RU2153221C2 - Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов - Google Patents
Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2153221C2 RU2153221C2 RU96123275/09A RU96123275A RU2153221C2 RU 2153221 C2 RU2153221 C2 RU 2153221C2 RU 96123275/09 A RU96123275/09 A RU 96123275/09A RU 96123275 A RU96123275 A RU 96123275A RU 2153221 C2 RU2153221 C2 RU 2153221C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- coating
- structural elements
- holder
- substrate
- structures
- Prior art date
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 2
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims 2
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 claims 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011185 multilayer composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/08—Holders with means for regulating temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Abstract
Корпусирование для ПАВ-конструктивных элементов с закрывающим структуры конструктивных элементов на подложке колпачком в форме покрытия на подложке, которое в областях структур конструктивных элементов имеет принимающие их выемки. Техническим результатом является экранирование конструктивных элементов от проводящих частиц. 11 з.п.ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к устройству корпусирования для электронных конструктивных элементов, в частности для работающих на поверхностных акустических волнах - ПАВ - конструктивных элементов согласно ограничительной части пункта 1 формулы изобретения.
Устройства корпусирования или соответственно корпуса для электронных конструктивных элементов, в частности, также для ПАВ-конструктивных элементов для высокочастотных применений выполнены преимущественно герметично плотными и состоят, например, из металлического колпачка и металлической платы основания или также частично металлизированного держателя для системы конструктивных элементов. В случае ПАВ-конструктивных элементов под системой конструктивных элементов в принципе следует понимать пьезоэлектрическую подложку с размещенными на ней, образующими, например, преобразователи, резонаторы или отражатели металлическими структурами, а также электрическими выводами для этих металлических структур. Металлические структуры являются, как правило, не пассивируемыми алюминиевыми структурами. После встраивания в металлические или металлокерамические корпуса или устройства корпусирования на металлических структурах могут появляться короткие замыкания, которые вызываются электрически проводящими металлическими частицами. Эти частицы могут отделяться от внутренней стороны колпачка или от металлизированных областей держателя системы конструктивных элементов. Далее также пайка или сваривание колпачка и платы основания или держателя системы конструктивных элементов могут быть источником для подобных проводящих металлических частиц, поскольку не могущие полностью быть исключенными брызги пайки или сварки могут приводить к коротким замыканиям на металлических структурах конструктивных элементов. Наконец, также при проволочном контактировании на электрических выводах металлических структур конструктивных элементов могут возникать металлические частицы.
Проблема коротких замыканий за счет проводящих металлических частиц выше поясненного вида может быть исключена, например, за счет того, что или избегают возникновения частиц, удаляют имеющиеся частицы или надежно фиксируют такие частицы в безопасных местах.
На колпачках и металлических платах основания частицы образуются преимущественно при изготовлении колпачков за счет истирания при вальцевании или в инструменте глубокой вытяжки и листовом штампе. Посредством способов интенсивной очистки можно пытаться удерживать, по возможности, низким количество частиц или покрывать до монтажа внутреннюю сторону колпачков, например, полимером, который связывает и фиксирует частицы. Полимерные покрытия, однако, связаны с недостатками в том смысле, что их нанесение на определенные области, например, при угловатых колпачках является сложным с точки зрения технологии, полное покрытие внутренней поверхности является невозможным, так как края для пайки или сварки и области зон воздействия тепла при пайке или сварке должны оставаться свободными и проблемы места за счет относительно толстых слоев, а также выделения газа из полимера оказывают отрицательное воздействие на долговременную работоспособность конструктивных элементов.
Далее металлические покрытия, например из никеля, могут наноситься гальванически или бестоковым путем (химически), чтобы фиксировать частицы в колпачках или на металлических платах основания. Однако и таким образом не может быть реализована полная свобода от частиц.
В случае керамических держателей систем конструктивных элементов прежде всего нельзя полностью избежать отламывания или отделения металлизации на относительно острых кромках, даже если держатель системы конструктивных элементов выполняют в этом смысле оптимальным, например, путем округления кромок или окончания металлизации до кромок.
Далее также и проволочное контактирование согласно современному стандарту не может быть реализовано полностью свободным от истирания.
Пассивирование структур конструктивных элементов на подложке за счет изолирующих достаточно толстых слоев непосредственно на структурах является при высокоточных конструктивных элементах, как правило, невозможным, так как даже за счет очень тонких слоев оказывается неблагоприятное влияние на свойства конструктивных элементов. Например, при ПАВ-конструктивных элементах в форме полосовых фильтров это может приводить к смещению средней частоты или повышению ширины полосы. Компенсация изменения свойств конструктивных элементов за счет согласованных с этой точки зрения структур не всегда возможна, поскольку при современном стандарте нанесение тонких слоев с достаточной воспроизводимостью толщины слоя удается только с трудом.
