[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR980005328A - 반사굴절 광학계 - Google Patents

반사굴절 광학계 Download PDF

Info

Publication number
KR980005328A
KR980005328A KR1019970021294A KR19970021294A KR980005328A KR 980005328 A KR980005328 A KR 980005328A KR 1019970021294 A KR1019970021294 A KR 1019970021294A KR 19970021294 A KR19970021294 A KR 19970021294A KR 980005328 A KR980005328 A KR 980005328A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical system
lens group
imaging optical
light
imaging
Prior art date
Application number
KR1019970021294A
Other languages
English (en)
Inventor
야스히로 오무라
Original Assignee
고노 시게오
니콘 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고노 시게오, 니콘 코포레이션 filed Critical 고노 시게오
Publication of KR980005328A publication Critical patent/KR980005328A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • G02B17/0892Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08Catadioptric systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70275Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

상측(傷惻)에 있어 충분히 큰 개구수 및 작동거리를 갖고, 자외선 파장영역에서 쿼터 미크론 단위의 해상도를 갖는 소형 반사굴절 광학계를 제공코자 하는 것으로, 물체면으로부터의 빛에 의거하여 물체면의 중간상을 형성하기 위한 제 1 결상광학계S1과, 상기 중간상으로부터 빛에 의거하여 물체면의 축소상을 형성하기 위한 제 2 결상광학계S2와, 중간상이 형성되는 위치의 근방에 배치되어 상기 제 1 결광학계S1을 거친 빛을 상기 제 2 결상광학계S2를 향해서 편향하기 위한 제 1 광로편향부재M1과를 구비하고 있다. 제 1 결상광학계S1은 요면(凹面)반사경CM을 갖고, 물체면으로부터의 빛은 상기 요면반사경CM에서 반사된 후에, 상기 제 1 결상광학계S1의 광로중에 중간상을 형성하고, 조건식(1) 및 (2)를 만족한다.

Description

반사굴절 광학계
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 있어서 반사굴절 광학계의 렌즈 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.

Claims (7)

  1. 물체면으로부터의 빛에 의거하여 상기 물체면의 중간상을 형성하기 위한 제 1 결상광학계S1과, 상기 중간상으로부터의 빛에 의거하여 상기 물체면의 축소상을 형성하기 위한 제 2 결상광학계S2와, 상기 중간상이 형성되는 위치의 근방에 배치되어 상기 제 1 결상광학계을 거친 빛을 상기 제 1 결상광학계S2를 향해서 편향하기 위한 제 1 광로편향부재M1를 구비하고, 상기 제 1 결상광학계S1은 요면(凹面)반사경CM을 갖고, 상기 물체면으로부터의 빛은 상기 요면반사경CM에서 반사된 후에 , 상기 제 1 결상광학계S1의 광로중에 상기 중간상을 형성하고, 상기 제 1 광로편향부재M1은, 상기 제 1 결상광학계S1의 광로중에 배치된 평면반사경을 가지며, 상기 제 1 결상광학계S1의 결상배율을 β1으로 하고, 상기 제 1 결상광학계S1의 광축과 상기 제 2 결상광학계S2의 광축과의 교점과 상기 물체면과의 사이의 축상거리를 L1으로 하며, 상기 물체면과 상기 요면반사경CM과의 사이의 축상거리를 LM으로 하였을 때.
    0.75 〈 |β1 | 〈 0.95
    0.13 〈 L1 / LM 〈 0.35
    의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 결상광학계S1은, 물체측으로부터 순서대로, 제 1 렌즈군G1과 제 2 렌즈군G2와, 상기 요면반사경CM과를 갖고, 상기 물체면으로부터의 빛은, 상기 제 1 렌즈군G1 및 상기 제 2 렌즈군G2를 거쳐 상기 요면반사경CM에서 반사된 후에, 상기 제 1 렌즈군G1과 상기 제 2 렌즈군G2와의 사이의 광로중에 상기 중간상을 형서하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 렌즈군G2는 적어도 2개의 서로 다른 부굴절력(負屈折力)을 갖는 굴절소자와, 적어도 2개의 서로 다른 정(正)굴절력을 갖는 굴절소자를 가지는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 렌즈군G1은 적오도 세 개의 서로 다른 굴절력을 갖는 굴절소자를 갖는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제 2 결상광학계S2는, 물체측으로부터 순서대로, 전체로서는 정(正)의 굴절력을 갖는 제 3 렌즈군G3과,그 제 3렌즈군을 거친 빛을 편향하기 위한 제 2 광로 편향부재 M2와 및 전체로서 정(正)의 굴절력을 갖는 제 4 렌즈군G4를 가지며, 상기 중간상으로부터의 빛은, 상기 제 3 렌즈군G3, 상기 제 2 광로편향부재M2 및 상기 제 4 렌즈군G4를 거쳐서 상기 물체면의 축소상을 형성하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 반사굴절 광학계를 구성하는 굴절소자는 석영 및 형석중 적어도 어느 한쪽의 광학재료로 형성된 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제 2 렌즈군G2는 적어도 하나의 형석으로 이루어진 정(正) 렌즈를 갖고, 상기 제 2 렌즈군G2중의 형석으로 이루어진 정(正) 렌즈의 굴절력의 총합을øc로 하고, 상기 요면반사경CM의 굴절력을 øm으로 하였을 때.
    0.5 〈 |øc / øm | 〈 1.6
    의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 반사굴절 광학계.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970021294A 1996-06-20 1997-05-28 반사굴절 광학계 KR980005328A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP180013/1996 1996-06-20
JP8180013A JPH1010431A (ja) 1996-06-20 1996-06-20 反射屈折光学系

