[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

RU2086027C1 - Способ изготовления толстопленочных резисторов - Google Patents

Способ изготовления толстопленочных резисторов Download PDF

Info

Publication number
RU2086027C1
RU2086027C1 RU94018177A RU94018177A RU2086027C1 RU 2086027 C1 RU2086027 C1 RU 2086027C1 RU 94018177 A RU94018177 A RU 94018177A RU 94018177 A RU94018177 A RU 94018177A RU 2086027 C1 RU2086027 C1 RU 2086027C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reducing agent
paste
resistive
resistive layer
thick
Prior art date
Application number
RU94018177A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94018177A (ru
Inventor
В.З. Петрова
В.А. Репин
А.И. Тельминов
Original Assignee
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский государственный институт электронной техники (технический университет) filed Critical Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Priority to RU94018177A priority Critical patent/RU2086027C1/ru
Publication of RU94018177A publication Critical patent/RU94018177A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2086027C1 publication Critical patent/RU2086027C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

Способ изобретения: на изолирующую подложку наносят первый проводниковый слой, поверх него - резистивный слой, а затем - второй проводниковый слой - для образования конденсаторной структуры. Слои сушат и вжигают в воздушной атмосфере. В качестве материала проводниковых слоев используют проводниковую пасту, включающую агент-восстановитель /бор, алюминий/ или вещество, разлагающееся при вжигании с образованием такого восстановителя /борид никеля/. Паста для резистивного слоя содержит порошок стекла и органическое связующее. 1 табл.