Так как - как пояснялось выше - вызывающие короткие замыкания проводящие металлические частицы не могут быть полностью исключены с приемлемыми затратами и прямое пассивирование структур конструктивных элементов является возможным только в исключительных случаях, в основе изобретения лежит задача, в случае электронных конструктивных элементов, в частности, в случае ПАВ-конструктивных элементов, надежно экранировать металлические структуры конструктивных элементов от проводящих металлических частиц так, что электрические - а в случае ПАВ-конструктивных элементах также акустические - свойства не подвергались недопустимому влиянию.
Эта задача решается согласно изобретения тем, что колпачок образован предусмотренным на подложке покрытием, которое в областях структур конструктивных элементов содержит принимающие их выемки.
Дальнейшие формы развития изобретения являются предметом зависимых пунктов формулы изобретения.
Изобретение поясняется ниже более подробно с помощью примеров выполнения, представленных на фигурах.
На фиг. 1 в схематическом виде сверху показана часть соответствующего изобретению устройства корпусирования для ПАВ-конструктивного элемента;
фиг. 2 - схематический вид сечения конструктивного элемента согласно фигуре 1 и
фиг. 3 - в схематическом виде сверху конструктивный элемент согласно фигурам 1 и 2 со специально структурированным для электрического контактирования покрывающим (защитным) слоем.
фиг. 2 - схематический вид сечения конструктивного элемента согласно фигуре 1 и
фиг. 3 - в схематическом виде сверху конструктивный элемент согласно фигурам 1 и 2 со специально структурированным для электрического контактирования покрывающим (защитным) слоем.
В случае представленного в схематическом виде сверху на фигуре 1 электронного конструктивного элемента речь идет о ПАВ-конструктивном элементе с пьезоэлектрической подложкой 1, на которой предусмотрены металлические структуры конструктивных элементов 10 и 11, причем, например, речь идет о гребенчатом преобразователе 10, а также отражателях 11. Подобные структуры являются сами по себе известными и поэтому здесь более подробно не поясняются. Далее в определенных областях на пьезоэлектрической подложке 1 могут быть предусмотрены известным образом демпфирующие массы 12 - так называемые поглотители (Besumpfungen). Выше поясненное устройство обозначается здесь в описанном во вводной части смысле как система конструктивных элементов.
Для избежания поясненных в вводной части вредных воздействий электрически проводящих металлических частиц согласно изобретению на подложке конструктивных элементов 1 предусмотрено устройство корпусирования, которое согласно существу изобретения образовано покрытием 13, 14, 15 (смотри по этому поводу также фигуру 2), которое в областях структур конструктивных элементов 10 - 12 содержит принимающие их выемки 16 (смотри фигуру 2). В примере выполнения согласно фигуре 1 держатель 13, хотя и выполнен таким образом, что он находится на внешнем крае подложки 1, однако это не является обязательно необходимым согласно изобретению. Держатель 13 может, например, быть выполнен таким образом, что поглотители 12 лежат также полностью или частично вне держателя 13.
В дальнейшем развитии изобретения это покрытие (13, 14, 15) образовано за счет окружающего структуры конструктивных элементов 10 - 12 держателя 13 на подложке конструктивных элементов 1 и нанесенного на держатель покрывающего слоя 15, причем держатель 13 выполнен предпочтительно в виде замкнутой рамки, так что предпочтительным образом возникает замкнутое герметично плотное устройство корпусирования. Расстояние между покрывающим слоем 15 и структурами 10 и 11 должно быть выбрано таким образом, чтобы на соответствующую назначению функцию конструктивного элемента при использовании ни в какой момент времени не оказывалось влияния. Держатель 13, однако, не обязательно должен иметь форму замкнутой рамки, а может, в частности, иметь также проемы, за счет чего становятся доступными части поверхности подложки.
Согласно дальнейшему развитию изобретения дополнительно к вертикальному имеющему форму рамки держателю 13 могут быть также предусмотрены опоры 14, которые способствуют механическому опиранию покрывающего слоя 15. Покрытие 13, 14, 15 согласно форме выполнения изобретения может быть образовано пленкой, которая содержит на стороне подложки конструктивных элементов 1 покрывающие структуры конструктивных элементов 11, 12, 13 углубления 16. Это может быть реализовано за счет чеканки, глубокой вытяжки или частичного снятия материала предусмотренной для покрытия пленки. Обработанная таким образом пленка тогда может наноситься на подложку конструктивных элементов 1, например, путем приклеивания, сварки или ламинирования.