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR980005328A true KR980005328A (ko) 1998-03-30

Family

ID=16075939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970021294A KR980005328A (ko) 1996-06-20 1997-05-28 반사굴절 광학계

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH1010431A (ko)
KR (1) KR980005328A (ko)
DE (1) DE19726058A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH08179204A (ja) 1994-11-10 1996-07-12 Nikon Corp 投影光学系及び投影露光装置
JP3454390B2 (ja) 1995-01-06 2003-10-06 株式会社ニコン 投影光学系、投影露光装置及び投影露光方法
US6512631B2 (en) * 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
EP1079253A4 (en) 1998-04-07 2004-09-01 Nikon Corp DEVICE AND PROCESS FOR PROJECTION EXPOSURE, AND OPTICAL SYSTEM WITH REFLECTION AND REFRACTION
EP1293832A1 (en) * 1998-06-08 2003-03-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
DE69933973T2 (de) 1998-07-29 2007-06-28 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches optisches system und damit ausgestattete belichtungsvorrichtung
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
WO2002044786A2 (en) * 2000-11-28 2002-06-06 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection system for 157 nm lithography
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
JP4532647B2 (ja) 2000-02-23 2010-08-25 キヤノン株式会社 露光装置
US7301605B2 (en) * 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
DE10127227A1 (de) 2001-05-22 2002-12-05 Zeiss Carl Katadioptrisches Reduktionsobjektiv
US7046459B1 (en) 2001-12-18 2006-05-16 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric reductions lens
US8208198B2 (en) 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151365A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20140138350A (ko) 2004-05-17 2014-12-03 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
DE102005033564A1 (de) * 2005-07-19 2007-02-01 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder eines digitalen Projektionssystems

Also Published As

Publication number Publication date
DE19726058A1 (de) 1998-01-02
JPH1010431A (ja) 1998-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980005328A (ko) 반사굴절 광학계
KR980005325A (ko) 반사굴절 광학계
KR980005330A (ko) 반사굴절 광학계
KR960024506A (ko) 반사굴절 광학계
KR960029910A (ko) 반사굴절 축소 투영 광학계 및 그를 사용하는 노광 장치
US5341186A (en) Active autofocusing type rangefinder optical system
KR980005327A (ko) 반사굴절 축소 광학계
KR960029883A (ko) 뷰파인더광학계
KR100499880B1 (ko) 광학소자, 이것을 가진 주사광학계 및 화상형성장치
KR900002098A (ko) 광주사장치 및 비대칭 비구면 주사렌즈
EP1059550A4 (en) REFRACTION REFLECTION IMAGE FORMING SYSTEM AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS INCLUDING THE OPTICAL SYSTEM
KR960018769A (ko) 투영 광학 시스템 및 투영 노광장치
KR970002390A (ko) 반사광 변조기용 오프셋 줌 렌즈
EP0869383A3 (en) Catadioptric optical system
KR970071147A (ko) 투영 광학계 및 노광 장치
US5052767A (en) Optical beam scanning system
EP0528969A1 (en) Unit magnification optical system with improved reflective reticle
KR960024489A (ko) 반사굴절 광학계
US6069749A (en) Catadioptric reduction optical system
CA2215691A1 (en) Scanning lithography system having double pass wynne-dyson optics
KR970048668A (ko) 사진 렌즈 광학계
JPH04326315A (ja) 投射光学系及びそれを有する光学機器
KR980005331A (ko) 반사굴절 광학계 및 그 조정 방법
KR980005326A (ko) 반사 굴절 광학계
JP2000171741A (ja) 光走査装置

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid