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KR940004366B1 - 교차 결합된 도전성 중합체를 포함하고 있는 전기장치 - Google Patents

교차 결합된 도전성 중합체를 포함하고 있는 전기장치 Download PDF

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KR940004366B1
KR940004366B1 KR1019860001830A KR860001830A KR940004366B1 KR 940004366 B1 KR940004366 B1 KR 940004366B1 KR 1019860001830 A KR1019860001830 A KR 1019860001830A KR 860001830 A KR860001830 A KR 860001830A KR 940004366 B1 KR940004366 B1 KR 940004366B1
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South Korea
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KR1019860001830A
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KR860007682A (ko
Inventor
강-싱 오우 앤드류
엘리노어 디프 마거리트
에드워드 파헤이 티모디
마크 쟈콥스 스테펀
Original Assignee
레이켐 코포레이션
허버트 지.버카드
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Publication date
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Abstract

내용 없음.

Description

교차 결합된 도전성 중합체를 포함하고 있는 전기장치
제1도는 본 발명의 회로 보호장치의 정면도.
제2도는 본 발명의 회로 보호장치의 평면도.
제3도는 본 발명의 회로 보호장치의 측면도.
제4도는 선행 기술에 따라 그리고 본 발명에 따라 교차 결합되어 있는 장치에 대한 저항/온도 곡선.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 2 : 원주형 전극 3 : PTC 도전성 중합체 엘레멘트
본 발명은 PTC 도전성 중합체를 포함하고 있는 전기장치에 관한 것이다.
PTC 상태로 존재하는 도전성 중합체 조성물 및 그들을 포함하고 있는 전기장치는 이미 공지되어 있다. 예를 들어 참고 자료는 다음과 같다 : 미국 특허번호 제2,952,761; 2,978,665; 3,243,753; 3,351,882; 3,571,777; 3,757,086; 3,793,716; 3,823,217; 3,858,144; 3,861,029; 3,950,604; 4,017,715; 4,072,848; 4,085,286; 4,117,312; 4,177,376; 4,177,446; 4,188,276; 4,237,441; 4,242,573; 4,246,468; 4,250,400; 4,252,692; 4,255,698; 4,271,350; 4,272,471; 4,304,987; 4,309,596; 4,309,597; 4,314,230; 4,314,231; 4,315,237; 4,317,027; 4,318,881; 4,327,351; 4,330,704; 4,334,351; 4,352,083; 4,361,799; 4,388,607; 4,398,084; 4,413,301; 4,425,397; 4,426,339; 4,426,633; 4,427,877; 4,435,639; 4,429,216; 4,442,139; 4,459,473; 4,473,450; 4,481,498; 4,502,929; 4,514,620; 4,517,449; 4,529,866; 4,534,889, 및(참고서적 : J. Applied polymer Science 19, 813-815(1975), klason and kubat; polymer Engineering and Science 18, 649-653(1978), Narkis et al); 유럽 출원번호 제38,713, 38,714, 38,718, 74,281; 92,406, 119,807, 134,145, 84,304, 502.2, 84,307, 984.9, 85,300, 415.8, 85,306, 476.4 그리고 85,306, 477.2.
PTC 도전성 중합체를 포함하고 있는 특히 유용한 장치는 자동조절 히터 및 회로 보호장치이다. 자동조절 히터는 비교적 뜨거우며 정상 가동상태하에서는 비교적 높은 저항을 갖는다. 회로 보호장치는 비교적 차가우며 정상 가동상태하에서는 비교적 낮은 저항을 가지나 과전류나 과온도와 같은 장애 상태가 발생하면 그릇되게 된다(tripped). 즉, 높은 저항상태로 전환된다. 장치가 과전류에 의해 그릇되게 되면 PTC 엘레멘트를 통과하는 전류는 높은 저항상태에 있을때 높은 온도까지 자기 가열을 시킨다. 회로 보호장치와 그들에 사용되는 PTC 도전성 중합체 조성물은 다음 참고자료에 기술되어 있다 : 미국 특허번호 제4,237,411; 4,238,812; 4,255,698; 4,315,237; 4,317,027; 4,329,726; 4,352,083; 4,413,301; 4,450,496; 4,475,138; 및 4,481,498; 유럽 특허공고번호 제38,713, 134,415와 158,410, 그리고 미국 출원번호 제711,790(MP0991), 711,907(MP1021), 711,908(MP1016).
많은 장치 특히, 회로 보호장치에서, PTC 도전성 중합체는 바람직하게는 방사선에 의해 교차 결합되는 것이 요구되거나 필요하다. 무엇보다도 교차 결합의 효과는 중합체 및, 교차 결합 단계동안의 상태 특히, 미국 특허번호 제4,534,889 및 유럽 특허공고번호 제63,440에 기술되어 있는 것처럼 교차 결합의 범위에 의존하고 있다. 도전성 중합체 엘레멘트가 쪼임을 받게 되면 주어진 시간동안 엘레멘트의 특별한 부분에 의해 흡수된 방사선 량은 소스(source)에 대해 드러나있는 엘레멘트 표면으로부터의 거리와, 강도, 에너지 및 방사선 형태에 의존하고 있다. 비교적 얇은 엘레멘트 및 높게 투과하는 소스(즉, 코발트 60 소스)에 있어서, 두께를 갖는 양의 변화는 무시할 수 있다. 그러나, 전자비임을 사용하면 두께를 가진 양에서의 변화가 실재할 수 있으며; 이 변화는 다른 방향으로부터 엘레멘트에 방사선을 쪼임으로써 예를 들면, 소스를 지나서 엘레멘트를 두번 가로질러 한번은 한쪽에 그 다음에는 다른 쪽에 엘레멘트를 쪼임으로써 오프셋 될 수 있다. 비임의 에너지 및 엘레멘트의 두께에 따라(물론, 그 형상에 따라 다양하다), 방사선 량은 중간에서 보다는 방사선에 대해 드러나있는 표면에서 더 높거나 또는 엘레멘트의 두께를 가로질러 일정하거나 또는 방사선에 대해 드러나있는 표면에서 보다 중간에서 더 높을 수 있다. 부가하여, 방사선에 대해 드러나있는 표면 근처의 방사선 량은 표면 산란(scattering)으로 인해 기대했던것보다 적을 수 있으며, 전극 부근의 방사선 량은 전극의 차폐(shielding) 효과와 산란 효과에 의해 영향을 받는다.