Согласно другой форме выполнения изобретения покрытие 13, 14, 15 может быть образовано за счет многослойного комбинированного материала. Для этого прежде всего по всей поверхности может образовываться первая пленка на подложке конструктивных элементов, которая за счет механической обработки, например штамповки или тому подобного прорезания, получает выемки 16. Таким образом возникают вертикальный рамочный держатель 13, а также, при необходимости, опоры 14. Покрывающий слой 15 в форме предварительно структурированной пленки или тонкого стекла может тогда наноситься на держатель 13 и опоры 14, например, путем приклеивания или расплавления.
Согласно дальнейшей форме выполнения изобретения, однако, для держателя 13, покрывающего слоя 15 и, при необходимости, опор 14 применяется структурируемый за счет фототехники материал. Это может быть, например, фотолак или структурируемый за счет УФ-излучения материал. Этот материал тогда освещают таким образом, что после процесса проявления освобождаются только структуры конструктивных элементов 10, 11, 12 и далее также предусмотренные для электрического контактирования этих структур конструктивных элементов площадки (смотри фигуру 3).
Затем на таким образом изготовленный держатель 13 и, при необходимости, опоры 14 наносят покрывающий слой 15, который также состоит из структурируемого за счет фототехники материала выше названного вида. Этот материал может наноситься в форме жесткой пленки, которая при достаточной толщине образующего держатель 13 и, при необходимости, опоры 14 первого слоя вместе с ним образует выемки 16.
Путем фотоструктурирования покрывающего слоя 15 для контактирования структур конструктивных элементов 10 и 11 освобождают области 20, как это схематически представлено в виде сверху согласно фигуре 3. В этих областях 20 таким образом освобождают для контактирования путем термокомпрессии контактные площадки 21.
После изготовления поясненного выше покрытия дальнейшее изготовление конструктивного элемента можно производить известным по себе образом.
Далее для определенных применений является преимуществом, когда над покрытием расположена синтетическая оболочка, которая выполнена предпочтительно из синтетической пленки.
Способ для изготовления подобного устройства корпусирования заключается в том, что заключение снабженной покрытием подложки в оболочку производят путем погружения, спекания, заливки, экструзии или опрессовки с применением синтетических масс на основе реакционных смол или расплавленных термопластов, причем для покрытия и оболочки применяют предпочтительно материалы, которые на основе своих механических свойств, преимущественно своих свойств расширения-усадки, обеспечивают после изготовления устройства корпусирования требуемую выемку.
Изготовление конструктивного элемента согласно изобретению может происходить следующим образом.
После изготовления пластины (Wafer) производят покрытие подложки (кристалла) подходящей синтетической пленкой, которая имеет выемки в области структур конструктивных элементов. После этого следует разделение кристалла на элементы путем распиливания, разламывания или тому подобного.
После этого известным образом производят монтаж кристаллов и изготовление электрических подводов, в то время как кристаллы закрепляют на несущих полосках или частях корпуса и контактируют, например, посредством проводов контактного соединения. Контактирование посредством проводов контактного соединения может также отпадать, если контактные площадки на кристаллах поддерживаются доступными (например, для более позднего "Chip on Board" - монтажа) или если должна использоваться бесконтактная передача сигнала (например, индукция).
После этих операций способа производят снабжение кристалла (полностью или частично) оболочкой обычным способом, таким как погружение, спекание, заливка, экструзия или опрессовка материалами на основе реакционных смол или расплавленных термопластов. Путем покрытия преимущественно синтетической пленкой при этом обеспечивают то, что поверхности кристалла со структурами конструктивных элементов вообще не приходят в контакт с массами оболочки, а с покрытием, по меньшей мере, не длительно.
Если массу оболочки перерабатывают при достаточно малых давлениях, то покрытие вообще не претерпевает деформации или только претерпевает ее незначительно; при этом заключенная внутри газовая подушка между кристаллом и покрытием действует поддерживающе, так как за счет сжатия оказывается противодействие прижиманию покрытия.
При более высоких давлениях переработки прижимание покрытия вплоть до поверхности кристалла больше не может быть исключено. Путем применения подходящих материалов для покрытия и оболочки, а также путем подходящего управления условиями процесса, однако, достигают того, что после отверждения массы оболочки между поверхностью кристалла и покрытием образуется определеннный маленький зазор (предпочтительно в мкм-диапазоне).
Это, в частности, является возможным путем подходящего изменения и комбинации механических свойств примененных материалов (различные свойства линейного расширения или соответственно усадки, вызванные, например, разницами температур и/или химическими реакциями).
