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KR960012321A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 Download PDF

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KR960012321A
KR960012321A KR1019940022553A KR19940022553A KR960012321A KR 960012321 A KR960012321 A KR 960012321A KR 1019940022553 A KR1019940022553 A KR 1019940022553A KR 19940022553 A KR19940022553 A KR 19940022553A KR 960012321 A KR960012321 A KR 960012321A
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oxide film
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것으로, 실리사이드층으로부터 불순물 확산에 의한 게이트 산화막의 특성 열화 및 실리콘 기판과의 계면특성 악화를 방지하기 위해 게이트 산화막을 이중(Dual)구조의 질화 산화막(Nitrided oxide)으로 형성하고 인-시투 PH3도프 비정질-실리콘(In-situ PH3doped Amor phous-si)을 증착하여 폴리실리콘층을 형성한 다음 열처리하고 그 상부에 실리사이드(Silicide)층을 형성하므로써 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체소자의 게이트 전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A내지 제1D도는 본 발명의 제1실시예를 설명하기 위한 소자의 단면도.
제2A내지 제2C도는 본 발명의 제2실시예를 설명하기 위한 소자의 단면도.
＊도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＊
1 : 실리콘 기판,2 : 필드 산화막,
3 : 제1게이트 산화막,3A : 산화막,
4 : 제2게이트 산화막,5 및 15 : 폴리실리콘층,
6 및 16 : 실리사이드층,7 및 7A : 감광막,
13 : 게이트 산화막

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 있어서, 필드 산화막이 형성된 실리콘 기판상에 제1게이트 산화막을 형성한 후, O2를 확산시켜 SiO2/Si 계면에 소정두께의 산화막을 형성하고, 제2게이트 산화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 폴리실리콘층을 형성한 후 불순물 이온을 주입하고 실리사이드층을 형성시키는 단계와상기 단계로부터 소정의 마스크를 사용하여 사진 및 식각공정에 의해 게이트 전극을 패터닝하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트 산화막은 800 내지 900℃온도의 저압화학기상증착 반응로내에서 SiH2Cl2, N2O 및 NH3가스를 소오스 가스로 사용하여 증착된 옥시나이트라이드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 옥시나이트라이드내의 질소 농도는 NH3및 N2O가스 흐름비에 의해 조절되며, 3 내지 10%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2게이트 산화막은 800 내지 950℃온도, N2O가스 및 50 내지 100Torr 의 압력상태에서 인-시투로 형성된 질소가 포함된 산화층인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
  5. 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법에 있어서, 필드 산화막이 형성된 실리콘 기판상에 게이트 산화막을 형성한 후 Si2H6와 N2가 희석된 PH3를 소정비율로 플로우시켜 인-시투 PH3도프 비정질-실리콘을 증착하여 폴리실리콘층을 형성하고 소정온도 및 N2가스 분위기 하에서 열처리 공정을 진행시키는 단계와, 상기 단계로부터 실리사이드층을 형성한 후 소정의 마스크를 사용하여 사진 및 식각공정에 의해 게이트 전극을 패터닝하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 Si2H6및 PH3의 흐름비는 각각 200 내지 300sccm인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 열처리 공정은 800 내지 850℃온도상태에서 1시간 이내로 진행시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100415094B1 (ko) * 1996-11-27 2004-03-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
KR100472855B1 (ko) * 1997-06-23 2005-05-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의다결정실리콘박막제조방법
US11810964B2 (en) 2020-04-07 2023-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor devices including gate spacer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100415094B1 (ko) * 1996-11-27 2004-03-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
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