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KR940023322A - 마이크로파 플라즈마 처리장치 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR940023322A
KR940023322A KR1019940005068A KR19940005068A KR940023322A KR 940023322 A KR940023322 A KR 940023322A KR 1019940005068 A KR1019940005068 A KR 1019940005068A KR 19940005068 A KR19940005068 A KR 19940005068A KR 940023322 A KR940023322 A KR 940023322A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
chamber
plasma processing
microwave
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1019940005068A
Other languages
English (en)
Inventor
다께시 쯔바끼
가쯔야 와따나베
히데노리 다께스에
요시아끼 사또
가쯔요시 구도
마고또 나와따
Original Assignee
가나이 쯔도무
가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP5056809A external-priority patent/JPH06267910A/ja
Priority claimed from JP5278085A external-priority patent/JP2972507B2/ja
Application filed by 가나이 쯔도무, 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 가나이 쯔도무
Publication of KR940023322A publication Critical patent/KR940023322A/ko

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/32229—Waveguides
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    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
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    • H01J37/32192—Microwave generated discharge

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 마이크로 도입효율을 높여 플라즈마 발생실내에 균일하고 강한 플라즈마를 발생시켜 피처리물의 어싱속도 및 어싱속도의 면내 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 의하여 플라즈마 발생실을 형성하는 마이크로파 도입창(9)의 마이크로파 도입측에 소정의 크기의 확대공간을 가지는 확대도파관(6,7)을 설치하고, 그 공간내에 가로 세로비가 다른 구멍을 가지는 간막이판(8)을 설치한다. 이로써 확대도파관의 공간내부에 균일하고 강한 전계가 발생하고, 마이크로파 도입창(9)을 거쳐 플라즈마 발생실에 입사되고, 플라즈마 발생실내에 균일하고 강한 플라즈마가 발생한다.

Description

마이크로파 플라즈마 처리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예인 마이크로파 플라즈마 처리장치의 구성을 나타낸 종단면도, 제2도는 제1도의 마이크로파 플라즈마 처리장치에 있어서의 간막이판을 나타낸 평면도이다.

Claims (12)

  1. 마이크로파 플라즈마 처리장치에 있어서, 처리가스가 공급되고 소정의 압력으로 유지되는 플라즈마 발생실과; 상기 플라즈마 발생실에 접속된 플라즈마 처리실과; 일단은 상기 플라즈마 처리실의 대향측에서 상기 플라즈마 발생실에 접속되고, 타단에는 마이크로파 발생원이 설치되어 있는 도파관(導波管)과; 상기 도파관과 접속되는 플라즈마 발생실의 부분에서 소정의 공간 크기를 가지는 확대공간; 상기 확대공간내에 설치된 간막이판을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생실과 상기 플라즈마 처리실과의 경계에 펀칭메탈을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 간막이판에는 십자형의 구멍이 설치된 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 간막이판에는 가로 세로비가 1이 아닌 링형상의 구멍이 설치된 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 마이크로파 도입창의 상측 또는 하층상에 그 주변쪽에서 두께가 더 두꺼운 유전체를 포함하여, 그 렌즈작용에 의하여 주변부의 전계를 더욱 강하게 만드는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  6. 마이크로파 플라즈마 처리장치에 있어서, 플라즈마 발생실과; 상기 플라즈마 발생실내로 처리가스를 공급하는 수단과; 상기 플라즈마 발생실의 일단에 펀칭 메탈을 거쳐 접속된 처리실과; 상기 처리실내를 진공배기하는 수단과; 상기 플라즈마 발생실의 타단에 마이크로파 도입창을 거쳐 접속되어 상기 플라즈마 발생실의 접속부에 소정의 크기를 가지는 확대공간을 갖는 확대 도파관과; 상기 확대도파관의 확대공간의 내측표면에 가로 세로비가 1이 아닌 구멍이 설치된 링형상의 간막이판을 포함한 것을 특징으로 하는 마이크로 플라즈마 처리장치.
  7. 제4항 또는 6항에 있어서, 상기 간막이판의 상기 가로 세로비가 1.0과 1.7사이인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라지마 처리장치.
  8. 제2항 또는 6항에 있어서, 상기 펀칭메탈은 직경이 3mm 내지 15mm인 복수의 작은 구멍을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  9. 제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 간막이판과 상기 도파관의 일단과의 간격이 90mm 내지 140mm의 범위인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항 내지 6항에 있어서, 상기 플라즈마 처리실은 어싱처리실로 이용되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  11. 플라즈마를 이용하여 시료를 처리하는 마이크로파 플라즈마 처리방법에 있어서, 마이크로파를 발생하고, 공진실에서 공진모드로 상기 마이크로파를 공진시키고, 상기 공진실에서 상기 공진모드의 상기 발생된 전계의 분포를 변경하고, 상기 공진실을 기밀유지된 진공의 공간으로부터 분리하여 상기 마이크로파를 상기 진공공간으로 인도하고, 상기 마이크로파와 상호 작용하도록 상기 진공공간으로 가스를 공급하여 플라즈마를 발생하고, 상기 플라즈마에 의하여 상기 시료를 처리하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 시료를 처리하는 단계는 플라즈마로 상기 시료의 표면을 어싱하는 단계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940005068A 1993-03-17 1994-03-15 마이크로파 플라즈마 처리장치 KR940023322A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-56809 1993-03-17
JP5056809A JPH06267910A (ja) 1993-03-17 1993-03-17 マイクロ波プラズマ処理装置
JP5278085A JP2972507B2 (ja) 1993-11-08 1993-11-08 マイクロ波プラズマ処理装置
JP93-278085 1993-11-08

Publications (1)

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KR940023322A true KR940023322A (ko) 1994-10-22

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100762754B1 (ko) * 1999-11-30 2007-10-09 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5866986A (en) * 1996-08-05 1999-02-02 Integrated Electronic Innovations, Inc. Microwave gas phase plasma source
US6080270A (en) * 1997-07-14 2000-06-27 Lam Research Corporation Compact microwave downstream plasma system
US6074516A (en) * 1998-06-23 2000-06-13 Lam Research Corporation High sputter, etch resistant window for plasma processing chambers
US6358309B1 (en) * 1998-12-10 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Low dust wall repair compound
JP4714309B2 (ja) * 1998-12-11 2011-06-29 サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー プラズマ加工装置
JP2001023959A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
DE10010766B4 (de) * 2000-03-04 2006-11-30 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von insbesondere gekrümmten Substraten
JP3501715B2 (ja) * 2000-03-21 2004-03-02 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP3625197B2 (ja) * 2001-01-18 2005-03-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ装置およびプラズマ生成方法
JP4008728B2 (ja) * 2002-03-20 2007-11-14 株式会社 液晶先端技術開発センター プラズマ処理装置
US6998565B2 (en) * 2003-01-30 2006-02-14 Rohm Co., Ltd. Plasma processing apparatus
US20050000446A1 (en) * 2003-07-04 2005-01-06 Yukihiko Nakata Plasma processing apparatus and plasma processing method
US7189675B2 (en) 2005-03-07 2007-03-13 Equistar Chemicals, Lp Olefin polymerization catalyst on plasma-contacted support
WO2008032856A2 (en) * 2006-09-13 2008-03-20 Noritsu Koki Co., Ltd. Plasma generator and work processing apparatus provided with the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63122123A (ja) * 1986-11-12 1988-05-26 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100762754B1 (ko) * 1999-11-30 2007-10-09 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치
KR100770630B1 (ko) * 1999-11-30 2007-10-29 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치

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US5647944A (en) 1997-07-15

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