만약 PTC 도전성 중합체가 두 단계를 교차 결합되고, 교차 결합단계 사이에 결정이 녹기 시작하는 온도 이상의 온도까지(여기서는 TI로 나타냄) 그리고 바람직하게는 결정의 용융이 완전하게 되는 온도 이상까지(여기서는 TM나타냄) 가열된다면, 결정성 중합체에 기초를 둔 PTC 도전성 중합체는 특히 고전압 스트레스를 받을때 실질적으로 개선된 전기적 특성을 갖음을 ;. 예를 들어 만일 두개의 동일한 회로 보호장치가 동일한 총 방사량을 받고 두 단계에서 하나는 어떤 중간 열처리 단계도 없이 그리고 두 단계에서 다른 하나는 TM이상이 중간 열처리된다면, 후자의 생성물은 고전압(예를 들면, 600볼트 AC와 1암페어)에서 계속되는 "트립핑(tripping)"에 대한 더 나은 공차를 가지며 PTC 엘레멘트 "트립핑" 공정동안 뜨거워지지 않는다. 새로운 공정은 다른 교차 결합 구조를 초래하므로 도전성 중합체의 저항/온도 곡선은 적어도 어떤 상승된 저항에서 특별한 장치 저항이 더 낮은 저항에 도달되도록 변화됨은 이론화되어있다.
PTC 도전성 중합체 장치는 만일 전극 사이의 중앙부분이 전극에 인접한 PTC 엘레멘트 부분에 의해 흡수된 방사선 량의 1.5배인 방사선 량을 흡수하도록 교차 결합된다면 광대역 긴급 통신(broader hot line) 그리고/또는 더욱 빠른 응답과 같은 개선된 특성을 갖게 됨은 알려져있다.
특히 유용한 결과는 이러한 두가지 발견이 조립될때 얻어진다. 예를 들어 이러한 방법에서는, 1암페어와 600볼트 AC에서 반복되는 트립핑을 견딜 수 있고 특별한 저항동안 PTC 엘레멘트 전체가 두 단계에서 쪼임을 받는 비슷한 장치보다 더욱 빠르게 그릇(trip)될 수 있는 회로 보호장치를 만들 수 있다.
그 첫번째 개념에서, 본 발명은 (1) PTC 상태로 존재하며, 결정성 중합체를 포함하고 있는 중합체 성분과 중합체 성분에 흩뿌려져있는 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있는 교차 결합된 도전성 중합체 조성물로 구성된 PTC 엘레멘트와; (2) PTC 엘레멘트에 전기적으로 연결되어 있으며, 전류가 PTC 엘레멘트를 통과하도록 전력 소스에 연결될 수 있는 두개의 전극을 포함하고 있는 전기장치를 준비하기 위한 공정을 제공하며, 그 공정은 (가) PTC 엘레멘트의 최소한의 부분이 제1교차 결합단계를 받고; (나) 교차 결합된 PTC 엘레멘트의 최소한의 부분을 도전성 중합체가 녹기 시작하는 온도인 TI이상으로 가열하고; (다) 중합체를 재결정화(recrystallize)하기 위해 교차 결합되고 가열된 PTC 엘레멘트를 냉각시키며; (라) 또 다른 교차 결합이 이루어지도록 교차 결합되고 가열되고 냉각된 PTC 엘레멘트의 최소한의 부분을 제2교차 결합단계를 받게하는 단계들을 포함하고 있다.
그 두번째 견해해서, 본 발명은 100오옴보다 적은 저항을 가지며 상기된 공정에 의해 준비될 수 있는 회로 보호장치를 제공하는데, 회로 보호장치는 (1) PTC 상태로 존재하며, 결정성 중합체를 포함하고 있는 중합체 성분과 그 중합체 성분에 흩뿌려져있는 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있는 교차 결합된 도전성 중합체 조성물로 구성된 PTC 엘레멘트와; (2) PTC 엘레멘트에 전기적으로 연결되어있으며, 전류가 PTC 엘레멘트를 통과하도록 전력 소스에 연결될 수 있는 두개의 전극을 포함하고 있으며, 만일 장치에 600볼트 AC의 전원으로부터 1암페어의 전류를 통과시킴으로써 상기의 회로 보호장치가 평형(equilibrium) 고온으로, 그리고 높은 저항상태로 전환된다면, 상기의 PTC 엘레멘트는 평형 상태에서 많아야 1.2배의 TM인 최대온도를 갖는데, 여기서 TM은 도전성 중합체의 용융이 완전히 끝난 온도(℃)이다. 본 명세서에 나타나 있는 최대온도는 PTC 엘레멘트의 표면에서 최대온도이다.
그 세번째 견해에서, 본 발명은 (1) PTC 상태로 존재하며, 중합체 성분 및 그 중합체 성분에 흩뿌려져있는 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있는 교차 결합된 도전성 중합체 조성물로 구성된 PTC 엘레멘트와; (2) PTC 엘레멘트에 전기적으로 연결되어있으며, 전류가 PTC 엘레멘트를 통과하도록 전력 소스에 연결될 수 있는 두개의 전극을 포함하고 있는 전기장치를 준비하기 위한 공정을 제공하며, 그 공정은 PTC 엘레멘트가 방사선 교차 결합을 받도록 이루어져 있으며, 그 결과로 생긴 생성물에서 PTC 엘레멘트를 통과하는 전극 사이의 기하학적으로 가장 짧은 전류 경로는 제1방사량 D1Mrad가 흡수된 제1부분, 제2방사량 D2Mrad가 흡수된 제2부분, 그리고 제3방사량 D3Mrad가 흡수된 제3부분을 포함하며, 여기서 D2/D1비는 최소한 1.5이며 D2/D3의 비는 최소한 1.5이고 D1과 D3는 같거나 다르다. 이러한 공정에서, 교차 결합은 두 단계로 이루어지는 것이 바람직하며 PTC 엘레멘트의 부분은 단계중 적어도 한 단계에서 방사를;게 될 것이다. 그러나, 본 발명은 PTC 엘레멘트의 밀도가 변하거나 또는 PTC 엘레멘트에서 교차 결합 에이젼트의 양이 변함으로 인해 PTC 엘레멘트의 다른 부분들이 다른 양의 방사선을 흡수하는 또 다른 공정을 포함하고 있다.
PTC 도전성 중합체의 교차 결합은 양 단계에서 방사선에 의해 이루어지는 것이 바람직하다. 그러나, 본 발명이 화학적 교차 결합을 포함하고 있는 공정 예를 들면, 제1단계는 화학적 교차 결합을 포한하고 제2단계는 방사선 교차 결합을 포함하고 있는 공정에 어느정도까지는 적용될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 방사선 소스 및 PTC 엘레멘트의 두께에 따라, 각 단계는 엘레멘트에 서로 다른 방향에서 한번 또는 그이상 방사선을 쪼이는 것을 포함할 수 있다(상기에 적혀진 이유때문에). 본 명세서에서 PTC 엘레멘트에 대해 주어진 방사성 량은 엘레멘트의 유효부분에 의해 흡수된 최저량이며, 여기서 용어 "유효 부분(effective part)"이란 방사선 량이 방사선의 표면 산란이나 또는 전극에 의한 차폐 또는 전극에 의한 산란에 의해 영향을 받지 않으며 장치가 동작하는 동안 전류가 통과하는 엘레멘트의 어떤부분을 지시하는데 사용된 것이다. 예를 들면, 본 명세서에서는 단계 (가)에서의 방사선 량이 5 내지 60Mrad인 것으로 나타나있으며, 이것은 엘레멘트의 유효부분에 의해 흡수된 최저량이 5 내지 60Mrad의 범위에 있다는 것을 의미하고, 방사선 량은 엘레멘트의 다른 유효부분이 60Mrad 이상의 방사성 량을 받게 되는 가능성을 배제하지 않았다. 그러나 바람직하게도, PTC 엘레멘트의 모든 유효부분은 기술된 범위내의 방사선 량을 받는다.
