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KR950021713A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents

반도체 집적회로장치 Download PDF

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KR950021713A
KR950021713A KR1019940033632A KR19940033632A KR950021713A KR 950021713 A KR950021713 A KR 950021713A KR 1019940033632 A KR1019940033632 A KR 1019940033632A KR 19940033632 A KR19940033632 A KR 19940033632A KR 950021713 A KR950021713 A KR 950021713A
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쇼오지 구보노
히토시 구메
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가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
스즈키 진이치로
히타치 쬬오 엘.에스.아이.엔지니아링 가부시키가이샤
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Abstract

소망의 내분전압에 의해 높게 된 승압전압을 형성하는 차지펌프회로와 기준전압에 의거해서 복수종류의 분압전압을 형성하는 분압회로와, 상기 차지펌프회로의 출력전압이 상기 분압전압중 특정의 전압을 n배로 한 전압과, 소정의 분압전압을 가산함에 의해 소망의 내분전압으로 되도록 차지펌프회로를 간헐적으로 동작시키는 제어회로를 설치한다.

Description

반도체 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 전압발생회로의 일실시예를 나타내는 블럭도.
제2도는 제1도의 기준전압발생회로의 일실시예를 나타내는 회로도.
제3도는 제1도의 분압회로의 일실시예를 나타내는 회로도.
제4도는 제1도의 전원회로의 일실시예를 나타내는 회로도.
제5도는 제1도의 다른 전원회로의 일실시예를 나타내는 회로도.
제6도는 제1도의 또 다른 전원회로의 일실시예를 나타내는 회로도.
제7도는 제1도의 셀렉터 제어회로, 트리밍회로와 셀렉터회로의 일실시예를 나타내는 회로도.

Claims (7)

  1. 기준전압을 발생하는 기준전압발생회로와, 상기 기준전압에 의거해서 복수종류의 분압전압을 형성하는 분압회로와, 상기 분압전압을 n배한 전압과 미조정용으로 선택된 소정의 분압전압을 가산해서 소망의 내부전압을 출력하는 차지펌프회로와, 상기 차지펌프회로를 간헐적으로 동작시키는 제어회로를 구비하는 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 2개의 전압이 가산되어서 출력되는 소망의 내부전압을 형성하는 차지펌프회로는; 상기 차지펌프회로의 출력단자와 회로의 접지전위 또는 전원전압과의 사이에 설치된 n개의 다이오드형태로 된 MOSFET와, 상기 회로의 접지전위 또는 전원전압에 설치된 다이오드형태로 된 MOSFET의 드레인 전압과 상기 분압전압을 받는 전원비교회로와, 상기 전압비교회로의 출력전압에 의해 상기 차지펌프회로로 공급되는 입력펄스를 제한하는 게이트회로와,n개의 직렬 다이오드열에 직렬로 삽입되어서, 게이트로 가산되어야 할 전압이 공급되게 되는 MOSFET 를 구비하는 반도체 집적회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기준전압발생회로는 인헨스머트형 MOSFET와 디폴리션형 MOSFET와의 드레시홀드치 전압차에 의거하여 상기 기준전압을 발생하고, 상기 두가지형 MOSFET의 사이즈비에 의해 미조정이 가능하게 구성된 반도체 집적회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 전압비교회로에 입력된 기준전압은 상기 분압회로에 의해 형성된 분압전압 중 휴즈의 절단유무에 의해 형성된 선택신호에 의해 선택되는 전압인 반도체 집적회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기준전압발생회로는 전원전압을 기준으로 한 수명시험용의 기준전압발생회로를 포함하고, 전원전압이 소정의 전압이상으로 될 때에는 수명시험용의 기준전압을 사용하는 반도체 집적회로.
  6. 콘트롤게이트와 기판과의 사이에서의 상대적인 전위관계에 의해 터널절연막을 통해서 기판측에서 플로팅게이트에 전하를 주입해서 소거동작을 행하고, 상기 콘트롤게이트와 드레인과의 상대적인 전위관계에 의해 터널절연막을 통해서 플로팅게이트에서 드레인측으로 전하를 방출시켜서 기록동작을 행하는 기억트랜지스터가 워드선과 데이타선과의 교점에 매트릭스 배치되는 메모리어레이와, 기억트랜지스터에의 기록, 소거 및 판독동작을 위해 필요로되는 복수의 전압을 형성하는 전원회로를 구비하고, 상기 전원회로는, 기준전압을 발생하는 기준전압발생회로와, 상기 기준전압에 의거해서 복수종류의 분압전압을 형성하는 분압회로와, 상기 분압전압을 n배한 전압과 소정의 분압전압을 가산하여 소망의 내부전압을 출력하는 차지펌프회로와, 상기 차지펌프회로를 간헐적으로 동작시키는 제어회로를 구비하는 후레쉬 메모리.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기준전압은 전원전압을 기준으로 한 수명시험용의 기준전압발생회로를 포함하고, 전원전압이 소정의 전압이상으로 될 때에는 수명시험용의 기준전압으로 사용되고, 이러한 수명시험에서 소거시 및 기록시의 메모리셀 인가전압은 상기 전원전압을 기준으로 해서 상대적으로 변화시키는 것에 의해 일정전압을 유지하게 되는 후레쉬 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940033632A 1993-12-17 1994-12-10 반도체집적회로장치 KR100420574B1 (ko)

