PL93896B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL93896B1 PL93896B1 PL17474574A PL17474574A PL93896B1 PL 93896 B1 PL93896 B1 PL 93896B1 PL 17474574 A PL17474574 A PL 17474574A PL 17474574 A PL17474574 A PL 17474574A PL 93896 B1 PL93896 B1 PL 93896B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cadmium fluoride
- manganese
- doped
- cadmium
- concentration
- Prior art date
Links
- LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L cadmium fluoride Chemical compound F[Cd]F LVEULQCPJDDSLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L33/26—
-
- H01L33/0037—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku sa elementy elektroluminescen¬
cyjne majace zastosowanie przy wszelkich urzadzeniach
swietlnych pracujacych przy zminimalizowanym poborze
mocy.
Gwaltowny wzrost zapotrzebowania na miniaturowe,
wysokowydajne zródla swiatla przyczynil sie do intensywnego
rozwoju badan pólprzewodnikowych zródel swiatla. Pro¬
dukowane obecnie urzadzenia elektroluminescencyjne oparte
sa przede wszystkim na zwiazkach typu A111 Bv i A11 BVI.
Produkcje ich znamionuje duzy deficyt materialów wyj¬
sciowych (szczególnie galu) i kosztowna ich technologia.
W zwiazku z tym prowadzone sa badania majace na celu
konstrukcje urzadzen elektroluminescencyjnych opartych
na innych materialach pólprzewodnikowych.
Takim materialem, który moze byc uzyty do konstrukcji
elementów elektroluminescencyjnych jest fluorek kadmu.
Wynika to z nastepujacych jego wlasnosci:
1. Obszar przezroczystosci krysztalu (Transmisja^90%)
rozciaga sie od bliskiego nadfioletu (200 mm) do sredniej
podczerwieni (10 000 nm).
2. Istnieje mozliwosc otrzymania przewodzacych krysz¬
talów typu n (S^1Q cm) przez domieszkowanie trójwar¬
tosciowymi metalami.
3. Fluorek kadmu charakteryzuje sie malym wspólczyn¬
nikiem odbicia R 6 %.
4. Istnieje mozliwosc wprowadzenia domieszek o duzej
koncentracji.
. Krysztaly fluorku kadmu otrzymuje sie w stosunkowo
prostym procesie technologicznym (T topnienia 1050°C).
6. Niska cena materialów wyjsciowych pozwala na otrzy¬
mywanie tanich elementów swiecacych o duzej powierz¬
chni.
Znane sa prace dotyczace obserwacji elektrolumines-
cencji w krysztalach fluorku kadmu: (1) J. Lambe, D.K.
Donald, W.C. Vassel, T. Cole —Appl. Phys. Lett. 8, 16
(1966), (2) B.S. Skorobogatov, M.F. Dubovik, W.W.
Azarov, L.B. Kolner — Optika i Spektroskopija 22, 981
(1967), (3) M.F. Dubovik, Ju.B. Petrenko, B.S. Skorobo-
gatov „Spektroskopija kristalow" Wyd. Nauka (ZSRR)
(1970) str. 232, (4) P.P. Yaney, M.A. Bafico — J. Appl.
Phys. Lett. 44, 5029 (1973). We wszystkich przypadkach
centrami swiecacymi byly domieszki ziem rzadkich dostar¬
czajace jednoczesnie elektronów przewodnictwa. Uzyteczna
wydajnosc otrzymano wylacznie przy uzyciu komórki
elektrolitycznej, w której swiecenie otrzymywano na granicy
styku pólprzewodnika z elektrolitem, co zostalo opubliko¬
wane przez autorów (1) J. Lambe, D.K. Donald, W.C.
Vassel, T. Cole — Appl. Phys. Lett. 8, 16 (1966).
Opisane w pozostalych cytowanych powyzej pracach,
swiecenie diod elektroluminescencyjnych typu Schottky^go
cechowala niska wydajnosc wykluczajaca praktyczne zasto¬
sowanie.
Celem wynalazku jest skonstruowanie wysoko wydajnego
elementu elektroluminescencyjnego na fluorku kadmu
pozbawionego opisanych poprzednio niedogodnosci, tzn.
wytworzenie elementu charakteryzujacego sie duza wydaj¬
noscia swiecenia.
Z prac autorów niniejszego opracowania nad fotolumi-
nescencja krysztalów fluorku kadmu domieszkowanych
93 89693 896
manganem (5) J.M. Langer, T. Langer, G.L. Pearson, B.
