KR940001503B1 - 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법

제1도 (a) 내지 제1도 (i)는 종래의 제조공정 단면도.

제2도 (a) 내지 제2도 (d)는 본발명의 제조공정 단면도.

제3도는 제2도 (A)의 a-a'선 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 석영기판 2 : 크롬막

3 : 위상시프터산화막 4 : 도전막

5 : 전자빔 감광제

본발명은 자기정렬(Self-Align) 위상시프트 마스크(Phase Shift Mask) 제조방법에 관한 것으로, 특히 크롬(Cr)층과 위상시프터(Shifter)층간의 정렬오차를 최소화하고 공정을 단순화시킴으로써 고해상도의 마스크 제조에 적당하도록 한 것이다.

종래의 위상시프트 마스크 제조공정을 첨부된 제1도 (a) 내지 제1도 (e)를 참조하여 상술하면 다음과 같다.

먼저 제1도 (a)와 같이 위상시프트 마스크를 제조하기위해 마스크용 석영(Quartz) 기판(10)상에 도전막(Conductor)(11)과 크롬막(12) 및 전자빔 기록용 전자빔 감광제(E. Beam Resist)(13)를 차례로 코팅(Coating)한다.

그리고 제1도 (b)와 같이 상기 전자빔 감광제(13)상에 전자빔 리토그래피(Lithography)를 행하여 소정의 패턴을 형성한다음 크롬막(12)을 에치(Etch)하여 불필요한 부분을 제거하고 상기 전자빔 감광제(13)를 제거한다.

이어 제1도 (c)와 같이 위상시프터 산화막(14)을 코팅하고 그위에 다시 전자빔 감광제(13a)를 코팅한후 이 전자빔 감광제(13a)상에 전자빔 리토그래피를 실시하여 제1도 (d)와 같이 위상시프터산화막(14)상에 소정의 감광제 패턴을 형성한다.

그리고 상기 감광제(13a)의 패턴을 마스크로 산화막(14)을 에치하여 불필요한 부분을 제거한 다음 제1도 (e)와 같이 잔여 전자빔 감광제(13a)를 제거함으로써 최종적인 위상시프트 마스크가 완성된다.

그러나 상기 종래기술은 다음과 같은 단점이 있었다.

첫째, 크롬층 제조시와 위상시프터 제조시 각각 전자빔 리토그래피가 사용됨으로써 제조원가가 높고 공정이 길어짐으로써 공정결함이 발생되었다.

둘째, 크롬층과 위상시프터간의 정렬오차가 발생하게되며 이의 축소가 어렵게 된다.

세째, 전자빔 감광제에 전자빔 기록시 전자전하에 의한 절연파괴 및 전자빔 시프트등의 문제점을 제거하기 위한 도전막의 광흡수로 인해 위상시프트 마스크의 효율저하가 발생된다.

본발명은 상기 단점을 제거키위한 것으로 스태퍼(Stepper)용의 래티클(Reticle) 정렬 마스크인 크롬막 패턴과 위상시프터간의 정렬을 전자빔 감광제의 사용횟수를 줄이고도 더욱 정확하게 행할 수 있을뿐만 아니라 캐리어(Carrier)를 빼낼 도전막으로서의 금속을 위상시프터인 산화막의 윗쪽에 증착함으로써 반사율을 줄일 수 있도록한 장기정렬 위상시프트 마스크 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본발명에 따른 제조공정을 첨부된 제2도 (a) 내지 제2도 (d)를 참조하여 상술하면 다음과 같다.

먼저 제2도 (a)와 같이 석영기판(1)상에 크롬막(2)을 형성하고 제3도와 같은 평면도를 갖는 마스크를 이용하여 크롬이 있어야할 부위(X, Y, Q)의 크롬막(2)을 선택적으로 남겨놓고 투명 위상시프트층을 형성할 나머지 부위의 크롬막(2)은 제거한다. 이어 상기 석영기판(1)위에 위상시프트 산화막(3)을 코팅하고 그위에 도전막(4)과 전자빔용 감광제(5)를 차례로 코팅한다. 그리고 제2도 (b)와 같이 상기 전자빔용 감광제(5)상에 소정 패턴형성을 위한 전자빔 기록 및 현상을 실시한다음 상기 소정패턴이 형성된 감광제(5)를 마스크로 위상시프터 산화막(3)을 에치하여 불필요한 부분을 제거한다.

이어 제2도 (c)와 같이 상기 동일 감광제(5)를 마스크로 크롬막(2)을 에치하여 불필요한 부분을 제거한 다음 제2도 (d)와 같이 잔여 전자빔 감광제(5)를 제거함으로써 공정이 완료된다.

이상과같이 본발명에 의하면 다음과 같은 효과가 발생한다.

첫째, 단1회의 전자빔 기록으로 공정이 완료됨으로써 전체적으로 위상시프트 마스크 제조공정이 단순화된다.

둘째, 크롬층과 시프터층간의 오차가 발생하지 않게됨으로써 정밀한 위상시프트 마스크의 제조가 가능해진다.

세째, 도전막인 금속을 위상시프터용 산화막위에 증착함으로써 반사에 의한 위상시프트 마스크의 효율저하를 방지할 수 있게 된다.

Claims (1)

1. 석영기판상의 설정부위에 크롬막을 선택적으로 형성하는 단계, 전면에 위상시프터막과 도전막 및 전자빔용 감광제를 차례로 코팅하는 단계, 상기 전자빔 감광제상에 전자빔 기록 및 현상을 실시하여 소정패턴을 형성한다음 이를 마스크로 상기 위상시프터막을 에치하여 불필요한 부분을 제거하는 단계, 상기 마스크를 다시 이용하여 자기정렬되게 크롬막을 에치하여 불필요한 부분을 제거한다음 상기 전자빔 감광제를 제거하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 자기정렬 위상시프트 마스크 제조방법.

Images