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KR960011559B1 - Semiconductor integrated circuit with initializing circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit with initializing circuit Download PDF

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KR960011559B1
KR960011559B1 KR1019930023596A KR930023596A KR960011559B1 KR 960011559 B1 KR960011559 B1 KR 960011559B1 KR 1019930023596 A KR1019930023596 A KR 1019930023596A KR 930023596 A KR930023596 A KR 930023596A KR 960011559 B1 KR960011559 B1 KR 960011559B1
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KR
South Korea
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signal
circuit
initialization
power
output signal
Prior art date
Application number
KR1019930023596A
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Korean (ko)
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KR950015378A (en
Inventor
김태윤
Original Assignee
삼성전자 주식회사
김광호
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of KR950015378A publication Critical patent/KR950015378A/en
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    • G11INFORMATION STORAGE
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    • G11C7/20Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory

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Abstract

내용없음.None.

Description

초기화 회로를 내장하는 반도체 집적회로Semiconductor Integrated Circuits with Initialization Circuits

제1도는 본 발명에 의한 초기화 회로의 기능적 블럭도.1 is a functional block diagram of an initialization circuit according to the present invention.

제2도는 제1도에서 칩의 파워-엎시 동작특성을 보여주는 타이밍도.2 is a timing diagram showing a power-up operation characteristic of a chip in FIG.

제3도는 제1도에서 파워-엎회로 2의 실시예를 보여주는 회로도.3 is a circuit diagram showing an embodiment of power-up circuit 2 in FIG.

제4도는 제1도에서 타이머 8의 실시예를 보여주는 회로도.4 is a circuit diagram showing an embodiment of a timer 8 in FIG.

제5도는 제1도에서 카운터 10의 내부구성을 개략적으로 보여주는 도면.5 schematically shows the internal construction of the counter 10 in FIG.

제6도는 제5도의 출력 동작시 그 출력신호의 특성을 보여주는 타이밍도.6 is a timing diagram showing characteristics of an output signal of the output operation of FIG.

제7도는 제5도의 상세회로구성을 보여주는 회로도.7 is a circuit diagram showing the detailed circuit configuration of FIG.

제8도는 ψRAS 신호의 내부경로상에 초기화 회로의 출력신호가 인가되는 회로구성을 보여주는 일실시예.8 is a diagram illustrating a circuit configuration in which an output signal of an initialization circuit is applied on an internal path of a RAS signal.

제9도는 제8도의 출력 동작시 그 출력신호의 특성을 보여주는 타이밍도.9 is a timing diagram showing the characteristics of the output signal in the output operation of FIG.

제10도는 ψRAS 신호의 내부경로상에 초기화 회로의 출력신호가 인가되는 회로구성을 보여주는 다른 실시예.10 is another embodiment showing a circuit configuration in which an output signal of an initialization circuit is applied on an internal path of a RAS signal.

본 발명은 반도체 직접회로에 관한 것으로, 특히 동일칩의 초기화 동작을 시스템(system)에 의존하지 않고 독립적으로 초기화(initialization)동작을 수행하도록 초기화 회로를 내장하는 반도체 집적회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a semiconductor integrated circuit in which an initialization circuit is embedded to perform an initialization operation independently without depending on a system.

반도체 집적회로의 경우에는 시스템에 의한 파워-온(power-on)시의 칩 내부의 모든 회로가 동작가능하게 되도록 미리 예정된 상태로 초기화하게 된다. 따라서 이러한 미리 예정된 상태로 초기화되기 위해서는 칩 내부에 시스템에 의한 입력신호로부터 초기화를 인에이블시키기 위한 수단을 구비하게 된다.In the case of a semiconductor integrated circuit, all the circuits inside the chip during power-on by the system are initialized to a predetermined state so as to be operable. Therefore, in order to be initialized to such a predetermined state, a chip is provided with means for enabling initialization from an input signal by the system.