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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3587542B2 (ja) * 1992-06-19 2004-11-10 インテル・コーポレーション 電力消費を節減する方法および装置
EP0848384B1 (en) * 1996-12-13 2004-10-13 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to semiconductor devices
US7023729B2 (en) 1997-01-31 2006-04-04 Renesas Technology Corp. Microcomputer and microprocessor having flash memory operable from single external power supply
KR100480555B1 (ko) * 1997-06-17 2005-06-13 삼성전자주식회사 반도체메모리장치의승압전압클램프회로및승압전압클램프방법
US6023187A (en) * 1997-12-23 2000-02-08 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Voltage pump for integrated circuit and operating method thereof
JPH11219596A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Nec Corp 半導体装置の電源回路
KR19990073643A (ko) * 1998-03-02 1999-10-05 김영환 전원 제어회로
US5862082A (en) * 1998-04-16 1999-01-19 Xilinx, Inc. Two transistor flash EEprom cell and method of operating same
US6260104B1 (en) 1998-06-30 2001-07-10 Micron Technology, Inc. Multiplexing of trim outputs on a trim bus to reduce die size
US6781439B2 (en) * 1998-07-30 2004-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory device pump circuit with two booster circuits
JP3430050B2 (ja) * 1998-12-28 2003-07-28 日本電気株式会社 半導体記憶装置およびその駆動方法
FR2792761B1 (fr) * 1999-04-21 2003-05-23 St Microelectronics Sa Dispositif de programmation d'une memoire non volatile electriquement programmable
JP2003513600A (ja) 1999-10-28 2003-04-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 電源電圧供給装置
US6226200B1 (en) * 1999-11-17 2001-05-01 Motorola Inc. In-circuit memory array bit cell threshold voltage distribution measurement
DE10001648C2 (de) * 2000-01-17 2002-03-14 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltung mit mehreren Teilschaltungen
JP4430801B2 (ja) * 2000-08-03 2010-03-10 株式会社アドバンテスト 半導体メモリ試験装置
DE10055920C2 (de) * 2000-11-10 2003-03-27 Infineon Technologies Ag Integrierter Speicher mit einer Spannungsregelungsschaltung
KR100361658B1 (ko) * 2000-11-30 2002-11-22 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 전압 레벨 조절방법
US6804502B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP2004220711A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Nec Micro Systems Ltd 半導体集積回路装置
GB0301077D0 (en) * 2003-01-17 2003-02-19 Koninkl Philips Electronics Nv A charge pump circuit
US7719343B2 (en) 2003-09-08 2010-05-18 Peregrine Semiconductor Corporation Low noise charge pump method and apparatus
JP2005222580A (ja) * 2004-02-03 2005-08-18 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置
JP2005234935A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Renesas Technology Corp 情報記憶装置
JP3889011B2 (ja) 2004-03-26 2007-03-07 ローム株式会社 昇圧電源装置、及びそれを用いた携帯機器
EP3570374B1 (en) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Integrated rf front end
US7110298B2 (en) * 2004-07-20 2006-09-19 Sandisk Corporation Non-volatile system with program time control
US7764717B1 (en) 2005-05-06 2010-07-27 Oracle America, Inc. Rapid datarate estimation for a data stream multiplexer
