[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR960000823Y1 - Transistor speed-up circuit - Google Patents

Transistor speed-up circuit Download PDF

Info

Publication number
KR960000823Y1
KR960000823Y1 KR2019910018925U KR910018925U KR960000823Y1 KR 960000823 Y1 KR960000823 Y1 KR 960000823Y1 KR 2019910018925 U KR2019910018925 U KR 2019910018925U KR 910018925 U KR910018925 U KR 910018925U KR 960000823 Y1 KR960000823 Y1 KR 960000823Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
voltage
transistors
transformer
switching
Prior art date
Application number
KR2019910018925U
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR930012324U (en
Inventor
강복연
Original Assignee
금성계전 주식회사
성기설
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 금성계전 주식회사, 성기설 filed Critical 금성계전 주식회사
Priority to KR2019910018925U priority Critical patent/KR960000823Y1/en
Publication of KR930012324U publication Critical patent/KR930012324U/en
Application granted granted Critical
Publication of KR960000823Y1 publication Critical patent/KR960000823Y1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/042Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/04213Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/042Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0424Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit by the use of a transformer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

내용 없음.No content.

Description

트랜지스터 스피드업회로Transistor speed-up circuit

제 1 도는 종래의 스위칭 트랜지스터 구동회로도1 is a conventional switching transistor driving circuit diagram

제 2 도는 본 고안에 따른 트랜지스터 스피드업회로도2 is a transistor speed-up circuit diagram according to the present invention

제 3 도는 본 고안회로에 따른 트랜지스터 턴온, 오프곡선3 is a diagram showing transistor turn-on and off curves according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

D1 : 정류다이오드 Q1~Q3 : 트랜지스터D1: Rectifier Q1 ~ Q3: Transistor

R1~R4 : 저항 T1 : 트랜스R1 ~ R4: Resistance T1: Transformer

C1~C4 : 콘덴서 D2~D4 : 다이오드C1 ~ C4: Capacitor D2 ~ D4: Diode

L1 : 코일 a1~a4 : 트랜스의 코일L1: coil a1 ~ a4: coil of transformer

본 고안은 트랜지스터 스피드-업회로에 관한 것으로 특히 전자식 형광등 안정기(Ballast)와 SMPS(Switching Mode Power Supply)에 바이폴라트랜지스터를 사용하는 회로에서 트랜지스터의 스위칭 스피드를 빨리해 주는 트랜지스터 스피드-업회로에 관한 것이다.The present invention relates to a transistor speed-up circuit, and more particularly to a transistor speed-up circuit that speeds up the switching speed of a transistor in a circuit using a bipolar transistor for an electronic fluorescent ballast and a switching mode power supply (SMPS). .

즉 본 고안은 바이폴라 트랜지스터를 이용한 전자식 형광등 안정기와 SMPS에 있어서 스위칭 트랜지스터의 스위칭 스피드를 높여주므로 스위칭 트랜지스터의 손실을 줄여주어 제품의 신뢰성 및 효율을 향상시켜 주기 위하여 고안된 다이오드를 이용한 트랜지스터 스피드-업회로에 관한 것이다.In other words, the present invention improves the switching speed of switching transistors in electronic fluorescent lamp ballasts and SMPSs using bipolar transistors, and reduces the loss of switching transistors, thus improving the reliability and efficiency of products. It is about.

