KR940004759B1

KR940004759B1 - Container for semiconductor

Info

Publication number: KR940004759B1
Application number: KR1019860004108A
Authority: KR
Inventors: 마꼬도 다나까; 히로시 니시다니
Original assignee: 후꾸비 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤; 야기 구마기찌
Priority date: 1985-05-31
Filing date: 1986-05-26
Publication date: 1994-05-28
Also published as: JPH0442263B2; JPS61287582A; KR860009485A

Abstract

내용 없음.No content.

Description

Semiconductor element storage case

제1도는 본 발명의 실시예를 표시하는 사시도.1 is a perspective view showing an embodiment of the present invention.

제2도는 단면도.2 is a cross-sectional view.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1 : 반도체소자 수납케이스 2 : 도전성수지부1: semiconductor device storage case 2: conductive resin part

3 : 투명 수지부3: transparent resin part

본 발명은 IC소자등의 반도체 소자를 정렬상태에서 수납, 간직하기 위한 반도체 소자 수납케이스에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor element storage case for storing and retaining a semiconductor element such as an IC element in an aligned state.

종래부터 IC소자 등을 운반, 검사 등을 위해 수납하는 케이스를 합성수지에 의해 형성한 것은 알려져 있으며, 합성 수지제의 케이스는 비교적 값싸고, 또 투명한 합성 수지를 사용하면 수납의 유무나 수납상태 더욱이 소자에 부여된 마아크등을 투시할 수 있다는 이점도 있다. 그러나 투명한 합성수지는 전기 저항이 높고 정전기가 축적되기 쉽기 때문에 진애(塵埃)를 흡착하거나 정전기에 약한 IC 소자등에 악영향을 끼칠 염려가 있다.Background Art Conventionally, cases in which IC devices and the like are housed for transport, inspection, etc. are known, and synthetic resin cases are relatively inexpensive, and transparent synthetic resins can be used to accommodate storage and storage conditions. There is also an advantage that you can see the mark given to the. However, transparent synthetic resins have high electrical resistance and are easy to accumulate static electricity, which may adversely affect the adsorption of dust and IC devices that are weak to static electricity.

이 때문에 예컨대 일본국 실개소 58-12998호 공보에 표시된 바와같이 케이스의 상부벽면 부분은 투명한 합성 수지로 형성함으로써 투시 가능케하며 이 이외의 부분은 카아본 블랙을 배합하는등에 의해서 도전성을 갖게한 합성수지로 형성함으로서, 정전기의 대전억제를 도모한것이 있다. 그러나 이 구조에 의하여도 전기저항이 높은 투명수지부가 비교적 폭이 넓은 상부벽 전체에 연속되어 존재하기 때문에 이 부분의 정전기의 대전압이 비교적 높게되는 염려가 있어서 IC 소자등에 미치는 악영향을 충분하게 해소할수가 없다. 그리고 상벽부 이외는 도전성수지에 의해 형성되어, 즉 카아본블랙 등을 필요로 함으로써 비교적 값비싸게 되는 도전성 수지부가 케이스의 대부분을 점유하기 때문에 원가가 비싸게된다는 결점도 있다.For this reason, for example, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-12998, the upper wall portion of the case is made of transparent synthetic resin so that it can be viewed through, and other portions are made of synthetic resin which has made conductivity by combining carbon black. By forming, it is possible to suppress the charge of static electricity. However, even with this structure, since the transparent resin portion having high electrical resistance is continuously present on the entire upper wall of a relatively wide area, there is a concern that the voltage of the static electricity in this portion is relatively high, and thus the adverse effect on the IC element and the like can be sufficiently solved. There is no. In addition, there is a drawback that the cost is high because the conductive resin part, which is formed of a conductive resin other than the upper wall part, i.e. requires carbon black or the like, occupies most of the case.