이와 관련하여 미합중국 특허 4,365,174호는, 칩 내부에 펄스카운터를 구비하여 파워-엎 동작시 입력신호를 카운팅하여 칩을 소망의 상태로 동작가능하게 특정 펄스를 출력하는 기술에 관하여 개시하고 있다. 이러한 기술은 파워-엎시 시스템으로부터 공급되는 전원전압의 전압레벨을 정확하게 검출하여 칩의 파워-엎 동작을 구동하게 된다. 이러한 종래기술에 있어서 초기화 사이클을 필요로 하는 동적쎌(dynamic cell type)구조를 가지는 메모리소자에 있어서 파워엎(power-up)시 소자내에서의 메인클럭래치에 의한 파워-엎 결함이 발생하면, 외부로부터 인가되는 파워 즉, 전원전압 VCC로서 리세트시켜 주어야 소자가 정상 동작을 수행할 수 있게 된다. 즉, 메인클럭래치가 발생하면 파워-리세트를 제외한 어떠한 동작도 일으킬 수 없다. 또한 파워 인가후 소자 내부의 쎌노드는 워밍-엎(warming-up) 사이클로서 초기화시켜 주어야 정상동작을 할 수 있는 문제가 발생한다.In this regard, U.S. Patent No. 4,365,174 discloses a technique in which a pulse counter is provided inside a chip to count an input signal during a power-up operation so as to output a specific pulse to operate the chip in a desired state. This technique accurately detects the voltage level of the power supply voltage supplied from the power-up system to drive the power-up operation of the chip. In a conventional memory device having a dynamic cell type structure requiring an initialization cycle, when a power-up defect occurs due to a main clock in the device during power-up, It is necessary to reset the power applied from the outside as the power supply voltage VCC so that the device can operate normally. In other words, if a main clock occurs, no action except power-reset can occur. In addition, after the power is applied, the internal node of the device needs to be initialized as a warming-up cycle.

따라서, 본 발명의 목적은 초기화 회로를 내장하는 반도체 집접회로를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit incorporating an initialization circuit.

본 발명의 다른 목적은 메인클럭래치가 발생되어도 칩 내부에서 강제적으로 메인클럭을 사이클링시킴에 의해 파워-엎 후 정상동작이 가능하게 이루어지는 반도체 집적회로를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which enables normal operation after power-up by forcibly cycling the main clock inside the chip even when the main clock is generated.

본 발명의 또다른 목적은 시스템에 의해 수행되는 초기화 사이클을 소자내부에서 발생시키는 초기화 회로를 구비하고 이로부터 칩 내부의 쎌노드를 초기화하고 파워-엎시 메인클럭을 강제적으로 사이클링함에 의해 파워-엎 후 항상 정상동작이 이루어지도록 하는 반도체 집적회로를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide an initialization circuit for generating an initialization cycle performed by the system within the device, from which the power-shutdown is performed by initializing the power node inside the chip and forcibly cycling the power-up main clock. The present invention provides a semiconductor integrated circuit that always operates normally.

이러한 본 발명의 목적들을 최적으로 달성하기 위하여 본 발명은, 초기화 사이클을 소자내부에서 클럭의 발생에 의해 사이클링하는 초기화 회로를 내장하는 반도체 집적회로임을 특징으로 한다.In order to achieve the objects of the present invention optimally, the present invention is characterized in that it is a semiconductor integrated circuit containing an initialization circuit for cycling the initialization cycle by the generation of a clock inside the device.

이하 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면의 참조와 함께 상세히 설명될 것이다. 도면들중 동일한 부품들은 가능한한 어느곳에서든지 동일한 부호들을 나타내고 있음을 유의하여야 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the same parts in the figures represent the same reference signs wherever possible.

하기 설명에서 초기화 회로 그리고 초기화 회로를 구성하는 카운터 및 타이머, 그리고 초기화 회로를 입력버퍼에 적용한 실시예 등과 같은 많은 특정 상세들이 본 발명의 보다 전반적인 이해를 제공하기 위해 나타나 있다. 이들 특정 상세들 없이 본 발명이 실시될 수 있다는 것은 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 자명할 것이다.In the following description, numerous specific details are set forth to provide a more general understanding of the invention, such as an initialization circuit, a counter and timer constituting the initialization circuit, and an embodiment in which the initialization circuit is applied to an input buffer. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be practiced without these specific details.

후술되는 용어중에서 초기화 회로라는 용어는 칩의 파워-엎시 내부회로들의 초기화 동작을 주도하며, 동시에 파워-엎 불량시 시스템의 도움없이 자체적으로 초기화 동작을 정상적으로 가져가는 회로로 정의한다.Among the terms to be described below, the term "initialization circuit" is defined as a circuit that drives the initialization operation of the internal power-up circuits of the chip, and at the same time, the initialization operation normally takes place without the help of the system in the event of power-up failure.