종래의 바이폴라 트랜지스터 사용회로는 제 1 도에서와 같이 AC전압을 DC전압으로 정류하는 다이오드(D1)의 출력은 병렬연결된 평활용 전해콘덴서(C1)를 통해 공진형 코일(L1)과 연결되고 공진형 코일(L1)의 다른 일측은 스타트저항(R1)의 일측단 및 크랜스(T1) 1차측 코일(a1)의 중간단에 공통연결되고 스타트저항(R1)의 다른 일측단은 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 베이스와 전류제한용 저항(R2)에 공통연결되는 동시에 트랜스(T1)의 코일(a2)를 통해 트랜지스터(Q2)의 베이스와 전류제한용 저항(R3)에 공통연결되고 전류제한 저항(R2,R3)의 다른 일측단은 접속되어 콘덴서(C4)의 일측단과 다이오드(D4)의 캐소우드단에 공통연결되고 다이오드(D4)의 애노우드단은 트랜스(T1)의 코일(a3)을 통해 콘덴서(C4)의 다른 일측단 및 트랜지스터(Q1,Q2)의 각 에미터단에 공통연결되고 트랜지스터(Q1,Q2)의 콜렉터-에미터단에는 다이오드(D2,D3)가 각각 연결되고, 트랜지스터(Q1,Q2)의 각 콜렉터단은 트랜스(T1) 1차측코일(a1)의 양단에 연결되고 또 트랜스(T1) 1차측코일(a1)에는 콘덴서(C2,C3)의 직렬구성이 병렬로 연결되는 구성이다.In the conventional bipolar transistor using circuit, as shown in FIG. 1, the output of the diode D1 rectifying the AC voltage to the DC voltage is connected to the resonant coil L1 through a smoothing electrolytic capacitor C1 connected in parallel and is resonant. The other side of the coil L1 is commonly connected to one end of the start resistor R1 and the middle end of the primary coil a1 of the crank T1, and the other end of the start resistor R1 is the bipolar transistor Q1. Is commonly connected to the base of the transistor and current limiting resistor R2, and is commonly connected to the base of the transistor Q2 and the current limiting resistor R3 through the coil a2 of the transformer T1. The other end of R3 is connected and commonly connected to one end of the capacitor C4 and the cathode of the diode D4, and the anode end of the diode D4 is connected through the coil a3 of the transformer T1. The other end of C4) and each emitter end of transistors Q1 and Q2 are commonly connected. Diodes D2 and D3 are connected to the collector-emitter stages of the transistors Q1 and Q2, respectively, and each collector stage of the transistors Q1 and Q2 is connected to both ends of the primary coil a1 of the transformer T1. A series configuration of capacitors C2 and C3 is connected in parallel to the transformer T1 primary coil a1.

상기 구성회로의 동작상태를 설명하면 다음과 같다.The operation state of the configuration circuit will be described below.

교류전압이 인가되면 정류다이오드(D1)에 의해 전파정류된 파형이 전해콘덴서(C1)에 의해 DC전압으로 된다((입력AC전압)).When the AC voltage is applied, the waveform full-wave rectified by the rectifying diode D1 becomes a DC voltage by the electrolytic capacitor C1 ( (Input AC voltage)).

생성된 DC전압은 공진형 코일(L1)과 저항(R1)을 통하여 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 베이스에 전압을 인가하여 트랜지스터(Q1)가 동작상태로 되면, 트랜스(T1)에 전압이 유기, 즉 설계된 주파수()의 값을 가지는 전압이 유기되어지며, 유기된 전압이 트랜스(T1)의 턴(Turn)비에 따라 트랜스(T1)의 코일(a2~a4)까지 적당한 크기의 전압이 유기된다. 즉 트랜스(T1)의 코일(a3)에 유기된 전압은 다이오드(D4) 콘덴서(C4)를 통해 DC전압으로 되어 전류제한용 저항(R2,R3)을 각각 거쳐 트랜지스터(Q1,Q2)의 베이스에 항상 공급되며, 또한 트랜스(T1)의 코일(a2)에 유기된 전압으로 트랜지스터(Q1,Q2)의 베이스에 공급되는 전압을 번갈아 '하이'-'로우' 전압으로 동작되게 베이스전압을 공급한다.When the generated DC voltage is applied to the base of the bipolar transistor Q1 through the resonant coil L1 and the resistor R1, and the transistor Q1 is in an operating state, the voltage is induced in the transformer T1, that is, Designed frequency ( A voltage having a value of) is induced, and a voltage having an appropriate magnitude is induced from the induced voltage to the coils a2 to a4 of the transformer T1 according to the turn ratio of the transformer T1. That is, the voltage induced in the coil a3 of the transformer T1 becomes the DC voltage through the diode D4 and the capacitor C4, and passes through the current limiting resistors R2 and R3 to the bases of the transistors Q1 and Q2, respectively. The voltage is always supplied, and the base voltage is supplied to be operated at a 'high'-'low' voltage by alternating the voltage supplied to the bases of the transistors Q1 and Q2 with the voltage induced in the coil a2 of the transformer T1.

따라서 트랜지스터(Q1,Q2)가 교대로 동작하게 된다. 트랜지스터(Q1,Q2)가 동작하지 않을때 프리휠링 다이오드(D2,D3)를 각각 통하여 트랜지스터(Q1,Q2)의 내부에너지를 빠른속도로 원상태로 복귀시키며, 코일(L1)과 콘덴서(C2,C3)는 트랜지스터(Q1,Q2)가 공진점(전류가 제로인 점)에서 동작하게 설계된 부품이다.Thus, the transistors Q1 and Q2 operate alternately. When the transistors Q1 and Q2 do not operate, the internal energy of the transistors Q1 and Q2 is quickly returned to their original state through the freewheeling diodes D2 and D3, respectively, and the coil L1 and the capacitors C2 and C3 are returned to their original state. Is a component designed for the transistors Q1 and Q2 to operate at the resonance point (the point at which the current is zero).

그런데 종래에는 상기에서 설명한 바와같이 트랜지스터(Q1,Q2)의 스피드를 증진시키는 회로는 없으며, 다만 트랜지스터(Q1,Q2)가 '오프'될 때 내부에너지는 빨리 원상태로 회복시키는 플리휠링 다이오드(D2,D3)만 접속되어 있으므로 트랜지스터(Q1,Q2)가 턴온될 때 스위칭 스피드를 증진시키지 못해 손실이 많은 단점(스위칭타임이 늦은 트랜지스터에서는 손실이 많이 수반되게 된다)이 있었다.However, in the related art, there is no circuit for increasing the speed of the transistors Q1 and Q2 as described above. However, when the transistors Q1 and Q2 are 'off', the internal energy is quickly restored to the original state. Since only D3) is connected, the switching speed is not increased when the transistors Q1 and Q2 are turned on, and thus there is a disadvantage in that the loss is large (in the case of a transistor having a slow switching time, the loss is large).

따라서 본 고안은 스위칭 트랜지스터의 턴-온시 손실을 줄일 수 있는 스피드업회로를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로 이하 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a speed-up circuit that can reduce losses during turn-on of a switching transistor, which will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저 제 2 도에서 그 구성을 보면, AC전압을 DC전압으로 정류하는 다이오드(D1)의 출력은 병렬연결된 평활용 전해콘덴서(C1)를 통해 공진형 코일(L1)과 연결되고 공진형 코일(L1)의 다른 일측은 스타트저항(R1)의 일측단 및 트랜스(T1) 1차측코일(a1)의 중간단에 공통연결되고 스타트저항(R1)의 다른 일측단은 바이폴라 트랜지스터(Q1)의 베이스와 전류제한용 저항(R2)에 공통연결되는 동시에 트랜스(T1)의 코일(a2)를 통해 트랜지스터(Q2)의 베이스와 전류제한용 저항(R3)에 공통연결되고 전류제한저항(R2,R3)의 다른 일측단은 접속되어 트랜지스터(Q3)의 에미터와 연결되고 트랜지스터(Q3)의 콜렉터는 트랜지스터(Q3)의 베이스단에 연결된 저항(R4)과 접속되어 콘덴서(C4)의 일측단과 다이오드(D4)의 캐소우드단에 공통연결되고 다이오드(D4)의 애노우드단은 트랜스(T1)의 코일(a3)을 통해 콘덴서(C4)의 다른 일측단 및 트랜지스터(Q1,Q2)의 각 에미터단에 공통연결되고 또, 트랜지스터(Q3)의 베이스는 다이오드(D2,D3)를 각각 거쳐 트랜지스터(Q1,Q2)의 콜렉터와 접속되어 트랜스(T1) 1차측코일(a1)의 양단에 연결되고 또 트랜스(T1) 1차측코일(a1)에는 콘덴서(C2,C3)의 직렬구성이 병렬로 연결되는 구성이다.First, as shown in FIG. 2, the output of the diode D1 rectifying the AC voltage to the DC voltage is connected to the resonant coil L1 through a parallel electrolytic capacitor C1 connected in parallel, and the resonant coil L1. Is connected to one end of the start resistor R1 and the middle end of the primary coil a1 of the transformer T1, and the other end of the start resistor R1 is the base and current of the bipolar transistor Q1. It is commonly connected to the limiting resistor R2 and simultaneously connected to the base of the transistor Q2 and the current limiting resistor R3 through the coil a2 of the transformer T1 and to the other of the current limiting resistors R2 and R3. One end is connected to the emitter of the transistor Q3 and the collector of the transistor Q3 is connected to the resistor R4 connected to the base end of the transistor Q3 to connect the one end of the capacitor C4 and the diode D4. Common to the cathode stage and the anode end of diode D4 is the coil of transformer T1. The common terminal is connected to the other end of the capacitor C4 and the emitter terminals of the transistors Q1 and Q2 through (a3), and the base of the transistor Q3 passes through the diodes D2 and D3, respectively. It is connected to the collector of Q2), and is connected to both ends of the transformer (T1) primary side coil a1, and the series configuration of the capacitors C2 and C3 is connected in parallel to the transformer (T1) primary side coil a1. .

