RU192952U1 - Металлокерамический корпус - Google Patents
Металлокерамический корпус Download PDFInfo
- Publication number
- RU192952U1 RU192952U1 RU2019114660U RU2019114660U RU192952U1 RU 192952 U1 RU192952 U1 RU 192952U1 RU 2019114660 U RU2019114660 U RU 2019114660U RU 2019114660 U RU2019114660 U RU 2019114660U RU 192952 U1 RU192952 U1 RU 192952U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heat sink
- metal
- gold
- copper
- solder
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
Использование: для разработки металлокрамических корпусов силовых полупроводниковых приборов. Сущность полезной модели заключается в том, что металлокерамический корпус состоит из основания в виде паяного соединения конструкционных элементов, а именно: металлического теплоотводящего фланца, изолятора из многослойной алюмооксидной керамики и теплоотвода-кристаллодержателя в виде пластины из алюмонитридной керамики, и припаиваемой к основанию герметизирующей крышки из алюмооксидной керамики, при этом соединение металлического теплоотводящего фланца с изолятором и теплоотводом-кристаллодержателем выполнено припоем золото-олово, содержащим от 83 до 85 вес. % золота, олово - остальное. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения термических напряжений в паянном соединении. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Полезная модель (ПМ) относится к области электронной техники и может быть использована при разработке корпусов силовых полупроводниковых приборов большой мощности.
При изготовлении металлокерамических корпусов мощных изделий микроэлектроники для обеспечения хорошего отвода выделяющегося от кристалла тепла широко используются конструкционные элементы, изготовленные из металлических и изоляционных материалов с высокой теплопроводностью (медь, псевдосплавы медь-молибден, медь-вольфрам, керамика на основе окиси бериллия или нитрида алюминия и др.), а также применяется технология последовательной (ступенчатой) пайки этих элементов с использованием ряда припоев с различной температурой (интервалом температур) плавления.
Наиболее часто при изготовлении и корпусировании полупроводниковых приборов с использованием технологии ступенчатой пайки применяется ряд эвтектических припоев для соединения конструкционных элементов корпуса (Ag72Cu28), посадки полупроводникового кристалла (Au88Ge12, Au96,8Si3,2) и герметизации корпуса (Au80Sn20) (Рис. 1).
Однако, при пайке элементов, существенно отличающихся по температурному коэффициенту линейного расширения (ТКЛР), в процессе охлаждения в местах соединений возникают термические напряжения, которые могут вызывать их деформацию или разрушение. Величина этих напряжений зависит от разницы ТКЛР, размеров элементов и температуры плавления используемого припоя. Путем снижения величины возникающих при пайке термических напряжений является как использование конструкционных материалов, более согласованных по ТКЛР, так и припоев с более низкой температурой плавления.
Наиболее близким техническим решением является конструкция корпусов мощных полупроводниковых приборов, например, мощного СВЧ-транзистора /1/ с высокой теплорассеивающей способностью (Рис. 2).
Основанием такого корпуса является металлический теплоотводящий фланец, изготовленный из псевдосплава молибдена с медью, на котором размещены изолятор из многослойной металлизированной алюмооксидной керамики с сформированной системой управляющих выводов, включающей контактные площадки с внешней стороны и во внутренней полости корпуса (на рисунке не показаны), и теплоотвод из диэлектрического материала с высокой теплопроводностью - алюмонитридной керамики. Эти конструкционные элементы соединяются высокотемпературной пайкой эвтектическим припоем (1) серебро-медь (Ag72Cu28, Тпл=780°С).
Герметизация корпуса осуществляется пайкой крышки из алюмооксидной керамики с помощью эвтектического припоя (3) золото-олово (Тпл=280°С). Кремниевые кристаллы с транзисторными структурами монтируют на металлизированную поверхность теплоотвода пайкой эвтектическим припоем (2) золото-кремний (Тпл=363°С). В этой конструкции за счет выбора материалов конструкционных элементов и припоев удалось минимизировать величину термических напряжений паяных соединений кристалл - теплоотвод и корпус - крышка.
Однако, из-за недостаточной согласованности ТКЛР спаиваемых элементов (металлического фланца и керамических элементов), и высокой температуры пайки при использовании припоя на основе серебра в основании корпуса возможно возникновение термических напряжений, приводящих к деформации и разрушению конструкции 121.
Целью и техническим результатом заявляемого технического решения является снижение термических напряжений в основании металлокерамического корпуса вследствие уменьшения рассогласований тепловых расширений конструкционных элементов паяных соединений за счет снижения температуры пайки.
Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемой конструкции корпуса состоящего из основания в виде паянного соединения конструкционных элементов, а именно: металлического теплоотводящего фланца, изолятора из многослойной керамики и теплоотвода-кристаллодержателя из диэлектрического материала с высокой теплопроводностью, и припаиваемой к основанию герметизирующей крышки из алюмооксидной керамики, при этом соединение металлического теплоотводящего фланца с изолятором и теплоотводом-кристаллодержателем выполнено припоем золото-олово, содержащим от 83 до 85 вес. % золота, олово - остальное, а металлический теплоотводящий фланец изготовлен из псевдосплава молибден-медь, содержащего от 15 до 50 вес. % меди, или псевдосплава вольфрам-медь, содержащего от 10 до 30 вес. % меди.
Полезная модель поясняется рисунком 2 поперечного сечения металлокерамического корпуса.
Металлокерамический корпус включает в себя теплоотводящий металлический фланец, к которому припаяны керамический теплоотвод, изготовленный в виде пластины из алюмонитридной керамики с нанесенными для пайки с фланцем и кристаллами участками металлизации, и металлизированный изолятор из многослойной алюмооксидной керамики с сформированной системой управляющих выводов и контактных площадок (на рисунке не показаны), (припой 1).
На теплоотводе закреплены (припой 2) кремниевые кристаллы, а герметизация корпуса осуществляется пайкой крышки из алюмооксидной керамики (припой 3).
Суть технического решения показана ниже на примерах: использование золото-оловянного припоя с интервалом температур плавления 280-500°С вместо припоя Ag72Cu28 с температурой плавления 780°С при пайке элементов металлокерамического корпуса (микросхемы) в 3 раза снижает величину термических напряжений; при этом сохраняется возможность использования эвтектических припоев золото-кремний, золото-германий, золото-олово для монтажа кристаллов и герметизации корпуса.
Так в качестве альтернативы припою Ag72Cu28 для соединения конструкционных элементов корпуса может быть предложен золото-оловянный припой (припойный материал) состава (вес. %) Au80+xSn20-x плавящийся в интервале температур (280°С - Тликвидус). По технологическим причинам Тликвидус такого сплава должна быть не ниже 400°С, превышая на 30-40°С температуру пайки кристаллов эвтектическими припоями золото-кремний и золото-германий и обеспечивая возможность осуществления ступенчатой пайки с использованием этих припоев и эвтектического припоя Au80Sn20.
В соответствии с диаграммой состояния (Рис. 3) в равновесном состоянии значениями Тликвидус выше 400°С обладают сплавы, содержащие более 82,7 вес. % золота. Увеличение содержания золота более 85 вес. % (Тликвидус = 500°С) нецелесообразно, так как это вызывает необходимость увеличения температуры пайки.
Проведем сравнительный анализ величин термических напряжений, возникающих при пайке конструкционных элементов из различных материалов эвтектическим припоем Ag72Cu28 и предлагаемым золото-оловянным припоем, содержащим от 83 до 85 вес. % золота (остальное - олово).
Относительное изменение линейных размеров (ΔL/L) i-го элемента паяного изделия при охлаждении в процессе пайки до комнатной температуры (20°С) определяется по формуле
ΔL/L=αi×ΔT,
где ΔT - разница между температурой полного затвердевания припоя (температурой солидус) и комнатной температурой, а αi - средний ТКЛР i-го элемента в интервале температур ΔT.
Для припоя Ag72Cu28 АТ=760°С, а для предлагаемого золото-оловянного припоя ΔТ=260°С.
Величина термических напряжений в паяном соединении пропорциональна разнице в относительных изменениях линейных размеров его элементов (1 и 2) при охлаждении в процессе пайки до комнатной температуры, которая может быть определена по формуле:
(ΔL/L)1-(ΔL/L)2=(α1-α2)×ΔT.
В таблице 1 приведены рассчитанные значения этой величины для различных материалов, наиболее часто используемых в конструкциях мощных изделий микроэлектроники: алюмооксидной и алюмонитридной керамик с высоким содержанием окиси алюминия и нитрида алюминия и псевдосплавов молибден-медь и вольфрам-медь. Следует отметить, что уровень теплофизических и прочностных характеристики многочисленных марок выпускаемых промышленностью псевдосплавов молибден-медь (марок МД, содержащих от 15 до 50 вес. % меди) и вольфрам-медь (марок ВД, содержащих от 10 до 30 вес. % меди) определяется не только соотношением компонентов (составом), но и технологией получения композита и, как правило, эти характеристики не нормируются предприятиями изготовителями. Анализ технической информации показал, что разброс значений ТКЛР псевдосплавов с одинаковым содержанием компонентов может достигать 20% и более. Для расчета рассогласования тепловых расширений конструкционных элементов использовали усредненные справочные значения ТКЛР этих материалов для интервалов температур 20-280°С и 20-780°С (Табл. 2).
Проведенные расчеты показывают, что предлагаемый золото-оловянный припой, содержащий от 83 до 85 вес. % золота (остальное - олово), может быть применен вместо припоя Ag72Cu28 в технологическом процессе изготовления мощных изделий микроэлектроники с использованием технология ступенчатой пайки. Его применение позволяет значительно снизить температуру пайки (с -800°С до 500°С) и в большинстве случаев более чем в 3 раза уменьшить величину рассогласований тепловых расширений элементов и термических напряжений в паяном соединении.
Источники информации, принятые во внимание при составлении заявки:
1. В. Сидоров. Корпуса СВЧ-транзисторов на основе полиалмаза и алюмонитридной керамики, ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 4/2007
2. А.И. Ивашко, М.М. Крымко. Металлический корпус для силовых полупроводниковых модулей, Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 4 (247) 2017, с. 61-67
3. Диаграммы состояния двойных металлических систем / под общей редакцией Лякишева Н.П../; т. 1, - М.: Машиностроение, 1996. - 996 с.
Claims (2)
1. Металлокерамический корпус, состоящий из основания в виде паяного соединения конструкционных элементов, а именно: металлического теплоотводящего фланца, изолятора из многослойной алюмооксидной керамики и теплоотвода-кристаллодержателя в виде пластины из алюмонитридной керамики, и припаиваемой к основанию герметизирующей крышки из алюмооксидной керамики, отличающийся тем, что соединение металлического теплоотводящего фланца с изолятором и теплоотводом-кристаллодержателем выполнено припоем золото-олово, содержащим от 83 до 85 вес. % золота, олово - остальное.