또한 이와 같은 케이스에 있어서 상기 투명 수지부의 형성범위를 좁히면 정전기의 대전량을 적게 할 수가 있으나 반면 도전성수지부가 확대하기 때문에 원가가 보다 비싸게 되는 동시에 내부 투시 가능한 방향이 현저하게 제한 되어 버린다는 불합리가 생긴다.In addition, in such a case, if the formation range of the transparent resin portion is narrowed, the amount of charge of static electricity can be reduced. On the other hand, since the conductive resin portion is enlarged, the cost becomes more expensive and the direction in which the internally viewable can be significantly limited. There is irrationality.

본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 여러가지의 방향으로부터 내부를 투시할 수가 있어서 반도체 소자에 부여된 마아크의 확인등을 용이하게하며 정전기의 대전방지 작용을 대폭으로 높혀, 그리고 원가를 저하시킬 수 있는 반도체소자 수납케이스를 제공하는 것이다.In view of the above circumstances, the present invention can view the inside from various directions, thereby facilitating the identification of the marks applied to the semiconductor element, and greatly increasing the antistatic effect of static electricity, and thus reducing the cost. An element storage case is provided.

본 발명은 반도체 소자를 정렬 상태로 수납할 수 있는 형상의 통상의 케이스를 합성수지에 의해 형성한 것으로서, 합성수지에 도전성재료를 배합하여된 도전성 수지부와 투명한 합성수지로 이루어진 투명 수지부를 스트라이프(stripe)상으로 케이스의 둘레 방향에 교호로 배설한 것이다.The present invention is formed by a synthetic resin of a conventional case of a shape that can accommodate a semiconductor device in an aligned state, the conductive resin portion formed by blending a conductive material to the synthetic resin and a transparent resin portion made of a transparent synthetic resin (stripe) They are alternately arranged in the circumferential direction of the case.

즉, 투명수지부분을 분산 배치함으로서 정전기가 저류(貯溜)되기 힘들고 방전되기 쉬운 구조로 한 것이다.In other words, by distributing the transparent resin parts, the static electricity is hardly stored and is easily discharged.

[실시예]EXAMPLE

제1도 및 제2도는 본 발명의 실시예를 표시하고 이들의 도면에서 반도체소자 수납케이스(1)는 반도체 소자를 일렬로 정렬시킨 상태에서 수납, 간직할 수 있는 일정 단면형상의 통상으로 형성되어 있다. 표시된 예에서는 듀얼인 라인형의 IC 소자(10)를 수납, 간직하는데 적합한 단면 형상으로 되어, 즉 케이스(1)의 저벽의 폭방향 중앙부가 상방으로 굴곡되어있고, 양측에 리이드선(11)을 가지는 IC 소자(10)를 지지할 수가 있는 형상으로 되어 있으나, 상기 케이스(1)의 단면 형상은 이것에 한정되지 않고, 수납하는 반도체 소자의 형상에 따라서 설계하면 좋다. 또 케이스(1)의 양단 개구부에는 도외의 캡이 부착된다.1 and 2 show an embodiment of the present invention, in which the semiconductor element storage case 1 is formed in a generally cross-sectional shape that can be stored and retained in a state where the semiconductor elements are aligned in a line. have. In the example shown, a cross-sectional shape suitable for storing and retaining the dual-line IC element 10 is formed, that is, the widthwise center portion of the bottom wall of the case 1 is bent upward, and the lead wires 11 are provided on both sides. Although the branch has the shape which can support the IC element 10, the cross-sectional shape of the said case 1 is not limited to this, What is necessary is just to design according to the shape of the semiconductor element to accommodate. In addition, a cap is attached to the openings at both ends of the case 1.

