Claims (9)
반응 가스로부터 재료의 화학기상증착에 의해서 반도체 웨이퍼 상에 재료를 증착시키기 위하여 사용된 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법으로서, 상기 배럴형 반응로는 반응 챔버와 상기 반응 챔버를 폐쇄하기 위한 밀봉판을 포함하며, 상기 정화 시스템은 정화 가스의 소오스 및 그와 일정하게 떨어진 위치에 있는 배럴형 반응로와 접속되어 있는 다수의 정화 가스 라인을 구비하여, 상기 반응 가스 및 배럴형 반응로안의 선택된 위치로부터의 다른 가스를 정화하기 위하여 배럴형 반응로에 정화 가스를 배급하는 배럴형 반응로의 정화 시스템의 조정 방법에 있어서, 상기 방법은 정화 가스 라인 안에 있는 정화 가스의 유동율을 모니터링하는 단계와; 배럴형 반응로 안에 있는 상기 위치로 정화 가스 라인을 통과하는 정화 가스를 위한 유동율을 설정하는 단계와; (a) 정화 가스가 배럴형 반응로로 흐르기 시작한 후, 동시에 배럴형 반응로 안의 산소의 존재를 모니터링 하는 제어 단계, 및 (b) 증착된 재료층 안에서 미립자 오염의 존재에 관하여 재료가 증착된 반도체 웨이퍼를 조사하는 제어 단계 중에서 하나 이상을 수행하는 단계와; 배럴형 반응로에서 미립자 오염을 감소하기 위하여 상기 하나 이상의 제어 단계를 기초로하여 하나 이상의 정화 가스 라인 안에서 정화 가스의 유동율을 선택적으로 조절하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법.A method of adjusting a purge system of a barrel reactor used to deposit material on a semiconductor wafer by chemical vapor deposition of a material from a reactant gas, the barrel reactor for closing the reaction chamber and the reaction chamber. A purge system comprising a sealing plate, the purge system having a plurality of purge gas lines connected to a source of purge gas and a barrel reactor in constant distance therefrom, wherein the purge system is selected in the reaction gas and the barrel reactor. A method of adjusting a purge system of a barrel reactor that dispenses purge gas to a barrel reactor to purify other gases from a location, the method comprising: monitoring a flow rate of purge gas in a purge gas line; Setting a flow rate for purge gas passing through the purge gas line to the location in the barrel reactor; (a) a control step of monitoring the presence of oxygen in the barrel reactor after purge gas begins to flow into the barrel reactor, and (b) a semiconductor in which material is deposited with respect to the presence of particulate contamination in the deposited material layer. Performing at least one of a control step of irradiating a wafer; Selectively adjusting the flow rate of purge gas in at least one purge gas line based on the at least one control step to reduce particulate contamination in the barrel reactor. How to adjust.
제1항에 있어서, 제1유동율을 설정하는 상기 단계가 상기 모든 정화 가스 라인 안에서 배럴형 반응로를 향하는 방향으로 정화 가스 유동을 얻도록 정화 가스 유동율을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법.2. The barrel of claim 1 wherein the step of setting a first flow rate comprises adjusting a purge gas flow rate to obtain a purge gas flow in a direction toward the barrel reactor in all the purge gas lines. How to adjust the purification system of the mold reactor.
제1항에 있어서, 상기 정화 가스 라인 안에 유동계를 배치하는 단계와; 정화 가스 라인 안에 조절할 수 있는 유동 레귤레이터를 배치하는 단계를 구비하며, 상기 정화 가스의 유동율을 선택적으로 조절하는 단계는 하나 이상의 조절할 수 있는 유동 레귤레이터를 조절하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법.2. The method of claim 1, further comprising: placing a flow meter in the purge gas line; Arranging an adjustable flow regulator in the purge gas line, wherein selectively adjusting the flow rate of the purge gas further comprises adjusting one or more adjustable flow regulators. How to adjust the purification system of the reactor.
제1항에 있어서, 배럴형 반응로 안에 있는 산소의 존재를 모니터링하는 단계는 상기 반도체 웨이퍼에 재료를 증착하기 위하여 배럴형 반응로를 작동하는 단계와; 반응 생성물을 함유하는 산소의 존재에 관하여 배럴형 반응로를 검색하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법.The method of claim 1, wherein monitoring the presence of oxygen in the barrel reactor comprises: operating a barrel reactor to deposit material onto the semiconductor wafer; Searching for a barrel reactor with respect to the presence of oxygen containing reaction products.
제1항에 있어서, 정화 가스가 배럴형 반응로로 배급되는 상기 위치중의 하나가 밀봉판 주위로 뻗어있는 환형의 밀봉판 정화 홈 안에 존재하며, 상기 방법은 또한 밀봉판 정화 홈 안에 정화 가스를 유지하여 밀봉판 정화 홈의 전체 길이 주위를 움직일 수 있게 하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법.The method of claim 1, wherein one of the locations where the purge gas is distributed to the barrel reactor is in an annular sealed plate purging groove extending around the sealing plate, the method further comprising purifying the gas into the sealing plate purifying groove. Retaining and moving around the entire length of the seal plate purging groove.
제1항에 있어서, 밀봉판 정화 홈 안에 정화 가스를 유지하는 단계는 밀봉판 정화 홈 안에 수용할 수 있는 크기의 환형체를 제공하여, 실제적으로 밀봉판 정화 홈을 폐쇄하고 상기 밀봉판 정화 홈 안으로 상기 환형체를 삽입하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로의 정화 시스템을 조정하는 방법.The method of claim 1, wherein maintaining the purge gas in the seal plate purging groove provides an annulus of a size acceptable within the seal plate purging groove, thereby substantially closing the seal plate purging groove and into the seal plate purging groove. Inserting the annulus; adjusting the purge system of the barrel reactor.
화학기상증착에 의해서 반도체 웨이퍼에 반응 가스로부터 재료를 증착하기 위한 배럴형 반응로에 있어서, 상기 배럴형 반응로는 챔버 안으로 하나 이상의 반도체 웨이퍼를 넣을 수 있는 크기의 상부 개구를 지닌 반응 챔버와; 상기 반응 챔버의 상부 개구를 둘러싸고 있는 가스 링과; 반응 챔버에 반응 가스를 배급하기 위하여 가스 링과 연결되어 있는 반응 가스 배급 수단과; 정화 가스를 밀봉판에 배급하기 위한 다수의 정화 가스 라인과; 주변 환경으로부터 반응 챔버를 밀봉하기 위하여 반응 챔버의 상부개구를 밀봉되게 폐쇄시키기 위해 적용된 밀봉판으로서, 상기 밀봉판은 가스 링과 맞물릴 수 있는 밀봉과, 상기 밀봉판의 중심 주위에 펼쳐져 있으며 가스 링과 정렬되어 있는 환형의 홈을 포함하고 있으며, 정화 가스라인 중 하나가 환형의 홈에 정화 가스를 배급하기 위하여 배치되어져 있는 밀봉판과; 환형의 홈으로 정화 가스를 배급하는 정화 가스 라인이 상기 홈으로 들어가는 위치로부터 전체 홈의 주위로 이동하는 정화 가스를 함유하기 위하여 환형의 홈 안에 수용된 정화 가스 함유 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로.A barrel reactor for depositing material from a reaction gas on a semiconductor wafer by chemical vapor deposition, the barrel reactor comprising: a reaction chamber having an upper opening sized to accommodate one or more semiconductor wafers into the chamber; A gas ring surrounding an upper opening of the reaction chamber; Reactive gas distribution means connected with the gas ring for distributing the reaction gas to the reaction chamber; A plurality of purge gas lines for distributing purge gas to the sealing plate; A sealing plate adapted for sealingly closing the upper opening of the reaction chamber to seal the reaction chamber from the surrounding environment, the sealing plate being sealed around the center of the sealing plate and having a seal that can engage the gas ring; A sealing plate comprising an annular groove aligned with the sealing plate, wherein one of the purification gas lines is disposed to distribute the purification gas to the annular groove; Barrel type characterized in that the purge gas line for distributing purge gas into the annular groove comprises purge gas containing means housed in the annular groove for containing purge gas moving around the entire groove from the position entering the groove. Reactor.
제7항에 있어서, 상기 정화 가스 함유 수단은 일반적으로 U형태의 단면적을 지닌 환형체를 구비하며, 상기 환형체는 밀봉판 안에 환형의 홈에 대응하는 크기를 지닌 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로.8. The barrel reactor according to claim 7, wherein said purge gas-containing means comprises an annular body having a generally U-shaped cross-sectional area, said annular body having a size corresponding to an annular groove in a sealing plate. .
제7항에 있어서, 각각의 정화 가스 라인은 정화 가스의 유동율을 선택적으로 조절하여 배럴형 반응로 안의 산소 존재를 감소시키기 위하여 조절할 수 있는 유동 레귤레이터와 유동계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배럴형 반응로.8. The barrel reaction according to claim 7, wherein each purge gas line comprises a flow regulator and a flow system that are adjustable to selectively adjust the flow rate of the purge gas to reduce the presence of oxygen in the barrel reactor. in.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.