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KR950027916A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR950027916A
KR950027916A KR1019940036870A KR19940036870A KR950027916A KR 950027916 A KR950027916 A KR 950027916A KR 1019940036870 A KR1019940036870 A KR 1019940036870A KR 19940036870 A KR19940036870 A KR 19940036870A KR 950027916 A KR950027916 A KR 950027916A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
silicon
gate electrode
crystal orientation
high concentration
Prior art date
Application number
KR1019940036870A
Other languages
English (en)
Inventor
마사오 오끼하라
노리오 히라시따
Original Assignee
진구지 준
오끼덴끼고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 진구지 준, 오끼덴끼고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 진구지 준
Publication of KR950027916A publication Critical patent/KR950027916A/ko

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Abstract

결정격자 결함이 없는 고농도 불순물확산층을 형성한다. 필드층간절연막, 게이트층간절연막(2), 게이트전극(3)을 차례로 형성한다. 게이트전극(3)을 마스크로 하여 저농도로 이온주입하고, 비산화 분위기중에서 열처리를 행함으로써 저농도의 확산층을 형성한다. 게이트전극의 측벽에 사이드윌(4)을 형성한다. 불순물을 이온주입할 때의 마스크로 되는 사이드윌(4)을 형성한다. 불순물을 이온주입할 때의 마스크로 되는 사이드윌(4)을 실리콘기판(1)의 표면에 대하여 54.7°이하로 되는 형상으로 한다. 실리콘층간절연막(5)을 형성한 후에, 예를 들면 비소와 같은 불순물을 고농도(>1×1015㎝)로 이온주입한다. 실리콘기판(1)의 표면에 아몰퍼스층(6)이 형성된다. 비산화 분위기중에서 열처리를 행함으로써, 불순물의 활성화와 함께 아몰퍼스층(7)의 재결정화를 행하고 결정격자 결함이 없는 고농도 불순물 확산층(7)을 형성한다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체장치의 제조방법을 나타낸 제조공정도,
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체장치의 제조방법을 나타낸 제조공정도.

Claims (11)