본 발명에 의한 초기화 회로의 기능적 블럭구성이 제1도에 도시되어 있다. 제1도의 구성상의 특징은 본 발명에 의한 초기화 회로가, 파워-엎 회로와 카운터 및 타이머로 구성된 것이다. 제1도의 구성을 살펴보면 다음과 같다. 외부에서 공급되는 전원전압의 공급시점으로부터 칩내의 각 회로들의 동작을 인에이블시키기 위한 파워-엎회로 2와, 이 파워-엎회로의 2의 출력신호 ψVCCH를 입력하는 낸드게이트 4와, 이 낸드게이트 4의 출력단에 접속된 인버터 6과, 이 인버터 6의 출력신호 ψTE를 입력하는 타이머 8과, 이 타이머 8로부터 출력되는 초기화 신호 ψINIT와, 이 초기화 신호 ψINIT와 초기화 신호 ψINIT가 인버터 12를 통해 반전된 신호 그리고 ψVCCH와 이 ψVCCH가 인버터 14를 통해 반전된 신호를 각각 입력하여 타이머출력신호를 카운팅하고 출력신호 Qx가 낸드게이트 4의 일입력으로 되는 카운터 10으로 이루어진다.The functional block configuration of the initialization circuit according to the present invention is shown in FIG. The configuration characteristic of FIG. 1 is that the initialization circuit according to the present invention comprises a power-up circuit, a counter and a timer. Looking at the configuration of Figure 1 as follows. A power-supply circuit 2 for enabling the operation of each circuit in the chip from the time of supply of an externally supplied power supply voltage, a NAND gate 4 for inputting the output signal? VCCH of the power-supplement circuit 2, and the NAND gate An inverter 6 connected to the output terminal of 4, a timer 8 for inputting the output signal ψTE of the inverter 6, an initialization signal ψINIT outputted from the timer 8, this initialization signal ψINIT and an initialization signal ψINIT are inverted through the inverter 12. The signal and ψVCCH and ψVCCH are inputted through the inverter 14 respectively to count the timer output signal, and the counter 10 is made up of the output signal Qx serving as one input of the NAND gate 4.

제2도는 제1도의 각 신호들의 타이밍도이다. 제2도의 타이밍도를 참조하여 제1도의 각 신호들의 특성을 살펴보면 다음과 같다. 파워-엎회로 2의 출력신호 ψVCCH는 전원전압 VCC가 일정한 전압레벨에 도달될 시에 액티브(active)로 즉, 하이(high)로 인에이블되는 신호이다. 타이머 8의 출력신호 ψINIT는 전원전압 VCC가 인가된 후 인버터 6의 출력신호 ψTE가 액티브로 되면 일정한 주기로 사이클링(cycling)하는 신호이다. 이때 ψINIT 신호가 사이클링하는 횟수는 카운터 10을 구성하는 단위카운터들의 갯수에 의해 결정되는데, 이를 구체적으로 살펴보면 (2(N-1)-1)회로 되며 여기서 N은 단위카운터들의 갯수이다. 인버터 6의 출력신호인 ψTE는 타이머 8의 인에이블(enable)신호로서 Qx와 ψVCCH가 하이로 되는 동안 액티브되는 신호이다. 카운터 10의 출력신호인 Qx는 초기에는 전원전압 VCC레벨로 유지하고 있다가 ψINIT가 (2(N-1)-1)회로만큼 사이클링한 후 로우(low)로 되어 타이머 8의 동작을 멈추게 하는 신호이다.FIG. 2 is a timing diagram of the signals of FIG. Referring to the timing diagram of FIG. 2, the characteristics of the signals of FIG. 1 are as follows. The output signal? VCCH of the power-supply circuit 2 is a signal that is active, that is, enabled high when the power supply voltage VCC reaches a constant voltage level. The output signal? INIT of the timer 8 is a signal for cycling at a constant cycle when the output signal? TE of the inverter 6 becomes active after the power supply voltage VCC is applied. In this case, the number of times the ψINIT signal cycles is determined by the number of unit counters constituting the counter 10. Specifically, the number of unit counters is (2 (N-1) -1), where N is the number of unit counters. The output signal of the inverter 6,? TE, is an enable signal of the timer 8 and is a signal that is active while Qx and? VCCH become high. Qx, the output signal of the counter 10, is initially maintained at the power supply voltage VCC level, but after the ψINIT cycles by (2 (N-1) -1) circuits, it goes low to stop the operation of the timer 8. to be.