본케이스(1)는 각각 복수조의 도전성 수지부(2)와 투명 수지부(3)로 구성되어 있다. 이들 도전성 수지부(2) 및 투명 수지부(3)는 각각이 케이스(1)의 길이방향으로는 연속되고, 둘레 방향에는 교호로 위치하여 케이스(1) 전체에 스트라이프상으로 배설되어 있다.This case 1 is comprised from the electroconductive resin part 2 and the transparent resin part 3 of several sets, respectively. These conductive resin parts 2 and the transparent resin parts 3 are each continuous in the longitudinal direction of the case 1, and are alternately located in the circumferential direction, and are arrange | positioned in stripe form the whole case 1 whole.

상기 도전성수지부(2)는 염화비닐등의 합성수지에 카아본 블랙등의 도전성재료를 배합함으로서 형성되어 투명수지부(3)는 카아본 블랙등이 배합되어 있지않는 투명한 염화비닐등의 합성수지에 의해 형성되어 있으며 각각 좁은 폭으로 형성되어 있다. 이와 같은 구조의 케이스(1)는 다색 압출방법에 의하여 용이하게 일체로 형성할수가 있다.The conductive resin portion 2 is formed by blending a conductive material such as carbon black with a synthetic resin such as vinyl chloride, and the transparent resin portion 3 is formed of a synthetic resin such as transparent vinyl chloride in which carbon black is not blended. Formed in a narrow width. The case 1 of such a structure can be easily integrally formed by the multi-color extrusion method.

이 반도체 소자 수납케이스(1)에 의하면 좁은폭의 도전성수지부(2)와 투명수지부(3)가 교호로 배설됨으로써 투명수지부(3)에서 정전기의 대전이 억제되어, 도전성 수지부(2)로부터 방전되기 쉽고 1개소에 광폭의 투명수지부가 설치되는 경우에 비하여 대전방지효과를 높일 수 있다.According to the semiconductor element storage case 1, the narrow conductive resin portion 2 and the transparent resin portion 3 are alternately disposed so that the charging of static electricity in the transparent resin portion 3 is suppressed and the conductive resin portion 2 The antistatic effect can be enhanced compared to the case where the transparent resin part is easy to be discharged from a wide area and a wide transparent resin part is installed in one place.

그리고 케이스(1) 전체에 투명 수지부(3)를 분산 배치함으로서 전체적으로는 투명 수지부(3)를 많이 설치할 수 있는 동시에 임의의 방향으로부터 내부를 투시할 수가 있으며 수납의 유무나 수납상태 더욱이 마아크의 확인등이 용이하게 된다. 도전성수지부(2)와 투명수지부(3)와의 비율 및 각 수지부의 폭은 대전방지효과 등을 고려하여 미리 적당하게 설정하여두면 좋다.By dispersing and disposing the transparent resin portion 3 throughout the case 1, the transparent resin portion 3 can be installed as a whole, and the inside can be viewed from an arbitrary direction. Confirmation etc. becomes easy. The ratio between the conductive resin portion 2 and the transparent resin portion 3 and the width of each resin portion may be appropriately set in advance in consideration of the antistatic effect and the like.

이 대전방지효과를 조사하기 위해 행한 시험 결과를 다음표에 표시하였다. 이표는 각각 시험용으로 플레이트상으로 형서한 샘플 A, B, C의 각 시료에 대하여 경도 대화연식 로우터리 스터체크테스터를 사용하여 JIS L-1094-1980에 의한 측정법으로 조사한 마찰대전압과 비저항을 표시하고 있다. 샘플 A는 전체를 도전성수지(염화비닐에 카아본 블랙을 배합)에 의해서 형성한 것으로 샘플 B는 4.5mm 폭의 도전성수지부(2)와 1mm 폭의 투명수지부(3)(투명한 염화비닐)을 교호로 배설한것, 샘플 c는 1mm 폭의 도전성 수지부(2)의 4.5mm폭의 투명수지부(3)를 교호로 배설한 것이다.The test results conducted to investigate this antistatic effect are shown in the following table. This table shows the friction band voltage and specific resistance of each sample A, B, and C, which were formed on a plate for testing, by the measuring method according to JIS L-1094-1980, using a hardness interactive rotary stuck check tester. Doing. Sample A is formed entirely of conductive resin (carbon black is mixed with vinyl chloride). Sample B is 4.5 mm wide conductive resin part 2 and 1 mm wide transparent resin part 3 (transparent vinyl chloride). The sample c alternately arranged the 4.5 mm wide transparent resin portion 3 of the 1 mm wide conductive resin portion 2.

