, если металл медь, температура осаждения может контролироваться просто на уровне комнатной температуры. Если температура осаждения металла слишком низкая, это влияет не только на скорость осаждения меди, но и процесс осаждения не произойдет. Если температура осаждения металла слишком высокая, это влияет не только на стоимость энергии, но и намного увеличивается степень шероховатости.
Время электрохимического осаждения металла в основном устанавливается устройством как 1 мин - 1 час. Предпочтительное время электрохимического осаждения металла зависит от состояния поверхности солнечной батареи, концентрации тока для электрохимического осаждения металла и от температуры электрохимического осаждения металла. Если электроды солнечной батареи находятся в канавке, для того чтобы предотвратить закупоривание верхнего отверстия канавки скорость электрохимического осаждения может быть немного ниже и устанавливаться в диапазоне 10 минут - 1 час.
Блок электропитания 14 выбирается импульсным, а медь выбирается как электроды из металла или сплава металла в варианте осуществления изобретения, и конкретный способ процесса электрохимического осаждения для листа кремния, описанный выше, состоит в том, что отрицательный электрод импульсной мощности соединен с двумя концевыми частями основных решеток и расположен в ванне электролита 13, в которой раствор 10 электролита является раствором халькантита, и обе стороны листа кремния являются медной платой, соединенной с положительным электродом импульсной мощности, а объемная плотность тока устанавливается на 2,5 ампера на квадратный дециметр; температура электролита с раствором составляет 25 градусов, электрохимическое осаждение продолжается 20 минут, солнечная батарея образуется после промывки и сушки. Установлено, что эффективность фотоэлектрического преобразования солнечной батареи составляет 18,08%, причем концентрация тока солнечной батареи, напряжение и коэффициент заполнения составляют 37,16 мА/кв.см, 616 мВ и 0,795 соответственно.
Второй вариант осуществления изобретения
Диффузия производится на листе 125×125 мм поликристаллического кремния для образования p-n перехода после промывки поврежденного слоя листа поликристаллического кремния; сопротивление листа после диффузии составляет 100 Ом. Затем пленка нитрида кремния осаждается на поверхности эмиттера поликристаллического кремния для пассивирования и антиотражения. Нитрид кремния в основной решетке 25 и вспомогательных решетках 24 подвергаются эрозии для чистки с использованием способа химической эрозии, и затем проводится глубокая диффузия, так чтобы сопротивление листа в части решетки составляло менее 10 Ом. Алюминий наносится трафаретной печатью на задней стороне эмиттера 22 и спекается для образования поля алюминия на задней поверхности, т.е. заднего электрода 23. Затем осаждается слой тонкой пленки никеля путем погружения поликристаллического кремния в раствор, в котором никель химически осажден, сплав никеля образуется после спекания, затем производится обработка электрохимическим осаждением на лист поликристаллического кремния с использованием устройства электрохимического осаждения, описанного выше, для образования электродов солнечной батареи.
В описанном выше устройстве электрохимического осаждения положительный электрод блока электропитания 14 можно соединить с любой стороной электродов из металла или сплава металла 11 через переключатель 17. Таким образом, процесс образования электродов путем электрохимического осаждения может произойти только на поверхности полупроводниковой пластины 12. Например, если процесс производства солнечной батареи требует только, чтобы металл осаждался на электроде эмиттера солнечной батареи, металлический электрод, обращенный к эмиттеру, электризуется только как положительный в данном изобретении, таким образом, электроды солнечной батареи образуются только на эмиттере.
Кроме того, количество контактов отрицательного электрода блока электропитания 14 и полупроводниковой пластины 12 может меняться согласно разным конструкциям и процессам получения солнечной батареи. Например, когда сопротивление основных решеток и вспомогательных решеток полупроводниковой пластины 12 высокое, можно применить способ многоточечного контакта.
Поскольку электроды солнечной батареи расположены в плоскости, можно использовать большую объемную плотность тока, т.е. можно быстрее подготовить металл для электрохимического осаждения и таким образом время осаждения электродов солнечной батареи можно установить на 5-15 минут.
