RU2011121212A

RU2011121212A - Источник света

Info

Publication number: RU2011121212A
Application number: RU2011121212/07A
Authority: RU
Inventors: Борис Исаакович Горфинкель; Николай Павлович Абаньшин; Александр Николаевич Якунин
Original assignee: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "Волга-Свет" (ООО "Волга-Свет")
Priority date: 2011-05-25
Filing date: 2011-05-25
Publication date: 2012-11-27
Also published as: RU2479064C2

Abstract

1. Источник света, содержащий вакуумную оболочку, внутри которой в виде развитых поверхностей выполнены катодный электрод с эмиттерным слоем в виде покрытия наноразмерных токопроводящих структур и анодные электроды со слоем люминофора, отличающийся тем, что эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, в которой выполнены дополнительные концентраторы электростатического поля в виде совокупности наноразмерных диэлектрических структур, причем между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и наноразмерных диэлектрических структур выполнены наноразмерные зазоры.2. Источник света по п.1, отличающийся тем, что вакуумная оболочка выполнена в виде стеклянного цилиндра, внутренняя поверхность стеклянного цилиндра покрыта последовательно прозрачным электропроводящим слоем и люминофором, а катодный электрод выполнен в виде цилиндрического стержня, поверхность которого покрыта эмиттерным слоем в виде гетерогенной структуры, при этом катодный электрод расположен вдоль оси цилиндра.3. Источник света по п.2, отличающийся тем, что на поверхность слоя люминофора нанесена тонкая металлическая пленка, прозрачная для электронов.4. Источник света по п.2, отличающийся тем, что между катодным электродом и анодным электродом расположена вытягивающая металлическая сетка, обеспечивающая эмиссию электронов пониженным напряжением.

Claims

1. Источник света, содержащий вакуумную оболочку, внутри которой в виде развитых поверхностей выполнены катодный электрод с эмиттерным слоем в виде покрытия наноразмерных токопроводящих структур и анодные электроды со слоем люминофора, отличающийся тем, что эмиттерный слой выполнен в виде гетерогенной структуры, в которой выполнены дополнительные концентраторы электростатического поля в виде совокупности наноразмерных диэлектрических структур, причем между поверхностями наноразмерных токопроводящих структур и наноразмерных диэлектрических структур выполнены наноразмерные зазоры.

2. Источник света по п.1, отличающийся тем, что вакуумная оболочка выполнена в виде стеклянного цилиндра, внутренняя поверхность стеклянного цилиндра покрыта последовательно прозрачным электропроводящим слоем и люминофором, а катодный электрод выполнен в виде цилиндрического стержня, поверхность которого покрыта эмиттерным слоем в виде гетерогенной структуры, при этом катодный электрод расположен вдоль оси цилиндра.

3. Источник света по п.2, отличающийся тем, что на поверхность слоя люминофора нанесена тонкая металлическая пленка, прозрачная для электронов.

4. Источник света по п.2, отличающийся тем, что между катодным электродом и анодным электродом расположена вытягивающая металлическая сетка, обеспечивающая эмиссию электронов пониженным напряжением.