PTC 엘레멘트의 단 한 부분이 교차 결합 단계중 한 단계에서 방사받게 된다면, 이것은 좁은 방사소스를 사용하거나 또는 가리개(mask)를 사용함으로써 이루어진다. 바람직한 효과는 두 단계에서 장치의 가려진 부분을 제외한 다른 부분을 방사하거나 또는 단계중 한 단계에서 PTC 엘레멘트의 제1부분만을 방사하고 다른 단계에서 PTC 엘레멘트의 제2부분을 방사하므로써 이루어질 수 있으며, 제2부분은 제1부분보다 크며 적어도 제1부분의 어느정도를 포함할 것이다. 제1단계에서 PTC 엘레멘트 전체를 그리고 제2단계에서 중간에 전극이 있는 PTC 엘레멘트의 부분을 교차 결합시키는 것이 바람직하다. 방사선은 바람직하게도 생산물에서 PTC 엘레멘트를 통과하는 전극간의 기하학적으로 가장 짧은 전기적 경로와, 바람직하게는 PTC 엘레멘트를 통과하는 전극들간의 각 전기적 경로가 제1방사량 D1Mrad를 흡수한 제1부분과, 제2방사량 D2Mrad를 흡수한 제2부분과, 그리고 제3방사량 D3Mrad를 흡수한 제3부분을 차례로 포함하게 해주며, D1과 D3는 같은 것이 바람직하고, D2/D1과 D2/D3는 적어도 1.5 특히 2.0, 특별하게는 최소한 3.0 예를 들면, 4.0 또는 그 이상이다. 상기 되어 있는 것처럼, 공지된 교차 결합 순서는 교차 결합 밀도에 있어 어떤 변화를 일으킬 수 있지만 1.5 : 1 처럼 큰 변화는 아니다. 더우기, 그것은 어떤 장점이 그와 같은 변화로부터 전해질 수 있는지는 인정되지 않았으며 교차 결합 단계 사이에 도전성 중합체를 가열 처리하는 것도 공지되어있지 않다.
일반적으로 PTC 도전성 중합체의 교차 결합은 그 전기적 안정성은 물론 저항률을 증가시킨다. 저항률의 증가는 어떤 경우에는 받아들여 질 수 있지만, 다른 경우에는 장치의 저항 그리고/또는 크기상의 한계가 요구하는 정도로 도전성 중합체를 교차 결합시킬 수 없게 만든다. 특히 이러한 조건하에서는, 중간에 전극이 통과하여 나머지 부분보다 더 높은 방사를 받는 PTC 엘레멘트 부분이 비교적 적은 것이 유용하며 장치의 저항이 과도하게 증가되지 않는 한 임계 "고온지역(hot zone)"에서 엘레멘트의 안정성이 증가한다.
제1교차 결합 단계에서의 방사선 량은 제2교차 결합 단계에서의 방사선 량보다 적은 것이 바람직하다. 제1단계에서의 방사선 량은 5 내지 60Mrad 특히, 10 내지 50Mrad 특별하게는 15 내지 40Mrad가 바람직하다. 두번째 단계에서의 방사선 량은 적어도 10Mrad 더욱 바람직하게는 20Mrad 특히, 적어도 40Mrad 특별하게는 50 내지 180Mrad 예를 들면, 50 내지 100Mrad가 바람직하다.
교차 결합된 PTC 도전성 중합체의 최소한의 부분이 두 교차 결합단계 사이에 TI이상으로, 바람직하게는 TM온도 이상으로 가열되면, 그 온도는 평형에 도달하는데 필요한 최소한의 시간 예를 들면, 최소한 1분 예를 들면 2 내지 20분동안 유지되는 것이 바람직하다. 제1단계에서 교차 결합된 PTC 엘레멘트 전체는 이런 방법으로 가열될 것이다. 선택적으로, 엘레멘트의 한 부분만이 그렇게 가열되면 : PTC 엘레멘트의 다른 부분 사이에 상황에 따라 바람직할 수 있고 바람직하지 않을 수 있는 변화를 초래할 수 있다.
여기서 정의되어 있는 것과 같은 도전성 중합체의 TI와 TM은 차동 스캐닝(scanning) 열량계에 의해 만들어진 곡선으로부터 확인될 수 있으며, TI는 곡선이 비교적 직선인 기준선에서 조성물이 흡열 변화(endothernic transition)를 하기 시작함으로 인해 빗나가는 때의 온도이며, TM은 곡선의 피크이다. 만일 곡선에 하나 이상의 피크가 있다면, TI와 TM은 가장 낮은 피크로부터 취해진다(참고자료 : ASTM D-3417-83). 질소 대기와 같은 비활성 대기에서 수행되는 것이 바람직한 PTC 엘레멘트의 가열은 PTC 엘레멘트 전체가 정상적으로 균일하게 가열될 수 있는 예를 들어, 오븐(oven)에서 외부적으로 가열함으로써 이루어질 수 있으며; 또는 내부적으로 발생된 열에 의해 예를 들면, 장치를 그릇되게(trip)하는데 충분한 전류가 장치를 통과함으로써 이루어질 수 있고, 이 경우 가열은 전극사이 PTC 엘레멘트와 좁은 대역에 한정될 것이다.
TI이상으로 가열된 후, PTC 엘레멘트는 제2교차 교차 결합단계가 시작되기 전에 중합체의 재결정화를 위해 냉각된다. 냉각은 천천히 예를 들면, 7℃/분 보다 늦은 속도로 특히, 4℃/분 보다 늦게 특별하게는 3℃/분 보다 늦은 속도로 재결정화가 일어나는 온도 범위를 넘어 이루어지는 것이 바람직하다. 느린 냉각과 함께 다시 비슷한 가열 처리는 제1교차 결합 단계 전, 제2교차 결합 단계 후에 수행되는 것이 바람직하다.
공정의 다른 단계들 사이에 어떤 중복이 있을 수 있다. 예를 들면, PTC 엘레멘트의 쬐임(irradiation)은 엘레멘트가 TI이상의 온도까지 가열되는 동안 계속될 수 있다.
