RU2101743C1 - Collimating optical system for semiconductor laser - Google Patents
Collimating optical system for semiconductor laser Download PDFInfo
- Publication number
- RU2101743C1 RU2101743C1 RU95100566A RU95100566A RU2101743C1 RU 2101743 C1 RU2101743 C1 RU 2101743C1 RU 95100566 A RU95100566 A RU 95100566A RU 95100566 A RU95100566 A RU 95100566A RU 2101743 C1 RU2101743 C1 RU 2101743C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plane
- prisms
- semiconductor
- semiconductor laser
- lens
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к оптическому приборостроению, точнее к коллимирующим оптическим системам с преломляющими элементами, и может быть использовано в системах оптической локации, оптической связи, управления и наблюдательных приборах. The invention relates to optical instrumentation, more specifically to collimating optical systems with refractive elements, and can be used in optical location systems, optical communications, control and monitoring devices.
Известна коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, содержащая последовательно расположенные по ходу лучей положительный оптический компонент и цилиндрический оптический компонент, ось которого ориентирована параллельно плоскости полупроводникового перехода [1]
Недостатком указанной оптической системы является невозможность коррекции формы сечения и углового распределения интенсивности выходного пучка.Known collimating optical system for a semiconductor laser containing a sequentially located along the rays of the positive optical component and a cylindrical optical component, the axis of which is oriented parallel to the plane of the semiconductor transition [1]
The disadvantage of this optical system is the inability to correct the shape of the cross section and the angular distribution of the intensity of the output beam.
В дальней зоне, то есть на большом удалении от оптической системы, отсутствие осевой симметрии и неравномерность распределения интенсивности в сечении выходного пучка представляет серьезное неудобство при работе с коллимированным пучком. В ближней зоне, то есть вблизи оптической системы, отсутствие осевой симметрии в сечении выходного пучка приводит к неполному заполнению входного и выходного зрачков телескопической оптической системы, которая может устанавливаться после коллимирующей оптической системы и содержать штриховые метки, шкалы или сетки, проецируемые на бесконечность. Неполное заполнение зрачков приводит к ухудшению качества изображения. In the far zone, that is, at a great distance from the optical system, the absence of axial symmetry and uneven distribution of intensity in the cross section of the output beam is a serious inconvenience when working with a collimated beam. In the near zone, that is, near the optical system, the absence of axial symmetry in the cross section of the output beam leads to incomplete filling of the entrance and exit pupils of the telescopic optical system, which can be installed after the collimating optical system and contain line marks, scales or grids projected to infinity. Incomplete pupil filling leads to poor image quality.
Отсутствие осевой симметрии в сечении выходного пучка в ближней зоне связано с различной угловой расходимостью излучения полупроводникового лазера в двух взаимно перпендикулярных плоскостях параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода. Отсутствие осевой симметрии в сечении выходного пучка в дальней зоне связана с тем, что тело свечения полупроводникового лазера имеет форму сильно вытянутого прямоугольника, большая сторона которого ориентирована параллельно плоскости полупроводникового перехода. The absence of axial symmetry in the output beam cross section in the near field is associated with different angular divergences of the semiconductor laser radiation in two mutually perpendicular planes of the parallel and perpendicular plane of the semiconductor junction. The absence of axial symmetry in the cross section of the output beam in the far zone is due to the fact that the luminous body of the semiconductor laser has the shape of a very elongated rectangle, the larger side of which is oriented parallel to the plane of the semiconductor junction.
Полупроводниковые лазеры, излучающие большую мощность в непрерывном режиме при комнатной температуре, относятся к лазерам на двойной гетероструктуре с полосковой геометрией. Для таких лазеров характерны значения угловой расходимости излучения по уровню
В указанной оптической системе ([1] фиг.7) форма сечения выходного пучка в дальней зоне может быть скорректирована действием цилиндрического компонента. Форма сечения выходного пучка в ближней зоне может быть скорректирована путем размещения цилиндрического компонента на таком расстоянии от положительного компонента, при котором размеры падающего на цилиндрический компонент светового пучка становятся одинаковыми в двух взаимно перпендикулярных плоскостях параллельной и перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода. Однако вследствие малой угловой расходимости светового пучка на выходе положительного компонента такой путь приводит к чрезмерному увеличению продольного габарита указанной оптической системы.Semiconductor lasers emitting high power in a continuous mode at room temperature are lasers based on a double heterostructure with strip geometry. Such lasers are characterized by the values of the angular divergence of radiation by level
In the specified optical system ([1] Fig. 7), the shape of the cross section of the output beam in the far zone can be corrected by the action of the cylindrical component. The cross sectional shape of the output beam in the near field can be corrected by placing the cylindrical component at a distance from the positive component, in which the dimensions of the light beam incident on the cylindrical component become the same in two mutually perpendicular planes of the parallel and perpendicular plane of the semiconductor junction. However, due to the small angular divergence of the light beam at the output of the positive component, this path leads to an excessive increase in the longitudinal dimension of the specified optical system.
Другим недостатком указанной оптической системы является использование цилиндрических линз, технологически сложных в изготовлении. Another disadvantage of this optical system is the use of cylindrical lenses, technologically difficult to manufacture.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемой является коллимирующая оптическая система, содержащая последовательно расположенные по ходу лучей первый отрицательный оптический компонент, первую группу призм, положительный оптический компонент, вторую группу призм и второй отрицательный оптический компонент, в которой апертурный угол оптических компонентов выбирается в пределах 20o-40o, преломляющий угол призм выбирается в пределах 10o-40o, а угол β ориентации призм по отношению к оптической оси связан с преломляющим углом a соотношением b = (2-3)•α [2]
Как следует из описания, наиболее эффективным является применение указанной оптической системы для коллимирования излучения полупроводниковых лазеров. При этом отпадает необходимость в первом отрицательном оптическом компоненте.The closest in technical essence to the claimed one is a collimating optical system containing the first negative optical component, the first group of prisms, the positive optical component, the second group of prisms and the second negative optical component, in which the aperture angle of the optical components is selected within 20 o -40 o, the prisms refracting angle selected in the range of 10 o -40 o, and the orientation angle β of the prisms relative to the optical axis is connected with a refracting angle with elations b = (2-3) • α [2]
As follows from the description, the most effective is the use of the indicated optical system for collimating the radiation of semiconductor lasers. This eliminates the need for a first negative optical component.
Недостатком указанной оптической системы в случае ее применения для полупроводниковых лазеров является невозможность коррекции формы сечения и углового распределения интенсивности выходного пучка, что связано с неудобством работы с коллимированным световым пучком и ухудшением качества изображения штриховых меток, шкал или сеток, проецируемых на бесконечность. The disadvantage of this optical system when applied to semiconductor lasers is the inability to correct the shape of the cross section and the angular distribution of the intensity of the output beam, which is associated with the inconvenience of working with a collimated light beam and the deterioration of the image quality of dashed marks, scales or grids projected to infinity.
В указанной оптической системе форма сечения выходного пучка в ближней зоне может быть скорректирована действием первой группы призм. Однако в дальней зоне форма сечения выходного пучка не может быть скорректирована действием второй группы призм, так как для этого во второй группе призм необходимо обеспечить угловое увеличение
Кроме того, так как в указанной оптической системе проходящие через призмы световые пучки имеют большую апертуру, в выходной пучок вносятся большие аберрационные искажения, которые сами по себе приводят к нарушению осевой симметрии выходного пучка. In addition, since light beams passing through prisms have a large aperture, large aberration distortions are introduced into the output beam, which in themselves lead to a violation of the axial symmetry of the output beam.
Технической задачей изобретения является обеспечение коррекции формы сечения выходного пучка одновременно в ближней и дальней зоне, то есть вблизи оптической системы и на большом расстоянии от нее, а также обеспечение коррекции распределения интенсивности в сечении выходного пучка в дальней зоне. An object of the invention is to provide correction of the shape of the cross section of the output beam simultaneously in the near and far zone, that is, close to the optical system and at a large distance from it, as well as providing correction of the distribution of intensity in the cross section of the output beam in the far zone.
