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KR980006399A - 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법 Download PDF

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Publication number
KR980006399A
KR980006399A KR1019960020048A KR19960020048A KR980006399A KR 980006399 A KR980006399 A KR 980006399A KR 1019960020048 A KR1019960020048 A KR 1019960020048A KR 19960020048 A KR19960020048 A KR 19960020048A KR 980006399 A KR980006399 A KR 980006399A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory device
region
doped region
semiconductor memory
source
Prior art date
Application number
KR1019960020048A
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English (en)
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KR100192584B1 (ko
Inventor
최용배
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960020048A priority Critical patent/KR100192584B1/ko
Priority to US08/862,139 priority patent/US5889705A/en
Priority to JP14746197A priority patent/JPH1065029A/ja
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits

Landscapes

  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야; 밴드 대 밴드 누설전류를 최소한으로 억제하며 플로팅게이트에 저장된 데이터(전자)를 소거하기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법에 관한 것이다.
발명이 해결하려고 하는 기술적 과제: 안정된 소거동작을 보장하기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법을 제공함에 있다.
발명의 해결방법의 요지: 채널을 형성하기 위하여 대칭적으로 분리된 소오스 및 드레인 도핑영역을 가지는 반도체 기판영역과, 상기 채널상의 터널산화막에 의해 이격되어 형성되고 전자를 축적하기 위한 플로팅게이트와, 절연막에 의해 분리되며 상기 플로팅게이트를 제어하기 위한 콘트롤게이트를 가지는 스태틱게이트영역을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 상기 플로팅게이트에 축적된 전자를 소거하기 위한 방법에 있어서, 상기 소오스 도핑영역에 포지티브 바이어스를 제공하고, 상기 콘트롤게이트에는 네가티브 바이어스를 제공하고, 상기 기판영역에는 상기 소오스 도핑영역의 포지티브 바이어스와 동일한 전압을 제공하여 밴드 대 밴드 누설 전류를 억제하기 위함을 요지로 한다.
발명의 중요한 용도 : 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법에 적합하다.

Description

불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 종래 기술의 또 다른 일실시예에 따른 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법을 보인 도면.

Claims (9)

  1. 채널을 형성하기 위하여 대칭적으로 분리된 소오스 및 드레인 도핑영역을 가지는 반도체 기판영역과, 상기 채널상의 터널산화막에 의해 이격되어 형성되고 전자를 축적하기 위한 플로팅게이트와, 절연막에 의해 분리되며 상기 플로팅게이트를 제어하기 위한 콘트롤게이트를 가지는 스태틱게이트영역을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 상기 플로팅게이트에 축적된 전자를 소거하기 위한 방법에 있어서; 상기 소오스 도핑영역에 포지티브 바이어스를 제공하고, 상기 콘트롤게이트에는 네가티브 바이어스를 제공하고, 상기 기판영역에는 상기 소오스 도핑영역의 포지티브 바이어스와 동일한 전압을 제공하여 밴드 대 밴드 누설 전류를 억제하기 위함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 기판영역과 상기 소오스 도핑영역의 포텐샬은 동일함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  3. 제1항에 있어서; 상기 기판영역은 피형 불순물을 가지며, 상기 소오스 및 드레인 도핑영역은 엔형불순물을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  4. 제1항에 있어서; 상기 바이어스는 외부의 단일전원에 의한 승압회로에서 제공되는 고전압레벨임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  5. 제1항에 있어서; 상기 소오스 도핑영역의 불순물 농도는 상기 플로팅게이트와 오버랩하기 위하여 고농도로 이온주입함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  6. 채널과 소오스, 드레인 도핑영역을 가지는 반도체 기판영역과, 상기 채널상에 터널산화막에 의해 이격되어 형성되고 플로팅게이트와 콘트롤게이트로 이루어진 스태틱게이트영역을 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법에 있어서; 포지티브 바이어스를 상기 소오스 도핑영역에 제공하고, 네가티브 바이어스를 상기 콘트롤게이트에는 제공하고, 상기 기판영역에는 상기 소오스 도핑영역의 포지티브 바이어스와 동일한 전압을 제공하여 과다한 소거를 방지하기 위함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  7. 제6항에 있어서; 상기 소오스 도핑영역은 고농도의 불순물이온을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  8. 제6항에 있어서; 상기 채널은 엔형 채널로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
  9. 제6항에 있어서; 상기 반도체 메모리 장치는 주변장치와 격리되어 있고, 단일 전원에 의해 상기 바이어스가 제공됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거방법.
KR1019960020048A 1996-06-05 1996-06-05 불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 방법 KR100192584B1 (ko)

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US5889705A (en) 1999-03-30
JPH1065029A (ja) 1998-03-06
KR100192584B1 (ko) 1999-06-15

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