Kmkowska-Fulde—Phys. Stat. Sol. (A), 25,K61 (1974)
wynikalo ze bardzo efektywnymi centrami luminescencji da¬
jacymi zielone swiecenie sa domieszki manganu. Ze wzgledu
nawysoka opornosckrysztalów fluorku kadmu domieszkowa¬
nych manganem, w celu otrzymania wydajnej elektrolumines-
cencji wykorzystano faktprzewodnictwaelektronowegofluor¬
ku kadmu przy domieszkowaniu go pierwiastkami trój¬
wartosciowymi jak np. ziemie rzadkie, skand, itr, gal lub
ind, dajacymi plytkie poziomy donorowe w tym materiale.
Istota wynalazku jest podwójne domieszkowanie fluorku
kadmu dwoma rodzajami domieszek. Jedna grupe domie¬
szek stanowia jony manganu zapewniajace istnienie centrów
swiecacych, zas druga grupa sa pierwiastki bedace plytkimi
donorami w tym materiale.
Krysztaly fluorku kadmu domieszkowane podwójnie
zarówno manganem jak i jednym z trójwartosciowych
pierwiastków spelniaja podstawowe dwa kryteriamaterialu
elektroluminescencyjnego, tzn. dobre przewodnictwo elek¬
tronowe jak i obecnosc centrów wydajnej rekombinacji
promienistej.
Poniewaz przewodnictwo krysztalów fluorku kadmu ma
charakter monopolarny (elektronowy), elektroluminescencja
zwiazana z manganem moze zachodzic na drodze joniza¬
cji badz ekscytacji zderzeniowej. Znane ze stanu techniki,
uzycie kontaktu metal — pólprzewodnik, zapewniajacego
uzyskanie obszaru silnego pola elektrycznego, niezbednego
do przyspieszania elektronów, nie zapewnia dostatecznej
wydajnosci swiecenia. W celu rozwiazania tej trudnosci
krysztal fluorku kadmu oddzielono od elektrody blokujacej
warstwa izolatora (struktura typu metal — izolator — pól¬
przewodnik). Warstwa ta zapobiega ekstrakcji elektronów
z pólprzewodnika i umozliwia ich akumulacje przy pola¬
ryzacji dodatniej elektrody blokujacej. Przy takiej konstrukcji
element elektroluminescencyjny jest zasilany pradem
przemiennym.
Elementy elektroluminescencyjne o konstrukcji opisanej
powyzej daja silne swiecenie zielone w temperaturze po¬
kojowej z wydajnoscia kwantowa powyzej 10 ~3 i widmo
elektroluminescencji pokrywa sie z widmem fotolumines-
cencji i jego maksimum przypada przy A max^=^520 nm
Stwierdzono, ze uzyteczne parametry pracy osiaga sie
jesli do konstrukcji elementów elektroluminescencyjnych
uzyte sa przewodzace krysztaly fluorku kadmu z koncentracji
elektronów powyzej 1015 cm ~3, domieszkowane manganem
o koncentracji Nj^ zawartej w granicach: 0,1 % mol.
Powierzchnia swiecenia jest ograniczona jedynie mozli¬
wosciami technologicznymi i w konstruowanych przez
autorów elementach siegala 1 cm2. Uzyteczne jasnosci
swiecenia otrzymuje sie przy mocy zasilania ponizej 100
mW/cm2.
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Element elektroluminescencyjny, wytworzony na bazie fluorku kadmu znamienny tym, ze materialem elektro¬ luminescencyjnym sa krysztaly fluorku kadmu podwójnie domieszkowane trójwartosciowymi pierwiastkami i man¬ ganem, o koncentracji elektronów w podwójnie domiesz¬ kowanym krysztale wiekszej od 1015 cm-3 i koncentracji domieszek manganu NMn stanowiacych centra swiecace zawartej w granicach od 0,1 % mol do 5 % mol, przy czym podwójnie domieszkowany krysztal fluorku kadmu jest oddzielony od elektrody metaliczne warstwa izolujaca lub pólizolujaca. ^ZG Z-d 3 zam. 1221-77, ziakl. 120+20 Cena 10 zl
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17474574A PL93896B1 (pl) | 1974-10-10 | 1974-10-10 | |
| SU752176942A SU649344A3 (ru) | 1974-10-10 | 1975-10-01 | Электролюминесцентный элемент |
| DE19752544861 DE2544861A1 (de) | 1974-10-10 | 1975-10-07 | Elektrolumineszenz-element |
| GB4090575A GB1496372A (en) | 1974-10-10 | 1975-10-07 | Electroluminescent device |
| DD18875175A DD122596A5 (pl) | 1974-10-10 | 1975-10-08 | |
| FR7531115A FR2287777A1 (fr) | 1974-10-10 | 1975-10-10 | Element electroluminescent |
| JP50122826A JPS5164888A (en) | 1974-10-10 | 1975-10-11 | Erekutororuminesensusochi |