제2도를 참조하여 본 발명에 의한 초기화 회로인 제1도의 동작특성을 살펴보면 다음과 같다. 칩에 전원전압 VCC가 인가되는 시점으로 되는 즉, 칩의 파워-엎시에 파워-엎회로 2의 출력신호 ψVCCH는 전원전압 VCC가 소망의 레벨로 될시에(제2도의 과정 16) 하이로 된다. 이때 카운터 10의 출력신호 Qx는 전원전압 VCC로 초기화되어 있음에 대하여는 전술한 바 있다. 따라서, 낸드게이트 4는 로우출력으로 그리고 인버터 6은 하이출력으로 되어 ψTE는 하이로 인에이블된다(제2도의 과정 18). 이로부터 타이머 8이 구동되어 초기화 신호 ψINIT를 트리거링(triggering)하는 신호로 출력한다(과정 20). 그러면 카운터 10은 초기화 신호 ψINIT의 트리거링 횟수를 카운팅하여 미리 예정된 횟수로 되면 출력신호 Qx를 로우로 출력시킨다(제2도의 과정 22). Qx신호가 로우로 출력되면 낸드게이트 4는 하이출력을 하고, 이로부터 인버터 6의 출력신호 ψTE는 로우로 출력된다(제2도의 과정 24). 로우로 되는 ψTE 신호에 의해 타이머 8의 초기화 신호 ψINIT의 트리거링동작은 멈추게 되고 하이상태를 유지하게 된다(제2도의 과정 26). 본 발명에 의한 초기화 회로인 제1도의 각 구성회로들의 상세회로구성을 살펴보면 후술되는 바와 같다.Referring to FIG. 2, operation characteristics of FIG. 1, which is an initialization circuit according to the present invention, are as follows. When the power supply voltage VCC is applied to the chip, that is, when the power-supply voltage of the chip is output, the output signal ψVCCH of the power-supply circuit 2 becomes high when the power supply voltage VCC becomes the desired level (process 16 in FIG. 2). . In this case, the output signal Qx of the counter 10 is initialized to the power supply voltage VCC. Thus, NAND gate 4 is at low output and inverter 6 is at high output, and ψTE is enabled high (process 18 in FIG. 2). From this, the timer 8 is driven and output as a signal for triggering the initialization signal? INIT (step 20). The counter 10 counts the number of triggers of the initialization signal? INIT and outputs the output signal Qx low when a predetermined number of times is reached (step 22 of FIG. 2). When the Qx signal is output low, the NAND gate 4 outputs high, from which the output signal ψTE of the inverter 6 is output low (process 24 in FIG. 2). The triggering operation of the initialization signal? INIT of the timer 8 is stopped and maintained high by the? Signal of going low (step 26 in FIG. 2). Looking at the detailed circuit configuration of the respective circuits of Figure 1 which is the initialization circuit according to the present invention will be described later.

제3도는 제1도에서 파워-엎회로 2의 실시예를 보여주는 회로도이다. 제2도의 구성은 이 기술분야에 있어서 통상의 구조로서, 저항 28과 캐패시터 32 사이의 RC시정수값에 의거하여 출력노드 30의 출력값을 결정하는 구성이다. 그리고 ψVCCH의 전압레벨은 저항 28 또는 캐패시터 32의 각 크기를 고려하여 칩 설계자 또는 사용자의 의도에 따라 가변되어질 수 있다. 한편 이러한 파워-엎회로는, 본 출원인에 의해 1991년 12월 18일자로 대한민국에 특허출원한 출원번호 91-23343호(발명의 명칭 : 복수개의 동작전압에 대응하는 리프레쉬 타이머)에 개시된 전압레벨디텍터로서의 스타트-업(start-up)회로를 이용하여 실시되어질 수 있다.3 is a circuit diagram showing an embodiment of power-up circuit 2 in FIG. FIG. 2 is a conventional structure in this technical field, in which the output value of the output node 30 is determined based on the RC time constant value between the resistor 28 and the capacitor 32. As shown in FIG. The voltage level of ψVCCH may be varied according to the intention of the chip designer or the user in consideration of the size of the resistor 28 or the capacitor 32. On the other hand, such a power-supply circuit is a voltage level detector disclosed in the application No. 91-23343 (name of the invention: a refresh timer corresponding to a plurality of operating voltages) filed in the Republic of Korea by the applicant of December 18, 1991 It can be implemented using a start-up circuit as.

제4도는 제1도에서 타이머 8의 실시예를 보여주는 회로도이다. 제4도의 구성은 접속노드 64의 전압레벨이 인버터 체인 40, 46, 52의 출력 동작에 의해 그 레벨이 하이에서 로우로 그리고 로우에서 하이로 트리거링하는 것을 이용하여 초기화 신호 ψINIT를 트리거링하는 것을 특징으로 한다. 여기서 인버터 60의 입력신호로 ψTE가 입력되는데, 이 ψTE가 하이로 입력되면 인버터 60이 로우출력하여 엔모오스트랜지스터 62가 비도통(turn-off)하게 되는 바, 접속노드 64의 전압레벨에 대응하여 초기화 신호 ψINIT가 트리거링할 수 있게 된다. 그리고 ψTE가 로우로 인버터 60에 입력되면 인버터 60이 하이출력하여 엔모오스트랜지스터 62가 도통(turn-on)하게 되는 바, 초기화 신호 ψINIT는 하이로 유지된다. 한편 이러한 구성은 이 기술분야에 있어서 공지의 오실레이터(oscillator)를 이용하여 용이하게 실시할 수 있다.4 is a circuit diagram showing an embodiment of the timer 8 in FIG. The configuration of FIG. 4 is characterized by triggering the initialization signal ψINIT by using the voltage level of the connection node 64 triggering the level from high to low and from low to high by the output operation of the inverter chains 40, 46, 52. do. Here, ψTE is input as an input signal of the inverter 60. When this ψTE is input as high, the inverter 60 outputs low and the NMOS transistor 62 is turned off. In response to the voltage level of the connecting node 64, The initialization signal? INIT can be triggered. When ψTE is input low to the inverter 60, the inverter 60 outputs high, and the Enmo MOS transistor 62 is turned on, so the initialization signal ψINIT remains high. On the other hand, such a configuration can be easily implemented using an oscillator known in the art.