Отдельные операции способа при изготовлении ПАВ-конструктивного элемента показаны в следующем примере выполнения:
металлизация и структурирование пластины (Wafer),
ламинирование пластины УФ-структурируемой пленкой резиста,
экспонирование и проявление для освобождения более поздних полостей и, при необходимости, контактных площадок и т. д.,
ламинирование защитного слоя из такой же пленки резиста на полученном таким образом базовом слое,
экспонирование и проявление таким образом, что остается покрытой полость, а, при необходимости, другие места (контактные площадки, линии распила, юстировочные марки) освобождаются,
опрессовка наклееного на держатель ("Leadframe") кристалла обычным способом.
металлизация и структурирование пластины (Wafer),
ламинирование пластины УФ-структурируемой пленкой резиста,
экспонирование и проявление для освобождения более поздних полостей и, при необходимости, контактных площадок и т. д.,
ламинирование защитного слоя из такой же пленки резиста на полученном таким образом базовом слое,
экспонирование и проявление таким образом, что остается покрытой полость, а, при необходимости, другие места (контактные площадки, линии распила, юстировочные марки) освобождаются,
опрессовка наклееного на держатель ("Leadframe") кристалла обычным способом.
При последней операции способа путем давления горячей прессовочной массы (около 100 бар) покрывающую пленку прижимают почти по всей площади к поверхности кристалла. Решающим является то, что согласно изобретению прессовочная масса при охлаждении от температуры прессования усаживается гораздо меньше в направлении к поверхности кристалла, чем покрывающая пленка от нее. В соединении с хорошим прилипанием прессовочной массы к покрывающей пленке над поверхностью кристалла таким образом образуется желаемая полость с высотой в несколько мкм.
Наконец, следует еще указать на то, что в покрывающем слое 15 могут быть предусмотрены далее отверстия 17, через которые могут непосредственно заливаться поглотители 12 вышеназванного и представленного на фигуре 1 типа.
Claims (12)
1. Устройство корпусирования для работающих на поверхностных акустических волнах конструктивных элементов - конструктивных элементов ПАВ - с закрывающим структуры конструктивных элементов (10, 11, 12) на подложке (1) колпачком (13, 14, 15), причем колпачок (13, 14, 15) образован предусмотренным на подложке (1) покрытием, которое в областях структур конструктивных элементов (10, 11, 12) имеет принимающие их выемки (16), при этом покрытие (13 - 15) образовано вертикальным держателем, окружающим структуры конструктивных элементов (10, 11, 12) на подложке (1), и нанесенным на держатель покрывающим слоем, а в качестве материала для покрытия (13 - 15) используется структурируемый за счет фототехники материал и покрытие структурировано за счет фототехники.
2. Устройство по п.1, в котором держатель выполнен в виде замкнутой рамки.
3. Устройство по одному из пп.1 и 2, в котором дополнительно к держателю в отличных от структур конструктивных элементов областях на подложке предусмотрены опоры.
4. Устройство по одному из пп.1 - 3, в котором в качестве материала для держателя и опор используется структурируемый за счет УФ-излучения материал.
5. Устройство по одному из пп.1 - 4, в котором в качестве материала для держателя и опор используется фотолак.
6. Устройство по одному из пп.1 - 5, в котором в качестве материала для покрывающего слоя используется стекло.
7. Устройство по одному из пп.1 - 5, в котором в качестве материала для покрывающего слоя используется стеклокерамика.
8. Устройство по одному из пп.1 - 7, в котором над покрытием расположена оболочка из синтетического материала.
9. Устройство по п. 8, в котором оболочка выполнена из синтетического материала на основе реакционных смол или термопластов.
10. Устройство по одному из пп.1 - 9, в котором для покрытия и оболочки используются материалы, свойства расширения и усадки которых после изготовления устройства корпусирования обеспечивают выполнение выемки.
11. Устройство по одному из пп.1 - 10, в котором покрытие сформировано таким образом, что оно оставляет свободными предусмотренные на подложке электрические выводы.
12. Устройство по одному из пп.1 - 11, в котором покрытие содержит отверстия для введения акустической демпфирующей массы.
Приоритет по пунктам:
02.05.94 по пп.1 - 7, 11 и 12;
13.09.94 по пп.8, 9, 10.