Предпочтительно в этом варианте осуществления изобретения источник постоянного тока выбирается как блок электропитания 14 и медь выбирается как электроды из металла или сплава металла, причем процесс электрохимического осаждения для листа из поликристаллического кремния выглядит таким образом: отрицательный электрод постоянного тока можно соединить с основной решеткой поликристаллического кремния с использованием способа многоточечного контакта, и расстояние между любыми двумя контактами 35 составляет 10 мм; лист поликристаллического кремния помещен в ванне электролита 13, в которой раствор электролита 10 является раствором халькантита, и плата меди, обращенная к эмиттеру, соединена с положительным электродом устройства прямого тока; объемная плотность тока устанавливается на уровне 3,5 ампера на квадратный дециметр; температура ванны электролита устанавливается на 25 градусов, электрохимическое осаждение происходит в течение 15 мин, солнечная батарея формируется после промывки и просушки. Определено, что эффективность преобразования солнечной батареи составляет 15,87%, причем концентрация тока солнечной батареи, напряжение и коэффициент заполнения составляют 33,37 мА/кв. см, 619 мВ и 0,769 соответственно.
Третий вариант осуществления изобретения
Доказано, что эффективность фотоэлектрического преобразования солнечной батареи достигается осаждением слоя металла на основных решетках и вспомогательных решетках эмиттера путем использования способа химического осаждения металла прежде всего для уменьшения сопротивления решеток и затем электрохимического осаждения.
Конкретнее, после образования сплава кремния и никеля путем спекания листа кремния с полем поверхности задней поверхности алюминия по второму варианту осуществления изобретения после химического осаждения меди в течение 15 мин, сопротивление вспомогательных решеток составляет 1 Ом на сантиметр, затем отрицательный электрод импульсной мощности соединен с одной стороной основной решетки и расположен в ванне электролита 13, в которой раствор электролита 10 является раствором халькантита, и две стороны листа кремния являются медной платой, которая соединена с положительным электродом импульсной мощности, и объемная плотность тока устанавливается на 2,5 ампер на дециметр; температура ванны электролита составляет 25 градусов, электрохимическое осаждение в течение 20 мин, электроды солнечной батареи образуются после промывки и сушки. Определено, что эффективность фотоэлектрического преобразования составляет 16,12%, причем объемная плотность тока солнечной батареи, напряжение и коэффициент заполнения составляют 33,98 мА/кв.см, 615 мВ и 0,772 соответственно.
В описанном выше способе при использовании многоточечного контакта по мере постоянного увеличения толщины химически осажденного металла могут постепенно уменьшаться контакты отрицательного электрода блока электропитания 14 и полупроводниковой пластины. Когда толщина химически осажденного металла достигает определенной величины, можно организовать производство электродов солнечной батареи данного изобретения посредством контакта между отрицательным электродом блока электропитания 14 и полупроводниковой пластиной 12.
Данное изобретение не ограничивается конкретно описанными выше вариантами осуществления изобретения, специалисты могут сделать различные изменения и модификации не отступая от сущности и природы данного изобретения. Эти соответствующие изменения и модификации принадлежат к объему защиты формулы данного изобретения.
Claims (16)
1. Способ получения электродов солнечной батареи, заключающийся в том, что включает в себя:
а: этап выполнения неглубокой диффузии на поверхности полупроводниковой пластины для образования р-n перехода после промывки и текстурирования полупроводниковой пластины;
b: этап осаждения слоя пленки для пассивирования и противоотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины;
с: этап образования канавок на указанной поверхности полупроводниковой пластины;
d: этап выполнения глубокой диффузии после промывки канавок;
е: этап выполнения процесса пассивирования на поверхности, которая противоположна указанной поверхности полупроводниковой пластины;
f: этап выполнения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины и образования сплава полупроводниковой пластины с металлом после спекания;
g: этап химического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины, указанной выше, в определенный период времени; и
h: этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического осаждения для образования электродов солнечной батареи.
а: этап выполнения неглубокой диффузии на поверхности полупроводниковой пластины для образования р-n перехода после промывки и текстурирования полупроводниковой пластины;
b: этап осаждения слоя пленки для пассивирования и противоотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины;
с: этап образования канавок на указанной поверхности полупроводниковой пластины;
d: этап выполнения глубокой диффузии после промывки канавок;
е: этап выполнения процесса пассивирования на поверхности, которая противоположна указанной поверхности полупроводниковой пластины;
f: этап выполнения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины и образования сплава полупроводниковой пластины с металлом после спекания;
g: этап химического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины, указанной выше, в определенный период времени; и
h: этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического осаждения для образования электродов солнечной батареи.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковая пластина является листом монокристаллического кремния или поликристаллическим кремнием.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что металл или сплав металла может быть медью, серебром или другими проводящими материалами из металла или сплава металла, которые могут иметь омический контакт с полупроводниковой пластиной.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на этапе b нитрид кремния используется как пленка для пассивирования и антиотражения, а металл который используют на этапе f является никелем.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что канавки на этапе end являются основными решетками и вспомогательными решетками, пересекающими друг друга и образованными способом лазерной литографии или химической эрозии.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что на этапе е сплав кремния и алюминия
можно получить с использованием разбрызгивания алюминия на другую поверхность полупроводниковой пластины или трафаретной печати алюминиевой плазмы и спекания.
можно получить с использованием разбрызгивания алюминия на другую поверхность полупроводниковой пластины или трафаретной печати алюминиевой плазмы и спекания.
7. Способ по п.5, отличающийся тем, что этап h, кроме того, включает в себя: соединение положительного электрода блока электропитания с электродами из металла или сплава металла, соединенными с раствором электролита в устройстве электрохимического осаждения;
помещение полупроводниковой пластины в раствор электролита; и
соединение отрицательного электрода блока электропитания с основной решеткой полупроводниковой пластины.
помещение полупроводниковой пластины в раствор электролита; и
соединение отрицательного электрода блока электропитания с основной решеткой полупроводниковой пластины.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что раствор электролита является раствором электролита с ионами металла или сплава металла, в которых молекулярная структура та же самая, что и в указанном металле или сплаве металла.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что блок электропитания может быть источником постоянного тока или импульсной мощности.
10. Способ по п.7, отличающийся тем, что способ соединения отрицательного электрода блока электропитания с основной решеткой может представлять собой соединение одной или двух сторон основной решетки или представлять собой соединение, в котором имеется много контактов с равномерным пространством между отрицательным электродом блока электропитания и основной решеткой.
11. Способ по п.7, отличающийся тем, что электроды могут быть образованы на обеих поверхностях полупроводниковой пластины одновременно или только на одной поверхности полупроводниковой пластины согласно количеству электродов из металла или сплавов металла и конкретного положения, в котором потенциальное поле образовано согласно полупроводниковой пластине.
12. Способ получения электродов солнечной батареи, заключающийся в том, что включает в себя:
а: этап выполнения неглубокой диффузии на одной поверхности полупроводниковой пластины для образования р-n перехода после промывки и текстурирования поверхностей полупроводниковой пластины;
b: этап осаждения слоя пленки для пассивирования и антиотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины;
с: этап осаждения пленки пассивирования и антиотражения в части, где основная решетка и вспомогательные решетки помещены на поверхности полупроводниковой пластины;
d: этап промывки основных решеток и вспомогательных решеток и затем проведения глубокой диффузии;
е: этап проведения процесса пассивирования на поверхности, противоположной поверхности полупроводниковой пластины;
f: этап проведения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины и образования сплава полупроводниковой пластины и металла после спекания; и
g: этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического осаждения для образования электродов солнечной батареи.
а: этап выполнения неглубокой диффузии на одной поверхности полупроводниковой пластины для образования р-n перехода после промывки и текстурирования поверхностей полупроводниковой пластины;
b: этап осаждения слоя пленки для пассивирования и антиотражения на поверхности с неглубокой диффузией полупроводниковой пластины;
с: этап осаждения пленки пассивирования и антиотражения в части, где основная решетка и вспомогательные решетки помещены на поверхности полупроводниковой пластины;
d: этап промывки основных решеток и вспомогательных решеток и затем проведения глубокой диффузии;
е: этап проведения процесса пассивирования на поверхности, противоположной поверхности полупроводниковой пластины;
f: этап проведения процесса химического осаждения металла для пассивированной полупроводниковой пластины и образования сплава полупроводниковой пластины и металла после спекания; и
g: этап выполнения электрохимического осаждения металла или сплава металла для полупроводниковой пластины в устройстве электрохимического осаждения для образования электродов солнечной батареи.
13. Устройство электрохимического осаждения для получения электродов солнечной батареи, в котором устройство используется на этапе, в котором способ изготовления электродов солнечной батареи используется по любому из пп.1-12 для электрохимического осаждения металла или сплава металла с образованием электродов солнечной батареи, причем устройство содержит ванну электролита, в которой содержится раствор электролита; по меньшей мере один электрод из металла или сплава металла, помещенный в растворе электролита; блок электропитания для выдачи электроэнергии; и полупроводниковую пластину, расположенную параллельно электродам из металла или сплавов металла.
14. Устройство электрохимического осаждения по п.13, отличающееся тем, что положительный электрод блока электропитания может быть селективно соединен с электродами из металла или сплава металла через переключатель.
15. Устройство электрохимического осаждения по п.13 или 14, отличающееся тем, что блок электропитания - это источник постоянного тока или импульсной мощности.
16. Устройство электрохимического осаждения по п.13 или 14, отличающееся тем, что отрицательный электрод блока электропитания может соединяться с полупроводниковой пластиной с использованием способа многоточечного контакта.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200610076375.1 | 2006-04-20 | ||
| CN200610076375A CN100576578C (zh) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 制备太阳电池电极的方法及其电化学沉积装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008142611A RU2008142611A (ru) | 2010-05-27 |
| RU2399119C2 true RU2399119C2 (ru) | 2010-09-10 |
Family
ID=38624525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008142611/28A RU2399119C2 (ru) | 2006-04-20 | 2006-05-24 | Способ получения электродов солнечных батарей и устройство для электрохимического осаждения |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110045631A1 (ru) |
| EP (1) | EP2020687A1 (ru) |
| JP (1) | JP2009534813A (ru) |
| KR (1) | KR101012714B1 (ru) |
| CN (1) | CN100576578C (ru) |
| AU (1) | AU2006342590B2 (ru) |
| RU (1) | RU2399119C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007121619A1 (ru) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2122690A4 (en) * | 2007-02-15 | 2013-08-21 | Massachusetts Inst Technology | SOLAR CELLS WITH STRUCTURED SURFACES |
| JP2011503847A (ja) | 2007-11-02 | 2011-01-27 | ワコンダ テクノロジーズ， インコーポレイテッド | 結晶質薄膜光起電力構造およびその形成方法 |
| CN101257059B (zh) * | 2007-11-30 | 2011-04-13 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种电化学沉积太阳能电池金属电极的方法 |
| US8308993B2 (en) * | 2008-01-30 | 2012-11-13 | Basf Se | Conductive inks |
| CN101409312B (zh) * | 2008-10-20 | 2010-04-21 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种单晶硅片制绒的方法 |
| WO2010088366A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-08-05 | Wakonda Technologies, Inc. | Large-grain crystalline thin-film structures and devices and methods for forming the same |
| CN101840952B (zh) * | 2009-03-18 | 2012-11-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制备双面pn结太阳能电池的方法 |
