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KR960011416B1 - High freq. band pass filter - Google Patents

High freq. band pass filter Download PDF

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KR960011416B1
KR960011416B1 KR1019890013160A KR890013160A KR960011416B1 KR 960011416 B1 KR960011416 B1 KR 960011416B1 KR 1019890013160 A KR1019890013160 A KR 1019890013160A KR 890013160 A KR890013160 A KR 890013160A KR 960011416 B1 KR960011416 B1 KR 960011416B1
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bandpass filter
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filter
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김종해
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삼성전자 주식회사
김광호
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

The filter for providing an RF(Radio Frequency) band filter by using distribution capacity of a dielectric substrate as a capacitor(C) and a hidden line as an inductor(L), includes an auxiliary substrate implementing coupling points for a ground, the 1st distributed parameter device located vertically on the auxiliary substrate to implement a desired impedance and a high Q and a fixed C for the filter, the 2nd distributed parameter device located horizontally on the auxiliary substrate, an inductor linked to the 2nd device to improve the inner Q, a shield linked to the 1st device to separate an input/output to adjust the final inductance.

Description

유전체 기판의 분포용량을 이용한 고주파 대역여파기High Frequency Bandpass Filter Using Distribution Capacitance of Dielectric Substrate

제1도는 기존의 세라믹 대역여파기의 분해도.1 is an exploded view of a conventional ceramic bandpass filter.

제2도는 제1도의 세라믹 공진기 절개단면도.2 is a cutaway cross-sectional view of the ceramic resonator of FIG.

제3도는 일반적인 대역여파기.3 is a general bandpass filter.

제4도는 기존의 세라믹 대역여파기의 일부분에 대한 전기적인 등가회로도.4 is an electrical equivalent circuit diagram of a portion of a conventional ceramic bandpass filter.

제5도는 본 발명에서 제작된 대역여파기의 부품도.5 is a component diagram of the bandpass filter produced in the present invention.

제6도는 차폐캐이스가 부착되지 않은 대역여파기와 전기적인 등가회로도.6 is an electrical equivalent circuit of a bandpass filter to which a shielding casing is not attached.

제7도는 주파수측대 신호크기로 표시된 병렬 공진회로의 전달특성도.7 is a diagram illustrating transfer characteristics of a parallel resonant circuit expressed in frequency side signal size.

제8도는 기존 세라믹 공진기를 이용한 자동차무선전화기용 송신 대역여파기의 입출력에 대한 전달특성[(a)S12, (b)S21]도.8 is a diagram illustrating transmission characteristics for input and output of a transmission bandpass filter for an automobile wireless telephone using an existing ceramic resonator [(a) S12, (b) S21].

제9도는 기존 세라믹 공진기를 이용한 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 입펄 임피던스 특성(S11)도.9 is an input pulse impedance characteristic (S11) of a transmission bandpass filter for an automobile radiotelephone using a conventional ceramic resonator.

제10도는 기존 세라믹 공진기를 이용한 자동차 무선 전화기용 송신 대역여파기의 출력 임피던스 특성(S21)도.10 is an output impedance characteristic (S21) of a transmission bandpass filter for an automobile wireless telephone using a conventional ceramic resonator.

제11도는 본 발명에서 제작된 자동차 무선 전화기용 송신 대역여파기의 입출력에 대한 전달특성[(a)S12, (b)S21)]도.11 is a diagram showing transmission characteristics of input / output of a transmission bandpass filter for an automobile wireless telephone manufactured in the present invention ((a) S12, (b) S21).

제12도는 본 발명에서 제작된 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 입력 임피던스 특성(S11)도.12 is an input impedance characteristic (S11) of the transmission bandpass filter for automobile radiotelephone manufactured in the present invention.

제13도는 본 발명에서 제작된 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 출력 임피더스 특성(S22)도.13 is an output impedance characteristic (S22) of the transmission bandpass filter for automobile radiotelephone produced in the present invention.