US7333468B1 (en) 2005-05-16 2008-02-19 Sun Microsystems, Inc. Digital phase locked loops for packet stream rate matching and restamping
US7738498B1 (en) 2005-08-09 2010-06-15 Oracle America, Inc. Sharing a digital phase-locked loop across multiple packet streams
KR100757411B1 (ko) * 2006-02-03 2007-09-11 삼성전자주식회사 옵션 퓨즈 회로를 이용한 반도체 메모리 장치의 전압재설정 회로 및 그 방법
US7960772B2 (en) 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand
EP2385616A2 (en) 2008-07-18 2011-11-09 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
US9660590B2 (en) 2008-07-18 2017-05-23 Peregrine Semiconductor Corporation Low-noise high efficiency bias generation circuits and method
CN101656108B (zh) * 2008-08-19 2012-06-27 杭州士兰微电子股份有限公司 电源供电电路及应用方法
JP2010169730A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Renesas Electronics Corp 表示装置の駆動回路
CN102298434B (zh) * 2010-06-23 2015-07-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种片上系统
JP5596143B2 (ja) * 2010-06-29 2014-09-24 パナソニック株式会社 不揮発性記憶システム、メモリシステム用の電源回路、フラッシュメモリ、フラッシュメモリコントローラ、および不揮発性半導体記憶装置
US8686787B2 (en) 2011-05-11 2014-04-01 Peregrine Semiconductor Corporation High voltage ring pump with inverter stages and voltage boosting stages
US9413362B2 (en) 2011-01-18 2016-08-09 Peregrine Semiconductor Corporation Differential charge pump
US8862926B2 (en) 2011-08-16 2014-10-14 Apple Inc. Hardware controlled PLL switching
US9081517B2 (en) 2011-08-31 2015-07-14 Apple Inc. Hardware-based automatic clock gating
US20150236748A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
WO2014169401A1 (en) * 2013-04-18 2014-10-23 Micron Technology, Inc. Voltage control in integrated circuit devices
KR20140145814A (ko) * 2013-06-14 2014-12-24 에스케이하이닉스 주식회사 기준전압 생성기 및 그를 포함하는 저전압용 내부전원 생성장치
JP6846368B2 (ja) * 2018-02-05 2021-03-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
DE112021006258T5 (de) * 2021-02-03 2023-09-14 Rohm Co., Ltd. Stromversorgungsvorrichtung
KR20230001463A (ko) 2021-06-28 2023-01-04 에스케이하이닉스 주식회사 전압생성회로

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4628487A (en) * 1984-08-14 1986-12-09 Texas Instruments Incorporated Dual slope, feedback controlled, EEPROM programming
JPS61166159A (ja) * 1985-01-18 1986-07-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
IT1225608B (it) * 1988-07-06 1990-11-22 Sgs Thomson Microelectronics Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione.
JPH04123471A (ja) * 1990-09-14 1992-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置のデータ書込みおよび消去方法
KR930009148B1 (ko) * 1990-09-29 1993-09-23 삼성전자 주식회사 전원전압 조정회로

Also Published As

Publication number Publication date
EP0658904A2 (en) 1995-06-21
KR100420574B1 (ko) 2004-05-03
CN1081825C (zh) 2002-03-27
JPH07176698A (ja) 1995-07-14
JP3417630B2 (ja) 2003-06-16
TW287317B (ko) 1996-10-01
DE69428336D1 (de) 2001-10-25
CN1120243A (zh) 1996-04-10
US5553021A (en) 1996-09-03
DE69428336T2 (de) 2002-07-18
EP0658904A3 (en) 1996-06-05
EP0658904B1 (en) 2001-09-19

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