PTC 도전성 중합체는 중합체 성분과 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있다. 중합체 성분은 하나 또는 그 이상의 결정성 중합체를 구성될 수 있으며 또는, 적은 양 예를 들면 중량의 15%까지 탄성 중합체와 같은 비결정성 중합체를 포함할 수 있다. 결정성 중합체는 DSC에 의해 측정된것처럼 적어도 20% 특히, 적어도 30% 특별하게는 적어도 40%의 결정도를 갖는 것이 바람직하다. 적당한 중합체는 폴리올레핀 특히, 폴리에틸렌; 공중합할 수 있는 단위체를 갖고 있는 올레핀의 공중합체를 예를 들면, 에틸렌과 하나 또는 그 이상의 플루오르화된 단위체 예를 들면, 테트라플루오로에틸렌 또는 하나 또는 그 이상의 카르복실-또는 에스테르-을 포함하고 있는 단위체 예를 들면 에틸 아크릴 또는 아크릴 산; 그리고 다른 플루오르 중합체 예를 들면 불화 폴리비닐리덴을 포함하고 있다. 도전성 충진재는 카본 블랙을 포함하거나 카본 블랙으로 구성되는 것이 바람직하다. 조성물은 소호 에이젼트(arc-suppression agent), 방사선 교차 결합 에이젼트, 산화 방지제 및 다른 보조제를 포함하고 있는 비도전성 충진재를 포함할 수도 있다.
본 발명은 회로 보호장치 특히, 고전압 장애를 받으며 반복되는 "트립핑"을 견디어 내야만하는 장치를 제조하는데 특히 유용하다. 일반적으로 그와 같은 장치는 23℃에서 100오옴보다 적은, 종종 50오옴 보다 적은 저항을 가지며, 실내(room) 온도에서 100오옴ㆍcm 바람직하게는 50오옴ㆍcm 보다 적은 저항률을 갖는 PTC 도전성 중합체를 사용한다. 본 발명을 위한 바람직한 보호장치는 원주형의 전기적으로 동작하는 표면을 갖고 있는 두개의 평행 전극을 포함하고 있으며, 그 전극은 PTC 엘레멘트 내에 박혀져 있는 PTC 엘레멘트와 물리적 접촉을 이루고 있다. 장치는 장치가 그릇되어지면 전극으로부터 떨어져 있는 자리에서 고온영역을 형성할 수 있는 형상 또는 다른 특성을 가질 수 있으며(참고자료 : 미국 특허번호 제4,317,027 및 4,352,083), 교차 결합 단계중 한 단계가 중간에 전극이 있는 PTC 엘레멘트의 한 부분에만 수행될때, 이것은 그와 같은 특성을 만들거나 또는 향상시킬 수 있다.
상기되어 있는 것처럼, 교차 결합, TM이상 가열, 냉각, 다시 교차 결합의 순서는 장치가 그릇되었을때(특히, 고전압에서 그릇되었을때) 종래 방법으로 교차 결합되어 있는 장치보다는 "고온영역"을 더욱 냉각시키는 장치를 생기게 한다. PTC 엘레멘트의 최대 온도상의 감소는 장치가 고장나기 전에 장치를 그릇되게 할 수 있는 수를 증가시키기 때문에 매우 명백한 개선책이다. 이 개선책은 아래에 기술되어 있는 테스트의 도움으로 설명될 수 있으며, 거기서 장치는 600볼트 AC 전력 소스로부터의 1암페어의 전류로 인해 그릇되어 진다.
장치는 600볼트 AC 전력 소스, 스위치, 장치, 그리고 장치와 직렬로 이루고 있는 저항기로 구성된 회로의 일부를 이루고 있으며, 장치는 23℃에서 정지 공기(still air) 내에 있으며 저항기는 스위치가 닫혔을때 초기전류가 1암페어인 크기를 갖고 있다. 스위치가 닫히고, 약 10초후(그 시간에 의해 장치는 평형상태가 된다), 적외선 열 영상 시스템은 PTC 엘레멘트의 표면상의 최대온도를 측정하는데 사용된다. 본 발명에 따른 장치는 1.2배의 TM바람직하게는 1.1배의 TM, 특히 TM보다 적은 최대 온도를 갖는다. 공지된 장치는 실질적으로 최소 1.25배의 TM인 더 높은 최대온도를 갖는다. 만일 PTC 엘레멘트의 온도의 장치가 그릇되어 있는 동안 감시된다면, 때때로 엘레멘트의 작은 부분이 제한된 시간동안 1.2배의 TM보다 더 큰 온도에 도달함을 발견할 수 있으나; 그러나, PTC 엘레멘트의 표면의 어떤 부분도 장치가 그릇되어 있는 동안 1.2배의 TM보다 큰 온도에 도달하지 않는 것이 바람직하다.
상기된 테스트 회로는 또한 장치의 내전압 성능을 테스트하는데 사용될 수 있다. 이 테스트에서 스위치는 1초동안(장치를 그릇되게 하는데 충분한) 닫혀져 있으며, 장치는 스위치가 다시 1초동안 닫혀있기 전에 90초동안 냉각된다. 이 순서는 장치가 고장날때까지 계속된다(볼 수 있는 호(arc)나 프레임에 의해 또는 명백한 저항 증가에 의해 입증된다). 본 발명의 바람직한 장치는 이 테스트에서 최소한 100사이클 바람직하게는 최소 125사이클 특히, 적어도 150사이클의 생존 수명(survival life)을 갖는다.
본 발명의 바람직한 회로 보호장치는 원거리 통신 시스템에 있어 가입자 루프 인터페이스 회로(subscriber loop interface circuit)에서 2차적인 보호를 제공하는데 특히 유용하다.
첨부된 도면을 참조해보면, 제1도, 제2도 그리고 제3도에는 제한부(restriction, 31) 때문에 감소된 단면을 갖는 중앙부분을 갖고 있는 PTC 도전성 중합체 엘레멘트(3) 내에 박혀있으며 엘레멘트와 물리적 접촉을 이루고 있는 원주형 전극(1, 2)을 포함하고 있는 회로 보호장치의 정면도, 평면도, 측면도가 나타나 있다.
PTC 엘레멘트의 높이는 ℓ, PTC 엘레멘트의 최대폭은 y, 전극간의 거리는 t, 그리고 전극의 폭은 w이다.
본 발명은 다음의 실시예로 설명되며, 실시예 1과 실시예 2는 비교실시예이다.