2. Металлокерамический корпус по п. 1, отличающийся тем, что металлический теплоотводящий фланец изготовлен из псевдосплава молибден-медь, содержащего от 15 до 50 вес. % меди, или псевдосплава вольфрам-медь, содержащего от 10 до 30 вес .% меди.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019114660U RU192952U1 (ru) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | Металлокерамический корпус |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019114660U RU192952U1 (ru) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | Металлокерамический корпус |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU192952U1 true RU192952U1 (ru) | 2019-10-08 |
Family
ID=68162436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019114660U RU192952U1 (ru) | 2019-05-15 | 2019-05-15 | Металлокерамический корпус |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU192952U1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU198866U1 (ru) * | 2020-03-19 | 2020-07-31 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Силовой полупроводниковый модуль |
RU2740028C1 (ru) * | 2020-03-19 | 2020-12-30 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Корпус беспотенциального силового модуля |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU44876U1 (ru) * | 2004-09-01 | 2005-03-27 | Открытое Акционерное Общество "Особое Конструкторское Бюро "Искра" (Оао "Окб "Искра") | Корпус полупроводникового прибора |
RU86047U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов |
US7605451B2 (en) * | 2006-06-27 | 2009-10-20 | Hvvi Semiconductors, Inc | RF power transistor having an encapsulated chip package |
RU89283U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов |
US20150064848A1 (en) * | 2009-02-02 | 2015-03-05 | Estivation Properties Llc | Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader |
RU2659304C1 (ru) * | 2017-06-14 | 2018-06-29 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы |
-
2019
- 2019-05-15 RU RU2019114660U patent/RU192952U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU44876U1 (ru) * | 2004-09-01 | 2005-03-27 | Открытое Акционерное Общество "Особое Конструкторское Бюро "Искра" (Оао "Окб "Искра") | Корпус полупроводникового прибора |
US7605451B2 (en) * | 2006-06-27 | 2009-10-20 | Hvvi Semiconductors, Inc | RF power transistor having an encapsulated chip package |
RU86047U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-08-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов |
RU89283U1 (ru) * | 2008-04-23 | 2009-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Интелсоб" (ООО "Интелсоб") | Корпус полупроводниковых приборов |
US20150064848A1 (en) * | 2009-02-02 | 2015-03-05 | Estivation Properties Llc | Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader |
RU2659304C1 (ru) * | 2017-06-14 | 2018-06-29 | Российская Федерация, От Имени Которой Выступает Министерство Промышленности И Торговли Российской Федерации | Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU198866U1 (ru) * | 2020-03-19 | 2020-07-31 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Силовой полупроводниковый модуль |
RU2740028C1 (ru) * | 2020-03-19 | 2020-12-30 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Корпус беспотенциального силового модуля |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6646344B1 (en) | Composite material, and manufacturing method and uses of same | |
KR101022583B1 (ko) | 방열재 및 땜납 프리폼 | |
US5792984A (en) | Molded aluminum nitride packages | |
EP1973156A2 (en) | Integrated circuit package with top-side conduction cooling | |
EP1414064A1 (en) | Semiconductor device and package for housing semiconductor chip made of a metal-diamond composite | |
CN111403376B (zh) | 一种集成热电制冷器的气密封装结构及其制备方法 | |
RU192952U1 (ru) | Металлокерамический корпус | |
US5798566A (en) | Ceramic IC package base and ceramic cover | |
JPH06296084A (ja) | 高熱伝導体及びこれを備えた配線基板とこれらの製造方法 | |
TWI484604B (zh) | 金屬熱界面材料以及含該材料的構裝半導體 | |
Zhou et al. | Au/Sn solder alloy and its applications in electronics packaging | |
JP6221590B2 (ja) | 絶縁基板と冷却器の接合構造体、その製造方法、パワー半導体モジュール、及びその製造方法 | |
US20040046247A1 (en) | Hermetic semiconductor package | |
Occhionero et al. | Aluminum silicon carbide (AlSiC) microprocessor lids and heat sinks for integrated thermal management solutions | |
Occhionero et al. | Aluminum silicon carbide (AlSiC) for advanced microelectronic packages | |
JP2000277953A (ja) | セラミックス回路基板 | |
JPH0613494A (ja) | 半導体装置用基板 | |
JPH0272655A (ja) | 実装部品 | |
CN113809016A (zh) | 复合基板 | |
JPH04348062A (ja) | 半導体搭載用放熱基板の製造法と該基板を用いた半導体用パッケージ | |
US5770890A (en) | Using a thermal barrier to provide a hermetic seal surface on aluminum nitride substrate electronic packages | |
JPS59114845A (ja) | 諸特性の改善された容器を用いた半導体装置 | |
JP2004327732A (ja) | セラミック回路基板及び電気回路モジュール | |
Keck et al. | New composite packaging | |
JPH01151252A (ja) | セラミックパッケージとその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200516 |