  1. 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하여 이온주입층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 이온주입층을 형성하는 공정에 있어서, 상기 이온주입층 표면의 단부의 형상을 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록 상기 이온주입층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 마스크재의 형상을 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의 [111] 결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록 상기 마스크재를 형성하는 공정과, 상기 마스크재를 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에, 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을, 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 게이트전극 형성공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극을 형성한 후, 상기 게이트전극상에 절연막을 두껍게 퇴적하는 공정과, 사이드월의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 절연막을 등방성(等方性)에칭하여 상기 게이트전극의 측벽에 상기 사이드월을 형성하는 공정과, 상기 사이드월을 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극을 형성한 후, 상기 게이트전극상에 열유동성이 높은 절연막을 퇴적하는 공정과, 상기 절연막을 이방성(異方性)에칭하여 상기 게이트전극의 측벽에 상기 사이드월을 형성하는 공정과, 상기 사이드월의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 비산화 분위기내에서 열처리를 행하여 리플로하는 공정과, 상기 사이드월을 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극을 형성한 후, 상기 게이트전극상에 퇴적시에 유동성이 높은 제1의 절연막을 얇게 퇴적하는 공정과, 상기 제1의 절연막과 에칭레이트가 상이한 제2의 절연막을 두껍게 형성하는 공정과, 스페이서의 형상이 상기 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 제2의 절연막을 선택적으로 등방성 에칭하여 상기 게이트전극의 측벽에 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 스페이서를 마스크로하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 게이트전극을 형성한 후, 상기 게이트전극상에 제1의 절연막을 두껍게 퇴적하는 공정과, 상기 제1의 절연막의 이방성 에칭을 행하여 상기 게이트전극의 측벽에 사이드월을 형성하는 공정과, 상기 사이드월상의 제2의 절연막의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111] 결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 사이드월상에 퇴적시에 유동성이 높은 상기 제2의 절연막을 얇게 퇴적하는 공정과, 상기 제2의 절연막을 마스크로하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 게이트전극재를 퇴적한 후, 이 게이트전극재를 등방성 에칭에 의해 테이퍼형상을 가지는 상기 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 측벽상의 절연막의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 게이트전극상에 퇴적시에 유동성이 높은 상기 절연막을 얇게 퇴적하는 공정과, 상기 절연막을 마스크로하여 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 액티브영역을 분리하는 필드산화막을 형성하는 공정과, 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 필드산화막의 끝의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 필드산화상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 사이드월의 끝이 상기 필드산화막의 끝으로부터 40nm이상 이간된 위치로 되도록 상기 게이트전극의 측벽에 사이드월을 형성하는 공정과, 상기 필드층간절연막을 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 액티브영역을 분리하는 필드산화막을 형성하는 공정과, 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 필드산화막의 끝의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 필드산화막을 형성하는 공정과, 게이트전극재를 퇴적한 후, 이 게이트전극재를 등방성 에칭에 의해 테이퍼 형상을 가지는 상기 게이트전극을 형성하는 공정과, 퇴적시에 유동성이 높은 절연막을 상기 게이트전극 및 상기 필드산화상에 얇게 퇴적하는 공정과, 상기 필드산화막을 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 액티브영역을 분리하는 필드층간절연막을 형성하는 공정과, 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 필드산화막의 끝의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘기판상 및 상기 필드산화상에 홈을 형성하고, 이 홈상에 상기 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극상에 절연막을 두껍게 퇴적하는 공정과, 사이드월의 끝이 상기 필드산화막의 끝으로부터 40nm이상 이간된 위치로 되도록 상기 절연막을 이방성 에칭하여 상기 게이트전극의 측벽에 사이드월을 형성하는 공정과, 상기 필드산화막을 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 액티브영역을 분리하는 필드산화막을 형성하는 공정과, 게이트전극을 형성하는 공정과, 실리콘기판내에 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 가지는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 필드산화막의 끝의 형상이 실리콘의 [100] 결정방위에 대응하는 면에 대하여, 실리콘의[111]결정방위에 대응하는 면과 실리콘의 [100]결정방위에 대응하는 면과는 이루는 각도 54.7° 이하로 되도록, 상기 필드산화막을 형성하는 공정과, 실리콘기판상에 저농도의 불순물을 이온주입하고, 비산화 분위기에서 열처리를 행하여 저농도의 불순물확산층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘기판상 및 상기 필드산화막상에 홈을 형성하고, 이 홈내에 매설된 상기 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 필드산화막을 마스크로 하여 상기 실리콘기판내에 불순물을 고농도로 이온주입하는 공정과, 상기 실리콘기판을 열처리함으로써 상기 불순물을 활성화하여 상기 고농도의 불순물확산층을 형성하는 공정을 차례로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0851469A3 (en) * 1996-12-31 1999-12-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having a tapered implanted region and method of fabrication using spin-on glass
GB2323703B (en) * 1997-03-13 2002-02-13 United Microelectronics Corp Method to inhibit the formation of ion implantation induced edge defects
NL1010154C2 (nl) * 1997-03-13 1999-09-24 United Microelectronics Corp Werkwijze voor het verhinderen van de vorming van ionenimplantatie-geïnduceerde randdefecten.
JP3385981B2 (ja) * 1998-06-01 2003-03-10 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4344101B2 (ja) 2001-02-14 2009-10-14 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 配線構造部
DE10146933B4 (de) * 2001-09-24 2007-07-19 Infineon Technologies Ag Integrierte Halbleiteranordnung mit Abstandselement und Verfahren zu ihrer Herstellung
CN101796632A (zh) 2007-09-05 2010-08-04 Nxp股份有限公司 晶体管及其制造方法
WO2009031076A2 (en) * 2007-09-05 2009-03-12 Nxp B.V. A transistor and a method of manufacturing the same
JP7055087B2 (ja) * 2018-11-07 2022-04-15 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7424141B2 (ja) * 2020-03-19 2024-01-30 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7513161A (nl) * 1975-11-11 1977-05-13 Philips Nv Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
JPH0626219B2 (ja) * 1987-11-05 1994-04-06 シャープ株式会社 イオン注入方法
US5223445A (en) * 1990-05-30 1993-06-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Large angle ion implantation method

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