[실시예 1]
표 1에 기록되어 있는 성분들은 미리 섞여져 밴버리 혼합기에서 혼합되고, 펠리트화되고, 건조되어 있다. 제1도-제3도에 나타나 있는 회로 보호장치( ℓ=0.300인치, t=0.200인치, x=0.092인치, y=0.060인치, 그리고 w=0.032인치)는 흑연 에멜젼(아케손(Acneson)사에 의해 판매되는 Electrodag 502)으로 코팅된 두개의 20AWG 주석-코팅된 구리선 둘레에 건조된 펠레트(pellet)를 사출 성형시키므로써 만들어진다. 10℃/min. 에서 150℃까지 온도를 상승시키고; 그것을 150℃에서 한시간동안 유지시키고; 2℃/min.에서 110℃까지 냉각하여; 110℃에서 한시간동안 유지시키고; 2℃/min.에서 23℃까지 냉각시키므로써 질소 대기에서 열처리된다. 장치는 1Mev 전자 비임(electron beam)에 의해 교차 결합되며; 장치는 한쪽에 20Mrad의 방사선 량을 그리고 다른 쪽에 20Mrad의 방사선 량을 받게 된다. 따라서 장치는 상기된 것과 같이 제2열처리된다.
[실시예 2]
장치의 각 측면에 방사되는 방사선 량이 80Mrad인 것을 제외하고는 실시예 1의 순서를 따른다.
[실시예 3]
제2열처리후, 장치에는 장치의 한쪽에 60Mrad의 방사선 량을 다른 쪽에 60Mrad의 방사선 량을 받게 되는 제2교차 결합이 주어지며 제1및 제2열처리와 동일한 제3열처리가 가해지는 것을 제외하고는 실시예 1의 순서를 따른다.
[실시예 4]
제1교차 결합 단계에서 각 면에 60Mrad의 방사선 량, 제2교차 결합 단계에서 각 면에 20Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼인는 것을 제외하고는 실시예 1의 순서에 따른다.
[실시예 5]
제2교차 결합단계에서 각 면에 140Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼인는 것을 제외하고는 실시예 1의 순서에 따른다.
실시예 1 내지 실시예 5에 준비된 장치는 상기된 순서에 따라 600볼트 AC와 1암페어에서 테스트되며 얻어진 결과는 표 2에 나타나 있다.
[실시예 6]
표 1에 기록되어 있는 성분은 미리 섞여서, 밴버리 혼합기에서 혼합되고, 펠리트화 되어 건조되어 있다. 도고-본(dog-bone) 형상의 다이(die)에 맞추어진 브라벤더(Brabender) 크로스-헤드 압출기를 사용하면, 펠리트는 흑연-규산염 조성물(아캐손 사에 의해 판매되는 Electrodag 181)로 코팅된 두개의 20AWG 19/32 니켈-코팅된 구리선 둘레에 약 160℃의 온도에서 용융-압출된다. 제1도-제3도에 도시된 것과 같은 장치( ℓ=0.060인치, t=0.160인치, x=0.090인치, y=0.065인치, 그리고 w=0.040인치)를 얻기 위해, 압출된 것(extrudat)은 0.46인치의 조각으로 잘려지며 도전성 중합체는 각 조각의 바닥으로부터 0.20인치 제거된다.
장치는 실시예 1에서처럼 열처리되어; 1.5Mev 전자 비임을 사용하여 한쪽에 20Mrad의 방사선 량을, 다른쪽에 20Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼이므로써 첫번째로 교차 결합되고; 다시 실시예 1에서처럼 열처리하여; 한쪽에 100Mrad의 방사선 량을 그리고 다른쪽에 100Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼이므로써 두번째로 교차 결합되고, 다시 실시예 1에서처럼 열처리된다.
[실시예 7]
표 1에 기록되어 있는 성분은 미리 섞여져 밴버리 혼합기에서 혼합되고 알갱이로 되어(granulated) 건조된다. 제1도-제3도에 나타나 있는 회로 보호장치( ℓ=0.375인치, t=0.466인치, x=0.060인치, y=0.034인치, 그리고 w=0.032인치)는 20AWG 니켈 코팅된 구리선 둘레에 알갱이를 사출 성형시키므로써 만들어진다. 장치는 실시예 1에서와 같이 열처리되고; 1Mev 전자 비임을 사용하여(단 한쪽에만) 20Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼이므로써 첫번째로 교차 결합되고; 다시 실시예 1에서와 같이 열처리된다. 전극에 평행하게, 중앙에서 스트립 0.010인치 폭을 제외하고는 전자로부터 전체 장치를 가리기위해 알루미늄 테이프가 장치에 발라져 있으며; 가려진(masked) 장치는 한쪽에 100Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼임으로써 두번째로 교차 결합되고; 가림(masking) 재료를 제거하여; 장치는 다시 실시예 1에서와 같이 열처리된다.
[실시예 8]
표에서 실시예 8(마스터) 아래에 기록되어 있는 성분은 먼저 섞여져 밴버리 혼합기에서 혼합되어, 알갱이로 건조된다. 알갱이는 83.5 내지 16.5의 부피 비에서 알루미나 트리하이드레이트와 섞여져 표 1에서 실시예 8(최종) 아래에 기록되어 있는 것과 같은 혼합물을 얻게 된다. 브라벤더 크로스-헤드 압출기를 사용하여, 혼합물은 두개의 예열된 평행 20AWG 19/32 스트랜드 니켈-코팅된 구리선 둘레에, 그리고 스트랜드선 사이 중간쯤에 솔리드 24AWG 니켈-코팅된 구리선 둘레에 용융-압출된다. 압출된 것은 약 1.5인치 길이의 조각으로 잘려지며; 도전성 중합체는 각 조각의 한 끝으로부터 스트립되고; 중앙선이 각 조각으로부터 제거되어, 중앙선이 제거된 경우 중간을 통과한는 구멍을 갖고 있는 도전성 중합체 엘레멘트 1인치 길이, 0.4인치 폭, 0.1인치 깊이에 박혀져 있는 스트랜드 선으로 구성된 회로 보호장치를 만들게 된다. 장치는 21.2Mrad/시간의 속도로 코발트 60감마소스를 사용하여 질소 대기에서 20Mrad의 방사선을 장치(단 한쪽에만)에 방사함으로써 첫번째로 교차 결합된다. 92밀(mil) 두께의 알루미늄 시트는 전극에 평행하게 중앙에 스트립 0.062인치 폭을 제외하고 장치를 가리는데 사용된다. 가려진 장치는 1Mev 전자비임을 사용하여 한쪽에 80Mrad의 방사선 량을 다른 쪽에 80Mrad의 방사선 량을 장치에 쪼임으로써 두번째로 교차 결합된다.
실시예 2, 실시예 3, 실시예 7, 그리고 실시예 8에 준비되어 있는 장치의 저항/온도 특성은 2℃/분의 속도로 20℃에서 200℃까지 외부적으로 가열될때 장치의 저항을 측정함으로써 결정된다. 그러므로 조성물의 저항률이 계산되고, 그 결과는 제4도에 그래프적으로 나타나 있으며, 거기서 곡선의 상부에 평평한 부분은 테스트 장치에 의해 측정될 수 있는 최대 저항에 의해 만들어진다.