| DE102009051688A1 (de) * | 2009-10-23 | 2011-04-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur lichtinduzierten galvanischen Pulsabscheidung zur Ausbildung einer Saatschicht für einen Metallkontakt einer Solarzelle und zur nachfolgenden Verstärkung dieser Saatschicht bzw. dieses Metallkontakts sowie Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
| AU2010314804B2 (en) | 2009-11-03 | 2016-12-01 | Newsouth Innovations Pty Limited | Photoplating of metal electrodes for solar cells |
| TWI472049B (zh) * | 2009-12-14 | 2015-02-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池的製造方法 |
| KR101661768B1 (ko) | 2010-09-03 | 2016-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
| CN102060569A (zh) * | 2010-11-12 | 2011-05-18 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 多晶硅太阳能电池片酸性制绒剂用添加剂 |
| JP5996244B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2016-09-21 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | 半導体上の銅のめっき |
| CN102222729B (zh) * | 2011-05-31 | 2012-11-21 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种改善太阳电池前电极电镀质量的方法 |
| EP2789714B1 (en) * | 2011-12-07 | 2018-03-28 | Think Laboratory Co., Ltd. | Processing unit having condenser, and fully automatic gravure platemaking processing system using same |
| DE102011056632A1 (de) | 2011-12-19 | 2013-06-20 | Schott Solar Ag | Verfahren zum Ausbilden einer Frontseitenmetallisierung einer Solarzelle sowie Solarzelle |
| CN103367528A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种太阳电池、组件及太阳电池电极的制造方法 |
| CN103367468A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种太阳电池、组件及太阳电池电极的制造方法 |
| US8735210B2 (en) * | 2012-06-28 | 2014-05-27 | International Business Machines Corporation | High efficiency solar cells fabricated by inexpensive PECVD |
| US20140008234A1 (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of metal plating semiconductors |
| CN104178787A (zh) * | 2013-05-26 | 2014-12-03 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种太阳电池镀膜设备以及镀膜方法 |
| US10294575B2 (en) * | 2014-01-08 | 2019-05-21 | Tokyo Electron Limited | Electric field treatment method and electric field treatment device |
| JP6502147B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-04-17 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP6899649B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2021-07-07 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法、および電極形成用めっき装置 |
| JP6833521B2 (ja) * | 2017-01-06 | 2021-02-24 | 春生 岩津 | 配線形成方法及び配線形成装置 |
| CN106653912B (zh) * | 2017-01-22 | 2023-10-24 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种无栅线全背接触太阳能电池组件 |
| CN117525169A (zh) * | 2023-11-30 | 2024-02-06 | 天合光能股份有限公司 | 电极组件、电源设备及激光增强接触优化装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1989000341A1 (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-12 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells with anti-reflection coating |
| AU651486B2 (en) * | 1991-08-30 | 1994-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element and fabrication method thereof |
| US6084175A (en) * | 1993-05-20 | 2000-07-04 | Amoco/Enron Solar | Front contact trenches for polycrystalline photovoltaic devices and semi-conductor devices with buried contacts |
| WO1994028588A1 (en) * | 1993-05-20 | 1994-12-08 | Amoco Corporation | Structure for use in producing semiconductor devices with buried contacts and method for its preparation |
| DE4432191C1 (de) * | 1994-09-09 | 1996-01-18 | Siemens Ag | Verfahren zum Anschweißen von Bauteilanschlüssen an die Kontakte einer Leiterplatte und unter Anwendung dieses Verfahrens hergestellte Baugruppe |
| KR100665384B1 (ko) * | 1998-11-30 | 2007-01-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금장치 |
| DE10020541A1 (de) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Univ Konstanz | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle |
| EP1182709A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-27 | IPU, Instituttet For Produktudvikling | A process for depositing metal contacts on a buried grid solar cell and a solar cell obtained by the process |