Description

Изобретение относится к способам изготовления толстопленочных резисторов, не содержащих драгоценных металлов, путем восстановления в локальном объеме и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.
Известны способы изготовления толстопленочных резисторов, проводящая фаза в которых образуется в процессе вжигания в результате восстановления агентом-восстановителем функционального стеклосвязующего, содержащего один или несколько высших оксидов элементов переменной валентности, и представляет собой оксид низшей валентности, свободный металл или их сочетание [1]
В ряде случаев восстановительные условия для формирования проводящей фазы могут быть созданы путем вжигания резистора в атмосфере, содержащей водород или другие газообразные восстановители. Основной недостаток указанного метода, кроме необходимости использования дорогостоящего оборудования, состоит в том, что термообработка в восстановительной атмосфере может привести к ухудшению характеристик других толстопленочных элементов, сформированных на подложке.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ изготовления толстопленочных резисторов, согласно которому вжигание резистивных паст осуществляют в воздушной атмосфере, но в их состав вводят агент-восстановитель, обеспечивающий восстановительную среду в процессе вжигания в локальном объеме формируемого толстопленочного резистора [2]
Резистивная паста состоит из смеси порошков стекла и агента-восстановителя, и органического связующего. В качестве стекла используют алюмоборатное стекло, которое может содержать также оксиды кадмия, свинца, натрия и цинка и обязательно содержит от 2 до 30 мис. оксида из группы высших оксидов молибдена, вольфрама, церия, марганца и железа.
В качестве агента-восстановителя, содержание которого в пасте составляет от 0,25 до 30 мас. используют преимущественно бор. Резистивный слой наносят на подложку обычными методами толстопленочной технологии и вжигают при температуре 600-900oC.
Восстановительная среда, создающаяся в процессе вжигания в локальном объеме формируемого резистора благодаря наличию в пасте агента-восстановителя, способствует переходу металла, содержащегося в стекле, из высшей в более низкие степени окисления, что, в свою очередь приводит к повышению электропроводности резистивного слоя до требуемой величины.
Однако этот способ имеет существенный недостаток: в сформированном резистивном слое в значительном количестве содержится оксид бора (или другие продукты окисления восстановителя), что снижает надежность резистора в результате ухудшения его влагостойкости.
Технический результат изобретения, состоит в повышении надежности толстопленочных резисторов за счет улучшения их влагостойкости.
Результат достигается тем, что резистор изготавливается традиционными методами толстопленочной технологии, включающими последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводниковых и резистивного слоев, их сушку и вжигание в воздушной атмосфере, причем сначала наносят первый проводниковый слой, поверх него наносят первый проводниковый слой, поверх него наносят резистивный слой, а затем, поверх резистивного слоя второй проводниковый слой, при этом для формирования проводниковых слоев используют проводниковую пасту, включающую агент-восстановитель (бор, алюминий и др.) или вещество, разлагающееся при вжигании с образованием такого восстановителя (борид никеля и др.), а для формирования резистивного слоя пасту, содержащую порошок стекла или стеклокерамической композиции и органическое связующее.
В процессе вжигания содержащийся в противолежащих проводниковых слоях восстановитель создает восстановительную среду в локальном объеме, включающем как проводниковые слои, так и находящийся между ними резистивный слой.
Стекло или стеклокерамическая композиция, содержащиеся в резистивном слое, имеют в своем составе вещества, способные к восстановлению (оксиды переходных металлов в высшей степени окисления или их соединения). В результате их восстановления при вжигании в резистивном слое образуется электропроводящая фаза.
В отличие от способа-прототипа агент-восстановитель вводится не в пасту для формирования резистивного слоя, а в пасту для формирования проводниковых слоев. Благодаря этому сформированный резистивный слой не содержит продуктов окисления восстановителя.
Существовавший ранее уровень развития техники не позволял изготавливать толстопленочные резисторы, не содержащие драгоценных металлов, вжигаемые на воздухе, удовлетворяющие значительно возросшим в последние годы требованиям по влагостойкости. Причиной этого являлось высокое содержание в резистивном слое продуктов окисления восстановителя. Эта проблема решена в изобретении за счет того, что восстановитель вводится не в состав пасты для резистивного слоя, а в состав пасты для проводниковых слоев, благодаря чему в сформированном резистивном слое не содержатся продукты окисления восстановителя.
Пример 1. На подложках из стали 15Х25Т, изолированных ситаллоцементом СЭ-3, изготавливали толстопленочные резисторы по способу согласно изобретению. Резистивную пасту изготавливали путем перемешивания порошка функционального стекла, содержащего оксид молибдена (VI), и органического связующего (4% раствора этилцеллюлозы в терпинеоле). При изготовлении проводниковых слоев применяли проводниковую пасту на основе боридов никеля марки "0750" ТУ АУК 0.029.022. Резисторы изготавливали в виде конденсаторной структуры с электродами квадратной формы площадью 4 кв.мм. Отдельные слои наносили методом трафаретной печати и высушивали при температуре 150oC, С целью достижения требуемой толщины резистивного слоя нанесение резистивной пасты осуществляли несколько раз. После печати и сушки нижнего электрода последовательно наносили и сушили 2 слоя резистивной пасты и вжигали слои в конвейерной печи при температуре 750oC. Далее аналогичным образом наносили и сушили еще 2 слоя резистивной пасты и верхний электрод, и вжигали слои в конвейерной печи при той же температуре. Сопротивление резисторов измеряли омметром.
Для определения надежностных характеристик резисторов проводили испытания на влагостойкость: выдерживали изготовленные резисторы в камере влаги при относительной влажности 93% и температуре 40oC в течение 10 сут и вновь измеряли их сопротивление.
Пример 2. По технологическому процессу, описанному в примере 1, изготавливали толстопленочные терморезисторы. Для приготовления резистивной пасты использовали порошок стекла (патент RU, N 2004508, C 03 C 10/02, 1993), при кристаллизации которого образуется титанат бария. Для изготовления проводниковых слоев применяли проводниковую пасту на основе борида никеля марки "ППБ" ТУ 06608-84. Температура вжигания слоев составляла 800oC.
Пример 3. Изготавливали толстопленочные резисторы по способу прототипа. Использовали материалы, описанные в примере 1, но при приготовлении пасты для резистивного слоя добавляли порошок бора в качестве восстановителя. Резистивный слой резисторов имел форму квадрата со стороной 10 мм. После печати, сушки и вжигания контактных площадок наносили, высушивали и вжигали резистивный слой.
Результаты испытаний в таблице показывают, что заявляемый способ, в отличие от способа прототипа, позволяет повысить надежность толстопленочных резисторов, вжигаемых в воздушной атмосфере, проводящая фаза в которых образуется в результате создания восстановительной среды в локальном объеме формируемого резистора.
Применение заявляемого способа и технологии толстопленочных ГИС позволит повысить их качество и дает основание ожидать существенный экономический эффект от его внедрения.