| US05/947,335 US4194141A (en) | 1974-10-10 | 1978-09-28 | Electroluminescent unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17474574A PL93896B1 (pl) | 1974-10-10 | 1974-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL93896B1 true PL93896B1 (pl) | 1977-06-30 |
Family
ID=19969236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL17474574A PL93896B1 (pl) | 1974-10-10 | 1974-10-10 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5164888A (pl) |
| DD (1) | DD122596A5 (pl) |
| DE (1) | DE2544861A1 (pl) |
| FR (1) | FR2287777A1 (pl) |
| GB (1) | GB1496372A (pl) |
| PL (1) | PL93896B1 (pl) |
| SU (1) | SU649344A3 (pl) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0625359B2 (ja) * | 1984-03-16 | 1994-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | デイスプレイ用長残光螢光体 |
| US4719386A (en) * | 1984-11-24 | 1988-01-12 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Photoconverter and lamp utilizing multi-quantum emission |
| JP2739803B2 (ja) * | 1992-12-25 | 1998-04-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 無機薄膜ｅｌ素子 |
-
1974
- 1974-10-10 PL PL17474574A patent/PL93896B1/pl unknown
-
1975
- 1975-10-01 SU SU752176942A patent/SU649344A3/ru active
- 1975-10-07 DE DE19752544861 patent/DE2544861A1/de active Pending
- 1975-10-07 GB GB4090575A patent/GB1496372A/en not_active Expired
- 1975-10-08 DD DD18875175A patent/DD122596A5/xx unknown
- 1975-10-10 FR FR7531115A patent/FR2287777A1/fr active Granted
- 1975-10-11 JP JP50122826A patent/JPS5164888A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1496372A (en) | 1977-12-30 |
| DD122596A5 (pl) | 1976-10-12 |
| FR2287777B1 (pl) | 1979-04-27 |
| SU649344A3 (ru) | 1979-02-25 |
| FR2287777A1 (fr) | 1976-05-07 |
| JPS5164888A (en) | 1976-06-04 |
| DE2544861A1 (de) | 1976-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Advances in alternating current electroluminescent devices | |
| Benko et al. | Opto-electronic properties of p-and n-type delafossite, CuFeO2 | |
| Karg et al. | Electrical and optical characterization of poly (phenylene-vinylene) light emitting diodes | |
| CN103904178B (zh) | 量子点发光器件 | |
| CN106848076B (zh) | 一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法 | |
| US3849707A (en) | PLANAR GaN ELECTROLUMINESCENT DEVICE | |
| Lu et al. | ZnO-based deep-ultraviolet light-emitting devices | |
| TWI231059B (en) | Light emitting apparatus | |
| JPH1097895A (ja) | 電荷輸送層を有する有機エレクトロルミネセンス素子 | |
| CN101587941A (zh) | 一种有机电致发光显示器件 | |
| Cahen et al. | Ternary Chalcogenide‐Based Photoelectrochemical Cells: IV. Further Characterization of the Polysulfide Systems | |
| He et al. | White stacked OLED with 38 lm/W and 100,000‐hour lifetime at 1000 cd/m2 for display and lighting applications | |
| PL93896B1 (pl) | ||
| US3330983A (en) | Heterojunction electroluminescent devices | |
| Salaneck et al. | Conjugated polymer surfaces and interfaces for light-emitting devices | |
| US3104339A (en) | Electroluminescent device | |
| CN109686826B (zh) | 一种基于Er、Zr共掺杂TiO2薄膜的电致发光器件及其制备方法 | |
| CN110416420B (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
| Shimada et al. | Effect of MgZnO-bilayer/BA-CH3 combination interlayer on emission characteristics of MoO3/F8BT/ZnO hybrid light emitting diodes fabricated on ZnO/Ag/ZnO transparent cathode | |
| Mu et al. | Low driving voltage in an organic light-emitting diode using MoO3/NPB multiple quantum well structure in a hole transport layer | |
| Wenzl et al. | Self-absorption effects in a LEC with low Stokes shift | |
| Woo et al. | Light emitting diodes based on p-phenylene vinylene oligomer | |
| Benvenho et al. | Efficient organic light-emitting diodes with fluorine-doped tin-oxide anode and electrochemically synthesized sulfonated polyaniline as hole transport layer | |
| CN109994650B (zh) | 一种薄膜及其制备方法、应用 | |
| Rao et al. | Enhanced performance of polymer light emitting devices using zinc oxide nanoparticle with poly (vinylcarbazole) |