제5도는 제1도에서 카운터 10의 내부구성을 즉, 카운터 10을 구성하는 단위카운터들의 접속관계를 개략적으로 보여주고 있다. 제5도의 구성은 단위카운터가 5단으로 실시된 구성을 보여주고 있다. 제5도의 구성에서 ψVCCH는 제1도의 파워-엎회로 2로부터 들어오는 신호이고, ψINIT는 제1도의 타미어 8로부터 들어오는 신호이고, ψINIT는 제1도의 인버터 12로부터 들어오는 신호이다. 그리고 모두 5개로 실시 구성된 단위카운터들인 70, 72, 74, 76, 78은 서로 카운터 스테이지(counter stage)를 형성하고 있다. 제5도에서 단위카운터 78의 출력신호 Qx가 초기에는 하이로 유지하고 있다가 입력신호 ψINIT가 소망의 횟수만큼 사이클링 후 로우로 디세이블되도록 구성됨에 특징이 있다. 즉, 초기화 신호 ψINIT가 사이클링하는 횟수는 단위카운터의 갯수들에 의해 결정된다.FIG. 5 schematically illustrates the internal structure of the counter 10 in FIG. 1, that is, the connection relationship between the unit counters constituting the counter 10. 5 shows a configuration in which the unit counter is implemented in five stages. In the configuration of FIG. 5, ψVCCH is a signal from power-up circuit 2 of FIG. 1, ψINIT is a signal from Tamer 8 of FIG. 1, and ψINIT is a signal from inverter 12 of FIG. In addition, the unit counters 70, 72, 74, 76, and 78, which are all composed of five, form a counter stage. In FIG. 5, the output signal Qx of the unit counter 78 is initially kept high, and then the input signal ψINIT is configured to be disabled after cycling as many times as desired. That is, the number of times the initialization signal? INIT cycles is determined by the number of unit counters.

제6도는 제5도의 출력 동작시 카운터 10을 구성하는 각 단위카운터들의 출력신호들의 특성을 보여주는 타이밍도이다. 제6도에 도시된 바와 같이 초기화 신호 ψINIT의 사이클링에 대응하여 단위카운터 70의 출력신호 Q0가 ψINIT 신호의 클럭주기 보다 2배만큼 분주되어 발생한다. 이 Q0로부터 단위카운터 72의 출력신호 Q1이 또한 Q0신호의 클럭주기보다 2배만큼 분주되어 발생한다. 그리고 이 Q1으로부터 단위카운터 74의 출력신호 Q2가 또한 Q1신호의 클럭주기보다 2배만큼 분주되어 발생하는 것과 같은 방법으로 되는 바, 결과적으로 단위카운터 78의 출력신호 Qx는 단위카운터 76의 출력신호 Q3의 클럭주기보다 2배만큼 분주되어 발생한다. 이 단위카운터 78의 출력신호 Qx의 클럭주기가 소망의 폭으로 된다.FIG. 6 is a timing diagram illustrating characteristics of output signals of each unit counter constituting the counter 10 in the output operation of FIG. 5. As shown in FIG. 6, the output signal Q0 of the unit counter 70 is divided by two times the clock period of the ψINIT signal in response to the cycling of the initialization signal ψINIT. The output signal Q1 of the unit counter 72 is also divided from this Q0 by two times the clock period of the Q0 signal. From this Q1, the output signal Q2 of the unit counter 74 is also divided by two times the clock period of the Q1 signal. As a result, the output signal Qx of the unit counter 78 is the output signal Q3 of the unit counter 76. It is divided by 2 times the clock cycle. The clock period of the output signal Qx of the unit counter 78 becomes the desired width.