02.05.94 по пп.1 - 7, 11 и 12;
13.09.94 по пп.8, 9, 10.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4415411 | 1994-05-02 | ||
| DEP4415411.9 | 1994-05-02 | ||
| DEP4432566.5 | 1994-09-13 | ||
| DE4432566 | 1994-09-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU96123275A RU96123275A (ru) | 1999-03-20 |
| RU2153221C2 true RU2153221C2 (ru) | 2000-07-20 |
Family
ID=25936202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU96123275/09A RU2153221C2 (ru) | 1994-05-02 | 1995-05-02 | Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5831369A (ru) |
| EP (1) | EP0759231B1 (ru) |
| JP (1) | JPH09512677A (ru) |
| KR (1) | KR100648751B1 (ru) |
| CN (1) | CN1099158C (ru) |
| DE (1) | DE59504639D1 (ru) |
| FI (2) | FI952093A0 (ru) |
| RU (1) | RU2153221C2 (ru) |
| WO (1) | WO1995030276A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2658596C1 (ru) * | 2017-08-07 | 2018-06-21 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Чувствительный элемент на поверхностных акустических волнах для измерения давления жидкостей и газов |
Families Citing this family (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2153221C2 (ru) * | 1994-05-02 | 2000-07-20 | СИМЕНС МАЦУШИТА КОМПОНЕНТС ГмбХ УНД Ко. КГ | Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов |
| DE19548046C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zur Herstellung von für eine Flip-Chip-Montage geeigneten Kontakten von elektrischen Bauelementen |
| DE19548048C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
| DE19820049C2 (de) * | 1998-05-05 | 2001-04-12 | Epcos Ag | Thermomechanisches Verfahren zum Planarisieren einer fototechnisch strukturierbaren Schicht, insbesondere Verkapselung für elektronische Bauelemente |
| JP2000114918A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
| JP4151164B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2008-09-17 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| US6287894B1 (en) | 1999-10-04 | 2001-09-11 | Andersen Laboratories, Inc. | Acoustic device packaged at wafer level |
| DE10006446A1 (de) * | 2000-02-14 | 2001-08-23 | Epcos Ag | Verkapselung für ein elektrisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| US6653762B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-11-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric type electric acoustic converter |
| WO2002005424A1 (en) * | 2000-07-06 | 2002-01-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the device |
| WO2002039583A1 (en) * | 2000-11-09 | 2002-05-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic device, semiconductor device comprising such a device and method of manufacturing such a device |
| JP3974346B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| US6930364B2 (en) | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
| DE10164494B9 (de) | 2001-12-28 | 2014-08-21 | Epcos Ag | Verkapseltes Bauelement mit geringer Bauhöhe sowie Verfahren zur Herstellung |
| DE10206919A1 (de) | 2002-02-19 | 2003-08-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung, Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements |
| US6846423B1 (en) | 2002-08-28 | 2005-01-25 | Silicon Light Machines Corporation | Wafer-level seal for non-silicon-based devices |
| US6877209B1 (en) | 2002-08-28 | 2005-04-12 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for sealing an active area of a surface acoustic wave device on a wafer |
| DE10253163B4 (de) | 2002-11-14 | 2015-07-23 | Epcos Ag | Bauelement mit hermetischer Verkapselung und Waferscale Verfahren zur Herstellung |
| DE10300958A1 (de) * | 2003-01-13 | 2004-07-22 | Epcos Ag | Modul mit Verkapselung |
| US7108344B2 (en) * | 2003-11-03 | 2006-09-19 | Hewlett-Packard Devleopment Company, L.P. | Printmode for narrow margin printing |
| DE102004005668B4 (de) * | 2004-02-05 | 2021-09-16 | Snaptrack, Inc. | Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren |
| WO2005099088A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-20 | Cypress Semiconductor Corp. | Integrated circuit having one or more conductive devices formed over a saw and/or mems device |
| US7259499B2 (en) | 2004-12-23 | 2007-08-21 | Askew Andy R | Piezoelectric bimorph actuator and method of manufacturing thereof |
| US8074622B2 (en) * | 2005-01-25 | 2011-12-13 | Borgwarner, Inc. | Control and interconnection system for an apparatus |
| US7288847B2 (en) * | 2005-01-25 | 2007-10-30 | Medtronic, Inc. | Assembly including a circuit and an encapsulation frame, and method of making the same |
| DE102005034011B4 (de) * | 2005-07-18 | 2009-05-20 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben |
| JP4760357B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-08-31 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージ |
| DE102007058951B4 (de) | 2007-12-07 | 2020-03-26 | Snaptrack, Inc. | MEMS Package |
| US8059425B2 (en) * | 2008-05-28 | 2011-11-15 | Azurewave Technologies, Inc. | Integrated circuit module with temperature compensation crystal oscillator |
| DE102008030842A1 (de) | 2008-06-30 | 2010-01-28 | Epcos Ag | Integriertes Modul mit intrinsischem Isolationsbereich und Herstellungsverfahren |
| DE102008040775A1 (de) * | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Robert Bosch Gmbh | Verkapselung, MEMS sowie Verfahren zum selektiven Verkapseln |
| DE102008042106A1 (de) | 2008-09-15 | 2010-03-18 | Robert Bosch Gmbh | Verkapselung, MEMS sowie Verfahren zum Verkapseln |
| JP5453787B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2014-03-26 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| JP5660197B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2015-01-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US9812350B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-11-07 | Qorvo Us, Inc. | Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer |
| US9583414B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-02-28 | Qorvo Us, Inc. | Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same |
| JP2014192782A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Japan Radio Co Ltd | 封止部材、封止補助部材、封止方法および封止補助方法 |
| JP5695145B2 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-04-01 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| US9439296B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-09-06 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Electrical equipment, production method thereof and design method of electrical equipment |
| US9824951B2 (en) | 2014-09-12 | 2017-11-21 | Qorvo Us, Inc. | Printed circuit module having semiconductor device with a polymer substrate and methods of manufacturing the same |
| US10085352B2 (en) | 2014-10-01 | 2018-09-25 | Qorvo Us, Inc. | Method for manufacturing an integrated circuit package |
| US10431533B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-10-01 | Ati Technologies Ulc | Circuit board with constrained solder interconnect pads |
| US9530709B2 (en) | 2014-11-03 | 2016-12-27 | Qorvo Us, Inc. | Methods of manufacturing a printed circuit module having a semiconductor device with a protective layer in place of a low-resistivity handle layer |
| JP5921733B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-05-24 | スカイワークス・パナソニック フィルターソリューションズ ジャパン株式会社 | 弾性表面波デバイスを製造する方法 |
| US9613831B2 (en) | 2015-03-25 | 2017-04-04 | Qorvo Us, Inc. | Encapsulated dies with enhanced thermal performance |
| US9960145B2 (en) | 2015-03-25 | 2018-05-01 | Qorvo Us, Inc. | Flip chip module with enhanced properties |
| US20160343604A1 (en) | 2015-05-22 | 2016-11-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Substrate structure with embedded layer for post-processing silicon handle elimination |
| US10276495B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-04-30 | Qorvo Us, Inc. | Backside semiconductor die trimming |
| JP6350510B2 (ja) * | 2015-12-24 | 2018-07-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US10020405B2 (en) | 2016-01-19 | 2018-07-10 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with integrated sensors |
| US10090262B2 (en) | 2016-05-09 | 2018-10-02 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with inductive element and magnetically enhanced mold compound component |
| US10784149B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-22 | Qorvo Us, Inc. | Air-cavity module with enhanced device isolation |
| US10773952B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-15 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| US10468329B2 (en) | 2016-07-18 | 2019-11-05 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package having field effect transistors with back-gate feature |
| US10103080B2 (en) | 2016-06-10 | 2018-10-16 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package with thermal additive and process for making the same |
| WO2018031994A1 (en) | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| US10109550B2 (en) | 2016-08-12 | 2018-10-23 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| CN109716511A (zh) | 2016-08-12 | 2019-05-03 | Qorvo美国公司 | 具有增强性能的晶片级封装 |
| US10109502B2 (en) | 2016-09-12 | 2018-10-23 | Qorvo Us, Inc. | Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same |
| US10090339B2 (en) | 2016-10-21 | 2018-10-02 | Qorvo Us, Inc. | Radio frequency (RF) switch |
| US10749518B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-08-18 | Qorvo Us, Inc. | Stacked field-effect transistor switch |
| US10068831B2 (en) | 2016-12-09 | 2018-09-04 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same |
| US10755992B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-08-25 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level packaging for enhanced performance |
| US10366972B2 (en) | 2017-09-05 | 2019-07-30 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly |
| US10784233B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-09-22 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly |
| US11152363B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process |
| US12062700B2 (en) | 2018-04-04 | 2024-08-13 | Qorvo Us, Inc. | Gallium-nitride-based module with enhanced electrical performance and process for making the same |
| US12046505B2 (en) | 2018-04-20 | 2024-07-23 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing localized SOI formation |
| US10804246B2 (en) | 2018-06-11 | 2020-10-13 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with vertically stacked dies |