Claims (1)

  1. Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов путем восстановления в локальном объеме, включающий последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку резистивного и проводниковых слоев, их сушку и вжигание в воздушной атмосфере, отличающийся тем, что сначала наносят первый проводниковый слой, поверх него наносят резистивный слой, а затем поверх резистивного слоя второй проводниковый слой, при этом для формирования проводниковых слоев используют пасту, включающую агент-восстановитель или вещество, разлагающееся при вжигании с образованием такого восстановителя, а для формирования резистивного слоя - пасту, содержащую порошок стекла или стеклокерамической композиции и органическое связующее.
RU94018177A 1994-05-18 1994-05-18 Способ изготовления толстопленочных резисторов RU2086027C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94018177A RU2086027C1 (ru) 1994-05-18 1994-05-18 Способ изготовления толстопленочных резисторов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU94018177A RU2086027C1 (ru) 1994-05-18 1994-05-18 Способ изготовления толстопленочных резисторов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94018177A RU94018177A (ru) 1996-01-10
RU2086027C1 true RU2086027C1 (ru) 1997-07-27

Family

ID=20156071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94018177A RU2086027C1 (ru) 1994-05-18 1994-05-18 Способ изготовления толстопленочных резисторов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2086027C1 (ru)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2497217C1 (ru) * 2012-06-01 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов
RU2552631C1 (ru) * 2014-04-25 2015-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") Способ изготовления толстопленочных резисторов
RU2552626C1 (ru) * 2014-04-25 2015-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") Способ изготовления толстопленочных резисторов
RU2556876C1 (ru) * 2014-01-29 2015-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет" Терморезистивный материал на основе асфальта пропановой деасфальтизации
RU2658644C2 (ru) * 2016-03-16 2018-06-22 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ изготовления и состав пасты для толстопленочного резистора
RU2755344C1 (ru) * 2020-10-13 2021-09-15 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстоплёночных структур для теплоэлектрических генераторов
RU2755943C1 (ru) * 2020-09-08 2021-09-23 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстопленочных резисторов
RU2770908C1 (ru) * 2021-12-23 2022-04-25 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстоплёночных резисторов
RU2776657C1 (ru) * 2021-11-22 2022-07-22 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстоплёночных резисторов

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гребенкина В.Г. и др. Толстопленочная микроэлектроника. - Киев: Наукова Думка, 1983, с. 17 - 22, 89 - 109. Патент США N 4044173, кл. H 01 B 1/06, 1977. *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2497217C1 (ru) * 2012-06-01 2013-10-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов
RU2556876C1 (ru) * 2014-01-29 2015-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет" Терморезистивный материал на основе асфальта пропановой деасфальтизации
RU2552631C1 (ru) * 2014-04-25 2015-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") Способ изготовления толстопленочных резисторов
RU2552626C1 (ru) * 2014-04-25 2015-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭРКОН" (ОАО "НПО "ЭРКОН") Способ изготовления толстопленочных резисторов
RU2658644C2 (ru) * 2016-03-16 2018-06-22 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Способ изготовления и состав пасты для толстопленочного резистора
RU2755943C1 (ru) * 2020-09-08 2021-09-23 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстопленочных резисторов
RU2755344C1 (ru) * 2020-10-13 2021-09-15 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстоплёночных структур для теплоэлектрических генераторов
RU2776657C1 (ru) * 2021-11-22 2022-07-22 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстоплёночных резисторов
RU2770908C1 (ru) * 2021-12-23 2022-04-25 Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" Способ получения толстоплёночных резисторов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3682840A (en) Electrical resistor containing lead ruthenate
US3914514A (en) Termination for resistor and method of making the same
JPS59226178A (ja) 銅金属被覆の形成方法
JPH07302510A (ja) 導電ペースト組成物
JPH0122966B2 (ru)
RU2086027C1 (ru) Способ изготовления толстопленочных резисторов
JPS6317357B2 (ru)
JPH0520916B2 (ru)
JP2022509142A (ja) スクリーン印刷された電極構造体のための改善された貴金属ペースト
US3721870A (en) Capacitor
RU94018177A (ru) Способ изготовления толстопленочных резисторов путем восстановления в локальном объеме
US5562972A (en) Conductive paste and semiconductor ceramic components using the same
KR910001031B1 (ko) 후막 전자 물질
JPH0690961B2 (ja) 抵抗材料及びこれらから製造された温度測定用センサー中の温度依存性抵抗層
JP3405131B2 (ja) 電子部品
JPH05159621A (ja) 導電性ペースト
US3962487A (en) Method of making ceramic semiconductor elements with ohmic contact surfaces
JPH0799101A (ja) 厚膜サーミスタおよびその組成
JPS6092692A (ja) バリスタを含む複合回路とその製法
KR800001624B1 (ko) 전자 기기용 비전도성 기층상의 후막도체
JPH0231446B2 (ja) Atsumakudotaisoseibutsu
JPH0135481B2 (ru)
JPS5918669A (ja) 厚膜回路の形成法
SU792292A1 (ru) Токопровод ща паста
JPS5873185A (ja) 厚膜回路基板の製造方法