[표 1]
Figure kpo00001
주
폴리에틸렌(1)은 상품명 Marlex 6003로 필립스 페트롤리옴(Phillips Petroleum)사에 판매되는, 약 135℃의 피크 DSC 용융점을 갖는 고밀도 폴리에틸렌.
폴리에틸렌(2)은 상품명 Alathon 7050으로 듀퐁사에 의해 판매되는 약 135℃의 피크 DSC 용융점을 갖는 고밀도 폴리에틸렌.
카본 블랙(1)은 상품명 Statex G로 콜럼비안 케미컬(Columbian chemicals)사에 의해 판매되는 카본 블랙.
카본 블랙(2)은 상품명 Sterling SO로 카보트(Cabot)사에 의해 판매되는 카본 블랙.
Al2O3.3H2O는 상품명 Hydral 705로 알코아(Alcoa)사에 의해 판매되는 알루미나 트리하이드래이트.
Si-코팅된 Al2O3.3H2O (1)은 상품명 Solem 916SP로 제이.엠.허버(J.M.Huber)사에 의해 판매되는 약 0.8미크론의 입자 크기를 갖는 실란-코팅된 알루미나 산화방지제는 미국 특허번호 제3,986,981에 기술되어 있는 것과 같이 평균 중합도가 3-4인치 4, 4-티오 비스(3-메틸 1-1, 6-t-부틸 페놀)의 소중합체.
[표 2]
Figure kpo00002

Claims (10)

  1. (1) PTC 상태로 존재하며, 결정성 중합체로 구성된 중합체 성분과 그 중합체 성분내에 흩뿌려져있는 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있는 교차 결합된 도전성 중합체 조성물로 구성된 PTC 엘레멘트와; (2) PTC 엘레멘트에 전기적으로 연결되어 있으며, 전류가 PTC 엘레멘트를 통과하도록 전력 소스에 연결될 수 있는 두개의 전극을 포함하고 있는 전기 장치의 준비를 위한 공정으로, 공정이 (가) PTC 엘레멘트의 최소한의 부분에 제1교차 결합단계를 적용시키고; (나) 교차 결합된 PTC 엘레멘트의 최소한의 부분을 도전성 중합체가 녹기 시작하는 온도인 TI이상의 온도까지 가열시키며; (다) 중합체를 재결정화 하기 위해 교차 결합되고 가열된 PTC 엘레멘트를 냉각시키고; (라) 또 다른 교차 결합이 이루어지도록, 교차 결합되고 가열되고 냉각된 PTC 엘레멘트의 최소한의 부분에 제2교차 결합단계를 적용시키는 단계들로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 공정.
  2. 제1항에 있어서, PTC 엘레멘트는 단계(가)에서 5 내지 60Mrad의 방사선량을 쬐임으로써 교차 결합되며, 단계(라)에서 최소한 10Mrad의 방사량을 쬐임으로써 교차 결합되는 것을 특징으로 하는 공정.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, PTC 엘레멘트 전체는 단계(가)와 단계(라) 중 어느 한 단계에서 방사받으며, 중간에 전극이 있는 PTC 엘레멘트의 한 부분은 단계(가)와 단계(라) 중 다른 한 단계에서 방사받는 것을 특징으로 하는 공정.
  4. 제1항에 있어서, 단계(나)에서, 교차 결합된 PTC 엘레멘트가 도전성 중합체의 용융이 완전하게 끝난 때의 온도 TM이상의 온도까지 가열되는 것을 특징으로 하는 공정.
  5. 제1항에 있어서, 단계(다)에서, 교차 결합되고 가열된 PTC 엘레멘트가 재결정화가 일어나는 온도 범위에 걸쳐 분당 4℃ 보다 적은 속도로 냉각되는 것을 특징으로 하는 공정.
  6. 제1항에 있어서, 전기장치는 방(room) 온도에서 100오옴 보다 적은 저항을 갖는 회로 보호장치이며; 도전성 중합체 조성물은 23℃에서 50오옴 cm 보다 적은 저항률을 갖고 있고; 각각의 전극은 원주형의 전기적으로 동작하는 표면을 갖고 있으며, 전극은 (a) 서로 평행하고, (b) PTC 엘레멘트에 박혀있고 그것과 물리적 접촉을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 공정.
  7. 제6항에 있어서, 도전성 중합체는 폴리에틸렌의 흩뿌려져있는 카본 블랙을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 공정.
  8. 회로 보호장치는 100오옴 보다 적은 저항을 가지며, (1) PTC 상태로 존재하고, 결정성 중합체로 구성된 중합체 성분과 그 중합체 성분내에 흩뿌려져있는 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있는 교차결합된 도전성 중합체 조성물로 구성된 PTC 엘레멘트와; (2) PTC 엘레멘트에 전기적으로 연결되어 있으며, 전류가 PTC 엘레멘트를 통과할 수 있도록 전력소스에 연결될 수 있는 두개의 전극을 포함하고 있으며, 만일 상기의회로 보호장치가 600볼트 AC의 전력소스로부터 1암페어의 전류가 장치를 통과함으로써 높은 저항상태, 평형고온 상태로 전환된다면, 상기의 PTC 엘레멘트는 평형 상태에서 적어도 1.2배의 TM바람직하게는 적어도 1.1배의 TM인 최대표면 온도를 가지고, 여기서 TM은 도전성 중합체의 용융이 완전히 끝난 때의 온도(℃)인 것을 특징으로 하는 회로 보호장치.
  9. 제8항에 있어서, PTC 엘레멘트를 통과하는 전극간의 기하학적으로 가장 짧은 전류경로가 제1방사량 D1Mrad를 흡수한 제1부분, 제2방사량 D2Mrad를 흡수한 제2부분, 그리고 제3방사량 D3Mrad를 흡수한 제3부분을 포함하고 있으며, 여기서 D2/D1의 비는 최소한 1.5이고 D2/D3의 비는 적어도 1.5이며 D1과 D3는 같거나 다른 것을 특징으로 하는 장치.
  10. (1) PTC 상태로 존재하며, 중합체 성분과 그 중합체 성분에 흩뿌려져있는 입자형 도전성 충진재를 포함하고 있는 교차결합된 도전성 중합체 조성물로 구성된 PTC 엘레멘트와; (2) PTC 엘레멘트와 전기적으로 연결되어 있으며, 전류가 PTC 엘레멘트를 통과하도록 전력소스와 연결될 수 있는 두개의 전극을 포함하고 있는 전기장치를 준비를 위한 공정으로 그 공정은 PTC 엘레멘트를 통과하는 전극간의 기하학적으로 가장 짧은 전류경로가 제1방사량 D1Mrad를 흡수한 제1부분과, 제2방사량 D2Mrad를 흡수한 제2부분과, 제3방사량 D3Mrad를 흡수한 제3부분을 차례로 포함하도록 PTC 엘레멘트에 방사선 교차 결합을 적용하는(subjecting) 단계를 포함하고 있으며 여기서 D2/D1비는 적어도 1.5이고 D2/D3비는 적어도 1.5이며 D1과 D3는 같거나 다른 것을 특징으로 하는 공정.
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Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5148005A (en) * 1984-07-10 1992-09-15 Raychem Corporation Composite circuit protection devices
US5089688A (en) * 1984-07-10 1992-02-18 Raychem Corporation Composite circuit protection devices
US5064997A (en) * 1984-07-10 1991-11-12 Raychem Corporation Composite circuit protection devices
US4884163A (en) * 1985-03-14 1989-11-28 Raychem Corporation Conductive polymer devices
GB2194719B (en) * 1986-08-19 1990-08-29 Mohan Singh Boyal Electrical heating cable
US5166658A (en) * 1987-09-30 1992-11-24 Raychem Corporation Electrical device comprising conductive polymers
US4924074A (en) * 1987-09-30 1990-05-08 Raychem Corporation Electrical device comprising conductive polymers
US4907340A (en) * 1987-09-30 1990-03-13 Raychem Corporation Electrical device comprising conductive polymers
WO1989003162A1 (en) * 1987-09-30 1989-04-06 Raychem Corporation Electrical device comprising conductive polymers
US5057673A (en) * 1988-05-19 1991-10-15 Fluorocarbon Company Self-current-limiting devices and method of making same
US5174924A (en) * 1990-06-04 1992-12-29 Fujikura Ltd. Ptc conductive polymer composition containing carbon black having large particle size and high dbp absorption
US5089801A (en) * 1990-09-28 1992-02-18 Raychem Corporation Self-regulating ptc devices having shaped laminar conductive terminals
US5436609A (en) * 1990-09-28 1995-07-25 Raychem Corporation Electrical device
US5185594A (en) * 1991-05-20 1993-02-09 Furon Company Temperature sensing cable device and method of making same
JPH0521207A (ja) * 1991-07-12 1993-01-29 Daito Tsushinki Kk Ｐｔｃ素子
US5303115A (en) * 1992-01-27 1994-04-12 Raychem Corporation PTC circuit protection device comprising mechanical stress riser
US5378407A (en) * 1992-06-05 1995-01-03 Raychem Corporation Conductive polymer composition
US5852397A (en) 1992-07-09 1998-12-22 Raychem Corporation Electrical devices
US5451919A (en) * 1993-06-29 1995-09-19 Raychem Corporation Electrical device comprising a conductive polymer composition
US5545679A (en) * 1993-11-29 1996-08-13 Eaton Corporation Positive temperature coefficient conductive polymer made from thermosetting polyester resin and conductive fillers
US6375867B1 (en) 1993-11-29 2002-04-23 Eaton Corporation Process for making a positive temperature coefficient conductive polymer from a thermosetting epoxy resin and conductive fillers
CN1054941C (zh) 1994-05-16 2000-07-26 雷伊化学公司 有聚合物正温度系数电阻元件的电路保护器件
US5582770A (en) * 1994-06-08 1996-12-10 Raychem Corporation Conductive polymer composition
TW263589B (en) * 1994-06-08 1995-11-21 Raychem Ltd Electrical devices containing conductive polymers
TW298653B (ko) * 1995-02-28 1997-02-21 Yunichica Kk
US5610922A (en) * 1995-03-20 1997-03-11 Raychem Corporation Voice plus 4-wire DDS multiplexer
JP3930904B2 (ja) * 1995-03-22 2007-06-13 レイケム・コーポレイション 電気デバイス
JP3930905B2 (ja) * 1995-03-22 2007-06-13 レイケム・コーポレイション 導電性ポリマー組成物およびデバイス
US5691689A (en) * 1995-08-11 1997-11-25 Eaton Corporation Electrical circuit protection devices comprising PTC conductive liquid crystal polymer compositions
US5801612A (en) * 1995-08-24 1998-09-01 Raychem Corporation Electrical device
US5864458A (en) * 1995-09-14 1999-01-26 Raychem Corporation Overcurrent protection circuits comprising combinations of PTC devices and switches
US5737160A (en) * 1995-09-14 1998-04-07 Raychem Corporation Electrical switches comprising arrangement of mechanical switches and PCT device
US5666254A (en) * 1995-09-14 1997-09-09 Raychem Corporation Voltage sensing overcurrent protection circuit
US5689395A (en) * 1995-09-14 1997-11-18 Raychem Corporation Overcurrent protection circuit
DE19548741A1 (de) 1995-12-23 1997-06-26 Abb Research Ltd Verfahren zur Herstellung eines Materials für PTC-Widerstände
US6023403A (en) * 1996-05-03 2000-02-08 Littlefuse, Inc. Surface mountable electrical device comprising a PTC and fusible element
CN1076531C (zh) 1996-07-16 2001-12-19 雷伊化学公司 电子保护系统和含有该系统的电路
IT1291696B1 (it) * 1996-07-18 1999-01-21 Ennio Carlet Elemento riscaldante elettrico autoregolante per riscaldatori a cartuccia o a provetta
US5841111A (en) * 1996-12-19 1998-11-24 Eaton Corporation Low resistance electrical interface for current limiting polymers by plasma processing
JP2002502554A (ja) 1997-06-04 2002-01-22 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 回路保護デバイス
US6306323B1 (en) 1997-07-14 2001-10-23 Tyco Electronics Corporation Extrusion of polymers
US6104587A (en) * 1997-07-25 2000-08-15 Banich; Ann Electrical device comprising a conductive polymer
US6078160A (en) * 1997-10-31 2000-06-20 Cilluffo; Anthony Bidirectional DC motor control circuit including overcurrent protection PTC device and relay
JP2002503075A (ja) 1998-02-06 2002-01-29 タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション 電気的保護システム
DE69941325D1 (de) * 1998-02-06 2009-10-08 Tyco Electronics Corp Elektrische systeme
US6282072B1 (en) 1998-02-24 2001-08-28 Littelfuse, Inc. Electrical devices having a polymer PTC array
US6606023B2 (en) * 1998-04-14 2003-08-12 Tyco Electronics Corporation Electrical devices
US6331763B1 (en) 1998-04-15 2001-12-18 Tyco Electronics Corporation Devices and methods for protection of rechargeable elements
DE19833609A1 (de) 1998-07-25 2000-01-27 Abb Research Ltd Elektrisches Bauteil mit einer Einschnürung in einem PTC-Polymerelement
US6349022B1 (en) 1998-09-18 2002-02-19 Tyco Electronics Corporation Latching protection circuit
US6582647B1 (en) 1998-10-01 2003-06-24 Littelfuse, Inc. Method for heat treating PTC devices
US6137669A (en) 1998-10-28 2000-10-24 Chiang; Justin N. Sensor
US6300859B1 (en) 1999-08-24 2001-10-09 Tyco Electronics Corporation Circuit protection devices
US6362721B1 (en) 1999-08-31 2002-03-26 Tyco Electronics Corporation Electrical device and assembly