| AUPR174800A0 (en) * | 2000-11-29 | 2000-12-21 | Australian National University, The | Semiconductor processing |
| KR100366349B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2002-12-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
| JP2002305311A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
| JP4011336B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-21 | 日鉱金属株式会社 | 電気銅めっき方法、電気銅めっき用純銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ |
| WO2004032274A1 (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-15 | Fujikura Ltd. | 電極基板、光電変換素子、導電性ガラス基板およびその製造方法、並びに色素増感太陽電池 |
| KR100540101B1 (ko) * | 2003-07-24 | 2006-01-11 | 한국과학기술연구원 | 계내 전기화학적 중합법으로 제조된 전도성 고분자복합막을 포함하는 광전소자 및 이의 제조 방법 |
| US7335555B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-02-26 | Advent Solar, Inc. | Buried-contact solar cells with self-doping contacts |
| US20070235342A1 (en) * | 2004-10-01 | 2007-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing nanostructure |
| CN100334744C (zh) * | 2005-04-21 | 2007-08-29 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种硅太阳电池的结构与制作方法 |
| JP4589835B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2006
- 2006-04-20 CN CN200610076375A patent/CN100576578C/zh active Active
- 2006-05-24 RU RU2008142611/28A patent/RU2399119C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-05-24 EP EP06741965A patent/EP2020687A1/en not_active Withdrawn
- 2006-05-24 US US12/226,479 patent/US20110045631A1/en not_active Abandoned
- 2006-05-24 WO PCT/CN2006/001077 patent/WO2007121619A1/zh active Application Filing
- 2006-05-24 AU AU2006342590A patent/AU2006342590B2/en not_active Ceased
- 2006-05-24 JP JP2009505703A patent/JP2009534813A/ja active Pending
- 2006-05-24 KR KR1020087028250A patent/KR101012714B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101060145A (zh) | 2007-10-24 |
| WO2007121619A1 (fr) | 2007-11-01 |
| JP2009534813A (ja) | 2009-09-24 |
| KR101012714B1 (ko) | 2011-02-09 |
| KR20090003341A (ko) | 2009-01-09 |
| US20110045631A1 (en) | 2011-02-24 |
| AU2006342590B2 (en) | 2011-06-02 |
| RU2008142611A (ru) | 2010-05-27 |
| CN100576578C (zh) | 2009-12-30 |
| EP2020687A1 (en) | 2009-02-04 |
| AU2006342590A1 (en) | 2007-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2399119C2 (ru) | Способ получения электродов солнечных батарей и устройство для электрохимического осаждения | |
| KR101125418B1 (ko) | 태양전지 금속 전극의 전기화학적 침착 방법 | |
| US9385247B2 (en) | Passivation scheme for solar cells | |
| Yao et al. | Uniform plating of thin nickel layers for silicon solar cells | |
| CN109713065A (zh) | 一种印刷金属电极的钝化太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101447518A (zh) | 一种背点接触异质结太阳能电池及其制造方法 | |
| CN102299200A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 | |
| TW200834948A (en) | Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate | |
| US6491808B2 (en) | Electrolytic etching method, method for producing photovoltaic element, and method for treating defect of photovoltaic element | |
| TWI390755B (zh) | 太陽能電池的製造方法 | |
| CN1967881A (zh) | 太阳电池硅表面生成多孔硅的方法 | |
| CN211394674U (zh) | 一种水平电化学沉积金属装置 | |
| CN204361116U (zh) | 一种制备hit太阳能电池栅线电极的电镀装置 | |
| JP2016195188A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| US20040157351A1 (en) | Method of producing photovoltaic element | |
| Ghamarian et al. | Pulse electrochemical deposition and photo-electrochemical characterization of CuInSe2 thin films | |
| CN206040679U (zh) | 一种背接触异质结单晶硅太阳能电池 | |
| Hsiao et al. | Investigating light-induced plating of silicon solar cells using in-situ current-voltage analysis | |
| JP3823166B2 (ja) | 電解エッチング方法、光起電力素子の製造方法及び光起電力素子の欠陥処理方法 | |
| Bay et al. | Electrolytic nickel deposition for the front side metallization of silicon solar cells | |
| CN205810839U (zh) | 硅基异质接面太阳能电池 | |
| CN117810306A (zh) | 一种太阳能电池背面栅线的制备方法 | |
| CN116705919A (zh) | 一种光伏hjt电池制备方法 | |
| JP2002016274A (ja) | 光起電力素子、その製造方法、及び太陽電池モジュール | |
| JP2000049370A (ja) | 光起電力素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130525 |