본 발명은 고주파(Radio Frequency:이하 RF라 칭함) 대역여파기 제작에 관한 것으로써, 특히 유전체 기판의 분포용량을 이용한 캐패시터(Capacitor: 이하 C라 칭함)와 은선을 이용한 인덕턴스(Inductance:이하 L이라 칭함)에 의해 RF 대역여파기능을 갖는 고주파 대역여파기에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of high frequency (hereinafter referred to as RF) bandpass filters, and in particular, a capacitor using a distribution capacity of a dielectric substrate (hereinafter referred to as C) and an inductance using silver lines (hereinafter referred to as L). The present invention relates to a high frequency band filter having an RF band filtering function.

종래의 고주파 대역여파기는 제1도에서 보여주듯 3개의 세라믹 공진기(5)와 전극(54), 유전체(53), 차폐케이스 및 접지면(55)으로 구성되어 있다. 또한 제1도에서 세라믹 공지기는 외부면적(56)과 내부면적(57)이 도전체로 되어 있다.The conventional high frequency bandpass filter is composed of three ceramic resonators 5, an electrode 54, a dielectric 53, a shield case, and a ground plane 55, as shown in FIG. In addition, in FIG. 1, the ceramic well has an outer area 56 and an inner area 57 as conductors.

제2도는 제1도의 세라믹 공진기의 절개단면도를 보여준다.2 shows a cutaway cross-sectional view of the ceramic resonator of FIG.

제3도는 도시된 일반적인 대역여파기 회로를 구성하기 위해서, 종래 기술에서 사용된 세라믹 공진기는 그 자체가 면적에 따라서 고유한 공진점을 갖는다.3 shows that the ceramic resonator used in the prior art has its own resonance point according to the area in order to constitute the general bandpass circuit shown.

제1도를 보면 전극(54)와 유전체(53) 그리고 두 개의 세라믹 공진기(50,51)들이 결합된 종래의 대역여파기 일부만이 표시된 것이다. 제4도면에서 전극(54), 유전체(53)와 세라믹 공진기의 내부년(53)이 연결되어 제4도의 캐패시터(80)를 나타내며 이 캐피시터는 대역여파기의 입출력 특성 임피던스에 영향을 준다.1 shows only a portion of a conventional bandpass filter in which an electrode 54, a dielectric 53, and two ceramic resonators 50 and 51 are combined. In FIG. 4, the electrode 54, the dielectric 53, and the internal year 53 of the ceramic resonator are connected to represent the capacitor 80 of FIG. 4. The capacitor affects the input / output characteristic impedance of the bandpass filter.

제1도의 종래 대역여파기는 제3도의 전기적인 등가회로를 가지므로 전기적인 동작은 제3도에 의거하여 동작된다.Since the conventional bandpass filter of FIG. 1 has the electrical equivalent circuit of FIG. 3, the electrical operation is operated according to FIG.

상기한 바와 같이 종래 대역여파기는 세라믹(Ceramic) 공진기를 이용하여 L과 C의 병렬 공진회로를 구성하였으나, 하나의 세라믹 유전체에 여러개의 공진기를 구성한 결과 대역여파기의 통과 대역을 결정하는 병렬 공진회로들의 개별적인 조정이 어렵고, 제작하고자 하는 주파수에 따라서 세라믹 공진기의 크기가 변화되는 관계로 해당되는 주파수에서 대역여파기의 외형크기가 결정된다. 또한 세라믹 유전체의 매질이 무겁고 단단하여 조정방법에 있어서 미세 조정하기가 어려운 문제점이 있었다As described above, the bandpass filter uses a ceramic resonator to configure parallel resonant circuits of L and C. However, as a result of configuring several resonators in one ceramic dielectric, the parallel resonant circuits determine the pass band of the bandpass filter. Since the individual adjustment is difficult and the size of the ceramic resonator is changed according to the frequency to be manufactured, the external filter size is determined at the corresponding frequency. In addition, since the medium of the ceramic dielectric material is heavy and hard, it is difficult to finely adjust the adjustment method.

즉, 종래의 RF 송수신기에 사용되고 있는 기존의 세라믹 여파기들은 송수신기를 제작하는데 있어서 반드시 사용되는 중요 부품으로써 송수신기 제작시 고가의 부품으로 책정된다. 또한 세라믹 여파기는 무겁고 외형크기가 커서 휴대용 RF 송수신기에는 적합성이 떨어진다.In other words, the conventional ceramic filters used in the conventional RF transceiver is an important component that is necessarily used in manufacturing the transceiver, and is determined as an expensive component when manufacturing the transceiver. Ceramic filters are also heavy and large in size, making them less suitable for portable RF transceivers.

따라서 본 발명의 목적은 유전체 기판의 분포용량을 이용한 캐패시터(C)와 은선을 이용한 인덕턴스(L)을 사용하여 간단하게 구성할 수 있는 RF 대역 여파기를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an RF bandpass filter which can be simply configured using a capacitor C using a distribution capacity of a dielectric substrate and an inductance L using a hidden line.

이하 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제5도는 본 발명에서 제작된 대역여파기로서, 제3도의 회로를 정해진 주파수 대역에 맞도록 설계하기 위해서는 L과 C의 공진특성을 변화시킨다. 또한 공진회로 특성은 L과 C 둘다의 Q에 영향을 받는다. RF 대역여파기 압출력의 정해진 임피던스를 쉽게 구현하고 높은 Q와 일율적인 C값을 실현하기 위해서 알루미나기판의 분포정수를 이용하였다. L은 자체 Q값을 향상시키기 위해서 은선을 사용하였으며 선간의 접촉을 막기 위해서 은선을 피복하여 사용하였다. FF 대역여파기의 구성은 제6도에서 도시한 바와 같이 수직 C기판(33, 34)와 수평 C 조합기판(35)와 보조기판(40) 및 L과 차폐 케이스(42)로 되어 있다. 수직 C기판(33, 34)는 제3도의 C(10, 11, 13, 15, 16)를 알루미나 기판의 분포정수를 이용하여 실현화한 것이다. 또한 제5도의 L((31, 32, 36, 37, 38)는 제3도의 L(21, 22, 23, 24, 25)을 실현화한 것이다.5 is a band filter manufactured in the present invention. In order to design the circuit of FIG. 3 to fit a predetermined frequency band, the resonance characteristics of L and C are changed. The resonant circuit characteristics are also affected by the Q of both L and C. The distribution constant of the alumina substrate was used to easily realize the defined impedance of the RF bandpass extrusion force and to realize high Q and uniform C values. L used a hidden line to improve its Q value and covered with a hidden line to prevent contact between the lines. As shown in FIG. 6, the FF bandpass filter includes a vertical C substrate 33, 34, a horizontal C combination substrate 35, an auxiliary substrate 40, an L, and a shield case 42. The vertical C substrates 33 and 34 realize C (10, 11, 13, 15, 16) in FIG. 3 using the distribution constants of the alumina substrate. In addition, L ((31, 32, 36, 37, 38) of FIG. 5 implements L (21, 22, 23, 24, 25) of FIG.

보조기판(40)은 제3도에 도시된 L과 C공진회로의 결합됨을 실현시키기 위한 기판으로서 L과 C의 병렬 공진 회로를 구성시 보조기판(40)상의 접지면에서 구성된다. 또한 제3도의 L(22)과 C(12) 및 L(24)와 C(14)의 병렬 공진회로는 수직 C기판(33, 34)가 수평 C조합기파나 위에서 수직방향으로 연결되므로 대역여파기의 폭을 줄일 수 있다.The auxiliary substrate 40 is a substrate for realizing the combination of the L and C resonant circuits shown in FIG. In addition, in the parallel resonant circuit of L (22) and C (12) and L (24) and C (14) of FIG. 3, since the vertical C substrates 33 and 34 are connected in the vertical direction above the horizontal C combination wave, The width can be reduced.

제5도의 보조기판 뒷부분은 3부분의 접지면과 입출력단자(204, 205)로 구성되는데 접지면을 3부분으로 분리한 이유는 제3도의 공진회로(101~103)의 공진특성은 대역여파기의 통과대역을 결정해 주는 요소들이므로 개별적으로 정확한 공진점을 갖도록 조정하기 위함이다.The rear part of the auxiliary substrate of FIG. 5 is composed of three parts of the ground plane and the input / output terminals 204 and 205. The reason for separating the ground plane into three parts is that the resonance characteristics of the resonant circuits 101 to 103 of FIG. These factors are used to determine the passband so that they can be adjusted to have an accurate resonance point.

제3도의 공진회로(101~103)의 공진특성은 대역여파기의 통과대역을 결정해 주는 요소들이므로 개별적으로 정확한 공진점을 갖도록 조정해 주어야 한다.Since the resonance characteristics of the resonant circuits 101 to 103 of FIG. 3 are factors that determine the pass band of the bandpass filter, they should be individually adjusted to have an accurate resonance point.

제5도의 차폐 케이스(42)는 기구적으로 몇가지 특성을 갖고 있다. 차폐케이스의 접지단자(206, 207)는 제5도의 보조기판 뒷면의 접지면과 연결되어 공통접지가 되며, FF부품에서 필요로 하고 있는 접지단자 문제를 해결한다. 또한 차폐케이스(42)의 절단부분(208, 209)는 보조기판 뒷면(41)의 입출력단자(204,205)를 차폐케이스와 분리하게 위함이다. 차폐케이스(43)의 윗면의 절단부분(201, 214)은 대역여파기를 제작한 후 특성변화를 고려하여 최종적으로 L(21~25)의 값을 조정 가능하도록 하기 위함이다.The shielding case 42 of FIG. 5 has several characteristics mechanically. The ground terminals 206 and 207 of the shielding case are connected to the ground surface of the back side of the auxiliary substrate of FIG. 5 to become a common ground, and solve the problem of the ground terminal required by the FF component. In addition, the cut portions 208 and 209 of the shielding case 42 are intended to separate the input and output terminals 204 and 205 of the rear surface of the auxiliary substrate 41 from the shielding case. The cut portions 201 and 214 of the upper surface of the shield case 43 are intended to be able to finally adjust the values of L (21 to 25) in consideration of the characteristic change after fabricating the bandpass filter.

본 발명에서 개발된 FF 대역여파기를 제작하기 위해서는 보조기판(40)위에 수평 C 조합기판(35)을 부착한 후 수평조합기판(25)위에 수직 C(33, 34)를 수직으로 부착하고 수평 C 조합기판 C는 (215)에 L(31)로 연결하고 C(216)와 C(217)에 L(32)로 연결한다. 또한 수평 C조합기판의 C(215~217)와 보조기판의 분리 접지면(301~303)에 L(36~38)로 연결된 대역여파기 형태를 갖는다.In order to manufacture the FF bandpass filter developed in the present invention, after attaching the horizontal C combination substrate 35 on the auxiliary substrate 40, the vertical C (33, 34) is attached vertically on the horizontal combination substrate 25 and horizontal C The combination substrate C is connected to the 215 by L (31) and the C (216) and C (217) by L (32). In addition, it has a form of a band filter connected to the C (215 ~ 217) of the horizontal C combination substrate and the L (36 ~ 38) to the separate ground plane (301 ~ 303) of the auxiliary substrate.

제5도의 차폐케이스가 부착되지 않은 대역여파기의 등가회로에서 보면 제6도와 같다.The equivalent circuit of the bandpass filter without the shielding case of FIG. 5 is shown in FIG.

제3도의 기본회로중 접지면이 3부분으로 분리되었으므로 개별적인 L과 C의 병렬 공진특성을 측정하기 쉽다. L와 C의 병렬 공진회로는 진점에서 임피던스가 무한대가 되므로 주파수에 대한 전달특성을 보면 제7도와 같이 공진점에 해당되는 주파수에서 최저값을 나타낸다. 이 특성을 이용하여 해당되는 공진점으로 공진회로를 조정하기 위해서는 C가 고정된 상태에서 L을 가변하여 조정한다. L은 피복된 은선을 감아서 제작한 것으로써 선 간격을 좁히면 L값이 커지고 선간격을 넓히면 L값이 감소하는 방법을 이용한다.Since the ground plane is separated into three parts of the basic circuit of FIG. 3, it is easy to measure the parallel resonance characteristics of individual L and C. Since the parallel resonance circuit of L and C has infinite impedance at the true point, the transmission characteristic with respect to the frequency shows the lowest value at the frequency corresponding to the resonance point as shown in FIG. In order to adjust the resonant circuit to the corresponding resonance point by using this characteristic, L is adjusted by adjusting C in a fixed state. L is manufactured by winding coated silver wire. When the line spacing is narrowed, the value of L increases, and when the line spacing is widened, the value of L decreases.

제3도의 L과 C의 공진회로(104, 105)는 대역여파기는 차단특성을 결정한 요소로서 보조기판(40)와 차폐케이스(42)가 공통접지가 된 후 L(31-32)를 조절하여 특성에 맞는 FF 대역여파기를 제작한다.The resonant circuits 104 and 105 of L and C of FIG. 3 adjust the L (31-32) after the auxiliary substrate 40 and the shielding case 42 become a common ground as the band filter is an element that determines the blocking characteristic. FF band filter suitable for the characteristics is manufactured.

제8도는 기존 세라믹 공진기를 이용한 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 입출력에 대한 전달특성[(a) S12, (b)S21)도이다.8 is a transmission characteristic ((a) S12, (b) S21) of the input and output of the transmission bandpass filter for automobile radiotelephone using the existing ceramic resonator.

제9도는 기존 세라믹 공진기를 이용한 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 입력 임피던스 특성(S11)도이다.9 is a diagram illustrating input impedance characteristics (S11) of a transmission bandpass filter for an automobile radiotelephone using a conventional ceramic resonator.

제10도는 기존 세라믹 공진기를 이용한 자동차 무선 전화기용 송신 대역여파기의 출력 임피던스 특성(S22)도이다.10 is an output impedance characteristic (S22) of the transmission bandpass filter for an automobile wireless telephone using a conventional ceramic resonator.

제11도는 본 발명에서 제작된 자동차 무선 전화기용 송신 대역여파기의 입출력에 대한 전달특성[(a)S12, (b)S21]도이다.Fig. 11 is a diagram showing the transfer characteristics ((a) S12, (b) S21) for the input / output of the transmission bandpass filter for automobile radiotelephone manufactured in the present invention.

제12도는 본 발명에서 제작된 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 입력 임피던스 특성(S11)도이다.12 is an input impedance characteristic S11 of the transmission bandpass filter for automobile radiotelephone fabricated in the present invention.

제13도는 본 발명에서 제작된 자동차 무선전화기용 송신 대역여파기의 출력 임피던스 특성(S22)도이다.13 is an output impedance characteristic (S22) of the transmission bandpass filter for automobile radiotelephone fabricated in the present invention.

상술한 바와 같이 종래의 세라믹 대역여파기에 비하여 중량이 가볍고 외형높이를 줄일 수 있으므로 휴대용 송수신기의 부품으로 적합하고, 가격면에도 저렴하게 생산할 수 있는 잇점이 있다.As described above, since the weight is lighter and the external height can be reduced as compared with the conventional ceramic bandpass filter, it is suitable as a component of a portable transceiver, and there is an advantage that it can be produced at a low cost.

Claims (1)

고주파 대역여파기에 있어서, 접지면으로 결합점을 실현키 위한 보조기판인 제1수단과, 상기 보조기판상에 수직으로 위치하며 상기 RF 대역여파기 입출력의 정해진 임피던스를 구현하고 높은 Q와 일률적인 C값을 실현키 위한 제1분포정수수단과, 상기 보조기판상에 평행으로 위치하는 제2분포정수수단과, 상기 제2분포정수수단과 연결되어 자체 Q값을 향상시키기 위한 인덕턴스수단과, 상기 제1분포정수수단과 연결되어 공통정지가 되어 입출력단자를 분리하고 최종 인덕턴스를 조정하는 차폐수단으로 구성됨을 특징으로 하는 유전체 분포 용량을 이용한 고주파 대역여파기.In the high frequency bandpass filter, a first means which is an auxiliary substrate for realizing a coupling point to the ground plane, and is vertically positioned on the auxiliary substrate to implement a predetermined impedance of the RF bandpass filter input and output high Q and uniform C value. A first distribution constant means for realization, a second distribution constant means disposed in parallel on the auxiliary substrate, an inductance means connected to the second distribution constant means to improve its Q value, and the first distribution constant A high frequency bandpass filter using a dielectric distribution capacitor, characterized in that it is connected to the means to be a common stop to separate the input and output terminals and adjust the final inductance.
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