상기 구성회로의 동작상태를 설명하면 다음과 같다.The operation state of the configuration circuit will be described below.

본 고안의 기본적인 동작상태는 종래 기술구성과 동일하고 다만 트랜스(T1)의코일(a3)에 유기된 전압이 다이오드(D4) 콘덴서(C4)를 지나면서 DC전압으로 되고, 이 DC전압이 트랜지스터 구동용 저항(R4), 트랜지스터(Q3)를 지나면서 증폭되며, 이때 증폭된 전류가 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)의 베이스에 공급된다. 다이오드(D2,D3)는 트랜지스터(Q3)의 베이스에서 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)의 콜렉터에 연결하므로 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)턴-온, 턴-오프시 다이오드(D4), 콘덴서(C4)를 지나며 DC전압으로 되어 다이오드(D2,D3)를 거치면서 다운된 전압(0.6V)를 제외한 전압이 항상 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)의 콜렉터에 인가되어 턴-온, 턴-오프시 스위칭타임이 빠르게 되어 트랜지스터 손실이 감소된다.The basic operation state of the present invention is the same as that of the prior art configuration, except that the voltage induced in the coil a3 of the transformer T1 becomes the DC voltage through the diode D4 capacitor C4, and the DC voltage is driven by the transistor. Amplified while passing through the resistor R4 and the transistor Q3, the amplified current is supplied to the bases of the switching transistors Q1 and Q2. The diodes D2 and D3 are connected to the collectors of the switching transistors Q1 and Q2 at the base of the transistor Q3, so that the diodes D4 and C4 are turned on and off during the switching transistors Q1 and Q2. After passing through the diodes D2 and D3, the voltage except for the down voltage (0.6V) is always applied to the collectors of the switching transistors Q1 and Q2 so that the switching time is turned on and off. This leads to faster transistor losses.

이때 트랜지스터 턴-온, 턴-오프곡선(즉 트랜지스터(Q1,Q2)의 콜렉터-에미터파형)을 나타내보면, 제 3 도와 같다.In this case, the transistor turn-on and turn-off curves (that is, the collector-emitter waveforms of the transistors Q1 and Q2) are the same as in the third degree.

제 3 도의 파형에서와 같이 트랜지스터 턴온시 턴온타임이 다이오드첨가로 a'에서 a"로 감소되며, 오프시 b'에서 b"로 감소된다. 여기서 다이오드(D2,D3)는 역방향전압이 높은 다이오드를 사용하여야 하며 빠른 회복타입(Fast Recovedry Type)을 사용하고 전료증폭용 트랜지스터(Q3)도 반드시 사용해야 효과가 있다.As in the waveform of FIG. 3, the turn-on time at the time of transistor turn-on is reduced from a 'to a "with diode addition, and from b' to b" when off. In this case, diodes D2 and D3 must use a diode having a high reverse voltage, a fast recovery type, and a transistor for amplifier Q3 must be used.

따라서 본 고안은 다이오드를 통하여 일정한 DC전압을 스위칭 트랜지스터의 콜렉터에 인가하여 주므로서 턴온, 턴오프시 스위칭타임을 줄여줄 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of reducing the switching time during turn-on and turn-off by applying a constant DC voltage to the collector of the switching transistor through the diode.

Claims (1)

(정정) 트랜스(T1)를 사용하여 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)를 구동하는 스위칭 트랜지스터 구동회로에 있어서,In the switching transistor driving circuit which drives the switching transistors Q1 and Q2 using the (correction) transformer T1, 상기 트랜스(T1)의 코일(a3)에 유기되어 다이오드(D4)와 콘덴서(C4)에 의해 DC전압으로 저항(R4)을 통해 베이스로 인가받아 증폭하여 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)의 베이스로 인가하는 트랜지스터(Q3)와, 상기 트랜지스터(Q3)의 베이스단과 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)의 콜렉터단 사이에 각각 접속되어 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2)의 스위칭타임이 빨라지게 하여 트랜지스터의 손실을 줄여주는 다이오드(D2,D3)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터 스피드업회로.Induced in the coil (a3) of the transformer (T1) is applied to the base through the resistor (R4) to the DC voltage by the diode (D4) and the capacitor (C4) to amplify and applied to the base of the switching transistor (Q1, Q2) The transistor Q3 and the base terminal of the transistor Q3 and the collector terminals of the switching transistors Q1 and Q2 are respectively connected to reduce switching losses of the switching transistors Q1 and Q2. Transistor speed-up circuit comprising a diode (D2, D3).
KR2019910018925U 1991-11-18 1991-11-18 Transistor speed-up circuit KR960000823Y1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019910018925U KR960000823Y1 (en) 1991-11-18 1991-11-18 Transistor speed-up circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019910018925U KR960000823Y1 (en) 1991-11-18 1991-11-18 Transistor speed-up circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930012324U KR930012324U (en) 1993-06-25
KR960000823Y1 true KR960000823Y1 (en) 1996-01-31

Family

ID=19321838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019910018925U KR960000823Y1 (en) 1991-11-18 1991-11-18 Transistor speed-up circuit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR960000823Y1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR930012324U (en) 1993-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6690586B2 (en) Switching power source device
CN109661072B (en) LLC resonant converter, LED driving circuit and control method thereof
JP3821454B2 (en) Fluorescent lamp lighting device
US4257088A (en) High-efficiency single-ended inverter circuit
KR960000823Y1 (en) Transistor speed-up circuit
KR920007507A (en) Power circuit
JP3116875B2 (en) Power supply
EP0058035A1 (en) Transistor inverter device
KR940002674Y1 (en) Stabilizer circuit for electronic method fluorescent
KR880000509B1 (en) Operating device of discharge lamps
KR900002174Y1 (en) Circuit arrangements for discharge lamps
KR950006605B1 (en) Stabilizer of fluorescence current power source type
JP2706530B2 (en) Discharge lamp lighting device
JP3404880B2 (en) Inverter device
JP2731093B2 (en) Power supply
JPH0634397B2 (en) Fluorescent lamp lighting device
KR890006157Y1 (en) Circuit arrangements for operating discharge lamps
JP2698614B2 (en) Discharge lamp lighting device
JP4350840B2 (en) Ringing choke converter
JP2831069B2 (en) Power supply
JP2690418B2 (en) Power supply
JPH0440838B2 (en)
KR100270944B1 (en) Ballast circuit
JPH04109870A (en) Rectifying and smoothing device
JPS63175386A (en) Inverter

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020103

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee