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KR950012857A - 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950012857A
KR950012857A KR1019930021180A KR930021180A KR950012857A KR 950012857 A KR950012857 A KR 950012857A KR 1019930021180 A KR1019930021180 A KR 1019930021180A KR 930021180 A KR930021180 A KR 930021180A KR 950012857 A KR950012857 A KR 950012857A
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김광호
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Abstract

선택적 재성장 공정을 배제하고 2차의 결정성장을 통하여 형성된 신규한 BH 구조의 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법이 개시된다.
반도체 기판상에 제1 클래드층이 형성되어 있으며, 그 중앙상부에 릿지가 형성되어 있다. 상기 릿지는 그 상부에 형성된 제2 클래드층과, 상기 제2 클래드층과 제1 클래드층 사이에 형성된 활성층을 구비하는 소정의 경사면을 지닌다. 상기 경사면상에 그에 대응하여 제2도전형의 전류통로층이 형성되며, 상기 제1 클래드층 및 릿지 상부면상에 상기 전류통로층과 접하면서 제1도전형과 제2도전형이 교대로 도핑되어 이루어진 전류차단층이 형성된다. 상기 전류통로층과 전류차단층 위로 캡층이 형성된다. 좁은 스펙트럼 폭의 빔을 발진하는 소자가 구현된다.

Description

반도체 레이저 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 BH 구조의 반도체 레이저 다이오드의 일례를 나타내는 단면도.
제6도 내지 제9도는 본 발명에 의한 BH 구조의 반도체 레이저 다이오드를 제조하는 방법의 일례를 나타내는 각 공정별 단면도.

Claims (8)

  1. 제1도전형의 반도체 기판; 상기 기판에 인접되어 형성된 제1도전형의 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층의 중앙상부에 형성되어 있으며, 그 상부에 형성된 제2도전형의 제2 클래드층과, 상기 제2 클래드층과 제1 클래드층 사이에 형성된 활성층을 구비하는 소정의 경사면을 지닌 스트라이프 릿지; 상기 릿지의 경사면상에 그에 대응하여 형성된 제2도전형의 전류통로층; 상기 제1 클래드층 및 릿지 상부면상에 형성되고, 상기 전류통로층과 접하면서 제1도전형과 제2도전형이 교대로 도핑되어 이루어진 전류차단층; 및 상기 전류차단층과 전류차단층 위로 형성된 제2도전형의 캡층을 구비하여 이루어 진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성층의 상,하의 제1,제2 클래드층 및 좌,우의 전류통로층을 구성하는 물질은 그 굴절률이 활성층을 구성하는 물질보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항에 있어서. 상기 릿지의 최하부층이 상기 제1 클래드층의 일부로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 릿지의 경사면의 경사각은 35°-54°의 범위 내의 각도인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 활성층/클래드층은 InGaP/InGaAlP 계의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전류통로층은 InGaAlP으로 이루어 진 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자.
  7. 제1도전형의 반도체 기판상에 1차 에피택시 공정에 의해 제1도전형의 제1 클래드층, 활성층, 제2도전형의 제2 클래드층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제2클래드층과 상기 활성층을 부분적으로 식각하여 상기 기판의 중앙상부에 상기 제1 클래드층이 노출되는 소정의 경사면을 지닌 스트라이프 릿지를 형성하는 단계; 상기 결과물상에 2차 에피택시 공정에 의해, 상기 경사면상으로 제2도전형의 전류통로층이 형성되도록 하면서 나머지 부분에 전류차단층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전류통로층과 전류차단층은 제2도전형의 도펀트는 계속 공급하고, 제1도전형의 도펀트는 단속적으로 공급하여 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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