| US12165951B2 (en) | 2018-07-02 | 2024-12-10 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11069590B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-07-20 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level fan-out package with enhanced performance |
| US10964554B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-03-30 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level fan-out package with enhanced performance |
| US11646242B2 (en) | 2018-11-29 | 2023-05-09 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same |
| US11387157B2 (en) | 2019-01-23 | 2022-07-12 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US12125825B2 (en) | 2019-01-23 | 2024-10-22 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| CN113632209A (zh) | 2019-01-23 | 2021-11-09 | Qorvo美国公司 | Rf半导体装置和其制造方法 |
| US12046570B2 (en) | 2019-01-23 | 2024-07-23 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US12057374B2 (en) | 2019-01-23 | 2024-08-06 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US12046483B2 (en) | 2019-01-23 | 2024-07-23 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US12074086B2 (en) | 2019-11-01 | 2024-08-27 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with nanotube particles for enhanced performance and methods of forming the same |
| US11646289B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-05-09 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11923238B2 (en) | 2019-12-12 | 2024-03-05 | Qorvo Us, Inc. | Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive |
| US12129168B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-10-29 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with vertically stacked MEMS device and controller device |
| WO2022186857A1 (en) | 2021-03-05 | 2022-09-09 | Qorvo Us, Inc. | Selective etching process for si-ge and doped epitaxial silicon |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE252473C (ru) | ||||
| US2824219A (en) * | 1954-11-08 | 1958-02-18 | Midland Mfg Co Inc | Piezoelectric crystal assembly |
| US3622816A (en) * | 1970-06-12 | 1971-11-23 | Electro Dynamics | Piezoelectric crystal assembly |
| DE2610172C3 (de) * | 1975-03-12 | 1980-08-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto (Japan) | Filter auf der Basis der akustischen Oberflächenwellen |
| GB1512593A (en) * | 1975-03-13 | 1978-06-01 | Murata Manufacturing Co | Elastic surface wave filter |
| DE2819499C3 (de) * | 1978-05-03 | 1981-01-29 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Gehäuse für eine Halbleiteranordnung |
| US4213104A (en) * | 1978-09-25 | 1980-07-15 | United Technologies Corporation | Vacuum encapsulation for surface acoustic wave (SAW) devices |
| JPS55112019A (en) * | 1979-02-22 | 1980-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | Elastic surface wave device |
| US4270105A (en) * | 1979-05-14 | 1981-05-26 | Raytheon Company | Stabilized surface wave device |
| CH626479A5 (ru) * | 1979-07-05 | 1981-11-13 | Suisse Horlogerie | |
| CH625372A5 (ru) * | 1979-07-06 | 1981-09-15 | Ebauchesfabrik Eta Ag | |
| GB2100521B (en) * | 1981-05-13 | 1984-09-12 | Plessey Co Plc | Electrical device package |
| FR2516702A1 (fr) * | 1981-11-18 | 1983-05-20 | Dassault Electronique | Boitier pour circuits electroniques |
| EP0157938A3 (de) * | 1984-03-23 | 1987-05-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Gehäuse für elektrische Bauelemente |
| US4872825A (en) * | 1984-05-23 | 1989-10-10 | Ross Milton I | Method and apparatus for making encapsulated electronic circuit devices |
| JPS61152112A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPS6297418A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-06 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置のパツケ−ジ方法 |
| DD252473A1 (de) * | 1986-08-19 | 1987-12-16 | Berlin Treptow Veb K | Gehaeuse fuer integrierte optoelektronische systeme |
| US5010270A (en) * | 1986-12-22 | 1991-04-23 | Raytheon Company | Saw device |
| US4855868A (en) * | 1987-01-20 | 1989-08-08 | Harding Ade Yemi S K | Preformed packaging arrangement for energy dissipating devices |
| JPH01229514A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH01231415A (ja) * | 1988-03-11 | 1989-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| US5107586A (en) * | 1988-09-27 | 1992-04-28 | General Electric Company | Method for interconnecting a stack of integrated circuits at a very high density |
| US5162822A (en) * | 1988-10-31 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Saw filter chip mounted on a substrate with shielded conductors on opposite surfaces |
| JPH02143466A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0316311A (ja) * | 1989-03-30 | 1991-01-24 | Canon Inc | 弾性表面波素子およびその製造法 |
| JPH02305013A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nec Corp | 弾性表面波素子の実装構造 |
| JPH03104409A (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-01 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JPH03173216A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH03173214A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| WO1992003035A1 (en) * | 1990-08-01 | 1992-02-20 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages, method and apparatus |
| US5059848A (en) * | 1990-08-20 | 1991-10-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Low-cost saw packaging technique |
| US5214844A (en) * | 1990-12-17 | 1993-06-01 | Nchip, Inc. | Method of assembling integrated circuits to a silicon board |
| US5237235A (en) * | 1991-09-30 | 1993-08-17 | Motorola, Inc. | Surface acoustic wave device package |
| JPH066169A (ja) * | 1992-06-23 | 1994-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波装置 |
| JP3222220B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2001-10-22 | 株式会社村田製作所 | チップ型圧電共振子の製造方法 |
| US5410789A (en) * | 1992-11-13 | 1995-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing piezoelectric-resonator having vibrating spaces formed therein |
| CA2109687A1 (en) * | 1993-01-26 | 1995-05-23 | Walter Schmidt | Method for the through plating of conductor foils |
| US5502344A (en) * | 1993-08-23 | 1996-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Packaged piezoelectric oscillator incorporating capacitors and method of making the same |
| RU2153221C2 (ru) * | 1994-05-02 | 2000-07-20 | СИМЕНС МАЦУШИТА КОМПОНЕНТС ГмбХ УНД Ко. КГ | Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов |
| US5467253A (en) * | 1994-06-30 | 1995-11-14 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip package and method of forming |
| EP0794616B1 (en) * | 1996-03-08 | 2003-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An electronic part and a method of production thereof |
-
1995
- 1995-05-02 RU RU96123275/09A patent/RU2153221C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1995-05-02 WO PCT/EP1995/001658 patent/WO1995030276A1/de active IP Right Grant
- 1995-05-02 DE DE59504639T patent/DE59504639D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-02 CN CN95192901A patent/CN1099158C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-02 FI FI952093A patent/FI952093A0/fi unknown
- 1995-05-02 KR KR1019960706133A patent/KR100648751B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-05-02 EP EP95918622A patent/EP0759231B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-02 JP JP7528011A patent/JPH09512677A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-31 FI FI964394A patent/FI964394A/fi unknown
- 1996-11-04 US US08/743,540 patent/US5831369A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-17 US US09/099,019 patent/US6446316B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2658596C1 (ru) * | 2017-08-07 | 2018-06-21 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Чувствительный элемент на поверхностных акустических волнах для измерения давления жидкостей и газов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI964394A0 (fi) | 1996-10-31 |
| CN1099158C (zh) | 2003-01-15 |
| KR100648751B1 (ko) | 2007-03-02 |
| EP0759231B1 (de) | 1998-12-23 |
| FI952093A0 (fi) | 1995-05-02 |
| WO1995030276A1 (de) | 1995-11-09 |
| EP0759231A1 (de) | 1997-02-26 |
| CN1147319A (zh) | 1997-04-09 |
| KR970703062A (ko) | 1997-06-10 |
| US6446316B1 (en) | 2002-09-10 |
| US5831369A (en) | 1998-11-03 |
| FI964394A (fi) | 1996-10-31 |
| DE59504639D1 (de) | 1999-02-04 |
| JPH09512677A (ja) | 1997-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2153221C2 (ru) | Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов | |
| US7102224B2 (en) | Encapsulated component and method for the production thereof | |
| EP1412974B1 (de) | Verfahren zur hermetischen verkapselung eines bauelementes | |
| US4727633A (en) | Method of securing metallic members together | |
| US5637536A (en) | Method for interconnecting semiconductor chips in three dimensions, and component resulting therefrom | |
| US6255741B1 (en) | Semiconductor device with a protective sheet to affix a semiconductor chip | |
| CN100380616C (zh) | 具有空腔的电子器件及其制造方法 | |
| JP2002532934A (ja) | 封入された表面弾性波素子及び集積製造方法 | |
| KR101561316B1 (ko) | Ｍｅｍｓ 소자, ｍｅｍｓ 소자를 제조하는 방법 및 ｍｅｍｓ 소자를 처리하는 방법 | |
| EP0828346A2 (en) | Lid wafer bond packaging and micromachining | |
| JP2009512369A (ja) | 機械的に敏感な電子構成素子のための中空室を備えたハウジングおよび該ハウジングを製造するための方法 | |
| KR950700676A (ko) | 고밀도 도체 네트워크 및 그 제조방법과 제조장치(High density conductive networks and method and apparatus for making same) | |
| RU96123275A (ru) | Устройство корпусирования для электронных конструктивных элементов и способ его изготовления | |
| JP4413278B2 (ja) | 電子部品のフリップチップアセンブリーに適した接触のためのろう接可能な膜を作る方法 | |
| US7160476B2 (en) | Method of manufacturing an electronic device | |
| US20130316501A1 (en) | Ultra-thin near-hermetic package based on rainier | |
| JP2002513234A (ja) | 電子構成素子 | |
| US6928718B2 (en) | Method for array processing of surface acoustic wave devices | |
| JP2004147220A (ja) | Ｓａｗチップの構造、その製造方法、表面実装型ｓａｗデバイス、及びその製造方法 | |
| KR100616511B1 (ko) | Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조 방법 | |
| US5644478A (en) | Electronic component and its manufacturing method | |
| US7071571B2 (en) | Semiconductor component having a plastic housing and methods for its production | |
| JP7378096B2 (ja) | モジュールおよびモジュールの製造方法 | |
| JP5093922B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| KR100843419B1 (ko) | 반도체 칩 패키지 및 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20040503 |