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KR970008369A - 플라즈마 감금을 이용한 플라즈마 에칭 장치 - Google Patents

플라즈마 감금을 이용한 플라즈마 에칭 장치 Download PDF

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KR970008369A
KR970008369A KR1019960020529A KR19960020529A KR970008369A KR 970008369 A KR970008369 A KR 970008369A KR 1019960020529 A KR1019960020529 A KR 1019960020529A KR 19960020529 A KR19960020529 A KR 19960020529A KR 970008369 A KR970008369 A KR 970008369A
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듀앤 디블 로버트
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램 리서치 코오포레이숀
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Abstract

플라즈마 에칭 장치는 링 사이의 슬롯을 형성하도록 이격되고 장치가 동작하는 동안에 플라즈마가 형성되는 장치의 두 전극 사이에 상호작용 공간을 둘러싸도록 배치되는 석영 링의 스택을 포함한다. 슬롯의 크기는 상호작용 공간을 빠져나가는 플라즈마에서 소비된 가스의 충전 입자가 슬롯을 빠져나갈 때 벽과의 충돌에 의해 중화된다. 다른 주파수의 전압원은 서로 각각의 전압원을 격리시키는 형태에서 전극에 전압을 인가하는데 사용된다.

Description

플라즈마 감금을 이용한 플라즈마 에칭 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 플라즈마 에칭 장치의 기본 엘리먼트를 도시한 개략도.

Claims (30)

  1. 가공물을 처리하는데 사용하는 가스매체를 포함하는 하우징 수단과; 무선주파수 에너지가 가스 매체를 이온화하는 전극 사이에 방전을 설정하기 위해 제공될 때 전극 중 하나에 지지되는 가공물을 처리할 수 있는 플라즈마가 발생되는 전극 사이의 상호작용 공간을 규정하는 한쌍의 병렬 전극과; 내부 표면에서 외부 표면까지 감금 어셈블리를 통해 가스가 흐를 수 있게 연장하는 다수의 개별 병렬 통로를 규정하는 감금 어셈블리를 포함하는데, 상기 병렬 통로는 상기 통로를 통해 가스의 흐름의 방향과 수직 방향으로 이격되며, 상기 감금 어셈블리는 전극 사이에 배치되며, 상기 통로는 충전된 입자가 통로를 통해 통과할 때 플라즈마에서 생성 충전되는 입자를 중화시킴으로써 방전을 상호작용 공간내에 방전을 본질적으로 감금시키도록 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 감금 어셈블리는 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 감금 어셈블리는 직원 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 감금 어셈블리를 통해 연장하는 개별 병렬 통로는 방사상 통로인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 감금 어셈블리는 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 적어도 한개의 감금 링을 포함하는데, 상기 적어도 한개의 감금 링은 외주로 분배된 다수의 개별 통로를 규정하기 위해 배치되며, 각각은 링의 상기 상부 표면과 하부 표면 사이에 대체로 링과 평행하게 배치된 개별 평면에 상기 내부 표면에서 상기 외부 표면까지 방사상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 감금 어셈블리는 적어도 3개의 링을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  7. 에칭하는데 사용하는 가스 매체 하우징 수단과; 무선주파수 에너지가 가스 매체를 이온화하는 전극 사이에 방전을 설정하기 위해 제공될 때 전극 중 하나에 지지되는 가공물을 에칭시킬 수 있는 플라즈마가 발생되는 전극사이의 상호작용 공간을 규정하는 한쌍의 병렬 전극과; 방전을 본질적으로 상호작용 공간에 감금하기 위해 상호작용 공간을 빠져나가는 소비된 가스의 출구를 제어하고 충전된 입자를 중화시키는 링 사이의 슬롯을 형성하도록 서로 이격되고 상호작용 공간 주위에 배치되는 적어도 3개의 링의 스택을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  8. 제7항에 있어서, 각 슬롯은 장치가 동작하는 동안에 빠져나간 충전된 입자가 슬롯에서 이동해야 하는 거리가 평균 자유 행정보다 꽤 길게 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  9. 제8항에 있어서, 링이 유전체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  10. 제9항에 있어서, 유전체 물질이 석영인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  11. 제7항에 있어서, 제1 및 제2무선주파수 전압원을 추가로 포함하는데, 제1전압원은 제2전압원보다 더 낮은 주파수를 갖고 임피이던스 정합 회로를 경유하여 가공물을 지지하는 전극에 그리고 로우패스필터를 경유하여 회로의 대지 귀로에 결합되며, 제2전압원은 임피이던스 정합 회로를 경유하여 제2전극에 그리고 하이패스 필터를 경유하여 회로의 대지 귀로에 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
  12. 제11항에 있어서, 제1무선 주파수 전압원은 가스 매체에서 생성되는 이온의 이온 전송 주파수 특성보다 더 나쁜 주파수 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  13. 제11항에 있어서, 제1 및 제2전압원의 주파수 비는 1 내지 10보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  14. 제11항에 있어서, 제1전압원의 주파수는 약 1.5 내지 2.5메가헤르츠의 범위에 있고 제2전압원의 주파수는 약 25 내지 30메가헤르츠의 범위에 있다는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  15. 제14항에 있어서, 제1전압원의 주파수는 약 2.0메가헤르츠이고 제2전압원의 주파수는 약 27.12메가헤르츠인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  16. 제15항에 있어서, 링은 유전체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  17. 제16항에 있어서, 유전체 물질은 석영인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
  18. 에칭에 사용하는 가스 매체 하우징 수단과; 무선주파수 에너지가 이온 전송 주파수에 의해 특징지어지는 이온을 형성하도록 방전을 가스 매체를 이온화하는 전극 사이에 방전을 설정하기 위해 제공될 때 제1전극에 지지되는 가공물을 에칭할 수 있는 플라즈마가 발생되는 전극 사이의 상호작용 공간을 규정하는 한쌍의 병렬전극과; 이온 전송 주파수보다 작은 주파수를 갖는 제1무선주파수 전압원과; 적어도 제1주파수의 10배보다 큰 주파수를 갖는 제2무선주파수 전압원과; 임피이던스 정합 회로를 경유하여 제1전극에, 로우패스 필터를 경유하여 임피이던스 정합 회로의 대지 귀로에 결합되는 제1전압원과; 임피이던스 정합 회로를 경유하여 제2전극에, 하이패스틸터를 경유하여 회로의 대지 귀로에 결합되는 제2무선주파수 전압원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  19. 제18항에 있어서, 제1 및 제2무선주파수 전압원의 주파수는 각각 약 2.0 및 27.12메가헤르츠인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  20. 에칭하는데 사용하는 가스 매체 하우징 수단과; 무선주파수 에너지가 가스 매체를 이온화하는 전극 사이의 상호작용 공간에 방전을 설정하기 위해 제공될 때 전극 중 하나에 지지되는 가공물을 에칭할 수 있는 플라즈마가 발생되는 전극의 상호작용 공간을 규정하는 한쌍의 병렬 전극과; 링 사이에 슬롯을 형성하기 위해 서로 이격되고 상호작용 공간을 둘러싸도록 배치되어, 소비된 가스의 출구를 제어하고 상호작용 공간을 빠져나간 충전된 입자를 중화하여 방전을 본질적으로 상호작용 공간에 감금시키는 적어도 3개의 링의 스택과; 약 1.5 내지 2.5메가헤르츠의 범위에 있는 주파수를 갖는 제1무선주파수 전압원과; 약 25 내지 30메가헤르츠의 범위에 있는 주파수를 갖는 제2무선주파수 전압원과; 임피이던스 정합 회로를 경유하여 제1전극에, 로우패스필터를 경유하여 임피이던스 정합 회로의 대지 귀로에 결합되는 제1전압원과; 임피이던스 정합 회로를 경유하여 제2전극에, 하이패스필터를 경유하여 임피이던스 정합 회로의 대지 귀로에 결합되는 제2무선주파수 전압원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  21. 제20항에 있어서, 각각의 슬롯은 장치가 동작하는 동안에 빠져나간 충전 입자가 평균 자유 행정보다 꽤 길게 조절되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  22. 제21항에 있어서, 제1 및 제2무선주파수 전압원은 각각 약 2.0 및 27.12메가헤르츠인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  23. 제22항에 있어서, 링이 유전체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  24. 제23항에 있어서, 유전체 물질이 석영인 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭장치.
  25. 제20항에 있어서, 링의 스택이 6개의 링을 포함하고 링 사이에 5개의 슬롯과 상부 및 하부 슬롯을 규정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭 장치.
  26. 처리하는데 사용하는 가스 매체를 포함하는 플라즈마 처리 장치의 상호작용 공간내에 방전을 감금시키는 감금 어셈블리에 있어서, 플라즈마 처리 장치내에서 이격된 전극 사이에 증착되고 상기 충전 입자가 상기 잠금 어셈블리의 통로를 통해 통과할 때 가스 매체에 형성되는 무선주파수 유도 방전에 생성되는 충전 입자를 중화시키는데 유용한 상기 감금 어셈블리와; 링의 내부 표면에서 외부 표면까지 감금 어셈블리를 통해 다수의 개별 병렬 통로를 규정하는 감금 어셈블리의 일부를 갖는 직원 실린더를 포함하는데, 그 통로는 통로를 통해 흐르는 가스의 흐름과 수직 방향으로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 감금 어셈블리.
  27. 제26항에 있어서, 실린더는 유전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 감금 어셈블리.
  28. 제26항에 있어서, 감금 어셈블리를 통한 통로가 방사상으로 연장한 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 감금 어셈블리.
  29. 제28항에 있어서, 감금 어셈블리를 상부 표면 및 하부 표면을 갖는 적어도 하나의 감금 링을 포함하는데, 상기 적어도 하나의 감금 링은 링 외주에 분배된 다수의 슬롯을 규정하도록 배치되고 상기 상부 표면과 하부 표면 사이에 표면에 대체로 평행하게 배치되는 평면에 상기 내부 표면에서 상기 외부 표면까지 방사상으로 연장하는 것을 특징으로 하는 감금 어셈블리.
  30. 제29항에 있어서, 적어도 3개의 감금 링을 갖는 것을 특징으로 하는 감금 어셈블리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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