또한, 측정은 20℃, 50% RH의 환경에서 행하였다.In addition, the measurement was performed in the environment of 20 degreeC and 50% RH.

이 표에 표시한 바와같이 투명수지부(3)의 비율 및 폭을 작게하면 마찰대전압 및 비저항이 작게된다. 일반적으로 반도체 수납케이스에 있어서는 마찰대 전압이 1000V이하이면 충분히 대전방지효과가 있기 때문에 샘플 A 및 샘플 B는 반도체 수납케이스의 소재로서 대전방지에 유효하다.As shown in this table, decreasing the ratio and width of the transparent resin portion 3 reduces the frictional voltage and the specific resistance. Generally, in the semiconductor storage case, if the friction band voltage is 1000 V or less, the antistatic effect is sufficiently sufficient, so that Sample A and Sample B are effective for antistatic as a material of the semiconductor storage case.

그리고 도전성수지부(2)에 대하는 투명수지부(3)의 비율이 크게될수록 또 투명수지부(3)의 폭이 넓게 될 수록 마찰대 전압이 높게되나, 도전성수지부(2)에 대하는 투명수지부(3)의 비율을 1 : 1 정도까지로하고, 투명수지부(3)의 폭을 4mm 정도이하로하여 두면 대전방지 효고는 양호하게 유지된다.As the ratio of the transparent resin portion 3 to the conductive resin portion 2 increases, and the width of the transparent resin portion 3 increases, the frictional band voltage increases, but the transparent water of the conductive resin portion 2 increases. The ratio of the branch 3 to about 1: 1 and the width of the transparent resin portion 3 to about 4 mm or less can be maintained satisfactorily.

이와 같은 범위내에서 투명수지부(3)의 비율을 크게하고 원가의 저렴화를 도모하면 좋다Within this range, the ratio of the transparent resin portion 3 may be increased to reduce the cost.

이상과같이 본 발명의 반도체 소자 수납케이스는 도전성수지부와 투명 수지부를 스트라이프상으로 케이스의 둘레방향으로 교호로 배설하였기 때문에 케이스 상벽부등에 국부적으로 비교적 광폭의 투명 수지부가 설치된 종래의 케이스에 비하여 전체적으로는 투명 수지부를 증대시키며, 투명 수지부 개개의 폭을 좁게 할 수가 있어서 이에 의하여 대전 방지효과를 대폭적으로 높이고, 그리고 원가도 저하시킬 수 있다.As described above, in the semiconductor element storage case of the present invention, since the conductive resin portion and the transparent resin portion are alternately arranged in a stripe shape in the circumferential direction of the case, compared with the conventional case in which the relatively wide transparent resin portion is locally installed on the upper wall portion of the case. Overall, the transparent resin portion can be increased, and the width of each transparent resin portion can be narrowed, whereby the antistatic effect can be significantly increased, and the cost can be reduced.

또 여러 가지의 방향으로부터 내부를 투시할 수 있으므로 반도체소자에 부여된 마아크의 확인등에도 편리한 등의 효과를 발휘하는 것이다.Moreover, since the inside can be viewed from various directions, it is effective to confirm the mark attached to the semiconductor element and the like.

Claims

The case is formed by a synthetic resin, which is a case in which a semiconductor element can be stored in an aligned state, and the transparent resin portion made of a conductive resin and a transparent synthetic resin in which a conductive material is mixed with the synthetic resin in a stripe shape in the circumferential direction of the case. A semiconductor device storage case, characterized in that alternately arranged.