Технический результат достигается тем, что в коллимирующей оптической системе для полупроводникового лазера, содержащей последовательно расположенные по ходу лучей объектив и группу призм, ребра преломляющих двугранных углов призм ориентированы параллельно плоскости полупроводникового перехода, преломляющие углы призм выбираются в пределах 25-40o, угловое увеличение Г группы призм выбирается из следующего соотношения:
где
где
δ(u) = -2/3δo•(u/θ┴)2,
где U апертурный угол объектива,
δ расстояние от передней фокальной плоскости объектива до предметной плоскости,
q┴ угол расходимости излучения полупроводникового лазера по уровню 0,5 в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода.The technical result is achieved in that in a collimating optical system for a semiconductor laser containing a lens and a group of prisms sequentially located along the rays, the edges of the refracting dihedral angles of the prisms are oriented parallel to the plane of the semiconductor transition, the refracting angles of the prisms are selected within 25-40 o , the angular increase prism groups is selected from the following relation:
Where
Where
δ (u) = -2 / 3δ o • (u / θ ┴ ) 2 ,
where U is the aperture angle of the lens,
δ distance from the front focal plane of the lens to the subject plane,
q is the angle of divergence of the radiation of a semiconductor laser at a level of 0.5 in a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction.
Коррекция формы сечения выходного пучка в ближней и дальней зоне обеспечивается соответственно действием группы призм и небольшой дефокусировкой объектива, а коррекция распределения интенсивности в сечении выходного пучка в дальней зоне обеспечивается действием сферической аберрации объектива. Correction of the shape of the cross section of the output beam in the near and far zones is ensured by the action of a group of prisms and a slight defocusing of the lens, and the correction of the intensity distribution in the cross section of the output beam in the far zone is ensured by the action of spherical aberration of the lens.
На фиг. 1 показана коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера, поперечный разрез в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, на фиг.2,а и 2,б ход осевого и крайних лучей светового пучка в двух сечениях параллельном и перпендикулярном плоскости полупроводникового перехода, на фиг.3 вариант коллимирующей оптической системы для нескольких полупроводниковых лазеров, поперечный разрез в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода. In FIG. 1 shows a collimating optical system for a semiconductor laser, a cross section in a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction, in FIGS. 2, a and 2, b the axial and extreme rays of the light beam in two sections parallel and perpendicular to the plane of the semiconductor junction, in figure 3 A variant of a collimating optical system for several semiconductor lasers, a transverse section in a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction.
Коллимирующая оптическая система для полупроводникового лазера (фиг.1) содержит последовательно расположенные объектив, установленный напротив полупроводникового лазера 1 и состоящий из линз 2 и 3, и призмы 4 и 5. Ребра двугранных углов, образованных преломляющими гранями призм 4 и 5, расположены перпендикулярно плоскости полупроводникового перехода. Углы между преломляющими гранями выполнены одинаковыми по величине в пределах 25-40o. Входные грани призм установлены перпендикулярно падающему на них пучку, при этом угол отклонения лучей в призме 5 равен по величине и противоположен по знаку углу отклонения лучей в призме 4.The collimating optical system for the semiconductor laser (Fig. 1) contains a sequentially mounted lens mounted opposite the
Коллимирующая оптическая система работает следующим образом. Сильно расходящийся световой пучок полупроводникового лазера преобразуется объективом в слабо расходящийся световой пучок, в ближней зоне, то есть в непосредственной близости от объектива, размеры пучка пропорциональны угловой расходимости излучения лазера. В дальней зоне, то есть на большом расстоянии от объектива, размеры пучка связаны с размером тела свечения полупроводникового лазера и расстоянием от тела свечения до передней фокальной плоскости объектива. The collimating optical system operates as follows. A strongly diverging light beam of a semiconductor laser is converted by the lens into a slightly diverging light beam, in the near zone, that is, in the immediate vicinity of the lens, the beam dimensions are proportional to the angular divergence of the laser radiation. In the far zone, that is, at a large distance from the lens, the beam sizes are related to the size of the luminous body of the semiconductor laser and the distance from the luminous body to the front focal plane of the lens.
Полупроводниковые лазеры, излучающие большую мощность в непрерывном режиме при комнатной температуре, относятся к лазерам на двойной гетероструктуре с полосковой геометрией. Для таких лазеров характерны значения угловой расходимости излучения по уровню
В соответствии с этим в ближней зоне вышедший из объектива световой пучок имеет большой размер в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода. В дальней зоне, наоборот, световой пучок имеет больший размер в плоскости, параллельной полупроводниковому переходу.Semiconductor lasers emitting high power in a continuous mode at room temperature are lasers based on a double heterostructure with strip geometry. Such lasers are characterized by the values of the angular divergence of radiation by level
Accordingly, in the near zone, the light beam emerging from the lens has a large size in a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction. In the far zone, on the contrary, the light beam has a larger size in a plane parallel to the semiconductor junction.
Призмы 4 и 5 представляют собой телескопическую анаморфотную систему [6] В плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода, призмы не изменяют размеры светового пучка ни в ближней, ни в дальней зоне. В плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, призмы трансформируют проходящий световой пучок таким образом, что его размер уменьшается в ближней зоне и увеличивается в дальней зоне. В результате на выходе призм формируется практически осесимметричный световой пучок.
В плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода, из-за большой ширины активного слоя лазер генерирует излучение на нескольких поперечных модах резонатора, в связи с этим угловое распределение интенсивности излучения лазера в этой плоскости приблизительно постоянно в пределах угла расходимости
При отсутствии аберраций объектива распределение интенсивности в сечении выходного пучка в дальней зоне пропорционально распределению освещенности в передней фокальной плоскости объектива. В соответствии с вышеизложенным в плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода, это распределение будет постоянным в пределах угла расходимости выходного пучка. В плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, это распределение будет описываться гауссовой кривой.In the plane parallel to the plane of the semiconductor junction, due to the large width of the active layer, the laser generates radiation at several transverse resonator modes, and therefore the angular distribution of the laser radiation intensity in this plane is approximately constant within the divergence angle
In the absence of lens aberrations, the intensity distribution in the cross section of the output beam in the far zone is proportional to the distribution of illumination in the front focal plane of the lens. In accordance with the foregoing, in a plane parallel to the plane of the semiconductor junction, this distribution will be constant within the divergence angle of the output beam. In a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction, this distribution will be described by a Gaussian curve.
Сферическая аберрация объектива действует таким образом, что лучи от периферийных участков выходного зрачка объектива в дальней зоне испытывают смещение в сторону оптической оси. The spherical aberration of the lens acts in such a way that the rays from the peripheral sections of the exit pupil of the lens in the far zone experience a shift towards the optical axis.
В плоскости, параллельной плоскости полупроводникового перехода, апертура падающего на объектив пучка мала, поэтому сферическая аберрация незначительна и практически не искажает распределение интенсивности в сечении выходного пучка, которое остается постоянным в пределах угла расходимости. В плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, положительная сферическая аберрация приводит к перераспределению интенсивности в сечении выходного пучка от периферийных участков сечения в центральную его часть. В результате в центральной части сечения выходного пучка в дальней зоне формируется практически постоянное распределение интенсивности. In the plane parallel to the plane of the semiconductor junction, the aperture of the beam incident on the lens is small; therefore, the spherical aberration is insignificant and practically does not distort the intensity distribution in the output beam cross section, which remains constant within the divergence angle. In the plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction, positive spherical aberration leads to a redistribution of intensity in the output beam section from the peripheral sections of the section to its central part. As a result, an almost constant intensity distribution is formed in the central part of the output beam cross section in the far zone.
На фиг. 2,а и 2,б показаны: H и H'- передняя и задняя главные плоскости объектива; G и G'- плоскости входного и выходного зрачков призменной системы (предполагается, что выходной зрачок расположен на выходной грани последней призмы); F передний фокус объектива; E центр тела свечения; A, B, C, D - крайние точки тела свечения; EE1E2E3, EE4E5E6 нулевой и осевой лучи; AA1A2A3, BB1B2B3, CC1C2C3, DD1D2D3 лучи, определяющие границы светового пучка в дальней зоне.In FIG. 2a and 2b show: H and H'- front and rear main planes of the lens; G and G'- planes of the entrance and exit pupils of the prism system (it is assumed that the exit pupil is located on the exit face of the last prism); F front focus of the lens; E is the center of the body of the glow; A, B, C, D - extreme points of the body of the glow; EE 1 E 2 E 3 , EE 4 E 5 E 6 zero and axial rays; AA 1 A 2 A 3 , BB 1 B 2 B 3 , CC 1 C 2 C 3 , DD 1 D 2 D 3 beams defining the boundaries of the light beam in the far zone.
Введем обозначения:
Г угловое увеличение группы призм,
δ(u) продольная сферическая аберрация объектива,
I(u), J(v) угловое распределение интенсивности лазерного пучка и выходного пучка в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода.We introduce the following notation:
G angular increase in the group of prisms,
δ (u) the longitudinal spherical aberration of the lens,
I (u), J (v) the angular distribution of the intensity of the laser beam and the output beam in a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction.
Для осевого пучка имеем следующие соотношения:
I(u)•d(u)=J(v)•dv (1)
u-u•(f-δ0)/(f+δ(u)) v/Г (2)
Гауссова функция I(u) аппроксимируется квадратичной зависимостью:
I(u) = Io•(1-2(u)/θ┴)2) (3)
При -1,2θ┴ < u < 1,2•θ┴ точность такой аппроксимации ±5% что достаточно для большинства практических применений.For the axial beam, we have the following relations:
I (u) • d (u) = J (v) • dv (1)
uu • (f-δ 0 ) / (f + δ (u)) v / Г (2)
The Gaussian function I (u) is approximated by a quadratic dependence:
I (u) = I o • (1-2 (u) / θ ┴ ) 2 ) (3)
For -1.2θ ┴ <u <1.2 • θ ┴, the accuracy of such an approximation is ± 5%, which is sufficient for most practical applications.
Условие постоянства углового распределения интенсивности выходного пучка J(v) J0 const. При этом условии из (1)-(3) с учетом того, что δ0, δ(u) ≪ f получаем соотношение:
Для крайних лучей пучка имеем следующие соотношения:
θ┴-(θ┴•(f-δo)-a┴)/(f+δ(θ┴/2)) = W┴/Г, (8)
Условие осевой симметрии выходного пучка в ближней и дальней зоне
Для указанных выше характеристик значений O, O, d, d, а соответствующие значения Г 2,5-5, δ0 0,015-0,5 мм, δ(θ/2) = -(0,003-0,1)мм.
Угловое увеличение Г группы призм связано с преломляющим углом α призм и показателем преломления n стекла призмы следующим соотношением (6):
Г = (1-(sinα)2)/(1-(nsinα)2), (11)
Для указанных значений Г и типичных значений n 1,5-1,7 соответствующие значения α лежат в пределах 25-40o.The condition for the constancy of the angular distribution of the intensity of the output beam J (v) J 0 const. Under this condition, from (1) - (3), taking into account the fact that δ 0 , δ (u) ≪ f, we obtain the relation:
For the extreme rays of the beam, we have the following relations:
θ ┴ - (θ ┴ • (f-δ o ) -a ┴ ) / (f + δ (θ ┴ / 2)) = W ┴ / Г, (8)
The condition of axial symmetry of the output beam in the near and far zone
For the above characteristics, the values are O, O, d, d, and the corresponding values of Г are 2.5-5, δ 0 0.015-0.5 mm, δ (θ / 2) = - (0.003-0.1) mm.
The angular increase Γ of the prism group is related to the refracting angle α of the prisms and the refractive index n of the prism glass by the following relation (6):
G = (1- (sinα) 2 ) / (1- (nsinα) 2 ), (11)
For the indicated values of G and typical values of n 1.5-1.7, the corresponding values of α lie in the range of 25-40 o .
Коллимирующая оптическая система может быть использована для получения осесимметричного светового пучка от нескольких полупроводниковых лазеров. Вариант такой системы для двух лазеров содержит объективы, состоящие из линз 2, 3 и 5, 6, расположенные напротив полупроводниковых лазеров 1 и 4, и призмы 7, 8 (фиг. 3). Оптические оси объективов параллельны друг другу и лежат в одной плоскости, перпендикулярной преломляющим граням призмы 7, 8. В остальном оптическая система для двух лазеров аналогична такой системе для одного лазера. Отличие состоит только в том, что в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода, размер входящего в группу призм светового пучка увеличивается в два раза, так как объединяются два световых пучка от лазеров 1 и 4. A collimating optical system can be used to obtain an axisymmetric light beam from several semiconductor lasers. A variant of such a system for two lasers contains lenses consisting of
В коллимирующей оптической системе для нескольких полупроводниковых лазеров соотношения (4) (6) остаются справедливыми, если только левую часть соотношения (6) умножить на N количество полупроводниковых лазеров. Из условия симметричности выходного пучка в ближней зоне получаем соотношение:
Для указанных выше характерных значений
Таким образом, предлагаемая коллимирующая оптическая система позволяет получить практически осесимметричный световой пучок с постоянным угловым распределением интенсивности в расходимости как от одного, так и от нескольких полупроводниковых лазеров.In a collimating optical system for several semiconductor lasers, relations (4) (6) remain valid if only the left side of relation (6) is multiplied by N the number of semiconductor lasers. From the condition of symmetry of the output beam in the near field, we obtain the relation:
For the above characteristic values
Thus, the proposed collimating optical system makes it possible to obtain an almost axisymmetric light beam with a constant angular distribution of intensity in the divergence from one or several semiconductor lasers.
Источники информации
1. Патент ЕР N 0100242, кл. 6 G O1 B 13/00, H OI S 3/00, 1983.Sources of information
1. Patent EP N 0100242, CL 6 G O1 B 13/00,
2. Авторское свидетельство СССР N 1624392, кл. 6 G O2 B 27/30, 1991. 2. USSR author's certificate N 1624392, cl. 6 G O2 B 27/30, 1991.
3. Справочник по лазерной технике./Под ред. проф. А.П.Напартовича. М. Энергоиздат, 1991, с. 139. 3. Handbook of laser technology./ Ed. prof. A.P. Napartovich. M. Energy Publishing House, 1991, p. 139.
4. Э. В. Аржанов, А. П.Богатов, В.П.Коняев, О.М.Никитина, В.И.Швейкин. Волноводные свойства гетеролизеров. "Квантовая электроника", 1994, т. 21(7), с. 633. 4. E.V. Arzhanov, A.P. Bogatov, V.P. Konyaev, O.M. Nikitina, V.I. Shveikin. Waveguide properties of heterolizers. "Quantum Electronics", 1994, v. 21 (7), p. 633.
5. Laser diode product catalog. Spektra Diode Labs, 1993. 5. Laser diode product catalog. Spektra Diode Labs, 1993.
6. Вычислительная оптика. Справочник./Под общ. ред. проф. М.М.Русинова. 6. Computing optics. Reference. / Under the general. ed. prof. M.M. Rusinova.
Л. Машиностроение, 1984, с. 217. L. Mechanical Engineering, 1984, p. 217.
Claims (1)
где
где
δ(u) = -2/3So•(u/θ┴)2,
где U апертурный угол объектива;
So> расстояние от передней фокальной плоскости объектива до предметной плоскости;
θ┴ - угол расходимости излучения полупроводникового лазера по уровню 0,5 в плоскости, перпендикулярной плоскости полупроводникового перехода.A collimating optical system for a semiconductor laser containing a lens and a group of prisms sequentially arranged along the rays, characterized in that the edges of the refracting dihedral angles of the prisms are oriented parallel to the plane of the semiconductor transition, the refracting angles of the prisms are selected within 25 40 o , the angular increase G of the group of prisms is selected from the following ratio:
Where
Where
δ (u) = -2 / 3S o • (u / θ ┴ ) 2 ,
where U is the aperture angle of the lens;
S o > the distance from the front focal plane of the lens to the subject plane;
θ ┴ is the angle of divergence of the radiation of a semiconductor laser at a level of 0.5 in a plane perpendicular to the plane of the semiconductor junction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95100566A RU2101743C1 (en) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | Collimating optical system for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95100566A RU2101743C1 (en) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | Collimating optical system for semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU95100566A RU95100566A (en) | 1996-10-27 |
| RU2101743C1 true RU2101743C1 (en) | 1998-01-10 |
Family
ID=20163997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95100566A RU2101743C1 (en) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | Collimating optical system for semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2101743C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2481605C1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-05-10 | Открытое акционерное общество "Красногорский завод имени С.А. Зверева" | Collimating optical system for semiconductor laser |
| RU193784U1 (en) * | 2019-08-27 | 2019-11-14 | Акционерное общество "Швабе -Технологическая лаборатория" | COLLIMATING OPTICAL SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR LASER |
-
1995
- 1995-01-12 RU RU95100566A patent/RU2101743C1/en active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2481605C1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-05-10 | Открытое акционерное общество "Красногорский завод имени С.А. Зверева" | Collimating optical system for semiconductor laser |
| RU193784U1 (en) * | 2019-08-27 | 2019-11-14 | Акционерное общество "Швабе -Технологическая лаборатория" | COLLIMATING OPTICAL SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR LASER |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU95100566A (en) | 1996-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4753521A (en) | Lens system for focussing a divergent laser beam | |
| US7400457B1 (en) | Rectangular flat-top beam shaper | |
| US6201229B1 (en) | Light intensity converter | |
| US5469299A (en) | Objective lens system | |
| US6195208B1 (en) | Single aspherical lens for de-astigmatism, collimation, and circulation of laser beams | |
| US5142462A (en) | Illuminating optical system | |
| US4848882A (en) | Gradient index lens | |
| US3884548A (en) | Variable optical wedge for image stabilization and other purposes | |
| EP0240194B1 (en) | Improvements in or relating to optical beam expanders | |
| RU2101743C1 (en) | Collimating optical system for semiconductor laser | |
| US5946141A (en) | Apochromatic lens system for relaying laser beam waists | |
| US11385435B2 (en) | Athermal laser optics made of plastics | |
| KR100288990B1 (en) | Reflection refraction reduction objective lens | |
| GB2120400A (en) | A connection between a generator of optical rays and an optical waveguide | |
| US9933592B1 (en) | Large aperture, passive optical athermalized beam expander for eye-safe lasers | |
| RU2621364C1 (en) | Autocollimation spectrometer with spectral decomposition in sagittal direction | |
| US5991082A (en) | Lens system with multiple focal lines | |
| JPS63188115A (en) | Beam shaping optical system | |
| RU2148850C1 (en) | Collimation optical system for semiconductor lasers | |
| US11187915B2 (en) | Parallel light generation device | |
| RU2215313C1 (en) | Projection lens to focus laser radiation | |
| Langenbach et al. | High-power diode laser collimators | |
| JP2824992B2 (en) | Optical coupler | |
| JPH0237563B2 (en) | BISHOHATSUKOTAIKARANOHIKARIOKORIMEETOSURUKOKAKURENZU | |
| RU2761127C1 (en) | Optical radiation adder |