US6640420B1 (en) 1999-09-14 2003-11-04 Tyco Electronics Corporation Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device
US6854176B2 (en) * 1999-09-14 2005-02-15 Tyco Electronics Corporation Process for manufacturing a composite polymeric circuit protection device
CN1319079C (zh) * 2000-01-11 2007-05-30 泰科电子有限公司 电气装置和电组件及数字信号的电信电路
US6495012B1 (en) * 2000-03-31 2002-12-17 The Foxboro Company Sensor for electrometric measurement
EP1168378A1 (en) * 2000-06-19 2002-01-02 Abb Research Ltd. Method of producing a PTC-resistor device
US6593843B1 (en) 2000-06-28 2003-07-15 Tyco Electronics Corporation Electrical devices containing conductive polymers
US6531950B1 (en) 2000-06-28 2003-03-11 Tyco Electronics Corporation Electrical devices containing conductive polymers
US6628498B2 (en) 2000-08-28 2003-09-30 Steven J. Whitney Integrated electrostatic discharge and overcurrent device
US6411191B1 (en) 2000-10-24 2002-06-25 Eaton Corporation Current-limiting device employing a non-uniform pressure distribution between one or more electrodes and a current-limiting material
KR100411778B1 (ko) * 2001-10-12 2003-12-24 주식회사 쎄라텍 중합체 양성온도계수 써미스터 제조방법
TW529846U (en) * 2001-11-12 2003-04-21 Polytronics Technology Corp Over-current protection component and the device
DE10392524B4 (de) * 2002-04-08 2008-08-07 OTC Littelfuse, Inc., Des Plaines Vorrichtungen mit spannungsvariablem Material zur direkten Anwendung
US7132922B2 (en) * 2002-04-08 2006-11-07 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, components thereof and devices employing same
US7183891B2 (en) * 2002-04-08 2007-02-27 Littelfuse, Inc. Direct application voltage variable material, devices employing same and methods of manufacturing such devices
DE60302462T2 (de) * 2002-06-25 2006-08-10 Tyco Electronics Corp. Integrierte vorrichtung mit überstrom- und überspannungschutzschaltung und gleichtaktfilterung für die datenbusschnittstelle
CN1695210A (zh) * 2002-09-17 2005-11-09 泰科电子有限公司 一种聚合物ptc器件的制造方法
EP1620863B1 (en) * 2003-05-02 2012-03-07 TYCO Electronics Corporation Circuit protection device
US7920045B2 (en) * 2004-03-15 2011-04-05 Tyco Electronics Corporation Surface mountable PPTC device with integral weld plate
US7371459B2 (en) * 2004-09-03 2008-05-13 Tyco Electronics Corporation Electrical devices having an oxygen barrier coating
WO2006076483A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Tyco Electronics Corporation Insert injection-compression molding of polymeric ptc electrical devices
US8183504B2 (en) 2005-03-28 2012-05-22 Tyco Electronics Corporation Surface mount multi-layer electrical circuit protection device with active element between PPTC layers
WO2007014302A2 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Tyco Electronics Corporation Circuit protection device having thermally coupled mov overvoltage element and pptc overcurrent element
US8044763B2 (en) * 2005-12-27 2011-10-25 Polytronics Technology Corp. Surface-mounted over-current protection device
USRE44224E1 (en) * 2005-12-27 2013-05-21 Polytronics Technology Corp. Surface-mounted over-current protection device
US20090027821A1 (en) * 2007-07-26 2009-01-29 Littelfuse, Inc. Integrated thermistor and metallic element device and method
JP2009194168A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Tdk Corp サーミスタ及びその製造方法
US7826200B2 (en) 2008-03-25 2010-11-02 Avx Corporation Electrolytic capacitor assembly containing a resettable fuse
WO2014012161A1 (en) * 2012-07-17 2014-01-23 Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Minister Of Natural Resources Method and composite for preparing heat exchangers for corrosive environments
WO2016130576A1 (en) 2015-02-09 2016-08-18 Pentair Thermal Management Llc Heater cable having a tapered profile

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3351882A (en) * 1964-10-09 1967-11-07 Polyelectric Corp Plastic resistance elements and methods for making same
FR1424016A (fr) * 1964-12-22 1966-01-07 Thomson Houston Comp Francaise Compositions à base de polyéthylène irradié
US3571777A (en) * 1969-07-07 1971-03-23 Cabot Corp Thermally responsive current regulating devices
DE2061830A1 (en) * 1970-12-16 1972-06-22 Metallgesellschaft Ag Cross-linked polyolefin mouldings prodn - by two-stage cross-linking process
US3861029A (en) * 1972-09-08 1975-01-21 Raychem Corp Method of making heater cable
US3823217A (en) * 1973-01-18 1974-07-09 Raychem Corp Resistivity variance reduction
IT1042912B (it) * 1974-09-27 1980-01-30 Raychem Corp Composizioni a coefficiente di temperatura positivo
US4188276A (en) * 1975-08-04 1980-02-12 Raychem Corporation Voltage stable positive temperature coefficient of resistance crosslinked compositions
US4534889A (en) * 1976-10-15 1985-08-13 Raychem Corporation PTC Compositions and devices comprising them
GB1595198A (en) * 1976-10-15 1981-08-12 Raychem Corp Ptc compositions and devices comprising them
US4388607A (en) * 1976-12-16 1983-06-14 Raychem Corporation Conductive polymer compositions, and to devices comprising such compositions
DE2816872A1 (de) * 1978-04-18 1979-10-31 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zum herstellen von elektrisch leitfaehigen organopolysiloxanelastomeren
US4304987A (en) * 1978-09-18 1981-12-08 Raychem Corporation Electrical devices comprising conductive polymer compositions
US4352083A (en) * 1980-04-21 1982-09-28 Raychem Corporation Circuit protection devices
US4317027A (en) * 1980-04-21 1982-02-23 Raychem Corporation Circuit protection devices
US4591700A (en) * 1980-05-19 1986-05-27 Raychem Corporation PTC compositions
DE3279970D1 (en) * 1981-04-02 1989-11-09 Raychem Corp Radiation cross-linking of ptc conductive polymers
JPS6132376A (ja) * 1984-07-23 1986-02-15 松下電器産業株式会社 正抵抗温度係数を有する発熱体の製造方法

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