제7도는 제5도에서 각 단위카운터의 상세회로구성을 보여주는 회로도이다. 제7도의 구성을 구체적으로 살펴보면 제5도의 단위카운터 72, 74, 76중 하나를 나타내는 것으로, 이 하나를 제외한 다른 2개의 단위카운터들은 제7도의 구성을 가지게 된다. 한편 제5도의 구성에서 단위카운터 70 및 78은 각각 제7도의 구성에서 노아(NOR)게이타 92 및 106을 낸드(NAND)게이트로 치환함에 의해 실현될 수 있다. 이때 카운터 10의 출력으로 되는 Qx를 출력하는 단위카운터 78의 구성에서는 제7도의 출력신호가 생략된다. 한편 이러한 카운터도 전술한 바 있는 91-23343호에 개시된 카운터를 이용하여 용이하게 실시할 수도 있다.FIG. 7 is a circuit diagram showing a detailed circuit configuration of each unit counter in FIG. Looking specifically at the configuration of FIG. 7 shows one of the unit counters 72, 74, and 76 of FIG. 5, except for this one, the other two unit counters have the configuration of FIG. Meanwhile, the unit counters 70 and 78 in the configuration of FIG. 5 can be realized by replacing NOR gates 92 and 106 with NAND gates in the configuration of FIG. In this configuration, the output signal of FIG. Is omitted. On the other hand, such a counter can also be easily implemented by using the counter disclosed in the aforementioned 91-23343.

위에서 설명한 바와 같은 각 상세회로들에 의해 제1도의 초기화 회로를 용이하게 실현할 수 있으며, 이들 각 상세회로의 구성은 신호의 논리 및 회로특성 등을 고려하여 여러 다른 실시가 있을 수 있음은 이 기술분야의 당업자들에게는 주지의 사실일 것이다.Each of the detailed circuits as described above can easily realize the initialization circuit of FIG. 1, and the configuration of each of the detailed circuits can be implemented in various ways in consideration of the logic and circuit characteristics of the signal. It will be well known to those skilled in the art.

제8도는 ψRAS 신호의 내부경로상에 초기화 회로의 출력신호 ψINIT가 인가되는 것으로 이루어진 회로구성 즉, ψRAS 발생회로의 구성을 보여주는 일실시예이다. 제8도의 구성을 살펴보면, 시스템에서 공급되는 로우어드레스스트로우브신호인입력버퍼 112를 통해 내부신호로 정형된 마스터클럭(master)으로서의 ψRAS의 인에이블 및 디세이블이 본 발명에 의한 초기화 회로에 의해 제어 및 구동되도록 구성됨에 특징이 있다.FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a circuit configuration in which an output signal? INIT of an initialization circuit is applied on an inner path of a? RAS signal, that is, a configuration of a? RAS generating circuit. Referring to the configuration of FIG. 8, the low address strobe signal supplied from the system end It is characterized in that the enable and disable of? RAS as a master clock (master) shaped as an internal signal through the input buffer 112 is configured to be controlled and driven by the initialization circuit according to the present invention.

제8도의 구성을 살펴보면,가 입력되는입력버퍼 112와,입력버퍼 112의 출력신호가 공급되는 접속노드 120 사이의 경로상에 형성되고 제1도의 인버터 6의 출력신호 ψTE에 의해 제어되는전송게이트 114와, 상기 접속노드 120에 초기화 신호 ψINIT가 입력되는 경로상에 형성되고 상기 ψTE 신호에 의해 제어되는 ψINIT 전송게이트 118과, 상기 접속노드 120에 입력단자가 접속되어 마스터 클럭 ψRAS를 출력하는 인버터 122로 이루어진다. 여기서전송게이트 114와 ψINIT 전송게이트 118은 각각 신호전송시 원활한 스위칭동작에 의해서 서로 채널을 공유하는 퍼모오스(PMOS)트랜지스터 및 엔모오스(NMOS)트랜지스터로 구성된 공지의 전송게이트(transmission gate)로 실시되었다. 이와 같은 구성상의 특징은, 소망시에 초기화 신호인 ψINIT로써 ψRAS 신호를 직접으로 생성하는 것이 가능함에 있다.Looking at the configuration of Figure 8, Is entered With input buffer 112, The output signal of the input buffer 112 is formed on the path between the connection nodes 120 to which the output signal is supplied and is controlled by the output signal? TE of the inverter 6 of FIG. A transmission gate 114, a ψINIT transmission gate 118 formed on a path through which the initialization signal ψINIT is input to the connection node 120 and controlled by the ψTE signal, and an input terminal connected to the connection node 120 to output a master clock ψRAS; An inverter 122. here The transmission gate 114 and the ψINIT transmission gate 118 are each implemented as a known transmission gate composed of a PMOS transistor and an NMOS transistor that share channels with each other by a smooth switching operation during signal transmission. Such a configuration feature is that it is possible to directly generate a ψRAS signal as ψINIT which is an initialization signal when desired.

제9도는 제8도의 출력 동작시 더 상세하게는 칩의 파워-엎시 메인클럭래치가 발생하는 경우를 포함하여 그 출력신호 ψRAS의 특성을 보여주는 타이밍도이다. 도시된 바와 같이 칩의 파워-엎시에 본 발명에 의한 제1도의 초기화 회로에 의해 ψTE 및 ψINIT가 생성되어 제8도의 회로로 입력되면, 만일 메인클럭래치가 발생하여도 이에 상관없이 ψRAS 신호는 자동적으로 생성된다. 즉 ψTE 신호가 하이로 발생하면 제1도의 타이머 8이 구동되어 ψINIT 신호가 사이클링되어 제8도로 입력된다. 이때 ψINIT 전송게이트 118은 도통하게 되고, 이 도통된 경로에 따라 ψINIT 신호가 접속노드 120으로 입력된다. 그러면 이 접속노드 120에 입력단자가 접속된 인버터 122를 통해 ψINIT 신호의 사이클링 입력에 대응하여 ψRAS 신호의 사이클링 동작이 인에이블된다. 여기서 명확하게 나타나듯이 종래에는 예컨대 메인클럭래치가 발생하는 경우, 외부 시스템에 의존하여 강제적으로 파워 리세트동작을 수행하여야만 칩의 초기화 동작이 이루어지던 것에 비하여 본 발명에서는 외부 시스템에 대한 의존없이 칩 내부에서 독립적으로 칩의 초기화 동작이 이루어질 수 있는 것이다. 즉, ψINIT 신호에 동기된 ψRAS 신호의 발생에 의해 칩의 초기화 동작이 소망대로 달성된다. 한편 제9도에 도시된 타이밍과정대로 칩이 초기화되고 난 후부터는 ψTE 신호의 디세이블에 의해 ψINIT 신호의 접속노드 120으로의 입력이 차단되고 ψRAS 신호는가 입력버퍼 112의 출력신호에 동기되어 동작함은 주지의 사실이다.FIG. 9 is a timing diagram showing the characteristics of the output signal ψRAS including the case where the power-sleep main clock of the chip is generated in detail in the output operation of FIG. 8. As shown, when ψTE and ψINIT are generated and input to the circuit of FIG. 8 by the initialization circuit of FIG. 1 according to the present invention at the time of power-up of the chip, the ψRAS signal is automatically generated regardless of the occurrence of the main clock. Is generated. That is, when the ψTE signal is generated high, the timer 8 of FIG. 1 is driven so that the ψINIT signal is cycled and input to the eighth degree. At this time, the ψINIT transmission gate 118 becomes conductive, and the ψINIT signal is input to the connection node 120 according to the conductive path. Then, the cycling operation of the ψRAS signal is enabled in response to the cycling input of the ψINIT signal through the inverter 122 having an input terminal connected to the connection node 120. As is apparent from the prior art, for example, when a main clock occurs, a power reset operation must be forcibly performed depending on an external system, whereas in the present invention, the chip is initialized without relying on an external system. Independently, the initialization operation of the chip can be performed. That is, the initialization operation of the chip is achieved as desired by the generation of the ψRAS signal synchronized with the ψINIT signal. On the other hand, after the chip is initialized according to the timing process shown in FIG. 9, input of the ψINIT signal to the connection node 120 is blocked by disabling the ψTE signal and the ψRAS signal is It is a well known fact that the synchronous operation operates in synchronization with the output signal of the input buffer 112.

제10도는 ψRAS 신호의 내부경로상에 초기화 회로의 출력신호가 인가되는 회로구성 즉, ψRAS 발생회로의 다른 실시예를 보여주는 회로도이다. 제10도의 구성은 다음과 같다. 즉,가 입력되는입력버퍼 112와,입력버퍼 112의 출력신호가 공급되는 접속노드 134 사이의 경로상에 형성되고 제1도의 인버터 6의 출력신호 ψTE에 의해 제어되는전송게이트 126과, 상기 ψTE 신호 및 초기화 신호 ψINIT를 입력하는 낸드게이트 128과, 이 낸드게이트 128의 출력신호에 의해 제어되고 상기 접속노드 134에 전원전압 VCC를 풀엎하는 피모오스트랜지스터 132와, ψINIT가 인버터 130에 의해 반전된 신호에 의해 제어되고 상기 접속노드 134의 전압을 풀다운하는 엔모오스트랜지스터 136과, 상기 접속노드 134에 입력단자가 접속되어 마스터클럭 ψRAS를 출력하는 인버터 138로 이루어진다. 제10도의 구성상의 특징을 살펴보면, 제8도에서는 ψRAS 신호를 직접 초기화 신호 ψINIT에 의해 생성하던 것에 비해 제10도에서는 ψRAS 신호의 생성을 ψINIT 및 ψTE에 의해 간접으로 생성되는 것이다. 즉, 제10도에서는 ψRAS 신호가 피모오스트랜지스터 132 및 엔모오스트랜지스터 136이 직접으로 생성하는 것이다. 이때 제10도의 동작특성은 제8도의 그것과 동일하게 이루어지며, 그 타이밍특성도 제9도에 도시된 타이밍과정과 동일하게 된다.FIG. 10 is a circuit diagram illustrating another embodiment of a circuit configuration in which an output signal of an initialization circuit is applied on an inner path of the RAS signal, that is, a RAS generation circuit. The configuration of FIG. 10 is as follows. In other words, Is entered With input buffer 112, The output signal of the input buffer 112 is formed on the path between the connection nodes 134 to which the output signal is supplied and is controlled by the output signal? TE of the inverter 6 in FIG. A transmission gate 126, a NAND gate 128 for inputting the ψTE signal and an initialization signal ψINIT, a PIMO transistor 132 controlled by an output signal of the NANDgate 128 and pulling down a power supply voltage VCC to the connection node 134, and ψINIT An MOS transistor 136 which is controlled by the signal inverted by the inverter 130 and pulls down the voltage of the connection node 134, and an inverter 138 which is connected to the connection node 134 with an input terminal and outputs a master clock? RAS. Referring to FIG. 10, in FIG. 8, in FIG. 10, the generation of the ψRAS signal is indirectly generated by ψINIT and ψTE, whereas in FIG. That is, in FIG. 10, the ψRAS signal is directly generated by the PIO transistor 132 and the ENMO transistor 136. At this time, the operation characteristic of FIG. 10 is made the same as that of FIG. 8, and the timing characteristic is also the same as the timing process shown in FIG.

제8도 및 제10도에 도시된 ψRAS 발생회로는 단지입력버퍼의 출력경로상에 본 발명에 의한 초기화 회로의 출력신호를 인가하도록 하기 위하여 구성된 실시예들로서 이들의 각 구성은 각 칩의 디바이스특성에 따라 다양한 변형이 있을 수 있음은 자명한 사실이다.The ψRAS generating circuits shown in FIGS. 8 and 10 are merely As embodiments configured to apply the output signal of the initialization circuit according to the present invention on the output path of the input buffer, it is obvious that each of these configurations may have various modifications according to the device characteristics of each chip.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 반도체 집적회로는 동일칩상에 초기화로 회로를 내장함에 의해 칩의 초기화 동작을 외부 시스템의 도움없이 독립적으로 수행할 수 있음에 의해, 메인클럭래치와 같은 악현상이 발생되어도 이에 무관하게 칩의 초기화를 실현할 수 있게 된다. 또한 칩의 사용자의 입장에서 보면 칩의 초기화를 위해 시스템으로 동작시키는 것과 같은 노력이 제거되는 효과도 있다.As described above, in the semiconductor integrated circuit according to the present invention, since the initialization operation of the chip can be independently performed without the help of an external system by incorporating the circuit into the initialization on the same chip, a bad phenomenon such as a main clock occurs. Even if it is, the initialization of the chip can be realized. In addition, from the point of view of the chip user, efforts such as operating a system for chip initialization are eliminated.

Claims (2)

반도체 집적회로에 있어서, 시스템에서 공급되는 전원전압의 공급시점으로부터 칩내의 각 회로들의 동작을 인에이블시키기 위한 파워-엎회로와, 초기화 신호와 상기 파워-엎회로의 출력신호를 각각 입력하고 상기 초기화 신호를 카운팅하는 카운터와, 상기 파워-엎회로와 카운터의 출력신호를 조합하는 논리회로와, 상기 논리회로의 출력신호에 대응하여 상기 초기화 신호를 출력하는 타이머를 구비하여, 초기화 동작시 메인클럭래치가 되어도 상기 초기화 신호를 시스템과 무관하게 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.A semiconductor integrated circuit comprising: a power-supply circuit for enabling the operation of circuits in a chip from a supply point of a power supply voltage supplied from a system, and inputting an initialization signal and an output signal of the power-supply circuit, respectively; A counter for counting signals, a logic circuit for combining the power-supply circuit and an output signal of the counter, and a timer for outputting the initialization signal in response to the output signal of the logic circuit, the main clock in the initialization operation. Wherein the initialization signal is generated regardless of the system. 제1항에 있어서, 상기 논리회로는 상기 파워-엎회로와 카운터의 출력신호를 조합하는 낸드게이트와, 상기 낸드게이트의 출력단에 접속된 인버터로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 집적회로.The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the logic circuit comprises a NAND gate combining the power-supply circuit and an output signal of a counter, and an inverter connected to an output terminal of the NAND gate.
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