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KR940012840A - 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 스위치 오프를 제어하기 위한 회로 장치 - Google Patents

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 스위치 오프를 제어하기 위한 회로 장치 Download PDF

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Publication number
KR940012840A
KR940012840A KR1019930023184A KR930023184A KR940012840A KR 940012840 A KR940012840 A KR 940012840A KR 1019930023184 A KR1019930023184 A KR 1019930023184A KR 930023184 A KR930023184 A KR 930023184A KR 940012840 A KR940012840 A KR 940012840A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
gate
source
voltage
field effect
Prior art date
Application number
KR1019930023184A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100315409B1 (ko
Inventor
바이엘 에릭
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 도이취랜드 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 이. 힐러, 텍사스 인스트루먼츠 도이취랜드 게엠베하 filed Critical 윌리엄 이. 힐러
Publication of KR940012840A publication Critical patent/KR940012840A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100315409B1 publication Critical patent/KR100315409B1/ko

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Abstract

전기 부하(ZL)의 공급 회로(10)에 배치된 금속 산화물 회로 반도체 (MOS) 전계 효과 트랜지스터 (TO)의 스위치 오프를 제어하기 위한 회로 장치는 과전류 검출수단 (12)와 그것에 의해 제어될 수 있는 방전 회로 (14)를 포함한다. 방전 회로 (14)를 통해 예정가능한 시정수는 게이트-소스 전압 (UGS)의 함수로서 변하는 값으로 가정하고, 방전 회로 (14)는 저항 (R)의 병렬 장치 및 복수의 다이오드 (Dl-Dn)를 직렬로 한 다이오드 장치를 포함한다.

Description

금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 스위치 오프를 제어하기 위한 회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 공급 회로에 포함되는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터를 스위치 오프하기 위한, 제1도에 따른 공급 회로에 배치된 본 발명에 따른 회로 장치의 회로 원리를 도시하는 도면.
제3도는 게이트-소스 전압의 함수로서 제2도에 따른 공급 회로에 배치되는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 드레인-소스 저항값을 나타내는 그래프.
제4도는 본 발명에 따른 회로 장치에 의해 발생되는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 스위치 오프 또는 방전 중의 게이트 전압의 시간 프로필을 도시하는 도면.

Claims (8)

  1. 전기 부하(ZL)의 공급 회로(10)에 배치되고 하측 구동기(LSD)로서 기능하는 금속 산화물 회로 반도체(MOS) 전계 효과 트랜지스터(TO)의 스위치 오프를 제어하고, 과전류 검출 수단(12) 및 과전류 상태에서 예정할 수 있는 시정수(t)에 따라 상기 과전류 검출 수단(12)에 의해 제어되고 게이트 소스 캐패스턴스(CGS)에 저장된 전하를 방전하기 위한 상기 MOS 전계 효과 트랜지스터(TO)의 게이트 단자(G) 와 소스 단자(S) 사이에 있는 방전회로(14) 를 포함하는 회로 장치에 있어서, 상기 방전 회로(14)에 의해 예정될 수 있는 상기 시정수(t)는 상기 MOS 전계 효과 트랜지스터(TO)가 게이트-소스 전압(UGS)의 변화에 따라 드레인-소스 저항(RDS)의 실질적 변화가 없는 상부 전압 범위(B-C)와 상기 드레인-소스 저항(RDS)가 상기 게이트-소스 전압(UGS)에 따라 변하는 하부 전압 범위(A-B) 사이에 배치되는 게이트-소스 전압(UGSB)을 나타내자 마자 2개의 상이한 값 사이에서 스위치 가능하고, 상기 시정수(t)는 상기 게이트-소스 전압(UGS)가 상기 상부 전압 범위(B-C) 내에 있는 한 비교적 낮은 값(t1)을 가지며, 상기 게이트-소스 전압(UGS)가 상기 하부 전압 범위(A-B)에 배치되자마자 비교적 높은 값(t2)로 되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방전 회로(14)에 의해 예정될 수 있는 상기 시정수(t)는 상기 상부 전압 범위(B-C)내의 게이트-소스 전압(USG)에 대해 제로 영역 내의 값(t1)을 갖는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방전 회로(14)는 상기 과전압 검출 수단(12)에 의해 제어되고 상기 MOS전계 효과 트랜지스터(TO)의 게이트 단자(G)와 소스 단자(S) 사이에 삽입되어 있는 전자 스위치(S)를 통해 스위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 방전 회로(14)가 하나 이상의 음저항(R)을 갖는 저항 장치와 직렬 회로화된 하나 이상의 다이오드(Dl-Dn)의 다이오드 장치의 병렬 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 다이오드 장치(Dl-Dn)의 순방향 전압(n·UD)가 상부와 하부 전압 범위(각각 B-C와 A-B)사이에 있는 상기 게이트-소스 전압(UGSB)의 함수로서 선택되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 MOS 전계 효과 트랜지스터(TO)가 소스 회로에서 상기 전기 부하(ZL)에 접속되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 저항 장치(R)과 상기 병렬 다이오드 장치(Dl-Dn)을 포함하는 상기 방전 회로(14)는 상기 과전류 검출 수단(12)에 의해 상기 MOS 전계 효과 트랜지스터(TO)의 상기 게이트 단자(G) 및 상기 소스 단자(S)에 직접 접속되고, 상기 다이오드 장치(Dl-Dn)의 상기 순방향 전압(n·UD)는 상부와 하부 전압 범위(각각 B-C와 A-B) 사이에 있는 상기 게이트-소스 전압(UGSB)와 동일하게 선택되는 것을 특징으로 하는 회로 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 과전압 검출 수단(12)는 단락 회로 검출기 수단인 것을 특징으로 하는 회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023184A 1992-11-03 1993-11-03 금속산화물반도체전계효과트랜지스터의스위치오프를제어하기위한회로장치 KR100315409B1 (ko)

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DEP4237119.8 1992-11-03
DE4237119A DE4237119C1 (de) 1992-11-03 1992-11-03 Schaltungsanordnung zum kontrollierten Abschalten eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940012840A true KR940012840A (ko) 1994-06-24
KR100315409B1 KR100315409B1 (ko) 2002-02-19

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KR1019930023184A KR100315409B1 (ko) 1992-11-03 1993-11-03 금속산화물반도체전계효과트랜지스터의스위치오프를제어하기위한회로장치

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT407681B (de) * 1995-05-15 2001-05-25 Elin Ebg Traction Gmbh Verfahren zur abschaltung eines spannungsgesteuerten halbleiters
DE19619120A1 (de) * 1996-05-11 1997-11-13 Telefunken Microelectron Schaltvorrichtung mit Leistungs-FET und Kurzschlußerkennung
JP4432953B2 (ja) 2006-09-27 2010-03-17 株式会社日立製作所 半導体電力変換装置
JP5587133B2 (ja) * 2010-10-22 2014-09-10 ローム株式会社 ハイサイドスイッチ回路、インターフェイス回路、および電子機器
FR3021823B1 (fr) * 2014-05-27 2017-10-20 Renault Sas Transistor a effet de champ et dispositif de detection de defaillance associe
GB2597738A (en) 2020-07-31 2022-02-09 Aptiv Tech Ltd A method and switching circuit for connecting and disconnecting current to a load having inductance
CN116990655B (zh) * 2023-09-26 2023-12-19 安徽大学 一种基于漏-源电压变化率的晶体管短路检测电路和方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1229140B (de) * 1962-03-01 1966-11-24 Atlas Werke Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer zeitabhaengig ansteigenden oder abfallenden Spannung
US4504779A (en) 1983-03-11 1985-03-12 Hewlett-Packard Company Electrical load drive and control system
DE3936544A1 (de) * 1988-12-21 1990-06-28 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum schutz eines leistungs-mosfet
DE3905645A1 (de) * 1989-02-21 1990-08-23 Licentia Gmbh Ansteuerverfahren zur verbesserung des ueberstromabschaltverhaltens von leistungshalbleiterschaltern mit mos-steuereingang
DE4012382A1 (de) * 1990-04-18 1991-10-24 Licentia Gmbh Verfahren und anordnung zum abschalten eines leistungshalbleiterschalters mit mos-steuereingang bei ueberstroemen

Also Published As

Publication number Publication date
JP3494682B2 (ja) 2004-02-09
EP0596474A3 (en) 1994-11-23
DE69317206T2 (de) 1998-07-09
DE4237119C1 (de) 1994-02-24
DE69317206D1 (de) 1998-04-09
JPH06216734A (ja) 1994-08-05
EP0596474A2 (en) 1994-05-11
KR100315409B1 (ko) 2002-02-19
EP0596474B1 (en) 1998-03-04

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